第39卷 二极管 江苏省（职教高考）机电类专业《电工电子技术基础与技能考点双析卷》

编写说明:江苏省(职教高考)机电类专业《电工电子技术基础与技能》考点双析卷专辑,依据2026年江苏省中职职教高考机电类专业综合理论考试大纲《电工电子技术基础与技能》编写。“考点双析卷”即围绕一个考点,一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷,助力师生构建“讲练结合” 的学习闭环,是中职学校师生应对职教高考首轮复习教学的得力助手。 本专辑第39卷精准对标江苏省(职教高考)机电类专业综合理论考试大纲《电工电子技术基础与技能》:(一)掌握内容:二极管 江苏省机电类专业综合理论考试 《电工电子技术基础与技能》 考点双析卷 第39卷 二极管 教师解析卷 时间:60分钟 总分:100分 班级_ 姓名_ 学号_ 成绩_ 一、单选题(本大题共10小题,每小题3分,共30分) 1.如图所示两只硅稳压管的稳压值分别是 VZ1 =6V , VZ2 =9V , 则( ) A.输出电压为 6V , V1工作在反向击穿状态 , V2 工作在反向截止状态 B.输出电压为 9V , V1工作在反向截止状态 , V2 工作在反向击穿状态 C.输出电压为 6V , V1、V2都工作在反向击穿状态 D.输出电压为 0 . 7V , V1、V2 都工作在正向导通状态 【答案】A 2.点接触型二极管比较适用于( ) A.大功率整流 B.小信号检波 C.大电流开关 D.以上都不对 【答案】B 【详解】点接触型二极管比较适用于小信号检波。 3.对于常见的电子设备维护,应定期检查和更换的元件包括( ) A.电阻 B.电容 C.二极管 D.电源 【答案】B 4.硅二极管和锗二极管的安如图 ,其中的特性曲线是( ) A.AOD B.AOC C.BOC D.BOD 【答案】D 【详解】硅二极管的死区电压、击穿电压比错二极管的大 5.如图所示Uz的稳压值为6V,最小稳定电流Imm=5mA,输入电压Ui=12V,稳定条件下,I 的数值最大不应超过( ) A.40Ma B.45mA C.55mA D.60mA 【答案】C 6.电路如图所示,设二极管正向压降和反向电流均可忽略,则输出电压UAB为( ) A.6V B.12V C.-6V D.-12V 【答案】A 7.二极管的反向击穿电压是指( ) A.二极管能够承受的最大正向电压 B.二极管能够承受的最大反向电压 C.二极管在正向导通时的电压 D.二极管在反向截止时的电压 【答案】B 8.如果一个二极管在反向偏置下仍然导通,可能发生了什么?( ) A.它已损坏 B.它正在正常工作 C.它已经超温 D.它需要更多的反向电压才能导通 【答案】A 【详解】正常情况下,二极管在反向偏置下应该不导通。如果导通,很可能已经损坏。 9.将交流电压Ui经单相半波整流电路转换为直流电压Uo的关系是( ) A.UO=Ui B.UO=0.45Ui C.UO=0.5Ui D.UO=Ui 【答案】B 10.如图所示 , 已知两只硅稳压管的 VZ1=5V , VZ2=7V , 正向压降均为0.7V , 则( ) A.输出电压为5V B.输出电压为7V C.输出电压为12V D.输出电压为20V 【答案】C 二、判断题(本大题共5小题,每小题2分,共10分) 11.二极管若工作在反向击穿区,一定会被击穿。( ) 【答案】错误 12.在测量二极管的导通方向时,当万用表的正电极连接到二极管的P区,负电极连接到N区,表计将显示一个较小的电阻值。 ( ) 【答案】错误 【详解】在测量二极管的导通方向时,当万用表的正电极连接到二极管的P区,负电极连接到N区,表计将显示一个较大的电阻值(正无穷大)。 13.N型半导体多数载流子是电子,所以它带负电。( ) 【答案】错误 14.二极管的种类很多,参数没有差别,但它们的伏安特性曲线大致相似。( ) 【答案】错误 【详解】二极管的种类很多,参数也有差别,但它们的伏安特性曲线大致相似. 15.稳压二极管稳压精度高、工作稳定可、外围电路简单、体积小、重量轻等。( ) 【答案】错误 三、填空题(本大题共5小题,每小题2分,共10分) 16.电阻与温度的关系:金属材料电阻率随温度的升高而_,电解液、半导体和绝缘体的电阻率随温度的升高而_。 【答案】 增大 减小 17.使用万用表测试二极管时,正向导通时应显示较低的电压值,通常为_V左右。 【答案】0.6-0.7 18.人们通过对其中发光材料的研究,逐渐开发出各种光色、光效率越来越高的 _。 【答案】LED 元件 19.硅管死区电压约为_,导通后的管压降约为_。锗管死区电压约为_,导通后的管压降约为_。 【答案】 0.5V 0.7V 0.2V 0.3 V 20.硅稳压二极管的稳压电路中,硅稳压二极管必须与负载电阻_。限流电阻不仅有_作用,也有_作用。 【答案】 并联 限流 调压 四、简答题(本大题共2小题,每小题10分,共20分) 21.实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么? 【答案】(1)理想半导体:假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上,实际半导体中原子不是静止的,而是在其平衡位置附近振动。(2)理想半导体是纯净不含杂质的,实际半导体含有若干杂质。(3)理想半导体的晶格结构是完整的,实际半导体中存在点缺陷,线缺陷和面缺陷等。 22.硅二极管和锗二极管在伏安特性上的区别 【答案】硅二极管的正向导通电压约为0.6-0.7v,锗二极管导通电压约为0.2-0.3v;硅二极 管的反向耐压可以做得很高,锗二极管反向耐压则低得多;硅二极管的反向漏电流很小,锗二极管的反向漏电流要大得多;硅二极管的温度系数比锗二极管大。另外就是锗二极管生产的型号实在很少。 五、计算题(本大题共3小题,每小题10分,共30分) 23.分析与判断:如图所示,VD均为理想二极管,试判断二极管的工作状态并求U0。 (a) (b) (c) (d) 【答案】(a)VD导通,U0=-3V(b)VD截止,U0=-6V (c) VD1导通,U0=-0V,VD2截止(d)VD2优先导通U0=-3V,VD1截止。 24.单相桥式整流电容滤波电路如图所示,变压器一次侧电压u₁=220√2sin314tV,若负载两端电压 U₁=24V,IL=100mA。试求: (1)求变压器的变比; (2)选择整流二极管; (3)选择滤波电容的容量。 【答案】(1)11 (2) (3) 25.整流电路见图,二极管为理想元件,它能提供两种整流电压。已知变压器二次电压有效值U21=80V,U22 =U23=20V,负载电阻RL1=5k ,RL2=50k 。试求 (1)通过两个负载的平均电流IO1和IO2 (2)每个二极管承受的最高反向电压 【答案】(1) (2) 试卷第1页,共3页 试卷第1页,共3页 学科网(北京)股份有限公司 学科网(北京)股份有限公司 $ 编写说明：江苏省（职教高考）机电类专业《电工电子技术基础与技能》考点双析卷专辑，依据2026年江苏省中职职教高考机电类专业综合理论考试大纲《电工电子技术基础与技能》编写。“考点双析卷”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷，助力师生构建“讲练结合” 的学习闭环，是中职学校师生应对职教高考首轮复习教学的得力助手。 本专辑第39卷精准对标江苏省（职教高考）机电类专业综合理论考试大纲《电工电子技术基础与技能》：（一）掌握内容：二极管 江苏省机电类专业综合理论考试 《电工电子技术基础与技能》 考点双析卷 第39卷 二极管 教师解析卷 时间：60分钟 总分：100分 班级_______ 姓名_______ 学号_______ 成绩_______ 一、单选题（本大题共10小题，每小题3分，共30分） 1．如图所示两只硅稳压管的稳压值分别是 VZ1 =6V ， VZ2 =9V ， 则（    ） A．输出电压为 6V ， V1工作在反向击穿状态 ， V2 工作在反向截止状态 B．输出电压为 9V ， V1工作在反向截止状态 ， V2 工作在反向击穿状态 C．输出电压为 6V ， V1、V2都工作在反向击穿状态 D．输出电压为 0 . 7V ， V1、V2 都工作在正向导通状态 2．点接触型二极管比较适用于（     ） A．大功率整流 B．小信号检波 C．大电流开关 D．以上都不对 3．对于常见的电子设备维护，应定期检查和更换的元件包括（   ） A．电阻 B．电容 C．二极管 D．电源 4．硅二极管和锗二极管的安如图 ，其中的特性曲线是（      ） A．AOD B．AOC C．BOC D．BOD 5．如图所示Uz的稳压值为6V，最小稳定电流Imm=5mA，输入电压Ui=12V，稳定条件下，Iπ的数值最大不应超过（   ） A．40Ma B．45mA C．55mA D．60mA 6．电路如图所示，设二极管正向压降和反向电流均可忽略，则输出电压UAB为（   ） A．6V B．12V C．-6V D．-12V 7．二极管的反向击穿电压是指（　　） A．二极管能够承受的最大正向电压 B．二极管能够承受的最大反向电压 C．二极管在正向导通时的电压 D．二极管在反向截止时的电压 8．如果一个二极管在反向偏置下仍然导通，可能发生了什么？（   ） A．它已损坏 B．它正在正常工作 C．它已经超温 D．它需要更多的反向电压才能导通 9．将交流电压Ui经单相半波整流电路转换为直流电压Uo的关系是（　　） A．UO=Ui B．UO=0.45Ui C．UO=0.5Ui D．UO=Ui 10．如图所示 ， 已知两只硅稳压管的 VZ1=5V ， VZ2=7V ， 正向压降均为0.7V ， 则(  ) A．输出电压为5V B．输出电压为7V C．输出电压为12V D．输出电压为20V 二、判断题（本大题共5小题，每小题2分，共10分） 11．二极管若工作在反向击穿区，一定会被击穿。( ) 12．在测量二极管的导通方向时，当万用表的正电极连接到二极管的P区，负电极连接到N区，表计将显示一个较小的电阻值。  ( ) 13．N型半导体多数载流子是电子，所以它带负电。( ) 14．二极管的种类很多，参数没有差别，但它们的伏安特性曲线大致相似。( ) 15．稳压二极管稳压精度高、工作稳定可、外围电路简单、体积小、重量轻等。( ) 三、填空题（本大题共5小题，每小题2分，共10分） 16．电阻与温度的关系：金属材料电阻率随温度的升高而________，电解液、半导体和绝缘体的电阻率随温度的升高而_____。 17．使用万用表测试二极管时，正向导通时应显示较低的电压值，通常为________V左右。 18．人们通过对其中发光材料的研究，逐渐开发出各种光色、光效率越来越高的 _______________。 19．硅管死区电压约为_____________，导通后的管压降约为_____________。锗管死区电压约为_____________，导通后的管压降约为_____________。 20．硅稳压二极管的稳压电路中，硅稳压二极管必须与负载电阻________。限流电阻不仅有________作用，也有________作用。 四、简答题（本大题共2小题，每小题10分，共20分） 21．实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？ 22．硅二极管和锗二极管在伏安特性上的区别 五、计算题（本大题共3小题，每小题10分，共30分） 23．分析与判断：如图所示，VD均为理想二极管，试判断二极管的工作状态并求U0。 （a）               （b）             （c）          （d） 24．单相桥式整流电容滤波电路如图所示，变压器一次侧电压u₁=220√2sin314tV，若负载两端电压 U₁=24V，IL=100mA。试求： (1)求变压器的变比； (2)选择整流二极管； (3)选择滤波电容的容量。 25．整流电路见图，二极管为理想元件，它能提供两种整流电压。已知变压器二次电压有效值U21=80V，U22 =U23=20V，负载电阻RL1=5kΩ，RL2=50kΩ。试求 (1)通过两个负载的平均电流IO1和IO2 (2)每个二极管承受的最高反向电压 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $