第1卷 半导体器件基础 湖南省（对口招生）电子电工类专业《电子技术模块考点双析卷》

编写说明：湖南省（对口招生）电子电工类《电子技术模块》考点双析卷专辑，依据2026年湖南省（对口招生）考试纲要知识模块《电子技术模块》编写。“考点双析卷”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷，助力师生构建“讲练结合” 的学习闭环，是中职学校师生应对职教高考首轮复习教学的得力助手。 本专辑第1卷精准对标湖南省（对口招生）考试纲要知识模块《电子技术模块》： （一）掌握内容：半导体基础 湖南省电子电工类专业综合理论考试 《电子技术模块》考点双析卷 第1卷 半导体器件基础 教师讲解卷 时间：60分钟 总分：100分 班级_______ 姓名_______ 学号_______ 成绩_______ 一、单选题（本大题共20小题，每小题3分，共60分） 1．场效应管的主要特点是（   ） A．输出电阻高 B．输入电阻大 C．噪声大 D．耗电大 2．如图所示为半导体二极管的结构符号，其中阳极对应的是（   ） A．左端引线​ B．右端引线​ C．三角形顶点​ D．矩形端​​ 3．二极管参数中，最大整流电流是指（   ）​ A．长期工作允许通过的最大正向平均电流​ B．反向击穿时的电流​ C．正向导通时的峰值电流​ D．反向截止时的漏电流​ 4．增强型 MOS 管在 VGS=0 时， 原始导电沟道​。（   ） A．有​ B．没有​ C．不确定​ D．以上都对​ 5．下列哪种情况会导致NMOS驱动电路中NMOS管无法正常工作（   ） A．控制信号为高电平 B．控制信号为低电平 C．漏极和源极之间电压超过额定值 D．输入电压过低 6．绝缘栅型场效应管的简称是（   ） A．JFET​ B．MOS​ C．BJT​ D．FET​ 7．下列不属于三极管主要参数的是（   ） A．电流放大系数 B．集电极最大允许电流 C．集电极-发射极反向击穿电压 D．输入电阻 8．在三极管的输出特性曲线簇中，每条曲线与 对应（   ） A． B． C． D． 9．用作开关作用的三极管工作在输出特性的（   ） A．饱和区 B．放大区 C．截止区 D．饱和区和截止区 10．当温度升高后，二极管的正向电压将（   ） A．增大 B．减小 C．不变 D．无法确定 11．3AX型三极管的PCM＝120mW，ICM＝15mA，U（BR）CEO＝20V，如果将它接在IC＝10mA，UCE＝15V的电路中，则该管（   ） A．正常工作 B．被击穿 C．功耗太大，过热，甚至烧坏 D．电流过大导致β下降 12．关于二极管的伏安特性，下列说法正确的是（   ） A．二极管加正向电压就一定导通 B．二极管正向导通时，二极管两端的电压和流过二极管的电流成正比 C．二极管反向截止时，会有少量漏电流，且漏电流会随着温度的升高而减小 D．二极管反向电击穿时，两端的电压变化很小 13．发光二极管正常发光时工作在（   ） A．正向导通区 B．死区 C．反向截止区 D．反向击穿区 14．有两只2CW5稳压二极管，正向压降为0.7V，稳压值分别为6.5V、8.5V，这两只稳压二极管组合连接后的稳压值不可能是（   ） A．15V B．7.2V C．8.5V D．0.7V 15．万用表电阻挡R×1k挡测量二极管时，交换表笔测得两次的阻值均为0，则说明该二极管为（   ） A．断路 B．开路 C．击穿 D．正常 16．当温度升高时，二极管反向饱和电流将（   ） A．减小 B．增大 C．不变 D．变为零 17．如图所示的电路中，已知二极管VD是硅管，当电源E＝5V时，测得I＝1mA。若把电源电压调整到E＝10V，则电流I的大小（   ） A．I＝2Ma B．I<2mA C．I>2mA D．I＝0 18．如图所示为某二极管的伏安特性曲线，下列说法正确的是（   ） A．该二极管是锗管 B．A处的动态电阻比B处大 C．D点处于截止区 D．二极管导通压降可达数十伏 19．如图所示，N 沟道结型场效应管的夹断电压 VP 约为（   ）​ A．-2V​ B．-3.4V​ C．2V​ D．3.4V​ 20．如图所示电路符号代表 型场效应管（   ） A．耗尽型 MOS B．耗尽型NMOS C．增强型PMOS D．增强型NMOS 三、填空题（本大题共20小题，每小题2分，共40分） 21．增强型 MOS 管的开启电压符号是____​。 22． 场效应管依靠____载流子导电，属于单极型晶体管。 23． 场效应管跨导 gm 的单位通常是____（写中文）。 24． 二极管最主要的特性是______。 25． 结型场效应管的栅极符号为____ 26． 晶体二极管加反向电压时，反向峰值电流越小，说明二极管的______性能越好。 27． 二极管的反向饱和电流会随______升高而增大。 28． 利用二极管的单向导电性可以把它当做_________使用。 29． 半导体类型有N型半导体、P型半导体、____________。 30． PN结正向偏置时导通，反向偏置时_______，这种特性称为PN结的单向导电性。 31． 二极管的主要参数是反映正向特性的______和反映反向特性的最高反向工作电压。 32． 半导体随温度的升高，电阻会________。 33． 当硅材料的PN结正向偏压小于________V，锗材料的PN结正向偏压小于________V时，PN结仍不导通，我们把这个区域称为___________。 34． 二极管的两端加正向电压时，有一段“死区电压”，硅管约为______。 35． 场效应管是______控制半导体器件。 36． 三极管的输入特性曲线是指当三极管的电压一定时，基极电流 IB与______之间的关系曲线。 37． 变容二极管工作时加反向电压，相当于一个通过______控制的自动微调电容器。 38． 光敏二极管是一种将光信号转变成____________的半导体器件。 39． 在反向击穿区，反向电压的微小变化会引起______的急剧变化。 40． 二极管硅管的门槛电压约___V 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：湖南省（对口招生）统一考试招生电气技术类《电子技术基础及应用》考点双析卷专辑，依据2026年湖南省（对口招生）统一考试招生考试纲要知识模块《电子技术基础及应用》编写。“考点双析卷”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷，助力师生构建“讲练结合” 的学习闭环，是中职学校师生应对职教高考首轮复习教学的得力助手。 本专辑第1卷精准对标湖南省（对口招生）统一考试招生考试纲要知识模块《电子技术基础及应用》： （一）掌握内容：半导体基础 湖南省电气技术类专业综合理论考试 《电子技术基础及应用》考点双析卷 第1卷 半导体器件基础 教师讲解卷 时间：60分钟 总分：100分 班级_______ 姓名_______ 学号_______ 成绩_______ 一、单选题（本大题共20小题，每小题3分，共60分） 1．场效应管的主要特点是（   ） A．输出电阻高 B．输入电阻大 C．噪声大 D．耗电大 【答案】B 2．如图所示为半导体二极管的结构符号，其中阳极对应的是（   ） A．左端引线​ B．右端引线​ C．三角形顶点​ D．矩形端​​ 【答案】A 3．二极管参数中，最大整流电流是指（   ）​ A．长期工作允许通过的最大正向平均电流​ B．反向击穿时的电流​ C．正向导通时的峰值电流​ D．反向截止时的漏电流​ 【答案】A 4．增强型MOS管在VGS=0时，原始导电沟道​。（   ） A．有​ B．没有​ C．不确定​ D．以上都对​ 【答案】B 5．下列哪种情况会导致NMOS驱动电路中NMOS管无法正常工作（   ） A．控制信号为高电平 B．控制信号为低电平 C．漏极和源极之间电压超过额定值 D．输入电压过低 【答案】C 6．绝缘栅型场效应管的简称是（   ） A．JFET​ B．MOS​ C．BJT​ D．FET​ 【答案】B 7．下列不属于三极管主要参数的是（   ） A．电流放大系数 B．集电极最大允许电流 C．集电极-发射极反向击穿电压 D．输入电阻 【答案】D 8．在三极管的输出特性曲线簇中，每条曲线与 对应（   ） A． B． C． D． 【答案】C 9．用作开关作用的三极管工作在输出特性的（   ） A．饱和区 B．放大区 C．截止区 D．饱和区和截止区 【答案】D 10．当温度升高后，二极管的正向电压将（   ） A．增大 B．减小 C．不变 D．无法确定 【答案】B 11．3AX型三极管的PCM＝120mW，ICM＝15mA，U（BR）CEO＝20V，如果将它接在IC＝10mA，UCE＝15V的电路中，则该管（   ） A．正常工作 B．被击穿 C．功耗太大，过热，甚至烧坏 D．电流过大导致β下降 【答案】C 12．关于二极管的伏安特性，下列说法正确的是（   ） A．二极管加正向电压就一定导通 B．二极管正向导通时，二极管两端的电压和流过二极管的电流成正比 C．二极管反向截止时，会有少量漏电流，且漏电流会随着温度的升高而减小 D．二极管反向电击穿时，两端的电压变化很小 【答案】D 13．发光二极管正常发光时工作在（   ） A．正向导通区 B．死区 C．反向截止区 D．反向击穿区 【答案】A 14．有两只2CW5稳压二极管，正向压降为0.7V，稳压值分别为6.5V、8.5V，这两只稳压二极管组合连接后的稳压值不可能是（   ） A．15V B．7.2V C．8.5V D．0.7V 【答案】C 15．万用表电阻挡R×1k挡测量二极管时，交换表笔测得两次的阻值均为0，则说明该二极管为（   ） A．断路 B．开路 C．击穿 D．正常 【答案】C 16．当温度升高时，二极管反向饱和电流将（   ） A．减小 B．增大 C．不变 D．变为零 【答案】D 17．如图所示的电路中，已知二极管VD是硅管，当电源E＝5V时，测得I＝1mA。若把电源电压调整到E＝10V，则电流I的大小（   ） A．I＝2Ma B．I<2mA C．I>2mA D．I＝0 【答案】C 18．如图所示为某二极管的伏安特性曲线，下列说法正确的是（   ） A．该二极管是锗管 B．A处的动态电阻比B处大 C．D点处于截止区 D．二极管导通压降可达数十伏 【答案】B 19．如图所示，N沟道结型场效应管的夹断电压VP约为（   ）​ A．-2V​ B．-3.4V​ C．2V​ D．3.4V​ 【答案】B 20．如图所示电路符号代表 型场效应管（   ） A．耗尽型MOS B．耗尽型NMOS C．增强型PMOS D．增强型NMOS 【答案】D 三、填空题（本大题共20小题，每小题2分，共40分） 21．增强型MOS管的开启电压符号是____​。 【答案】UT 22． 场效应管依靠____载流子导电，属于单极型晶体管。 【答案】多数​ 23． 场效应管跨导gm的单位通常是____（写中文）。 【答案】毫西门子​ 24． 二极管最主要的特性是______。 【答案】单向导电性 25． 结型场效应管的栅极符号为____ 【答案】G 26． 晶体二极管加反向电压时，反向峰值电流越小，说明二极管的______性能越好。 【答案】单向导电 27． 二极管的反向饱和电流会随______升高而增大。 【答案】温度 28． 利用二极管的单向导电性可以把它当做_________使用。 【答案】电子开关 29． 半导体类型有N型半导体、P型半导体、____________。 【答案】本征半导体 30． PN结正向偏置时导通，反向偏置时_______，这种特性称为PN结的单向导电性。 【答案】单向导电性 【详解】PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止，这种特性称为PN结的单向导电性。 31． 二极管的主要参数是反映正向特性的______和反映反向特性的最高反向工作电压。 【答案】最大整流电流 32． 半导体随温度的升高，电阻会________。 【答案】减小 【详解】在一定温度下，半导体的电子空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。 33． 当硅材料的PN结正向偏压小于________V，锗材料的PN结正向偏压小于________V时，PN结仍不导通，我们把这个区域称为___________。 【答案】0.5 0.2 死区 【详解】当硅材料的PN结正向偏压小于0.5V，锗材料的PN结正向偏压小于0.2V时，PN结仍不导通，我们把这个区域称为死区。 34． 二极管的两端加正向电压时，有一段“死区电压”，硅管约为______。 【答案】0.5V 35． 场效应管是______控制半导体器件。 【答案】电压 36． 三极管的输入特性曲线是指当三极管的电压一定时，基极电流IB与______之间的关系曲线。 【答案】发射结电压UBE​  37． 变容二极管工作时加反向电压，相当于一个通过______控制的自动微调电容器。 【答案】电压 38． 光敏二极管是一种将光信号转变成____________的半导体器件。 【答案】电信号 39． 在反向击穿区，反向电压的微小变化会引起______的急剧变化。 【答案】反向电流 40． 二极管硅管的门槛电压约___V 【答案】0.5 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $