2026年天津市高考化学大题知识点汇总 知识清单

2026-03-24
| 16页
| 1937人阅读
| 34人下载
普通

内容正文:

2026年天津高考题大题知识点汇总(实用!!!) 一、物质结构专题高频考点(第13题) 1. 电负性、电离能(I1 I2 …)规律,周期表分区、能层符号(K L M N)、S/P电子云轮廓(s电子云呈球形,p电子云呈哑铃形)、未成对电子数之比 2. 电子排布式、简化电子排布式、价电子排布式、价电子排布图/轨道表示式 原子结构示意图 电子排布式 1s22s22p63s23p4 简化电子排布式 [Ne]3s23p4 电子排布图 价电子排布式 3s23p4 价电子排布图 (价电子轨道表示式) 3.价层电子对数计算、杂化类型(C或N)、VSEPR模型、空间构型(CO32-/NO32-/SO42-/SO32-等) 4.分子晶体沸点、热稳定性、键角比较 例:①NH3/PH3/AsH3 沸点比较(先考虑物质自身分子间氢键,再考虑范德华力) ②NH3/PH3/AsH3热稳定性(半径→键长→键角) ③键角比较(先考虑杂化,再考虑中心原子的孤电子对数,后考虑电负性) 如:CH4/NH3/H2O NH3/PH3 5.共价晶体熔点/硬度比较(半径→键长→键角) 如:金刚石和碳化硅 6.离子晶体熔点比较(先看离子所带电荷数越多越大;再看离子半径越小越大) 7.水中溶解度大的原因(先考虑溶质与水分子间形成氢键,再考虑相似相溶) 8.电子的空间运动状态(原子轨道数)、电子的运动状态(电子数),不同能量的电子(能级数)。 9.晶胞均摊法计算(原子个数比、化学式)晶胞密度、晶胞配位数、配体、配位原子等 10、所含化学键为________________, σ:π键的比值________________ (易错点:氢键不是化学键,属于分子间作用力) 11. 氢键表示方法 A-H…B (A/B可以为N/O/F元素) 12. 晶体类型判断 补充:常见晶体晶胞 类型 实例 结构 要点 共价晶体 金刚石 1、 一个晶胞中有_____个碳原子 2、 C是____杂化,每个碳与___个碳成键,形成_______空间构型 3、 金刚石晶体中1molC含____mol C-C键 4、最小环上有_____个碳原子 二氧 化硅 1、 Si是____杂化,每一个Si紧邻 ___个O,每一个O紧邻 个Si,Si:O=_____ 2、1molSiO2中,Si-O键为 ____mol。 3、最小环为____元环。 分子晶体 干冰 1、一个晶胞中含有__个CO2分子 2、一个晶胞中,与CO2最近的CO2分子有 个 混合晶体 石墨 1、C的杂化方式为___,键角为____ 2、在石墨晶体的同层结构中,每个六元碳环占有的碳原子数为 _____个,每个六元碳环所含有的共价健数是____个。 3、 层内—共价键—共价晶体 层间—范德华力—分子晶体 P轨道—金属键—金属晶体 离子晶体 NaCl a cm 1、有____个Na+,有____个Cl- 2、Na+的配位数为___,呈____构型 Cl-的配位数为___,呈______构型 与Na+最近的Na+有______个,其距离为_____ 3、设晶胞边长为a cm, 求晶体密度为 g/cm3 CsCl 1、有____个Cs+,有____个Cl- 2、Cs+的配位数为___,呈____构型 Cl-的配位数为___,呈______构型 与Cs+最近的Cs+有______个 3、设晶胞边长为a cm, 求晶体密度为 g/cm3 CaF2 1、有____个Ca+,有____个F- 2、Ca+的配位数为___,呈____构型 F-的配位数为___,呈______构型 与Cs+最近的Cs+有______个 3、设晶胞边长为a cm, 求晶体密度为 g/cm3 ZnS 1、每个锌离子紧邻 个硫离子,每一个硫离子又紧邻 个锌离子,这些锌离子或硫离子构成了 体。 2、锌离子的配位数为 二、有机化学常考高频考点(14题) 1. 选择题 1mol物质消耗NaOH/H2/溴水的物质的量、能发生的反应类型、所有原子共面、手性碳、物质类别、官能团名称和数目 2.推断大题 基础分: 基本反应类型、分子式、结构简式、官能团名称、反应条件、保护官能团、命名、基础方程式 ※基本反应类型 取代反应(包含酯化、水解反应) 消去反应(醇消去、卤代烃消去) 加成反应(碳碳双键、碳碳三键) 氧化反应(加氧去氢) 还原反应(加氢去氧) 加聚反应 缩聚反应 ①羟基酸: ②二酸、二醇: ③酚醛树脂: ※官能团名称 ※反应条件 (①引-NO2 ②卤代烃水解 ③卤代烃消去 ④醇消去⑤苯环氯原子取代) ※官能团检验(碳碳双键、 醛基、 酚羟基) ※保护官能团(碳碳双键、氨基、酚羟基、醛基等) ※重要的信息反应 ※常考基础有机反应反应 提高分:反应方程式(题目信息)、合成路线(逆向合成,写一步有一步分) 同分异构体数目等 三、综合实验(或+工艺流程)答题模板(15题) ※气体制备与性质实验装置的连接流程※ ※牢记气体制备的3类发生装置 类型 固固加热 固液加热 固(或液)体+液体不加热 装置 适用 气体 O2、NH3 Cl2 NO2、O2、NH3等 高考易考的绘图 1、题干中信息解读: (1)物质易氧化: ①用无关气体排尽装置内的空气②防止后方进空气③加还原性物质 (2)物质易潮解:要防潮解,处理措施:①检查装置气密性②用干燥的气体排尽装置内的空气③除去前方来水④避免后方返水。 2、控制体系的温度: (1)控制低温: 降低固体物质溶解度,如冰水洗涤,防止洗涤过程中的溶解损耗; 增大气体反应物的溶解度,使其被充分吸收; 防止物质的分解,如NaHCO3、NH4HCO3、H2O2、浓HNO3等; 防止物质的挥发,如盐酸、醋酸、硝酸等; 反应放热,低温有利于反应正向进行。 (2)加热: ①加速固体的溶解,加快反应速率; ②减少气体的溶解并使其逸出(如煮沸除溶液中溶解的氧气); ③反应吸热,加热有利于反应正向进行; ④趁热过滤,防止某物质降温时析出而损耗; (3)控制一定温度范围: 温度过低,反应速率太慢; 温度过高(催化剂失活、某物质分解等)……审题,兼具速率和转化率 3、洗涤法: (1)水洗:洗去杂质离子; (2)冰水洗:洗去杂质离子、减少固体的溶解; (3)有机溶剂洗:洗去表面的杂质离子;减少固体的溶解;出去固体表面的水分,使固体快速干燥。 4、洗涤规范答题:(常考查SO42-、Cl-检验) (1)判断沉淀是否洗净:取少量最后一次洗涤液于试管中,加xx,若不产生xx,则证明沉淀已洗净。 (2)判断是否沉淀完全:取少量上层清液于试管中,加xx,若不产生xx,则证明沉淀完全。 5、滴定终点答题: 当加入最后半滴标准液( )时,溶液恰好由原色变为xx色,且半分钟无变化。 6、通气: 反应前通气:排尽装置内的空气,防止干扰实验; 反应后通气:将气体赶入吸收装置,减少误差/防止污染空气。 7、 装置最后放干燥管: (1) 吸收尾气,防止污染空气;(2)防止空气进入,干扰实验。 8、 溶液中析出晶体的方法:蒸发浓缩、冷却结晶、过滤、洗涤、干燥 9、 常考离子检验: ①硫酸根 ②氯离子(卤离子) ③铵根 ④亚铁离子 ⑤铁离子 10、 检查装置气密性: 基本思路是使装置内外压强不等,观察气泡或液面变化 ①微热法 ②加水法 11、常考的仪器名称 研钵 三颈烧瓶 四、化学反应原理高频考点(16题) 1.热化学方程式书写(注意状态) △H计算(反应物总键能-生成物总键能、盖斯定律、Ea正-Ea逆) 2.分析反应自发:△H__,△S___,△G=△H-T△S<0,反应自发 知识点: △H<0,△S>0,反应必自发 △H>0,△S<0,反应必不自发 △H<0,△S<0,低温时,△G=△H-T△S<0自发 △H>0,△S>0,高温时,△G=△H-T△S<0自发 3.化学平衡:平衡标志、速率、转化率、产率、平衡常数计算(K或Kp)、平衡移动、催化剂活性等、Ksp计算 盖斯定律与平衡常数的关系:方程式相加减,K相乘除 4.溶液中平衡:离子浓度的比值、典型溶质的离子浓度大小比较、三大守恒(物料、电荷、质子) 知识点如下图 5.电化学:电极判断、电极反应式 电极反应式书写:①找变价元素,配得失电子(氧化还原配平) ②电荷守恒,补缺项(注意溶液介质环境) 燃料电池知识点 电解池知识点 (必会:氯碱工业、惰性电极电解CuSO4、AgNO3两极反应、总反应) 1 学科网(北京)股份有限公司 $

资源预览图

2026年天津市高考化学大题知识点汇总 知识清单
1
2026年天津市高考化学大题知识点汇总 知识清单
2
2026年天津市高考化学大题知识点汇总 知识清单
3
相关资源
示范课
由于学科网是一个信息分享及获取的平台,不确保部分用户上传资料的 来源及知识产权归属。如您发现相关资料侵犯您的合法权益,请联系学科网,我们核实后将及时进行处理。