内容正文:
2026年天津高考题大题知识点汇总(实用!!!)
一、物质结构专题高频考点(第13题)
1. 电负性、电离能(I1 I2 …)规律,周期表分区、能层符号(K L M N)、S/P电子云轮廓(s电子云呈球形,p电子云呈哑铃形)、未成对电子数之比
2. 电子排布式、简化电子排布式、价电子排布式、价电子排布图/轨道表示式
原子结构示意图
电子排布式
1s22s22p63s23p4
简化电子排布式
[Ne]3s23p4
电子排布图
价电子排布式
3s23p4
价电子排布图
(价电子轨道表示式)
3.价层电子对数计算、杂化类型(C或N)、VSEPR模型、空间构型(CO32-/NO32-/SO42-/SO32-等)
4.分子晶体沸点、热稳定性、键角比较
例:①NH3/PH3/AsH3 沸点比较(先考虑物质自身分子间氢键,再考虑范德华力)
②NH3/PH3/AsH3热稳定性(半径→键长→键角)
③键角比较(先考虑杂化,再考虑中心原子的孤电子对数,后考虑电负性)
如:CH4/NH3/H2O
NH3/PH3
5.共价晶体熔点/硬度比较(半径→键长→键角)
如:金刚石和碳化硅
6.离子晶体熔点比较(先看离子所带电荷数越多越大;再看离子半径越小越大)
7.水中溶解度大的原因(先考虑溶质与水分子间形成氢键,再考虑相似相溶)
8.电子的空间运动状态(原子轨道数)、电子的运动状态(电子数),不同能量的电子(能级数)。
9.晶胞均摊法计算(原子个数比、化学式)晶胞密度、晶胞配位数、配体、配位原子等
10、所含化学键为________________, σ:π键的比值________________
(易错点:氢键不是化学键,属于分子间作用力)
11. 氢键表示方法 A-H…B (A/B可以为N/O/F元素)
12. 晶体类型判断
补充:常见晶体晶胞
类型
实例
结构
要点
共价晶体
金刚石
1、 一个晶胞中有_____个碳原子
2、 C是____杂化,每个碳与___个碳成键,形成_______空间构型
3、 金刚石晶体中1molC含____mol C-C键
4、最小环上有_____个碳原子
二氧
化硅
1、 Si是____杂化,每一个Si紧邻 ___个O,每一个O紧邻 个Si,Si:O=_____
2、1molSiO2中,Si-O键为 ____mol。
3、最小环为____元环。
分子晶体
干冰
1、一个晶胞中含有__个CO2分子
2、一个晶胞中,与CO2最近的CO2分子有 个
混合晶体
石墨
1、C的杂化方式为___,键角为____
2、在石墨晶体的同层结构中,每个六元碳环占有的碳原子数为 _____个,每个六元碳环所含有的共价健数是____个。
3、
层内—共价键—共价晶体
层间—范德华力—分子晶体
P轨道—金属键—金属晶体
离子晶体
NaCl
a cm
1、有____个Na+,有____个Cl-
2、Na+的配位数为___,呈____构型
Cl-的配位数为___,呈______构型
与Na+最近的Na+有______个,其距离为_____
3、设晶胞边长为a cm,
求晶体密度为 g/cm3
CsCl
1、有____个Cs+,有____个Cl-
2、Cs+的配位数为___,呈____构型
Cl-的配位数为___,呈______构型
与Cs+最近的Cs+有______个
3、设晶胞边长为a cm,
求晶体密度为 g/cm3
CaF2
1、有____个Ca+,有____个F-
2、Ca+的配位数为___,呈____构型
F-的配位数为___,呈______构型
与Cs+最近的Cs+有______个
3、设晶胞边长为a cm,
求晶体密度为 g/cm3
ZnS
1、每个锌离子紧邻 个硫离子,每一个硫离子又紧邻 个锌离子,这些锌离子或硫离子构成了 体。
2、锌离子的配位数为
二、有机化学常考高频考点(14题)
1. 选择题
1mol物质消耗NaOH/H2/溴水的物质的量、能发生的反应类型、所有原子共面、手性碳、物质类别、官能团名称和数目
2.推断大题
基础分:
基本反应类型、分子式、结构简式、官能团名称、反应条件、保护官能团、命名、基础方程式
※基本反应类型
取代反应(包含酯化、水解反应)
消去反应(醇消去、卤代烃消去)
加成反应(碳碳双键、碳碳三键)
氧化反应(加氧去氢)
还原反应(加氢去氧)
加聚反应
缩聚反应 ①羟基酸:
②二酸、二醇:
③酚醛树脂:
※官能团名称
※反应条件
(①引-NO2 ②卤代烃水解 ③卤代烃消去 ④醇消去⑤苯环氯原子取代)
※官能团检验(碳碳双键、 醛基、 酚羟基)
※保护官能团(碳碳双键、氨基、酚羟基、醛基等)
※重要的信息反应
※常考基础有机反应反应
提高分:反应方程式(题目信息)、合成路线(逆向合成,写一步有一步分)
同分异构体数目等
三、综合实验(或+工艺流程)答题模板(15题)
※气体制备与性质实验装置的连接流程※
※牢记气体制备的3类发生装置
类型
固固加热
固液加热
固(或液)体+液体不加热
装置
适用
气体
O2、NH3
Cl2
NO2、O2、NH3等
高考易考的绘图
1、题干中信息解读:
(1)物质易氧化: ①用无关气体排尽装置内的空气②防止后方进空气③加还原性物质
(2)物质易潮解:要防潮解,处理措施:①检查装置气密性②用干燥的气体排尽装置内的空气③除去前方来水④避免后方返水。
2、控制体系的温度:
(1)控制低温:
降低固体物质溶解度,如冰水洗涤,防止洗涤过程中的溶解损耗;
增大气体反应物的溶解度,使其被充分吸收;
防止物质的分解,如NaHCO3、NH4HCO3、H2O2、浓HNO3等;
防止物质的挥发,如盐酸、醋酸、硝酸等;
反应放热,低温有利于反应正向进行。
(2)加热:
①加速固体的溶解,加快反应速率;
②减少气体的溶解并使其逸出(如煮沸除溶液中溶解的氧气);
③反应吸热,加热有利于反应正向进行;
④趁热过滤,防止某物质降温时析出而损耗;
(3)控制一定温度范围:
温度过低,反应速率太慢;
温度过高(催化剂失活、某物质分解等)……审题,兼具速率和转化率
3、洗涤法:
(1)水洗:洗去杂质离子;
(2)冰水洗:洗去杂质离子、减少固体的溶解;
(3)有机溶剂洗:洗去表面的杂质离子;减少固体的溶解;出去固体表面的水分,使固体快速干燥。
4、洗涤规范答题:(常考查SO42-、Cl-检验)
(1)判断沉淀是否洗净:取少量最后一次洗涤液于试管中,加xx,若不产生xx,则证明沉淀已洗净。
(2)判断是否沉淀完全:取少量上层清液于试管中,加xx,若不产生xx,则证明沉淀完全。
5、滴定终点答题: 当加入最后半滴标准液( )时,溶液恰好由原色变为xx色,且半分钟无变化。
6、通气: 反应前通气:排尽装置内的空气,防止干扰实验;
反应后通气:将气体赶入吸收装置,减少误差/防止污染空气。
7、 装置最后放干燥管:
(1) 吸收尾气,防止污染空气;(2)防止空气进入,干扰实验。
8、 溶液中析出晶体的方法:蒸发浓缩、冷却结晶、过滤、洗涤、干燥
9、 常考离子检验:
①硫酸根 ②氯离子(卤离子) ③铵根 ④亚铁离子 ⑤铁离子
10、 检查装置气密性:
基本思路是使装置内外压强不等,观察气泡或液面变化
①微热法 ②加水法
11、常考的仪器名称
研钵
三颈烧瓶
四、化学反应原理高频考点(16题)
1.热化学方程式书写(注意状态)
△H计算(反应物总键能-生成物总键能、盖斯定律、Ea正-Ea逆)
2.分析反应自发:△H__,△S___,△G=△H-T△S<0,反应自发
知识点: △H<0,△S>0,反应必自发
△H>0,△S<0,反应必不自发
△H<0,△S<0,低温时,△G=△H-T△S<0自发
△H>0,△S>0,高温时,△G=△H-T△S<0自发
3.化学平衡:平衡标志、速率、转化率、产率、平衡常数计算(K或Kp)、平衡移动、催化剂活性等、Ksp计算
盖斯定律与平衡常数的关系:方程式相加减,K相乘除
4.溶液中平衡:离子浓度的比值、典型溶质的离子浓度大小比较、三大守恒(物料、电荷、质子) 知识点如下图
5.电化学:电极判断、电极反应式
电极反应式书写:①找变价元素,配得失电子(氧化还原配平)
②电荷守恒,补缺项(注意溶液介质环境)
燃料电池知识点
电解池知识点
(必会:氯碱工业、惰性电极电解CuSO4、AgNO3两极反应、总反应)
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