第11卷 三极管特性曲线 山东省（职教高考）自动控制类专业《电子技术基础考点双析卷》

编写说明：山东省（春季高考）统一考试招生自动控制类《电子技术基础》考点双析卷专辑，依据2026年山东省（春季高考）统一考试招生考试纲要知识模块《电子技术基础》编写。“考点双析卷”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷，助力师生构建“讲练结合” 的学习闭环，是中职学校师生应对职教高考首轮复习教学的得力助手。 本专辑第11卷精准对标山东省（春季高考）统一考试招生考试纲要知识模块《电子技术基础》： （一）掌握内容：三极管特性曲线 山东省自动控制类专业综合理论考试 《电子技术基础》 考点双析卷 第11卷 三极管特性曲线 教师讲解卷 时间：60分钟 总分：100分 班级_______ 姓名_______ 学号_______ 成绩_______ 一、单选题（本大题共10小题，每小题3分，共30分） 1．三极管处于放大状态的条件是（   ） A．发射结正偏，集电结正偏 B．发射结反偏，集电结正偏 C．发射结正偏，集电结反偏 D．发射结反偏，集电结反偏 2．三极管的内部三个区分别是（   ） A．集电区、基区、公共区 B．集电区、基区、发射区 C．基区、发射区、公共区 D．集电区、发射区、公共区 3．晶体管共发射极输出特性常用一组曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（   ） A．Ic B．Ucr C．Ib D．Ie 4．晶体三极管作为放大器件使用时，它的工作状态是（   ） A．截止 B．饱和 C．放大 D．以上都不对 5．已知一个三极管的集电极最大允许电流为1A，实际工作时集电极电流为1.2A，可能会导致（   ） A．放大倍数增加 B．正常工作 C．性能下降 D．无影响 6．三极管工作在饱和状态时，是指（    ） A．集电结反偏，发射结正偏 B．集电结正偏，发射结正偏 C．集电结反偏，发射结反偏 D．集电结正偏，发射结反偏 7．在单管固定偏置共射放大电路中，若测得三极管的静态电压近似等于电源电压时，则该管的工作状态为（   ） A．饱和状态 B．截止状态 C．放大状态 D．无法确定 8．共发射极特性曲线中，输入特性曲线反映的是 之间的关系​。（   ） A．IB与 UCE​ B．IC与 UCE​ C．IB与 UBE​ D．IC与 UBE​ 9．在硅晶体三极管放大电路中，静态时测得集电极与发射极之间直流电压为UCE＝0.3V，则此时三极管工作于（    ） A．放大状态 B．截止状态 C．饱和状态 D．导通状态 10．硅NPN型三极管饱和时，集电极—发射极饱和压降，VCES的值是（   ） A．0.7V B．0.5V C．0.3V D．0.1V 二、判断题（本大题共5小题，每小题2分，共10分） 11．三极管的输出特性曲线是指在IB一定的条件下，VCE与IB之间的关系。( ) 12．用万用表测试三极管的两个PN结的阻值，一次为7.6kΩ，一次为7.2kΩ，则阻值小的那一次测试的是发射结。( ) 13．在三极管输出特性曲线的饱和区，受的控制而变化，即。( ) 14．硅材料制成的三极管，当处于放大状态时，集电极电位总是高于发射极电位。( ) 15．三极管工作在截止状态时，c、e间电阻等效为无穷大，相当于开关断开。( ) 三、填空题（本大题共5小题，每小题4分，共20分） 16．某三极管输出特性曲线如图所示，图中虚线表示PCM曲线，则三极管交流电流放大系数______，穿透电流______，反向击穿电压______，集电极最大功耗______，集电极最大电流______。 17．从三极管的输出特性曲线簇可以看出，放大器的静态工作点设置得太高，会出现______失真；若放大器的静态工作点设置得太低，会出现______失真。 18．三极管输出特性曲线族可以分为_________区、_________区和_________区。 19．数字电路中的三极管只工作于______________、_____________两种状态。 20．三极管的输入特性曲线是指当三极管的电压一定时，______与______之间的关系曲线。 四、简答题（本大题共2小题，每小题10分，共20分） 21．判断图中各三极管的工作状态。 22．如图（a）所示电路，图（b）是晶体管的输出特性曲线，静态时。利用图解法分别求出和时的静态工作点和最大不失真输出电压有效值。 5、 综合应用题（本大题共2小题，每小题10分，共20分） 23．试画出三极管的输入输出特性曲线，并标出相应的区域。 24．如图所示为某 NPN 型硅晶体管的共发射极输出特性曲线。 (1)根据特性曲线计算该晶体管的电流放大系数 β；​ (2)判断当 UCE=3V、IB=40μA 时，晶体管的工作区域，并说明理由；​ ​ 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 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C．集电结反偏，发射结反偏 D．集电结正偏，发射结反偏 【答案】A 7．在单管固定偏置共射放大电路中，若测得三极管的静态电压近似等于电源电压时，则该管的工作状态为（   ） A．饱和状态 B．截止状态 C．放大状态 D．无法确定 【答案】B 8．共发射极特性曲线中，输入特性曲线反映的是 之间的关系​。（   ） A．IB与 UCE​ B．IC与 UCE​ C．IB与 UBE​ D．IC与 UBE​ 【答案】C 9．在硅晶体三极管放大电路中，静态时测得集电极与发射极之间直流电压为UCE＝0.3V，则此时三极管工作于（    ） A．放大状态 B．截止状态 C．饱和状态 D．导通状态 【答案】C 10．硅NPN型三极管饱和时，集电极—发射极饱和压降，VCES的值是（   ） A．0.7V B．0.5V C．0.3V D．0.1V 【答案】C 二、判断题（本大题共5小题，每小题2分，共10分） 11．三极管的输出特性曲线是指在IB一定的条件下，VCE与IB之间的关系。( ) 【答案】错误 12．用万用表测试三极管的两个PN结的阻值，一次为7.6kΩ，一次为7.2kΩ，则阻值小的那一次测试的是发射结。( ) 【答案】错误 【详解】发射结比集电结窄，所以阻值略大于集电结 13．在三极管输出特性曲线的饱和区，受的控制而变化，即。( ) 【答案】错误 14．硅材料制成的三极管，当处于放大状态时，集电极电位总是高于发射极电位。( ) 【答案】错误 15．三极管工作在截止状态时，c、e间电阻等效为无穷大，相当于开关断开。( ) 【答案】正确 三、填空题（本大题共5小题，每小题4分，共20分） 16．某三极管输出特性曲线如图所示，图中虚线表示PCM曲线，则三极管交流电流放大系数______，穿透电流______，反向击穿电压______，集电极最大功耗______，集电极最大电流______。 【答案】 50 10μA 50V 50mW 5mA 17．从三极管的输出特性曲线簇可以看出，放大器的静态工作点设置得太高，会出现______失真；若放大器的静态工作点设置得太低，会出现______失真。 【答案】 饱和 截止 18．三极管输出特性曲线族可以分为_________区、_________区和_________区。 【答案】 截止 放大 饱和 19．数字电路中的三极管只工作于______________、_____________两种状态。 【答案】 饱和 截止 20．三极管的输入特性曲线是指当三极管的电压一定时，______与______之间的关系曲线。 【答案】 基极电流 IB​  发射结电压 UBE​  四、简答题（本大题共2小题，每小题10分，共20分） 21．判断图中各三极管的工作状态。 【答案】在图（a）中，三极管工作于放大状态。 在图（b）中，三极管工作于饱和状态。 在图（c）中，三极管处于截止状态。 在图（d）图中，三极管已经损坏，损坏的情况是基极和发射极开路、集电极和发射极短路。 【详解】已知三极管的类型和引脚电压判断三极管的工作状态，是实际工作中经常用到的必备技能，可以将实测数据与表2-1中的数据进行比较来判断三极管的工作状态。若实测值不属于三极管的三种工作状态中任何一种情况，则可以判断为该三极管已经损坏。 解：在图2-5（a）中，有，，满足三极管放大的条件，所以图（a）中的三极管工作于放大状态。 在图2-5（b）中，有，，满足三极管饱和的条件，所以图（b）中的三极管工作于饱和状态。 在图2-5（c）中，有，，请注意，这是一个PNP型三极管，这里表明基极电位高于发射极，而PNP型管要工作于放大状态，应该是基极电位低于发射极，所以该三极管处于截止状态。 在图2-5（d）图中，有，，计算值表明该三极管的实测参数不在三极管的3种工作状态当中，所以此三极管已经损坏，损坏的情况是基极和发射极开路、集电极和发射极短路。 22．如图（a）所示电路，图（b）是晶体管的输出特性曲线，静态时。利用图解法分别求出和时的静态工作点和最大不失真输出电压有效值。 【答案】时，，，， 5、 综合应用题（本大题共2小题，每小题10分，共20分） 23．试画出三极管的输入输出特性曲线，并标出相应的区域。 【答案】 24．如图所示为某 NPN 型硅晶体管的共发射极输出特性曲线。 (1)根据特性曲线计算该晶体管的电流放大系数 β；​ (2)判断当 UCE=3V、IB=40μA 时，晶体管的工作区域，并说明理由；​ ​ 【答案】(1)电流放大系数计算： (2)工作区域判断： 当时，晶体管工作在放大区。理由：此时 UCE远大于 UCE（sat）（0.3V），且 IC随 IB成比例变化（符合 IC≈βIB规律），满足放大区 “发射结正偏、集电结反偏” 的条件 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $