内容正文:
编写说明:山东省(春季高考)统一考试招生自动控制类《电子技术基础》考点双析卷专辑,依据2026年山东省(春季高考)统一考试招生考试纲要知识模块《电子技术基础》编写。“考点双析卷”即围绕一个考点,一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷,助力师生构建“讲练结合” 的学习闭环,是中职学校师生应对职教高考首轮复习教学的得力助手。
本专辑第14卷精准对标山东省(春季高考)统一考试招生考试纲要知识模块《电子技术基础》:
(一)掌握内容:三极管的主要参数与工作特性
山东省自动控制类专业综合理论考试
《电子技术基础》 考点双析卷 第14卷
三极管的主要参数与工作特性 学生练习卷
时间:60分钟 总分:100分
班级_______ 姓名_______ 学号_______ 成绩_______
一、单选题(本大题共10小题,每小题3分,共30分)
1.温度升高时,晶体管的阈值电压 UBE将( )
A.升高 B.降低 C.不变 D.无法确定
【答案】B
2.工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的约为( )
A.83 B.91 C.100 D.50
【答案】C
【详解】
3.三极管处于放大状态时( )
A.发射结正偏、集电结反偏
B.发射结、集电结均正偏
C.发射结、集电结均反偏
D.发射结反偏、集电结正偏
【答案】A
4.某放大电路中测得三极管三个电极的静态电位分别为0V、-10V和-10.3V,则该管是( )
A.NPN型硅管 B.PNP型锗管 C.NPN型锗管 D.PNP型硅管
【答案】C
5.在室温升高时,晶体三极管放大电路(基本放大电路)的电压放大倍数( )
A.增大 B.减小 C.不变 D.不确定
【答案】A
6.如何通过改变基极与发射极之间的电压来控制NPN三极管的截止状态( )
A.调节发射结电压 B.调节基极电流
C.调节集电极电流 D.调节漏极电压
【答案】A
【详解】控制NPN三极管的截止状态可以通过调节基极与发射极之间的电压(Ube)。当Ube小于约0.7V时,NPN三极管处于截止状态。因此,正确答案是A
7.晶体管参数中,集电极最大允许功率损耗 PCM反映了晶体管的 能力。( )
A.电流放大 B.耐压 C.散热 D.频率响应
【答案】C
8.晶体管的穿透电流 ICEO 随温度升高而( )
A.急剧增大 B.急剧减小 C.基本不变 D.略有减小
【答案】A
9.由于功放电路中三极管经常处于接近极限工作状态,故选择三极管时,要特别注意的参数是( )
A. B. C. D.、和
【答案】D
【详解】由于功放电路中三极管经常处于接近极限工作状态,故选择三极管时,要特别注意以下参数:
集电极最大允许电流ICM:功放电路需要输出较大的功率,往往会有较大的电流通过三极管。若集电极电流超过ICM,三极管的性能可能会下降,甚至可能会损坏。
集电极 - 发射极反向击穿电压U(BR)CEO:在功放电路中,三极管在截止和导通等不同状态切换时,集电极和发射极之间会承受较高的电压。如果此电压超过U(BR)CEO,三极管可能会被击穿,导致电路无法正常工作。
集电极最大允许耗散功率PCM:功放电路中三极管会消耗一定的功率并转化为热量,若集电极耗散功率超过PCM,三极管会因过热而性能下降甚至烧毁。
10.已知NPN三极管的三个引脚电压为:=2v,=-2v,=-1.3v,则三极管的状态是( )
A.放大 B.饱和 C.截止 D.无法确定
【答案】C
【详解】根据电压关系,得到发射结、集电结都反,故三极管在截止状态。
二、判断题(本大题共5小题,每小题2分,共10分)
11.在实际使用中,若两三极管其余的参数大致相当,功率较大的三极管可以代替功率较小的三极管。( )
【答案】错误
12.当测得一放大电路中三极管集电极和发射极之间的电压小于0.3V时,可判定三极管处于饱和状态,原因可能是三极管的值过大或基极偏置电阻过小。( )
【答案】正确
13.发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。( )
【答案】错误
14.三极管的β随着温度的升高而增大。( )
【答案】正确
15.只要满足VC>VB>VE,就说明管子一定处于放大状态。( )
【答案】错误
【详解】NPN型三极管满足 VC>VB>VE,PNP型三极管满足 VC<VB<VE。
三、填空题(本大题共5小题,每小题4分,共20分)
16.测得某放大电路中NPN型管三个电极对地的电位分别为UC=15V、UB=1.9V和UE=0V,则该管处于______。
【答案】放大状态
17.与之间的关系______。
【答案】
18.当温度升高时,三极管的参数会_________,会_________,会_________。
【答案】 增大 增大 减小
【详解】三极管的β随温度的升高将增大,温度每上升l℃,β值约增大0.5~1%。是由少数载流子漂移运动形成的,它与环境温度关系很大,ICEO随温度上升会急剧增加。和二极管的正向特性一样,温度上升1℃,将下降2~2.5mV。
19.三极管是有两个PN结构成的半导体器件,分为发射极和集电极,在发射极和集电结构正偏时,三极管处于______状态。
【答案】饱和
20.低频放大电路中,通常选用___值适中(50-100)的晶体管,以兼顾放大能力和____。
【答案】 β 稳定性
四、简答题(本大题共2小题,每小题10分,共20分)
21..如图所示为各三极管的每个电极对地电位,试判别各三极管处于何种工作状态。(NPN管为硅管,PNP 管为锗管)
【答案】(a)PNP 型锗管,Ube>0,三极管截止。
(b)NPN 型硅管,Ube<0,三极管截止。
(c)NPN 型硅管,Ub>Uc,Ub>Ue,且Ube≈0.7 V,三极管导通
22.某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③3.7V,试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
【答案】NPN型硅管,管脚①是集电极,管脚②是发射极,管脚③是基极。
【详解】管脚③和管脚②电压相差 0.7V,显然一个硅管,一个是基极,一个是发射极,而管脚①比管脚②和③的电位都高,所以一定是一个 NPN 型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极,管脚③是基极,管脚①是集电极。
5、 综合应用题(本大题共2小题,每小题10分,共20分)
23.根据如图所示三极管的各管脚电位,试分析其工作状态,并将结果用“√”填入表内,其中NPN型管为硅材料,PNP型管为锗材料。
序号状态
V1
V2
V3
V4
放 大
饱 和
截 止
【答案】
序号状态
V1
V2
V3
V4
放 大
√
√
饱 和
√
截 止
√
【详解】对于 NPN 型三极管,正常工作时满足;对于 PNP 型三极管,正常工作时满足。
V1:所以是 PNP 型三极管,且发射结正偏,集电结反偏,处于放大状态。
V2:所以是 NPN 型三极管,且发射结反偏,处于截止状态。
V3:所以是 PNP 型三极管,但,集电结正偏,处于饱和状态。
V4:,所以是 NPN型三极管,同时发射结正偏,集电结反偏,处于放大状态。
综上,V1、V2处于截止状态,V3处于饱和状态、V4处于放大状态。
24.请判断图中三极管的工作状态。
【答案】a、放大状态
b、放大状态
c、放大状态
d、截止状态
e、饱和状态
f、放大状态
试卷第1页,共3页
试卷第1页,共3页
学科网(北京)股份有限公司
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编写说明:山东省(春季高考)统一考试招生自动控制类《电子技术基础》考点双析卷专辑,依据2026年山东省(春季高考)统一考试招生考试纲要知识模块《电子技术基础》编写。“考点双析卷”即围绕一个考点,一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷,助力师生构建“讲练结合” 的学习闭环,是中职学校师生应对职教高考首轮复习教学的得力助手。
本专辑第14卷精准对标山东省(春季高考)统一考试招生考试纲要知识模块《电子技术基础》:
(一)掌握内容:三极管的主要参数与工作特性
山东省自动控制类专业综合理论考试
《电子技术基础》 考点双析卷 第14卷
三极管的主要参数与工作特性 学生练习卷
时间:60分钟 总分:100分
班级_______ 姓名_______ 学号_______ 成绩_______
一、单选题(本大题共10小题,每小题3分,共30分)
1.温度升高时,晶体管的阈值电压 UBE将( )
A.升高 B.降低 C.不变 D.无法确定
2.工作在放大区的某三极管,如果当IB从12μA增大到22μA时,IC从1mA变为2mA,那么它的约为( )
A.83 B.91 C.100 D.50
3.三极管处于放大状态时( )
A.发射结正偏、集电结反偏
B.发射结、集电结均正偏
C.发射结、集电结均反偏
D.发射结反偏、集电结正偏
4.某放大电路中测得三极管三个电极的静态电位分别为0V、-10V和-10.3V,则该管是( )
A.NPN型硅管 B.PNP型锗管 C.NPN型锗管 D.PNP型硅管
5.在室温升高时,晶体三极管放大电路(基本放大电路)的电压放大倍数( )
A.增大 B.减小 C.不变 D.不确定
6.如何通过改变基极与发射极之间的电压来控制NPN三极管的截止状态( )
A.调节发射结电压 B.调节基极电流
C.调节集电极电流 D.调节漏极电压
7.晶体管参数中,集电极最大允许功率损耗 PCM反映了晶体管的 能力。( )
A.电流放大 B.耐压 C.散热 D.频率响应
8.晶体管的穿透电流 ICEO 随温度升高而( )
A.急剧增大 B.急剧减小 C.基本不变 D.略有减小
9.由于功放电路中三极管经常处于接近极限工作状态,故选择三极管时,要特别注意的参数是( )
A. B. C. D.、和
10.已知NPN三极管的三个引脚电压为:=2v,=-2v,=-1.3v,则三极管的状态是( )
A.放大 B.饱和 C.截止 D.无法确定
二、判断题(本大题共5小题,每小题2分,共10分)
11.在实际使用中,若两三极管其余的参数大致相当,功率较大的三极管可以代替功率较小的三极管。( )
12.当测得一放大电路中三极管集电极和发射极之间的电压小于0.3V时,可判定三极管处于饱和状态,原因可能是三极管的值过大或基极偏置电阻过小。( )
13.发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。( )
14.三极管的β随着温度的升高而增大。( )
15.只要满足VC>VB>VE,就说明管子一定处于放大状态。( )
三、填空题(本大题共5小题,每小题4分,共20分)
16.测得某放大电路中NPN型管三个电极对地的电位分别为UC=15V、UB=1.9V和UE=0V,则该管处于______。
17.与之间的关系______。
18.当温度升高时,三极管的参数会_________,会_________,会_________。
19.三极管是有两个PN结构成的半导体器件,分为发射极和集电极,在发射极和集电结构正偏时,三极管处于______状态。
20.低频放大电路中,通常选用___值适中(50-100)的晶体管,以兼顾放大能力和____。
四、简答题(本大题共2小题,每小题10分,共20分)
21..如图所示为各三极管的每个电极对地电位,试判别各三极管处于何种工作状态。(NPN管为硅管,PNP 管为锗管)
22.某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③3.7V,试判断管子的类型以及各管脚所属电极。
5、 综合应用题(本大题共2小题,每小题10分,共20分)
23.根据如图所示三极管的各管脚电位,试分析其工作状态,并将结果用“√”填入表内,其中NPN型管为硅材料,PNP型管为锗材料。
序号状态
V1
V2
V3
V4
放 大
饱 和
截 止
24.请判断图中三极管的工作状态。
试卷第1页,共3页
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