内容正文:
·物理·
参考答案及解析
解得on,=了6-
元m时y最大;
(1分)
故当t=m+
T1+T2
3Bq
2
(9n十2)πm或t=
n=
6Bg
同样在2
内,
T十T2
m
7元m+T,+T2n
2
3Ba
6Bg
2
(9n+7)πm(n=0,1,2…)时,
6Bq
时y装大
(1分)
其最大值ymax=
3√3mw
4Bq
(1分)
2025一2026学年度二轮专题精准提升(十)】
物理·带电粒子在组合场、复合场中的运动
一、单项选择题
3.D【解析】已知石墨烯导电能力远超银和铜等传
1.C【解析】小球在复合场中受重力、电场力和洛
统材料,而半导体导电能力介于导体和绝缘体之
伦兹力三个力的作用,洛伦兹力与速度方向垂直,
间,因此石墨烯导电能力远强于半导体,A错误;
所以洛伦兹力的大小和方向均会发生变化,小球
由左手定则可知电子向电极M端偏转,电极M
的加速度会变化,A错误;洛伦兹力不做功,电场
的电势比电极N的电势低,B错误;题意可知样品
力做功,所以机械能不守恒,B错误;把重力和电
每平方米载流子(电子)数为n,则时间t内通过样
场力合成为一个等效重力,其方向斜向左下方,等
品的电荷量g=nevdt,根据电流的定义式得I=
效最高点在O到M的中途某处,而洛伦兹力不做
日=ed,电流稳定时有9wB9,茫理得U=目
t
功,所以小球从O到M的过程中速度先减小后增
大,C正确;小球从M点到N点洛伦兹力不做功,
Bdu,可知k=d0,联立解得k=I,C错误;由图
ne
但重力和电场力都做正功,动能增加,D错误。
2.B【解析】由于电场力与重力合力处于竖直方
集可如奉-DvT-中
ne
向,磁场方向处于竖直方向,所以在竖直方向的分
I=1.0×103A,e=1.6×1019C,代入数据解得
n≈2.3×1016个/m2,D正确。
速度不会产生洛伦兹力;水平方向的分速度受到
4.C【解析】小球受到的洛伦兹力水平指向圆心
洛伦兹力作用;将小球的运动分解为水平方向初
O,根据左手定则可知,从上面俯视小球沿逆时针
速度为。的匀速圆周运动和竖直方向初速度为0
方向运转,A错误;小球竖直方向受力平衡,则有
的匀加速直线运动;对于水平方向的匀速圆周运
Ncos0=mg,可得球面对小球的弹力大小为N=
动有qB=m,解得轨道半径r=1m,周期
os9=2mg,B错误;根据F事=qB,可知小球的
mg
T=2nr
=πS,则小球从水平抛出到经过O点所用时
速率越大,小球受到的洛伦兹力越大,C正确;水
间满足t=nT=nπs(n=1,2,3…),小球从水平抛出
平方向根据牛顿第二定律可得qvB一Nsin 0=
到经过0点,竖直方向有-?,可得小球经过0
nP。。,整理可得3”2一gBu十3mg=0,
对于v的一元二次方程,根据数学知识可知,需要
2h4
,点竖直分速度v,=
m/s(n=1,2,3…),当
tnπ
满足(gB)2-4X
2v3m
3R
X√3mg≥0,可得B≥
n=1时,竖直分速度有最大值,小球经过O点时的动
1
F2m(ui+3)=
2m 2g
能有最大值,则有Ekm=
9VR
,可知磁感应强度的大小不可能为B=
42
2×0.1X(2+J0.28JB正确。
2m g
9√RD错误。
·39·
2
真题密卷
二轮专题精准提升
5.D【解析】当电场强度为0时,从O,点射入的粒
yo
子恰能运动到N点,则=2,根据洛伦兹力提
X U X
euB
供向心力有g0B=m,,解得B=,A错
evB
qyo
1
误;若粒子从30处射入,则x)=001,a=
9,联
m
02
yoyo yo 5
立解得)=y十3=2十3=6。<y,由此可知,
7,D【解析】洛伦兹力不做功,离子经过引出通道后
粒子从N,点下方进入磁场,B错误;设粒子进入磁场
的速度等于V,A错误;根据洛伦兹力提供向心力得
中时速度方向与竖直方向的夹角为日,粒子进入磁场
B=m反,解得R-阳设离子在引出道道内的轨
中的造度大小为,则gB=m。
,所以粒
道半径为,同理可得r一阳,由于高子在引出通适
子在磁场中偏转距离d=2rsin0=yo,由此可知,粒
内的轨道半径大于D型盒半径,可知引出通道内的
子在磁场中偏转距离相等,C错误;由以上分析可
磁感应强度小于D型盒内磁感应强度B,B错误;若
离子恰能从引出通道的Q点引出,设圆孤半径为r,
知,粒子在电场中运动的坚直位移宁,所以
轨迹如图所示,则有O'Q=r,OQ=L,OO=r-R,根
据几何关系得r2=L2+(r-R)2+2L(r-R)cos0,
从2y处射入的粒子,恰好从V点进入磁场,且
解得,=R2+L2-2 RLo0
2R-2Lcos 0
,由洛伦兹力提供向心力
1
恰好经磁场偏转后打在M点,即只有0~2y范
2
可得B吧=m,解得r二,联立可得B
围内平行于x轴正方向射出的粒子能被接收器接
m
2(R2-RLcos 0)
收,所以接收器接收的粒子数占粒子总数的50%,
TL2+R2-2 LRcos0B,C错误;由C中分析可
D正确。
知,离子能否离开加速器与粒子的电量和质量无关,
6.C【解析】根据动能定理,电场力做的功等于动能
若引出通道中磁场为B2时,该离子能引出加速器,则
此时将任何一个带电离子放入该加速器中都能将该
的变化量,有eEπR=
2mw,解得=1X10m/s,根
1
离子引出,D正确。
据题意作出粒子的轨迹如图所示,根据几何关系有
r-(-)+(份》,解得,-25mA错送:报
2
据洛伦兹力提供向心力有euB=m
,解得B=4T,
r
二、多项选择题
53°
B错误;每个质子在磁场中运动的时间t=360
8.AB【解析】对小球A受力分析如图所示,洛伦
兹力F2沿水平方向,库仑力F1沿着O→A方向。
53元
口一7.2X100s,C正确;所加圆形磁场的直径
在竖直方向,根据平衡条件得F1cos37°=mg,解
为2R',满足(2R')2=
号)°+(》,解得
得F,=5mg,小球A与点电荷之间的库仑力天
小为mg,A正确;原点0处带正电的点电荷与
20m,圆形磁场的最小面积S-πR?=
80m2,
小球之间的库仑力为斥力,故小球带正电,空间中
D错误。
存在竖直向下的匀强磁场,洛伦兹力需要指向圆
2
·40·
·物理·
参考答案及解析
心,根据左手定则,从上往下看带电小球只能沿逆
不断减小,所以滑动摩擦力∫也不断减小;又根
时针方向做匀速圆周运动,B正确;水平方向根据
据FN=mg cos日+Bq0,可知随着速度v不断增
大,支持力FN不断增大,根据f=FN,可知滑
牛顿第二定律得qvB一F1sin37°=m
rsin 37,
动摩擦力F不断增大,故前后判断不一致,故物
其中F:sin37=mg,解得B-5D+mg,当
3
块不可能带负电,应是带正电,物块受的洛伦兹
3gr
Aqvo
力应垂直斜面向左上方,其他力的方向不变,根
5mvo 3mg
9
3gr 4qvo
,即0
√2087时B取得最小值,可
据牛顿第二定律有f一mg sin0=ma,可知随加
速度a不断减小,滑动摩擦力f也不断减小;根
知B与v0并非单调函数关系,C、D错误。
据FN=ng cos日-Bqu,可知随着速度v不断增大,
支持力FN不断减小,根据f=FN,可知滑动摩擦
力∫不断减小,故前后判断一致,所以物块带正电,
A错误;根据牛顿第二定律有f一mng sin0=ma,在
垂直斜面方向上有FN=mg cos0一Bqv,又f=
uFN,联立解得mg(ucos0-sin0)-Bqv=
ma,由题图乙可知,当加速度a=0时速度v=
9.AD【解析】由图可知,碳原子核受到向右的洛伦
2m/s,则有mg(ucos0-sin0)-Bgv=0,代
兹力,根据左手定则可知,磁场的方向垂直纸面向
入数据解得B=0.25T,C正确;由C选项分析,
外,A正确;碳原子核在磁场中运动的时间
可知只要传送带的速度大于等于2m/s,则物块
4-召-分·丽-后由于政14原子故的质
达到最大速度的条件与传送带的速度无关,所以
传送带的速度可能是2m/s,也有可能是大于
量数大于碳一12原子核的质量数,所以碳一14原
2m/s,B正确;对物块运动的前6s,由动量定理
子核在磁场中的运动时间一定比在磁场中的运动
得mg(ucos-sin0)t-uBqx=mv,代入数据
时间大,B错误;由题意知,加速电压为U。时,有
可得x=5m,D错误。
gU=了mm,解得p=、
/2qU
三、非选择题
m
,原子核进入磁场
1.0we分)
1
1 2mUo
3d(2分)
日dg分
中有g0B=m,解得r=BVq
,由此可知质
【解析】对粒子进行运动分析,在电场中有2d=
量越大,运动半径越大,则碳一12原子核所击中的
vot,根据牛顿第二定律得gE=ma,且votan37°=
位置比碳一14原子核更靠近圆心,C错误;若碳一
at,联立解得E=
3B
12原子核全部打在内圆环上,则最小圆周运动半
8;粒子在电场中的轨迹如图
所示
R
1
径rmin=
2mUmin
2,rm-B
,最大圆周运动半
3R
Uo
径rmax=
12mUms,解得U=16'
2rmx=B√g
Umax一
答则当咖莲总区在货密点用
X2
内,碳一12原子核全部打在内圆环上,D正确。
10.BC【解析】设物块带负电,根据左手定则可知,
物块受到垂直斜面向右下方的洛伦兹力,还有重
在电场中有y=2a,解得y=
1
4d,itan 0+
力、支持力和沿斜面向上的滑动摩擦力,根据牛
顿第二定律有f-mg sin0=ma,由图乙可知,物
y=21,解得x15d,故,=1十2a-
3d;粒
块是做加速度不断减小的加速运动,即加速度α
子在竖直方向运动很短的时间内,由动量定理有
·41·
2
真题密卷
二轮专题精准提升
qBuz△t=m△y求和可得qBd。=m△,,从进入
即所有粒子在区域Ⅲ中运动后向右偏移2d。方法
磁场到右边界,速度大小变为。,方向沿y轴负
一:粒子沿y轴方向由动量定理有∑qvB2t=mv一
方向,可得gBd。十q2Bd。十…十gnBdo=mvo,解
得n(n+1)
m(-v),即2qB,d=2mu,解得B2=m,
9d:方法
1
2gBd,=mug,又nd,=2d,解得n=
二:由类平抛运动规律可知,进入区域Ⅲ时速度
3,d-
6d。
与水平夹角为0,则有tan0=2,sin0=
,所以
√5
12.(-d,2d)(2分)2u(2分)5v(2分)
mi
9
进入区域Ⅲ时速度大小2
sin0=5u,由洛伦兹
(3分)
【解析】所有粒子均沿y轴负向垂直进入区域
力提供向心力可得gBg=m
d
r2
,又T2=
sin
Ⅱ,所以可知,带电粒子做圆周运动的半径与磁
5d,解得B,=四
场区浅半径相同;由90B,=m,可得,=d,所
gd
13.(1)2eBa
(2)y=
13
m
2x-20
以A点坐标为(一d,2d);最右侧的粒子恰好经
【解析】(1)根据题意分析可知,所有电子在第一
过原点O进入区域Ⅲ,则有d=
2 m
象限都经历一个四分之一圆周运动后通过原点,
9d,所以E
化简可得E=2m0
并沿x轴负方向进入x轴下方的电场,最大速度
B
=20;设粒子进入区
对应最大半径,则有r1=2a
(1分)
城Ⅲ的速度大小为。,则有t=⑦一
vi
2
-t
根据洛伦兹力提供向心力可得evB=m
r1
可得v'=√5v;所有粒子在区域Ⅱ和区域Ⅲ运动
(1分)
过程中间距始终相等,若最右侧的粒子恰好经过
联立解得电子进入x轴上方磁场前的最大速度
原点O进入区域Ⅲ,则最左侧粒子从A点正下
v=2eBa
(1分)
方的x=一d处进入电场,又因为最终所有粒子
m
从区域I与A等高的B点离开磁场,根据运动的
(2)由题意可得所有电子都垂直于EF边界离开
对称性可知,最左侧粒子恰好从原点O返回区域
磁场,则所有电子运动轨迹的圆心都在EF直线
Ⅱ。其全程运动轨迹如图所示
上,由以上分析可得,经过直线CD时,设所有电
子沿x轴负方向的分速度=kB
(1≤k≤2)
(1分)
XX
+
根据运动学公式,在y轴方向有y一口一学:
头
(1分)
其中,=
eBa
m a
m
在x轴方向,有x'=i=6B@
解得x'=2ka
(1分)
则电子经过直线CD的坐标为(-2ka,一a),电
子经过直线CD的合速度v=√1+keBa
m
2
·42·
·物理·
参考答案及解析
速度方向与水平方向的夹角的正切值tan0'=
速度波动最大的离子的水平分运动是匀速圆周
6
运动,速度大小为Vosin0,有gB2 vosin0=m
(1分)
(vosin 0)2
则圆心位置对应的横坐标x=一2ka十rsin0'=
(1分)
r
2ka+nv。
eB sin 0'--2ka+a
(1分)
离子有效注入硅片上的面积最大可达S=π(2)2
(1分)
纵坐标y=一a一rcos0'=一a一ka
(1分)
因为电子垂直于直线EF出射,所以圆心也在直
解得S=
4πm2o8sin20
q2B2
(2分)
1
3
线上,可得EF直线方程为y=2x一2Q。
15.(1)v0=
EqR
(2)M'(rcos30°,
35
m
R;r-
6
(1分)
n'(
53
35
mvo
3vot
rcos60°
14.(1)E1=
r=
(2)E≥
16π
R:6R
2gd
π
(3)见解析
mvi (2-cos20)
S=4rm'v8 sin0
2gL
q2B2
【解析】(1)水平方向R=vocos0·to
(1分)
1Eg
【解析】(1)在加速电场有qE1d=
2mu6(1分)
竖直方向2R=vosin0·to十
2m
(1分)
解得E,=mu
(1分)
解得v,=
EqR
2qd
m
(1分)
在圆形磁分析器中,离子做圆周运动的圆心为a
(2)水平方向R=:t
(1分)
点,设半径为R,周期为T,如图
竖直方向2R=
1E92
(1分)
、E
2 m
磁分析器
1 EgR
解得:=2入m
(1分)
粒子在磁场中做等距螺旋运动如图甲,在垂直y
9
轴平面内有qv,B=
mv
(1分)
控制区
解得r=
5
8元
(1分)
则有T=2πR
(1分)
周期T=
2xm 5 mR
9B
2Eg
(1分)
(1分)
E
EgR
竖直方向0,=
t=2
根摇几何关系有an30-京
n
m
(1分)
35R35/mR
运动时间t=
6v,12 Eg
(1分)
解得,=3u2
(1分)
(2)为使所有离子均能有效注入,在ad方向上
回旋次数n=
t35
T=30
1+1
(1分)
有a=9E
落,点位置在与x轴夹角为30°处,故M'坐标为
(1分)
m
35
且满足2aL≥(W2u)2-(vocos0)2
rcos30°,-
R,r-rcos60°
(1分)
(1分)
6
联立解得E≥mu6(2-cos20)
即5v
-R,-
35
(1分)
5
2qL
16
6R16元
R
·43·
2
真题密卷
二轮专题精准提升
由对称性,易得N'的坐标为
旋半径不同、螺距相同。落点位置和底面中心连线
5v3
相对x轴的夹角相同,得出与x轴夹角为30°的倾
Γ16元R,
35
5
6R,16mR)
(2分)
斜直线,直线以M、N'为端点(不触边界),画出图案
如图乙。
(4分)
'aM
M
甲
(3)粒子进入磁场后,z不同,0,相同,T相同,回
2025一2026学年度二轮专题精准提升(十一)
物理·直流电路和交变电流
一、单项选择题
此时磁通量的变化率为0,即磁铁处于图乙位置时,小
1.A【解析】蓄电池的输出功率P=EI一Ir,变形
灯泡两端的电压为0,D错误。
得号-号-7,给合圈缘可得E=12V,=0,50,A
3.B【解析】根据电阻定律R=
S,其中S=d
,
正确,B错误;由P=E1-IP7=一(1-左),+9
E2
S,联立解得R=16oV
Ar
产,可知题图乙中,拉长该
段导线使直径减小,导线电阻随之增大,A正确;
可知害1一号-12A时,最大输由功车P一号
题图丙中,导线两端的电压U=R=160VI
πd,电流
72W,C错误;该蓄电池的短路电流1:=,
=
不变时,拉长该段导线使直径减半,导线两端电压
24A,D错误。
变为原来的16倍,B错误;题图丙中该段导线的发
2.A【解析】设感应电动势的最大值为Emx,则有
热功率P=PR-T,流过导线的电流不走,
Emax=NBSw=N便mxw,则感应电动势的有效值
改变导线直径,该段导线发热功率与直径的四次
E严,小灯泡恰好正常发光,则有R十R
Eo
Eo
方成反比,C正确;题图乙中,由闭合电路欧姆定
2
E
名小内念有,一货高。0n时
律I=R十,导线受到的安培力F=BIL,联立解
BEV
得F=
,可知通过改变导线直径可改变导线
B错误;车轮转动时带动半径为2cm的摩擦小轮转动,
S+rs
根据v=wr,结合上述解得v=l0m/s,A正确;若自行
车的速度减半,摩擦小轮转动的角速度减半,感应电动
所受的安培力,由数学知识可知当且仅当
S=rS时,
势的最大值减半,感应电动势的有效值减半,根据闭合
电路欧姆定律可知,感应电流的有效值减半,则小灯泡
S+S最小,此时S=√罗,最小值为25=2
e
oV
的功率减为先前的4,C错误;磁铁处于题图乙位置
oV
-20丽,故装大安培力r=号E√侣D
时,穿过线圈的磁通量达到最大值,根据题图丙可知,
正确。本题选择不正确的选项,故选B。
2
·44·密真
2025一2026学年度二轮专题精准提升(十)
卷题
物理·带电粒子在组合场、
复合场中的运动
本试卷总分100分,考试时间75分钟。
一、单项选择题:本题共7小题,每小题4分,共28分。在每小题给出的四个选项中,只有
一项符合题目要求。
题号
1
2
4
5
6
7
答案
1.如图所示,空间存在水平向右的匀强电场和垂直纸面向里的匀强磁场,一个带负电的小
球,从O点沿电场方向射入,OMN为其一段运动轨迹,M点为轨迹的最右端,N点为O
的正下方,不计空气阻力。关于小球从O经M到N点的过程中,下列说法正确的是
()
0Q→%
×
M
+
E
A.小球做匀变速运动
B.小球的机械能守恒
C.小球从O到M速度先减小后增加
D.小球在M、N两点的动能可能相等
2.如图所示,空间存在竖直方向的匀强磁场和匀强电场(图中未画出),磁感应强度大小
B=1T,电场强度大小可调。一带电小球从O点正上方2m处以初速度v。=2m/s水
平抛出。已知小球质量=0.1kg,电量q=0.2C,则其能经过O点时的最大动能约为
()
2m
0
A.0.20J
B.0.28J
C.1.28J
D.2.20J
二轮专题精准提升(十)物理第1页(共8页)
真题
人的一生会有太多个雨季,别总淋雨,也别总活在过去
3.石墨烯是一种由碳原子组成的单层二维蜂窝状结构的新材料,其导电能力远超银和铜
班级
等传统材料。现设计一电路测量石墨烯样品的载流子(自由导电粒子)浓度,n为单位
面积上的载流子个数。该载流子的电性及所带电荷量均与电子相同。图甲为测量原理
图,长为1、宽为d的石墨烯材料垂直于磁场放置,P、Q、M、N为电极。电极P、Q间通
姓名
以恒定电流I,电极M、N间产生大小为U的霍尔电压。改变磁场的磁感应强度B,测
量霍尔电压U,获得多组数据,得到U-B关系图线如图乙所示。已知某次测量中所通电
得分
流大小I=1.0mA,元电荷e=1.6×10-19C。下列说法正确的是
↑UmV
80
…M
,石墨烯
XX
mV
×××××
…W
mA
o出出
50100150200250300B/mT
分
乙
A.石墨烯与半导体的导电能力相当
B.电极M的电势比电极N的电势高
C.图乙中图线的斜率=I
ned
D.该样品的载流子浓度n约为2.3×1016个/m2
4.如图所示,一半径为R的光滑绝缘半球面开口向下,固定在水平面上。整个空间存在磁
感应强度为B、方向竖直向下的匀强磁场。一电荷量为q(q>0)、质量为m的小球P在
球面上做水平的匀速圆周运动,圆心为O'。球心O到该圆周上任一点的连线与竖直方
向的夹角0=60°。若重力加速度为g,下列说法正确的是
(
)
A.从上面俯视小球沿顺时针方向运转
B球面对小球的弹力大小为23
C.小球的速率越大,则小球受到的洛伦兹力越大
0
Q磁感应强度的大小可能为B一尽
5.如图所示,在0<y<yo,0<x<xo区域内有竖直向上的匀强电场,在x>x区域内有
垂直纸面向里的匀强磁场,从y轴上0~y。范围内射出大量平行于x轴正方向、质量为
、电荷量为十q、分布均匀的带电粒子,粒子射入的初速度均为o,当电场强度为0时,
从0点射入的粒子恰能运动到V,)点,若电扬强度E=",MN右侧是粒子
接收器,MN的长度为y。,不计粒子重力和粒子间的相互作用,则
密卷
二轮专题精准提升(十)物理第2页(共8页)
2
A.磁感应强度的大小为
gyo
B从3处射入的粒子,恰好从N点进入磁场
X B X
XX
×
C.从?y。处射入的粒子,在磁场中偏转距离最大
Px
0
xxx
D.接收器接收的粒子数占粒子总数的50%
6.如图甲所示,大型强子对撞机的主要结构由两个质子束发射器、两个半圆环轨道质子加
速器和质子对撞区域组成。半圆环轨道中的电场线是与圆环共圆心的同心圆弧,且到
圆心距离相同的位置电场强度大小相等,质子沿圆环轨道中心进入半圆环轨道后,在磁
束缚装置作用下沿圆环中心加速运动,最终在对撞区域碰撞。已知质子质量m=1.6×
10-27kg、电荷量e=1.6×10-1C,半圆环加速轨道中心处到圆心距离R=50m,该处电
场强度的大小E=π×105V/m。发射器发射出的质子初速度忽略不计。计算时取π2=
10,不考虑质子质量的相对论效应。若某次实验时将右侧加速器和发射器往上平移d=
0.2m,平移后对撞区域如图乙所示,质子进人对撞区域时的位置的水平距离D=0.4,入射
点分别为A点和B点,其他装置不变,为了使质子在对撞区域恰好相撞,可以在对撞区
域内加一个垂直纸面向里的匀强磁场。不计质子受到的重力,取si37°=0.6,cos37°=0.8,
下列说法正确的是
()
D
半圆环
对撞区域
半圆环
加速
加速
轨道
轨道
B
质子束发射器
对撞区域
甲
乙
A.质子在所加磁场中运动的半径为0.5m
B.加匀强磁场的磁感应强度大小为8T
53π
C.两质子在对撞区域的磁场中开始运动,在7,2X10s时相撞
D.若所加匀强磁场为两个直径相同、垂直纸面向里的匀强磁场,则每个圆形磁场的最小
面积为0m
7.实验中,将离子束从回旋加速器中引出可以采用磁屏蔽通道法。使用磁屏蔽通道法引
出离子的原理如图所示:离子从P点以速度v进入通道时,由于引出通道内的磁感应强
度发生改变,离子运动轨迹半径增大,可使离子引出加速器。已知回旋加速器D形盒的
半径为R,圆心在O点,D形盒区域中磁场垂直纸面向里,磁感应强度为B,引出通道外
侧末端Q点到O点距离为L,OQ与OP的夹角为0,离子带电为q,质量为m,则
(
)
2
二轮专题精准提升(十)物理第3页(共8页)
真题名
A.离子经过引出通道后的速度大于v
B.引出通道内的磁感应强度大于B
引出通道Q
C.若离子恰能从引出通道的Q点引出,引出通道中的磁感应
强度B,
4(R2-RLcos 0)
L+R-2LRcos 0B
、0
D.若引出通道中磁场为B2时,该离子能引出加速器,则此时四
将任何一个带电离子放入该加速器中都能将该离子引出
R
二、多项选择题:本题共3小题,每小题5分,共15分。在每小题给出的四个选项中,有多
项符合题目要求。全部选对的得5分,选对但不全的得3分,有选错的得0分。
题号
8
9
10
答案
8.如图所示,直角坐标系xOy在水平面内,之轴竖直向上。坐标原点O处固定一带正电的点
电荷,空间中存在竖直向下的匀强磁场B。质量为m、带电量为q的小球A,绕之轴做匀
速圆周运动,小球A的速度大小为v0,小球与坐标原点O的距离为r,O点和小球A的连
线与之轴的夹角0=37°。重力加速度为g,m、q、r已知,cos37°=0.8,sin37°=0.6,则下
列说法正确的是
)
A小球A与点电荷之间的库仑力大小为mg
B.从上往下看带电小球只能沿逆时针方向做匀速圆周运动
C.v。越小所需的磁感应强度B越小
7
D.二√208r时,所需的磁感应强度B最小
9.碳一14(C)是碳-12(C)的一种同位素。如图甲是一个粒子检测装置的示意图,图乙
为其俯视图,粒子源释放出经电离后的碳一14与碳一12原子核(初速度不计),经直线
加速器加速后由通道入口的中缝MN进入通道,该通道的上下表面是内半径为R、外半
径为3R的半圆环,磁感应强度为B的匀强磁场垂直于半圆环,正对着通道出口处放置
一张照相底片,能记录粒子从出口射出时的位置。当直线加速器的加速电压为U。时,
碳一12原子核恰好能击中照相底片的正中间位置,则下列说法正确的是
()
磁场区
照相底片
3R
M
(人粒子源
底片
直线加速器
粒子源
甲
A.在图乙中,磁场的方向是垂直于纸面向外
B.碳一14原子核和碳一12原子核均击中照相底片,碳一14原子核在磁场中的运动时间
一定比在磁场中的运动时间小
C.加速电压为U。时,碳一14原子核所击中的位置比碳一12原子核更靠近圆心
D.当加速电压在
6≤U≤范围内,碳一12原子核全部打在内圆环上
卷
二轮专题精准提升(十)物理第4页(共8页)
10.如图甲所示,在垂直纸面向里的匀强磁场中,倾角为37°的足够长的传送带以恒定的速率顺
时针转动,一质量为0.1kg,带电量为0.1C的物块从传送带的底端静止释放,其运动的t
图像如图乙所示。已知物块与传送带间的动摩擦因数为0.8,g取10/s2,则
()
u/m's-
→0
2.0
1.4
37X
t/s
6
甲
A.物块可能带负电
B.传送带的速率可能大于2m/s
C.磁场的磁感应强度大小为0.25T
D.前6s内物块的位移大小为4.5m
三、非选择题:本题共5小题,共57分。
11.(7分)如图所示,在Oxy平面(纸面)内,在x1≤x≤x2区间内存在平行y轴的匀强电
场,且x2一x1=2d;在x3≤x≤x4的区间内存在垂直纸面向外的匀强磁场,由左向右
分为间距均为do(d。未知)的n(n为整数且未知)份,各区域磁感应强度大小依次为
d
B、2B、…、nB,x3=4d,x4-x3=2
。一带正电的粒子从坐标原点沿与x轴正方向成
0=37°角射入,在坐标为(4d,2d)的P点以速度vo垂直磁场边界射入磁场,恰能达到
磁场右侧边界x。已知整个装登处于真空中,教子的比荷是-设,不计教子重力,
sin37°=0.6,c0s37°=0.8。
E
Po
B2B·
x2!
·●!。
'do'do'
匀强电场的电场强度E的大小为
,匀强电场右边界横坐标x2的值为
,d。的大小为
(均用题中符号表示)。
12.(9分)如图,在xOy坐标系内,有几个电磁场区域,在y>d的上方有一个垂直平面向
里的匀强磁场区域I,圆心为0,磁感应强度B1一,在y≤d到x轴之间,有一个
沿x轴正向的匀强电场区域Ⅱ(图中未画出)。I区域下边界与Ⅱ区域上边界相切在
第三、四象限,有一个垂直平面向外的匀强磁场区域Ⅲ,磁感应强度未知。A为一个与
O1等高的处于磁场区域边沿的粒子源,可以源源不断地向右侧区域各个方向发射质量
为m,带电量为一q的粒子,粒子速度大小相同都为v。所有粒子均沿y轴负向垂直进
人区域Ⅱ,最右侧的粒子恰好经过原点O进入区域Ⅲ。忽略各种场的边缘效应。
二轮专题精准提升(十)物理第5页(共8页)
真题密
A
十
XX
●
9
A点的坐标为
,电场强度E与B1的比值为
,粒子进入区域Ⅲ时
的速度大小为
;若粒子从区域Ⅲ再次穿过x轴时,区域Ⅱ的电场方向变为
等大反向,最终所有粒子从区域I与A等高的B点离开磁场,则区域Ⅲ的磁感应强度
B2大小为
(均用题中符号表示)。
13.(10分)如图所示,在xOy平面第一象限内,直线y=0与直线y=x之间存在磁感应
强度大小为B、方向垂直纸面向里的匀强磁场,x轴下方有一直线CD与x轴平行且与
x轴相距为a,x轴与直线CD之间(包含x轴)存在沿y轴正方向的匀强电场;在第三
象限内,直线CD与直线EF之间存在磁感应强度大小也为B、方向垂直纸面向外的匀
强磁场。纸面内有一束宽度为α的平行电子束,如图,沿y轴负方向射入第一象限的
匀强磁场,各电子的速度随入射位置不同大小各不相等,电子束的左边界与y轴的距
离也为α,经第一象限磁场偏转后发现所有电子都可以通过原点并进入x轴下方的电
场,最后所有电子都垂直于EF边界离开磁场。已知:电子质量为m,电量大小为e,电
场强度大小E=eaB
m。求:
(1)电子进入x轴上方磁场前的最大速度v1的大小;
(2)直线EF的方程。
ya a
O×××××
--…D
卷
二轮专题精准提升(十)物理第6页(共8页)
2
14.(13分)在芯片制造过程中,离子注入是一道重要工序,如图所示是离子注入部分工作
的原理示意图。从离子源M处连续飘出带正电的离子(初速度不计),经匀强电场加
速后,从P点以速度。沿半径方向射人圆形磁分析器。磁分析器中存在垂直于纸面
向外的匀强磁场B1(大小未知),与长方体离子控制区相切于Q点,其中abcd为该控
制区中间竖直平面(与圆形磁分析器处于同一竖直平面),离子从Q点离开磁分析器。
由于边缘效应,离子进入控制区的速度方向会有一定波动(速度大小不变),波动范围
在以垂直αb方向为轴的0角范围内。若控制区无任何电、磁场,离子在水平底面的硅
片上的落点会形成一个圆形区域。已知离子质量为m,电荷量为q,加速电场两极板间
的距离为d,在圆形磁分析器中运动的时间为t,图中a、P、Q三点连线正好可构成一
个等边三角形,ad边长为L,bQ足够长。不计离子的重力和离子间的相互作用,因0
角较小,离子不会从控制区的四个侧面射出。
(1)求加速电场的电场强度E1和圆形磁分析器的半径r。
(2)若离子注入硅片时,垂直硅片的速度至少达到√20才能有效注人。为使所有离子
均能有效注入,现在控制区加上沿ad方向的匀强磁场B2和同样方向的匀强电场
E2(强场大小可调),则匀强电场的场强大小应满足什么条件?离子有效注人硅片
上的面积最大可达多少?
M
磁分析器
控制区
2
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真题密卷
15.(18分)如图所示,在xOy平面内y>0的区域有竖直向下、大小为E的匀强电场,在
35
y<0区域有以y轴为中心轴、半径为R、高为6R的圆筒,简内分布着方向竖直向上、
小B红/卡的强磁场,顶部平面占0上平面重合,圆心0处开有小孔,圆简
面涂有荧光粉,带电粒子到达处会发出荧光。在xOy平面内有一粒子发射带MN,其
两端坐标:M(一R,2R,0)、N(R,2R,0),MN之间各点均可在xOy平面内向y轴发射
不同速率带正电的粒子。已知粒子质量为m,电荷量为q,圆筒接地,碰到圆筒的粒子
立即被导走,不计重力,不考虑场的边界效应及粒子间相互作用。
(1)若从M点偏离水平方向日=45°向右下方发射的粒子恰能通过O点进入磁场,求该
粒子发射的速度v0。
(2)在某次发射中,从M、N两点水平发射的粒子穿过O点到达了圆筒底部,求它们发
光点M'、N'点的坐标。
(3)若发射带各点持续水平发射粒子,部分粒子穿过O进入磁场,请通过分析,在图乙
中画出荧光屏上的图案。
E
B
甲
乙
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