《电子技术基础》第二单元-知识点训练卷（3）2026版重庆市电子技术类专业 考纲百套卷第33卷

编写说明：《电子技术类考纲百套卷》依据重庆市《电子技术类考试说明》编写，本套试卷共92份，分为三个部分，第一部分是知识点训练卷，每个单元2-8份试卷共62份，第二部分是常考题训练卷，考纲有3个课程，《电工基础》和《电子技术基础》每个课程8份训练卷，《电子测量仪器》4份训练卷，共20份，第三个部分是专业综合训练卷，参考重庆市历年电子技术类专业真题试卷，编写了10份。 本试卷是《电子技术类考纲百套卷》的第33卷，是第一部分知识点训练卷，按考纲中《电子技术基础》课程的第二单元的五点范围的第三点要求编写。其要求是：1．理解三极管的主要参数。 重庆市《电子技术类考纲百套卷》 第33卷 《电子技术基础》 第二单元 知识点训练卷（3） 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单项选择题（本大题共15小题，每题2分，共30分） 1.晶体管的极限参数为PCM＝100mW，ICM＝20mA，U（BR）CEO＝15V，试问在下列情况下，哪种是正常工作。（ ） A．UCE ＝6V，IC ＝20mA B．UCE ＝2V，IC ＝40mA C．UCE ＝3V，IC ＝10mA D．都不行 【答案】C 2.在NPN型三极管的共射放大电路中，集电极电流与基极电流的比值称为（　　）。 A. 电流增益 B. 电压增益 C. 功率增益 D. 负载增益 【答案】A 3.满足IC=βIB时，三极管工作在（ ）。 A.截止区 B.饱和区 C.放大区 D.无法判断 【答案】C 4.在共基极电路中，三极管的电流通常（　　）。 A. 大于1 B. 小于1 C. 等于1 D. 不确定 【答案】B 5.三极管的输入特性曲线描述了（　　）。 A. 基极电流与集电极电流的关系 B. 基-射极电压与基极电流的关系 C. 集电极电流与集电极电压的关系 D. 发射极电流与集电极电流的关系 【答案】B 6.晶体三极管作为开关器件使用时，它的工作状态是( )。 A.截止或饱和 B.截止或放大 C.放大或饱和 D.放大或截止 【答案】A 7.NPN型和PNP型晶体管的区别是（ ）。 A.由两种不同的材料硅和锗制成的 B.掺入的杂质元素不同 C.P区和N区的位置不同 D.管脚排列方式不同 【答案】C 8.某晶体管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20μA，则它的集电极电流等于（ ）。 A.0.98 mA B.1.02 mA C.0.8 mA D.1.2 mA 【答案】A 9.基本放大器中，当输入电压为10mV时，测得输出电压为500mV，则电压放大倍数是( )。 A.10 B. 50 C. 500 D.100 【答案】B 10.输入电阻的大小主要影响放大器的（ ）。 A. 放大倍数 B. 频率响应 C. 失真程度 D. 噪声性能 【答案】D 11.测得工作在放大电路中的三极管各极电位如图所示，其中硅材料的NPN管是（ ）。 【答案】A 12.工作在放大状态的晶体管，当IB从30uA增大到40uA时，IC从2.4mA变成3mA，则该管的β为( ) A.80 B.60 C.75 D.100 【答案】B 13.用万用表欧姆档测小功率晶体三极管好坏时，应选择的档位( )。 A．Rx100或Rx1K B. Rx10K C. Rx1 D.都可以 【答案】A 14.三极管的饱和状态是指（　　）。 A. 发射结和集电结都正偏 B. 发射结和集电结都反偏 C. 发射结正偏，集电结反偏 D. 发射结反偏，集电结正偏 【答案】A 15.PNP型三极管的发射极到基极的电压在正常工作状态下应为（　　）。 A. 正偏 B. 负偏 C. 零 D. 高于集电极电压 【答案】A 二、判断题（本大题共15小题，每题2分，共30分） 1.三极管的最大集电极电流是其主要参数之一。（ ） 【答案】√ 2.电流放大系数β的值越大，三极管的放大能力越强。（ ） 【答案】√ 3.三极管的击穿电压是指三极管在正向偏置下的最大电压。（ ） 【答案】× 4.三极管的功耗与集电极电流和集电极-发射极电压的乘积成正比。（ ） 【答案】√ 5.三极管的饱和电压是集电极-发射极电压在饱和状态下的电压。（ ） 【答案】√ 6.三极管的β值通常在不同型号的三极管之间是相同的。（ ） 【答案】× 7.三极管的漏电流是指在截止状态下，集电极与发射极之间的漏电流。（ ） 【答案】√ 8.三极管的击穿电压通常要高于电路中的工作电压。（ ） 【答案】√ 9.三极管的功耗限制了它在电路中的最大输出功率。（ ） 【答案】√ 10.三极管的热稳定性指的是其在温度变化时性能的稳定程度。（ ） 【答案】√ 11.三极管的频率特性与其工作频率范围有关。（ ） 【答案】√ 12.三极管的封装形式不会影响其电气性能。（ ） 【答案】× 13.三极管的最大允许功耗与环境温度无关。（ ） 【答案】× 14.三极管的集电极-发射极饱和压降应尽量小以减少功耗。（ ） 【答案】√ 15.三极管的β值会随着工作电流的变化而变化。（ ） 【答案】√ 三、填空题（本大题共8小题，每题2分，共16分） 1.三极管的直流参数包括________，________，________。 【答案】，， 2.共发射极放大电路的输出电压与输入电压的相位________。 【答案】相反 3.在共发射极电路中，集电极电流与基极电流的关系由________系数决定。 【答案】电流放大系数（β） 4.一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而 。 【答案】增大 5.在共基极放大电路中，输入信号从________引入。 【答案】发射极 6.三极管的交流参数包括________，________。 【答案】， 7.三极管的极限参数包括________，________，________。 【答案】，， 8.温度升高时，晶体三极管的电流放大系数β变 ，ICEO变 。 【答案】大，大 四、综合应用题（本大题共2小题，每题12分，共24分） 1.三极管9013在，的情况下能否正常工作？ 【答案】查资料得知9013的极限参数为，，。因为，，，故能正常工作。 2. 在三极管放大电路中，测得IE1＝4mA，IB1＝20μA，IE2＝6mA，IB2＝40μA，求： （1）集电极电流IC1、IC2是多少？ （2）直流电流放大系数是多少？ （3）交流电流放大系数是多少？ 【答案】（1）集电极电流IC1、I C2分别是3.98mA、5.96mA。 （2）直流电流放大系数是199。 （3）交流电流放大系数是99。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：《电子技术类考纲百套卷》依据重庆市《电子技术类考试说明》编写，本套试卷共92份，分为三个部分，第一部分是知识点训练卷，每个单元2-8份试卷共62份，第二部分是常考题训练卷，考纲有3个课程，《电工基础》和《电子技术基础》每个课程8份训练卷，《电子测量仪器》4份训练卷，共20份，第三个部分是专业综合训练卷，参考重庆市历年电子技术类专业真题试卷，编写了10份。 本试卷是《电子技术类考纲百套卷》的第33卷，是第一部分知识点训练卷，按考纲中《电子技术基础》课程的第二单元的五点范围的第三点要求编写。其要求是：1．理解三极管的主要参数。 重庆市《电子技术类考纲百套卷》 第33卷 《电子技术基础》 第二单元 知识点训练卷（3） 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单项选择题（本大题共15小题，每题2分，共30分） 1.晶体管的极限参数为PCM＝100mW，ICM＝20mA，U（BR）CEO＝15V，试问在下列情况下，哪种是正常工作。（ ） A．UCE ＝6V，IC ＝20mA B．UCE ＝2V，IC ＝40mA C．UCE ＝3V，IC ＝10mA D．都不行 2.在NPN型三极管的共射放大电路中，集电极电流与基极电流的比值称为（　　）。 A. 电流增益 B. 电压增益 C. 功率增益 D. 负载增益 3.满足IC=βIB时，三极管工作在（ ）。 A.截止区 B.饱和区 C.放大区 D.无法判断 4.在共基极电路中，三极管的电流通常（　　）。 A. 大于1 B. 小于1 C. 等于1 D. 不确定 5.三极管的输入特性曲线描述了（　　）。 A. 基极电流与集电极电流的关系 B. 基-射极电压与基极电流的关系 C. 集电极电流与集电极电压的关系 D. 发射极电流与集电极电流的关系 6.晶体三极管作为开关器件使用时，它的工作状态是( )。 A.截止或饱和 B.截止或放大 C.放大或饱和 D.放大或截止 7.NPN型和PNP型晶体管的区别是（ ）。 A.由两种不同的材料硅和锗制成的 B.掺入的杂质元素不同 C.P区和N区的位置不同 D.管脚排列方式不同 8.某晶体管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20μA，则它的集电极电流等于（ ）。 A.0.98 mA B.1.02 mA C.0.8 mA D.1.2 mA 9.基本放大器中，当输入电压为10mV时，测得输出电压为500mV，则电压放大倍数是( )。 A.10 B. 50 C. 500 D.100 10.输入电阻的大小主要影响放大器的（ ）。 A. 放大倍数 B. 频率响应 C. 失真程度 D. 噪声性能 11.测得工作在放大电路中的三极管各极电位如图所示，其中硅材料的NPN管是（ ）。 12.工作在放大状态的晶体管，当IB从30uA增大到40uA时，IC从2.4mA变成3mA，则该管的β为( ) A.80 B.60 C.75 D.100 13.用万用表欧姆档测小功率晶体三极管好坏时，应选择的档位( )。 A．Rx100或Rx1K B. Rx10K C. Rx1 D.都可以 14.三极管的饱和状态是指（　　）。 A. 发射结和集电结都正偏 B. 发射结和集电结都反偏 C. 发射结正偏，集电结反偏 D. 发射结反偏，集电结正偏 15.PNP型三极管的发射极到基极的电压在正常工作状态下应为（　　）。 A. 正偏 B. 负偏 C. 零 D. 高于集电极电压 二、判断题（本大题共15小题，每题2分，共30分） 1.三极管的最大集电极电流是其主要参数之一。（ ） 2.电流放大系数β的值越大，三极管的放大能力越强。（ ） 3.三极管的击穿电压是指三极管在正向偏置下的最大电压。（ ） 4.三极管的功耗与集电极电流和集电极-发射极电压的乘积成正比。（ ） 5.三极管的饱和电压是集电极-发射极电压在饱和状态下的电压。（ ） 6.三极管的β值通常在不同型号的三极管之间是相同的。（ ） 7.三极管的漏电流是指在截止状态下，集电极与发射极之间的漏电流。（ ） 8.三极管的击穿电压通常要高于电路中的工作电压。（ ） 9.三极管的功耗限制了它在电路中的最大输出功率。（ ） 10.三极管的热稳定性指的是其在温度变化时性能的稳定程度。（ ） 11.三极管的频率特性与其工作频率范围有关。（ ） 12.三极管的封装形式不会影响其电气性能。（ ） 13.三极管的最大允许功耗与环境温度无关。（ ） 14.三极管的集电极-发射极饱和压降应尽量小以减少功耗。（ ） 15.三极管的β值会随着工作电流的变化而变化。（ ） 三、填空题（本大题共8小题，每题2分，共16分） 1.三极管的直流参数包括________，________，________。 2.共发射极放大电路的输出电压与输入电压的相位________。 3.在共发射极电路中，集电极电流与基极电流的关系由________系数决定。 4.一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而 。 5.在共基极放大电路中，输入信号从________引入。 6.三极管的交流参数包括________，________。 7.三极管的极限参数包括________，________，________。 8.温度升高时，晶体三极管的电流放大系数β变 ，ICEO变 。 四、综合应用题（本大题共2小题，每题12分，共24分） 1.三极管9013在，的情况下能否正常工作？ 2. 在三极管放大电路中，测得IE1＝4mA，IB1＝20μA，IE2＝6mA，IB2＝40μA，求： （1）集电极电流IC1、IC2是多少？ （2）直流电流放大系数是多少？ （3）交流电流放大系数是多少？ 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $