内容正文:
第三、四单元
阶段综合
黑题
阶段强化
限时:35min
1.*科学家宣称普通盐水在无线电波的作用
C.c处原子的分数坐标为
下可燃烧。无线电频率可以降低盐水中所含
元素原子之间的结合力,释放出氢原子,一旦
D.该晶胞的俯视图为图乙
点燃,氢原子就会在这种频率下持续燃烧。
4.**(2025·安徽宿州高二期中)课题组在表
上述“结合力”的实质是
(
征富勒烯C晶体样品时,通过原子力显微镜
A.离子键
B.s-sσ键
获得了其分子构型(图左)和X射线衍射实
C.s-pσ键
D.p-pT键
测的晶胞参数(图右)。实验数据显示,C0分
2.*(2025·甘肃白银高二期中)硅烷
子呈完美的足球状对称结构,晶胞边长为
(SiH2+2)的沸点与其相对分子质量的变化
1.42×107cm,C-C键长为140~145pm。下
关系如图所示,下列说法正确的是((
列说法正确的是
()
500f沸,点/K
Si Hio
1.42×10-7cm
SiHg
SizHo
100 SiH
20
30
相对分子质量
A.键长:Si一H<C-H
A.一个C0分子中含有σ键的个数为180个
B.电负性:Si<H
B.Co易溶于CS2中
C.Si4Ho属于共价晶体
C.每个C0分子距离最近且相等的C0分子
D.图中SiH4至Si4Ho沸点增大是由于Si一H
有4
键长增长,键能增大
D.已知金刚石中C一C键长为154pm,故C60
3.*(2025·山西运城高二期中)碳化硅
熔点高于金刚石
(SiC)俗称金刚砂,与金刚石结构相似,其晶
科技前沿!(2025·重庆高二期中)通过
胞如图甲所示。已知以晶胞参数建立分数坐
反应4BL3(g)+As4(g)
800℃4BAs(s,晶
标系可以表示晶胞中各原子的位置,称作原
体)+6L(g)可制备具有超高热导率的半导体
子的分数坐标。a处原子的分数坐标为(0,
材料
BAs晶体。下列说法不正确的是
0,0),b处原子的分数坐标为(1,1,1)。下列
说法正确的是
甲
A.稳定性:金刚石>Si>SiC
A.图甲表示As4结构,分子中成键电子对数
B.每个Si原子周围最近的C原子有8个
与孤电子对数之比为3:2
选择性必修2·SJ黑白题58
B.图乙表示单质碘的晶胞结构,属于分子晶
(2)干冰分子属于
(填“极性分子”
体,一个12最近距离有12个2
或“非极性分子”)。
C.图丙是BAs晶胞结构,属于共价晶体,与
(3)请解释干冰晶体密度大于冰的主要原因:
每个B距离最近且相等的As有8个
D.BI,能与水反应生成H,BO,和HⅡ两种酸
8.*(2025·湖北宜昌高二月考)碳与硅分别
6.(2024·福建莆田高二月考)VA~IA
是有机和无机世界的重要组成元素,具有相
族元素的氢化物沸点和周期关系如图所示。
似电子排布和化学性质,应用广泛。
沸点/℃
I.碳元素有多种单质,下图分别为金刚石
100
(图1)和富勒烯(C0图2)的晶胞。
50
25
0
HTe-
25
SbH
-50
H,S
木H
O表示C
s拉
米
图1
-75
SnH.
图2
-100
P
GeH
(1)以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可
-125
SiH
-150-CH
以表示晶胞中各原子的位置,称作原子分数
5周期
坐标。如图1中a原子的坐标为(云4,
131
(1)稳定性:CH4>SiH4>GeH4>SnH4,主要
原因是
0
4),则b原子的坐标为
(2)沸点:CH4<SiH4<GeH4<SnH4,主要原
Ⅱ.碳的氧化物常见的有C0、C02,而硅常见
因是
的只有SiO2,晶胞如下:
(3)H,O、NH3、HF三种物质的沸点都比同族
元素氢化物的沸点高的主要原因是
(2)C0分子与N2分子成键情况相似,试写出
(4)写出液氨中的氢键:
C0的电子式:
7.**(2024·湖南长沙高二期末)分子的结构
(3)Si02晶体中距离最近的两个Si原子间距
与物质性质之间存在紧密的联系。如图是冰
为Lpm,则SiO2的晶胞边长a=
pm;
(H,0)和干冰(C02)的结构模型。
若Si02的密度为pg·cm3,则阿伏加德罗常
数值可表示为N.=
(列出计算式即
可)。
(4)金刚石、单晶硅和干冰的熔点分别为
3550℃、1414℃、-56.6℃,试分析其中
冰
千冰
的原因:
(1)冰和干冰晶体的类型为
专题3黑白题59c的个数为8×日+6x子4,0产的个数为8,按n(C0,):
n(Y203)=3:1掺杂Y203的新晶体中,一个晶胞中含有Ce+数目为
号,含有Y数目为,由电荷守恒可判断,含有0产数目为.2,因
12
此平均每个晶胞氧空位数为0.8,02的空缺率为10%,C正确:C02
的晶体密度p==4xM
688
一×100g·cm3,D错误。
(3a·
6(1)5x8x18
4NN4·0.9
(2)FesN
7.28×1023
33a2c
(3)
8×12
(8x10
13
解析:(1)在一个晶胞中含有水分子数目为】x8+】x6+4=8,晶胞
8
2
的质量m=8Xg,然后根最D=是计算出品胞参数L:
NA
38×18
√NA·0.9m,晶胞体对角线长度为v5
38×18
√WA·0.gcm,由于两个
最近的0原子之间的距离为晶胞体对角线的子,所以两个量近的0
原子之间的距离a=5x8x18
4×√N·0.9cm,0℃时冰晶体中氢键的键长
为5x8x18
94×√N·0.9cm。(2)根据均摊法计算,晶胞中含有Fe原子的
数目为12x+2×)+3=6,含有N原子数目为2,该化合物的化学
式为Fe3N;晶胞底边长为anm,高为cnm,晶胞体积为
35acx10-21cm,则这种磁性氯化铁的晶体密度为
2
6×56+2×14
35a2c×102
g·cm3=7.28x1023
33a2.8·cm3。(3)金刚石晶胞中碳原
2
子数目为8xg+6+4=8,碳原子半径为7m,品能体对角线为
1
8rnm,则品胞边长为8,
m,碳原子的空间利用率为
33
8
4
813
3
10%=5×100%:金刚石的密度为
8×12
16
3
g·cm3=
8
8×12
138·cm3。
M
7.(1)LaNi,(2)4d(3)1236
解析:(1)根据该合金的晶胞图可知,晶胞中心有1个镍原子,其他8
个镍原子位于晶胞面上,镧原子位于晶胞顶点,所以每个晶胞中含有
的镶原子数为1+宁8=5,含有的侧原子数为立×4+石×4=1,晶体
的化学式为LaNi5。(2)该晶体化学式为LaNi5,每个晶胞含
1个L山,故该品胞的质量m=8,所以品胞的体积为=
M
p
NM2cm。(3)该晶胞体积V=(511×100cm)2×sin60×397×
M
1010cm,一个晶胞能吸收6个氢原子,相当于3个H2,故所吸收H2
3
的质量m=水mox2g·mo名,则该合金储氢后氢的密度pP
6
m
6.02×10238
V(511×10-10cm)2×sin60°×397×10-10cm
≈0.111g·cm3,故储
选择性必修2·SJ
氢能力
0.111g·cm-3
8.98x10-5g·cm-1236。
第三、四单元阶段综合
黑题
阶段强化
题号12345
答案C B DBC
1.C
2.B解析:硅烷为分子晶体,相对分子质量越大,分子间作用力越大,
熔沸点越高。原子半径:Si>C,键长:Si一H>C一H,A错误;硅烷中H
为负价,硅为正价,电负性:Si<H,B正确;Si4H0属于分子晶体,C错
误;图中SiH4至Si4Ho沸点增大是由于硅烷为分子晶体,相对分子质
量越大,分子间作用力越大,熔沸点越高,D错误。
3.D解析:键能越大物质越稳定,由于键长:Si-Si>Si一C>C一C,则
键能:C一C>Si一C>Si一Si,则稳定性:金刚石>SiC>Si,A错误;以上
面心的S原子为研究对象,周围最近的C原子有4个,分别位于上
下两层晶胞,B错误;将晶胞平均分成8个小立方体,c处位于左、
后、上的位置,分数坐标为1,3,3)
4’4’4
,C错误;晶胞的俯视图中
4个碳原子落在四边形面对角线的4处,顶点的Si原子落在四边形
的顶点上,面心的S原子落在四边形的棱心和中心上,D正确。
4.B解析:C60分子中,每个碳原子形成1.5个σ键,总σ键数为60×
1.5=90(个),A不符合题意;C60为非极性分子,CS2为非极性溶剂,
根据“相似相溶”的规律,C0易溶于CS2,B项正确;C6o晶体为面心
立方结构,每个晶胞含4个分子,属于紧密堆积,最邻近配位数为
12,C不符合题意;金刚石为共价晶体(C一C键长为154pm),熔点
极高,C0为分子晶体(范德华力),熔点远低于金刚石,D不符合
题意。
5.C解析:图甲表示As4结构,分子中成健电子对数为6,每个As原
子有1个孤电子对,成键电子对数与孤电子对数之比为3:2,A正
确;图乙表示单质碘的晶胞结构,属于分子晶体,属于面心立方堆
积,一个I2最近距离有12个I2,B正确;图丙是BAs晶胞结构,属于
共价晶体,与每个B距离最近且相等的As有4个,C错误;BI3中B
显+3价、I显-1价,BL3能与水反应生成H3B03和Ⅲ两种酸,
D正确。
6.(1)半径:C<Si<GeSn,氢化物的键长:C-H<Si-H<GeH<Sn一H,键
长越长键能越小,稳定性越差
(2)CH4、SiH4、GeH、SnH4属于分子晶体,结构相似,相对分子质量
依次增大,范德华力依次增大,沸点依次升高
(3)H20、NH,、HF三种物质分子间均能形成分子间氢键,而同主族
其他氢化物不能形成分子间氢键
(4)N-H…N
7.(1)分子晶体(2)非极性分子(3)分子堆积方式不同,冰中氢键
存在方向性,分子间有较大空隙,空间利用率低,二氧化碳分子的质
量大于水分子
113
8.(1)
4,4,4
(2):C0:
(3)4L
3
8×60
3
(4)干冰是分子品体,金刚石和单品硅是共
/4w3
p·3
Lx10-10
价晶体:金刚石中碳原子半径小,C一C键较短,键能大,熔点高
解析:(1)以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各
原于的位置,称作原子分数坐标,如图1中:原子的坐标为(?
4(),由品胞结构可知,b原子的坐标为(冬,壬)。
11
(2)C0分子与N2分子成键情况相似,均为三键结构,其电子式为
:C:O:。(3)若Si02晶体中最近的Si一Si距离为Lpm,则利用“金
刚石型”相似结构可得最近邻间距d=
4a,所以a=43
pm。设
1
其密度为pg·cm3,每个晶胞含有8×g+6×】+4=8个Si原子
黑白题20
8×60
含有16个0原子,则pg·cm3=
38
cm
/4W3
Lx10-10
8×60
可得阿伏加德罗常数NA=
43
3。(4)金刚石、单晶
p·
3
Lx10-10
硅和干冰的熔点分别为3550℃、1414℃、-56.6℃,原因是:干冰是
分子晶体,金刚石和单晶硅是共价晶体;金刚石中碳原子半径小,
C一C键较短,键能大,熔点高
专题3
章末检测
题号1
2
3
4
5
6
7
答案B
B
C
C
A
D
B
题号8
9101112
13
答案BDB C AB
1.B2.B3.C
4.C解析:三键键长小于双键键长小于单键键长,键长越短,键能越大,所
以键能:N=N>N=N>N一N,A正确;H(g)+Cl(g)—HCl(g)的焓变
为H一Cl键键能的相反数,则△H=-431kJ·mol1,B正确;NH3的
沸点高于HCl是由于NH,形成分子间氢键,C错误;2NH,(g)+
3CI2(g)=N2 (g)+6HCI(g)AH=6E(N-H)+3E(CI-CI)-
E(N=N)-6E(H一Cl)=-457kJ·mol-1,D正确。
24g
尽小解析:24g石器的物质的量为nW2g:0了=2m@l,在五
墨晶体中一个碳原子形成3个C一C键,每个C一C键由2个碳原子
构成,因此24g石墨中含有C一C键的物质的量为2m0l×3×2=
3mol,故1mol石墨中含3NA个g键,A正确;在金刚石中每个C原
子形成四个共价键,但每个共价键为两个C原子共用,即一个碳原
子含有2个C一C键,所以1mol金刚石含2N.个σ键,B错误:在白
磷(P4)分子中,每个P原子与相邻的3个P原子形成P一P共价
键,每个共价键由相邻的2个P原子形成,则在1个P,中含有的
P一P键数目为6个,所以在62g白磷(P4),即0.5mol白磷(P4)中
含有P一P非极性键数目是3NA个,C错误;根据雄黄分子结构可
知,在1个雄黄分子中含Ag一S键数目是8个,在1mol雄黄分子中
含As一S键数目是8W4个,则在0.5mol雄黄分子中含As一S键数
目是4N.个,D错误。
6.D解析:由题意,氧化铝中离子键成分低于50%,通常可当作共价
晶体来处理,A正确;氧化铝属于共价晶体,氧化钠属于离子晶体,
因此氧化铝熔点高于氧化钠,B正确;氧化物中两元素电负性差值越
大,离子键成分的百分数越大,C正确:钾的金属性强于钠,则氧化钾
的化学键中离子键成分的百分数大于62%,D不正确。
7.B解析:在Fe(C0),中碳是+2价,而氧是-2价,得出铁是0价,
故A正确:F(C0)s常温下呈液态,熔、沸点较低,应为分子晶体,故
B错误;Ni是28号元素,价电子数为10,金属原子的价电子和C0提
供的电子总和等于18,所以C0要提供8个电子,每个C0提供一对
电子,则羰基镍的化学式为N(C0)4,故C正确;羰基与镍之间形成
配位键,配体C0中含有共价键,故D正确。
8.B解析:钙离子处于8个顶点和6个面心,根据均摊法,晶胞中钙
离子数目为8×
8+6
6=4,F处于体内,有8个,每个F周围等距
且最近的钙离子有4个,这些钙离子分布在以F~为中心的正四面体
顶点位置,则F的配位数为4,A正确;在金刚石晶体中,每个碳原子
被12个六元环共同占有,由于C均形成4个C一C,C采取sp3杂化.
故每个六元环最多有4个碳原子共面(六边形的对边互相平行,对
边顶点处的四个碳原子可处于同一平面),B错误:该气态团簇分子
含有F和E的数目均为4,故化学式为E4F4或F4E4,C正确:气态团
簇分子的熔沸点较低,C2为离子晶体,金刚石为共价晶体,三种物
质对应的品体中熔沸点最高的是金刚石,D正确。
9.D解析:干冰晶体中二氧化碳分子的排列方向有4种,即在顶点上
1种,3对(上下、左右、前后)面心上3种,A错误:石墨是混合型晶
体,石墨层内碳原子靠共价键连接,层与层之间靠范德华力维系,
B错误;氨原子的半径比碳原子的半径小,所以C一N键的键长比
C一C键的键长要短,C错误:碱金属为活泼金属,容易失去电子形成
正本参考答案
阳离子;卤素单质为活泼非金属单质,容易得到电子形成阴离子,故
两者形成的化合物为离子化合物,碱金属的卤化物易溶于水,水溶
液能导电,离子化合物的熔融状态能导电,D正确。
10.B解析:X的价电子层中有3个未成对电子,X为氮元素;Y的最
外层电子数是其内层电子数的3倍,Y为氧元素;Z的最外层只有
一个电子,次外层有18个电子,Z为铜元素。X元素形成的单质分
子是氨气,氮气分子中的化学键是氨氮三键,σ键与π键的个数比
为1:2,A错误;Y元素形成的3原子单质分子为臭氧,中心氧原子
采取即2杂化,其中两个单电子轨道与另外两个原子形成两个σ
键,第三个轨道有一对孤电子对。另外未参与杂化的P,轨道与另
两个氧原子的p,轨道肩并肩重叠,形成离域π键为,B正确;Cu
元素位于周期表中的第4周期IB族,C错误;由氧与铜形成的晶
胞示意图可知,根据均摊法求得化学式为C20,该化合物中铜元
素的化合价为+1价,D错误。
11.C解析:磷化硼是一种耐磨涂料,说明其硬度大,结合品胞图可知
其为三维立体结构,为共价晶体,A正确:磷原子与硼原子的最短距
离为晶胞体对角线的子,即?。
anm,B正确;如果上面再并置一个
晶胞,以上表面面心的原子为例,周围相邻最近的白色小球有4个,
故黑色原子配位数为4,C错误;a原子在里面的面心上,结合原点
11】
和坐标系,其分数坐标为(0,2,2)D正确。
12.A解析:由题干晶胞示意图可知,M转化为N即去插层过程中Cs
元素均转化为Csl,A错误;由题干N晶胞示意图可知,一个晶胞中
含有Se的个数为8×-
+2=4,V的个数为8x
4
+4×
=4,0的个
2
数为8x令+1=2,则化学式为V,S,0,B正确;观察M的结构,与
Cs原子最临近的Se原子有8个,C正确;观察N晶胞的结构可
知,N中V原子位于S原子和0原子共同构成的八面体空隙中,
D正确。
13.B解析:由晶胞结构可知,位于顶点和面心的硒离子个数为8×
+6x2=4,根据Cu,Se知,铜离子和亚铜离子的个数之和为
4(2-x)=8-4x,设晶胞中的铜离子和亚铜离子的个数分别为α和
b,则a+b=8-4x,由化合价代数和为0可得2a+b=4×2,解得a=
4x,A错误;由题意可知,Na2Se转化为Cu2-,Se的电极反应式为
Na2Se-2e+(2-x)Cu—Cu2-Se+2Na,由晶胞结构可知,位于顶
1
点和面心的硒离子个数为8x8+6×2
=4,则每个晶胞中含有4
个Na2Se,转移电子数为8,B正确;由题意可知,Cu2-Se转化
为NaCuSe的电极反应式为Cu2-,Se+e+Na*一NaCuSe+-(l-x)
C血,由晶胞结构可知,位于顶点和面,心的晒离子个数为8×令+6×
2=4,则每个晶胞中含有4个NaCuSe,晶胞中0价铜的个数为
(4-4x),C错误;由题意可知,Na,Cu2-Se转化为NaCuSe的电极反
应式为Na,Cu2-xSe+(1-y)e+(1-y)Na=-NaCuSe+-(1-x)Cu,所
以每转移(1-y)mol电子,产生(1-x)mol铜原子,D错误。
14.(1)3:1金属键(2)HgAuCua3(3)4(4)44:3
解析:(1)一种铜金合金品体具有面心立方最密堆积结构,在晶胞
中Gu原子处于面心,C原子数为6x?=3(个),Au原子处于顶
点,Am原子数8×8=1(个),则该合金中Cu原子与Au原子数量
之比为3:1,该晶体属于金属晶体,晶体中Cu原子与Au原子之间
的作用力为金属键。(2)上述晶体具有储氢功能,氢原子可进人由
Cu原子与Au原子构成的四面体空隙中,一个晶胞含8个四面体
空隙,即含有8个H原子,由(1)得品胞中含1个Au原子、3个Cu
原子,该晶体储氢后的化学式应为HgAuCuz。(3)由立方BP(醉化
用)的晶胞结构图,顶点B原子数为8x号=1(个),面心B原子数
为6x2=3(个),晶胞中含B原子数目为4。(4)铁有8,Ya三
种同素异形体,Y晶体晶胞中,顶点F©原子数为8×8=1(个),面
黑白题21