全书综合检测-【学霸黑白题】2025-2026学年高中化学选择性必修2（人教版）

全书综合检测 (时间：60分钟总分：100分) 一、选择题（每题3分，共45分） 有关结构如图所示。 1.(2024·湖南长沙高二期末)《食品安全国家 标准》中明确规定在食用盐中加入的食品营 养强化剂，包括碘酸钾(KIO3)、碘化钾(KI)。 石墨烯 石墨烯-C60 下列说法错误的是 下列有关这三种物质的说法错误的是( A.基态氧原子核外能量最高的电子所在能级 A.碳原子的杂化方式均为sp 的电子云形状：( B.Co晶体的熔点最低 C.石墨烯的导电性最好 B.钾原子核外有19种不同运动状态的电子 D.互为同素异形体 C.基态氧原子核外电子的轨道表示 5.(2024·广东深圳高二期末)甲~戊均为短周 式响简1西 期元素，在元素周期表中的相对位置如图所 D.基态碘原子的价层电子排布式：4s24p 示。戊的最高价氧化物对应的水化物为强 2.下列关于粒子结构的描述不正确的是( 酸。下列说法不正确的是 A.H,S和NH,均是价电子总数为8的极性分 甲 子，且H,S分子的键角较小 丙 丁戊 B.HS和HCl均是含一个极性键的18电子 A.原子半径大小一定有：丙>甲>乙 微粒 B.元素电负性强弱一定有：戊>丁>丙 C.CH,CL2和CCL4均是四面体形的非极性 C.元素的第一电离能大小一定有：戊>丙>丁 分子 D.丙的最高价氧化物对应的水化物一定能与 D.1molD,60中含中子、质子、电子各10NA 强碱反应 (N代表阿伏加德罗常数的值) 6.(2023·广西南宁高二期中)实验室里经常可 3.(2023·黑龙江鹤岗高二期中)下列说法正确 以看到蓝色的硅胶干燥剂，变色的主要原因 的是 ( 是含有氯化钴。CoCL2为蓝色结晶性粉末，当 A.水汽化和水分解两个变化过程中都破坏了 暴露在潮湿的空气中时会很快变为粉红色的 共价键 [Co(H,0)6]Cl2,若在约110℃烘箱里放置 B.若将基态sP原子的核外电子排布式写成 1小时，又恢复到半透明的蓝色。下列说法 1s22s22p3s23p23p,则违背了泡利原理 不正确的是 C.基态碳原子核外有6种能量不同的电子 A.C0元素位于元素周表中第四周期第Ⅷ族 D.有机铁肥[Fe(H NCONH2)6](NO3)3的中 B.配离子[Co(H,0)6]2+中H20分子的中心 心离子为Fe3+,配位数为6 原子杂化方式为sp杂化 4.(2023·湖北武汉统考模拟)新研制出的石墨 C.1mol[Co(H20)6]CL2与足量的AgN0,溶 烯-Co揉和了C分子与石墨烯的结构特点， 液反应时，可得到2 mol AgCl 选择性必修第二册·RJ黑白题88 D.该蓝色的硅胶干燥剂的变色反应（蓝粉之 数，下列说法正确的是 间的转化)是可逆反应 A.同周期元素第一电 7.(2023·广东校联考模拟)在人类提出水合氢 离能小于Y的有 离子概念一百多年来，我们首次在现实空间 5种 里观测到水合氢离子的微观结构（两种构型 B.简单氢化物的还原 的水合氢离子的结构模型如图)，并发现了一 性：X<Y 种室温下保持在常压状态具有氢原子对称 C.W、Z形成的化合物分子是含有极性键的非 化构型的二维冰新物态。下列有关说法正确 极性分子 的是 ( D.四种元素形成的简单氢化物中X最稳定 10.（2023·山西晋中高二月考)一种四方结构 的超导化合物的晶胞如图1所示，晶胞中Sm O 00 0 和As原子的投影位置如图2所示。下列说 OH 法正确的是 ( (a) ) A.(a)(b)中0原子均为sp3杂化 0 O或F Sm Fe B.(a)(b)均可表示为H,0 C.(a)中存在的化学键有共价键、配位键、 氢键 D.水合氢离子组装形成的二维冰相和干冰均 20 a pm 为共价晶体 图1 图2 8.HNO,的结构示意图如图所示，大T键可用符 A.晶胞中Fe的原子个数为4 号Ⅱ”表示，其中n代表参与形成大π键的原 B.图中F和02共同占据晶胞的上下底面 子数，m代表参与形成大π键的电子数。下 位置，若两者的比例依次用x和1-x表 列说法正确的是 ( 示，则该化合物化学式为SmFeAsO1-,Fx 0 121.1pm C.若图1中原子1的坐标为(0.5,0.5,0.5)， 130.279 115.88° 则原子2的坐标为(0,0,0.5) 119.9pm 102.2 H D.F、0、As的电负性大小顺序为F>As>0 01 01 113.85° 140.6pm 96.4pm 11.(2023·福建南平高二期中)如图是Na、 Cu、Si、H、C、N六种元素的单质的熔点高低 A.HNO,为非极性分子 的顺序，其中c、d均是电和热的良导体。下 B.N与两个非羟基O间形成的大π键可以用 列判断错误的是 Π！表示 -73500 C.HNO3中N一O键的键能完全相同 3000 D.HNO,的酸性弱于H,S04,其原因与HNO3 2000 形成分子间氢键有关 熔，点/℃ 9.LDFCB是电池的一种电解质，该电解质阴离 1000 子由同周期元素原子W、X、Y、Z构成，结构如 100 图，Y的最外层电子数等于X的核外电子总 10 b c d e 全书综合检测黑白题89 A.单质e、f为共价晶体，其熔化时克服的作 相等的Zn原子共有4个 用力是共价键 133 B.单质c对应元素的基态原子电子排布式 B.b点原子的分数坐标为(44,4) 为1s22s22p63s C.单质a、b在催化剂、一定温度及压强下可 C.晶胞x轴方向的投影图为 化合生成原子数之比为3：1的化合物， 该分子能与Ag*等金属阳离子形成配 D.该晶体的密度为5.88×10 wNA g·cm3 离子 14.氢能被视为21世纪最具发展潜力的清洁能 D.单质d能与稀HNO3反应产生H2,也可以 源，水的光解技术是当前研究的重要课题。 作为乙醇催化氧化的催化剂 在WOC和HEC两种催化剂作用下，利用光 12.（2024·安徽合肥高二开学考试)通过掺杂 照将水分解(“*”代表反应过程中产生的 硅可将储单质转化为不同掺杂比例的硅锗 中间体)，原理如图。下列说法错误的是 合金，锗及硅锗合金的立方晶胞结构如图所 ( 示。下列说法错误的是 ( 光生单元 HO S析氢 H2 0, 析氧 催化剂 H 催化永 OHH-O HEC CN WOC 、oSi H (0.0.0)9 Ge 01 HEC 硅锗合金ⅰ 硅锗合金ⅱ 光吸收单元 A.上述水的光解技术是将光能转化为化 A.锗晶体键角为10928” 学能 B.若硅锗合金1的密度为pg·cm3,则阿 B.1 mol WOC*中通过螯合成环的配位键有 73×7+28 伏加德罗常数Na= 10-0ap mol-1 8 mol C.析氢和析氧分别是还原反应和氧化反应 C.原子①的分数坐标为(4,44 331 D.HEC*中C原子的杂化方式都是sp杂化 D.锗晶体熔点高于硅晶体的熔点 15.(2023·山西吕梁统考二模)具有光催化活 13.(2024·河南郑州高三月考)稀磁半导体 性的Ti02可通过氮掺杂生成TiO2mN,后，在 Li,Zn,As,的立方晶胞结构如图所示，已知晶 光照下的输出稳定性更好，其晶胞结构如 胞边长为wm,a点原子的分数坐标为（径， 图，已知原子1、原子2的分数坐标为0,0， ),阿伏加德罗常数的值为N。下列说 4)和(10,0)，设可伏加德罗常数的值 4’4 为Va,下列说法正确的是 法正确的是 ●Tio0N 氧空穴 m pm A.该晶体中，每个i原子周围紧邻且距离 TiOz 选择性必修第二册·RJ黑白题90 3 A.氮掺杂生成的Ti02-aN。中，a= 化钠溶液，生成Na,[Be(OH)4]。写出离子 ,b= 16 反应方程式 B.原子3的分数坐标为1,0，) 17.(12分)已知A、B、C、D、E、F为元素周期表 中原子序数依次增大的前20号主族元素，A C.Ti02晶体中，Ti的配位数为8 与B,C、D与E分别位于同一周期。A原子 D.Ti0,的密度为4x(48+16×2) Vm2nx10-2ig·cm3 L层上有2对成对电子，B、C、D的核外电子 排布相同的简单离子可形成一种C3DB。型 二、非选择题（本题共4小题，共55分） 离子晶体X,CE、FA为电子数相同的离子晶 16.（11分)(2024·天津高一期末)回答下列 体。请回答下列问题。 问题。 (1)写出A元素的基态原子外围电子排布 (1)现有a~h8种短周期元素，它们在元素 式： 。写出F的离子电子排布 周期表中的位置如图所示。 式： (2)试解释工业冶炼D的单质不以DE,为原 b c 料而是以D,A,为原料的原因： ①g元素在周期表中的位置是 (3)试分析导致CE、FA两者熔沸点差异的 ②表中元素原子半径最大的是 主要原因是 (填元素符号)。 ③g、h的最高价氧化物对应的水化物酸性强 (4)F与B可形成离子化合物，其晶胞结构 的是 (填化学式)。 如图所示。F与B形成的离子化合物的化学 ④写出上述元素组成的一种四原子10电子 式为 ;该离子化合物晶体的密度为 的共价化合物的电子式 ag·cm3,则晶胞的体积是 (2)在元素周期表中，某些主族元素与右下 (只要求列出计算式)。 方的主族元素（如图）的有些性质是相似的 (如锂和镁在过量的氧气中燃烧均生成氧化 物，而不是过氧化物)，这种相似性被称为对 角线规则。 18.(15分)锗石是自然界中含有锗元素的一类 Li Be、 矿石的统称，锗石含有人体所需的硒、锌、 镍、钴、锰、镁、钙等30多种对人体有益的微 体现对角线规则的相关元素 量元素。 ①镁在空气中燃烧生成的氧化镁中含有少 (1)基态Ge原子核外简化电子排布式 量的氨化镁(MgN2)。锂在空气中燃烧，除 为 ,Ge原子的电子发生跃迁时会吸 生成氧化锂外，也会生成微量的 收或发出不同的光，可用光谱分析仪获得 (填化学式)。 (填“连续”或“线状”)光谱，鉴定 ②铍的最高价氧化物对应的水化物为 Ge元素的存在。 B(0H)2,属于两性氢氧化物，可溶于氢氧 (2)锗与碳同族，性质和结构有一定的相似 全书综合检测黑白题91 性，储元素能形成无机化合物（如锗酸 (1)AlCrFeNi是目前采用最多的高熵合金元 钠：Na,Ge0g;二锗酸钠：Na,Ge20,等)，也能 素组合。 形成类似于烷烃的绪烷(GeHn+2)。 ①1元素与同周期左侧相邻的元素比较，第 ①Na,Ge0,中锗原子的杂化方式是 一电离能由大到小的顺序是 (用 ②推测1 mol Ge,,H2+2中含有σ键的数日是 元素符号表示)，请从原子结构角度解释原 (用NA表示阿伏加德罗常数值)。 因 (3)利用离子液体[EMIM][AICL,]可电沉积 ②基态Fe原子的价层电子的轨道表示式为 还原金属Ge,其熔点只有7℃，其中EMIM 结构如图所示。 ③Cu元素位于元素周期表的 区。 (2)研究人员发现，在离子液体中可制备均 OH ● 一粒径分布的高嫡合金纳米颗粒。离子液 ON 体是在室温和接近室温时呈液态的盐类物 质，一般由有机阳离子和无机阴离子组成。 ①该物质的晶体类型是 种离子液体的结构如图所示。 ②EMIM中组成元素的电负性由小到大的 顺序是 [BFT (4)独立的NH,分子中H一N一H的键角为 ①BF,的空间结构为 107°，[Zn(NH3)6]2+中H-N-H的键角 ②研究发现通过改变阳离子侧链可调控离 (填“大于”“小于”或“等于”)107°。 子化合物的熔点。A、B两种离子液体的结 (5)硒化锌(ZnSe)是一种重要的半导体材 构如图所示。熔点：A>B的原因是 料，其晶胞结构如图甲所示，该晶胞中硒原 子的配位数是 ;已知晶胞边长为 apm,乙图为甲图的俯视图，若原子坐标A 为(0.0,0)，B为（分1，），则D原了坐标 (3)一种由Cu、In、Te元素形成的高嫡合金，晶 为 ;若该晶胞密度为pg·cm3,则 胞结构如下图所示，晶胞棱边夹角均为90°。 阿伏加德罗常数N为 Cu ●m OZn O 19.（17分)(2024·北京高三月考)高熵合金是 ①Te原子与邻近的Cu、In原子构成的空间 指由多种元素（如Al、Fe、Cu、Co、Cr、Mn、Ni、 结构为 Zn等)形成的合金，因其独特的元素组成、 ②已知阿伏加德罗常数的值为N,该晶体的 微观结构和性能，被认为是极具应用潜力的 密度为 g·cm3(1nm=10-7cm, 新型结构材料。 列出计算式)。 选择性必修第二册·RJ黑白题92间的化学键为离子键。由A1F3的晶胞结构可知，其中体积较大的球 的个数为12x=3,体积较小的球的个数为8x号=1，则体积较大 的表示F,距F最近且等距的A3+有2个，则F的配位数为2。若 晶胞参数为apm,则晶胞的体积为(apm)3=a3×10-30cm3,晶胞的 84×1030 质量为总4，则其晶体密度马 N4·a8·cm3。 7.(1)钠的电负性小于硅，氯化钠为离子晶体，而SiCl4为分子晶体 随着同族元素电子层数的增多，其熔点依次升高，其原因是SiC GeCl4、SnCl4均形成分子晶体，分子晶体的熔点由分子间作用力决 定，分子间作用力越大则其熔点越高：随着其相对分子质量增大，其 分子间作用力依次增大正四面体p(2)1MgB,5。 解析：(1)Na与Si均为第三周期元素，NaCl熔点明显高于SiCl4,其 原因是钠的电负性小于硅，氯化钠为离子晶体，其熔点较高：而SiCl4 为分子晶体，其熔点较低。由表中的数据可知，SiCl4、GeCl4、SnCl4熔 点变化趋势为：随着同族元素电子层数的增多，其熔点依次升高，其 原因是SiCl4、GeCl4、SnCl4均形成分子晶体，分子晶体的熔点由分子 间作用力决定，分子间作用力越大则其熔点越高：随着其相对分子质 量增大，其分子间作用力依次增大。SiCl。的空间结构为正四面体. 其中Si的价层电子对数为4，因此Si的轨道杂化形式为sp3。(2)由 硼镁化合物的晶体结构可知Mg位于正六棱柱的顶点和面心，由均摊 法可以求出正六棱柱中含有12x石+2x?=3个Mg,由晶跑沿c轴的 投影图可知本题所给晶体结构包含三个晶胞，则晶胞中Mg的个数为 1;晶体结构中B在正六棱柱体内共6个，则该物质的化学式为MgB2; 由晶胞沿c轴的投影图可知，B原子在图中两个正三角形的中心，该点 到顶点的距离是该点到对边中点距离的2倍，顶点到对边的垂线长度 为 20,因此B一B键最近距离为3 3a。 全书综合检测 题号12345 6 78 答案D C D A A B 题号910111213 1415 答案CBDD DDA 1.D解析：基态氧原子核外电子排布式为1s22s22p4,能量最高的电子 位于2p能级，该能级电子云的形状为( ),A正确：K 为19号元素，K原子核外有19个电子，有19种不同运动状态的电 子，B正确：基态氧原子核外电子的轨道表示式为 什田H十十C正确：碘为53号元素，位于元素周期表第 Is 2s 2p 五周期WA族，基态碘原子的价层电子排布式为5s25p5,D错误。 2.C 3.D解析：水汽化破坏的是氢键和范德华力，水分解则需要破坏共价 键，A错误；若将基态15P原子的核外电子排布式写成 1s22s22p63s23p23p,,违背了洪特规则，B错误；基态碳原子的核外电 子排布式为1s22s22p2,占据三个能级，所以有三种能量不同的电子 C错误；H2 NCONH2分子与Fe3+形成配位键，中心离子为铁离子，配 位数为6，D正确。 4.A解析：C分子内存在碳碳单键和碳碳双键，碳碳单键为sp3杂 化，石墨烯-C0中连接石墨烯和C和的碳原子会形成4个共价键， 为p3杂化，A错误：C0晶体为分子晶体，熔点最低，B正确；石墨烯 的层中存在自由移动的电子，其导电性最好，C正确：三者均为碳元 素形成的不同单质，故互为同素异形体，D正确。 5.C解析：戊的最高价氧化物对应水化物为强酸，戊可能是S,也可能 为Cl,如果戊是S,则乙为0，丁为P,丙为Si,甲为C,如果戊是C1,则 乙为F,丁为S,丙为P,甲为N。同主族从上到下，原子半径依次增 大，同周期从左向右原子半径依次减小（稀有气体除外），原子半径 大小顺序有：丙>甲>乙，A正确：同周期元素从左到右，电负性逐渐增 大，故元素电负性强弱有：戊>丁>丙，B正确；同周期元素从左到右， 元素第一电离能逐渐增大，但P的3印轨道上的电子为半充满状态 正本参考答案 比较稳定，故P的第一电离能比S大，故元素的第一电离能大小为 Cl>P>S或P>S>Si,C错误；若丙为Si,最高价氧化物对应水化物 是H2Si03,能与碱反应，若丙为P,最高价氧化物对应水化物是 H3PO4,也能与碱反应，D正确。 6.D解析：粉色和蓝色物质转化时反应条件不同，不是可逆反应， D错误。 7.A解析：因为(a)(b)中0原子价层电子对数为4，即均为sp3杂 化，A正确；(a)结构中，1个水合氢离子通过氢键和3个水分子作 用，(b)结构中，1个氢离子通过氢键和2个水分子作用，不可表示 为H30*,B错误：(a)中水分子中含有共价键，氧原子上的孤电子对 与氢离子通过配位键形成水合氢离子，水合氢离子通过氢键和3个 水分子作用，但氢键不属于化学键，C错误：共价晶体中全部原子间 只靠共价键结合形成空间网状结构，水合氢离子组装形成的二维冰 相和千冰均属于分子晶体，D错误。 8.B解析：HNO3分子中正、负电中心不重合，为极性分子，A错 误；HNO3分子中，N原子提供1个孤电子对，每个非羟基0提供1个 电子，则N与两个非羟基0间形成的大π键可表示为Π，B正确：根 据题图中数据可知，三个N一0键的键长不相同，则键能不完全相 同，C错误：HNO,可以形成分子内氢键，导致H电离程度减小，故其 酸性弱于H,S04,D错误。 9.C解析：根据结构分析Y有两个价键，X有四个价键，Z有一个价 键，该阴离子得到一个电子，则只可能是W得到一个电子，又根据Y 的最外层电子数等于X的核外电子总数，则Y为0，X为C,Z为F, W为B。同周期元素第一电离能小于Y(O)的有Li、Be、B、C共 4种，A错误：同一周期元素原子从左向右，非金属性逐渐增强，简单 氢化物的还原性逐渐减弱，故简单氢化物的还原性：X(CH4)> Y(H,0),B错误；W、Z形成的化合物分子(BF3)含有极性键，BF3是 平面三角形，则为非极性分子，C正确；四种元素形成的简单氢化物 中Z(HF)最稳定，D错误。 10.B解析：晶胞中Fe的原子个数为1+4x4=2,A错误；根据晶胞结 构得到Sm个数为2，Fe个数为2，As个数为2,0或F个数为2，它 们个数之比为1：1：1：1，图中F和02共同占据晶胞的上下底面 位置，若两者的比例依次用x和1-x表示，则该化合物化学式 为SmFeAs(01-F,B正确：若图1中原子1的坐标为(0.5,0.5,0.5)， 则原子2的坐标为(0.5,0.5,0)，C错误：同周期从左到右电负性逐 渐增大，同主族从上到下电负性逐渐减小，则F、O、As的电负性大 小顺序为F>0>As,D错误。 11.D解析：Na、Cu、Si、H、C、N等元素单质中，Na、Cu为金属晶体，均 是热和电的良导体，C、Si的单质为共价晶体，且C单质的熔点大 于S晶体的熔点，H、N对应的单质为分子晶体，其中氢气的熔点最 低，由题图熔点的高低顺序可知a为H,b为N,c为Na,d为Cu,e 为Si,f为C。d为Cu,单质d能与稀HNO,反应产生NO,可以作为 乙醇催化氧化的催化剂，故D错误。 12.D解析：由锗晶胞图可知，每个锗均形成了4个σ键，为sp3杂化 键角为109°28'，A正确；由均摊法得，硅储合金晶胞中含有Si原子 个数为2×)=1，Ce原子个数为4+4× 2+8×8=7,晶胞体积为 00acm2,10@9=(28+7x73),M=7423 mol-1,B正 10-30a3p 331 确：原子①位于右后方，分数坐标为（子，4,4），C正确；硅、储形 成的晶体均为共价晶体，键长Si一Si<Ge一Ge,键长越长键能越小， 熔点越低，D错误。 13.D解析：由晶胞结构可知，晶胞中位于体心的Li原子与位于面心 的Z原子紧邻且距离相等，则该晶体中，每个Li原子周围紧邻且 距离相等的Z原子共有6个，A错误：根据a点原子的分数坐标可 333 推断出b点原子的分数坐标为(4,4,4 ),B错误；由晶胞结构 0 可知，品胞x轴方向的投影图为： ◆，C错误：由品 ● 胞结构可知，晶胞中位于顶点和面心的锌原子个数为8 ,1+6× 8 3 =4(个)，位于体内的砷原子个数为4个，位于棱上和体心的锂 黑白题31 原子个数为12×}+1=4（个），晶胞的质量=4×147。 4 w2×10-1cm3,该晶体的密度为5.8×102多 -g·cm3,D正确。 W3NA 14.D解析：机理图中有光吸收单元和光生单元，期间产生了中间体， 题述水的光解技术是将光能转化为化学能，A正确：WOC*中Ru 与N通过螯合作用形成配位键，1 mol WOC*中通过螯合成环的配 位键有8ol,B正确；析氢是还原反应，析氧是氧化反应，C正 确；HEC*中一CN中C原子的杂化方式为sp杂化，Fe一CO一Fe中 C原子的杂化方式为sp2杂化，D错误。 15.A解析：由T02-N6晶体结构可知，氮参杂反应后有3个氧空穴， 0原子6个在棱上，6个在面上、1个在体内，0原子个数为6×}+ )+1=),N原子1个在棱上1个在面上，N原子个数为1× 6× +1x13 1 4 千个数为8xg+4×2+1=4,N(T):N(0):N(N)=4:): .1 1 2 1:0:3 3 16.TiOuN2-0- 816 分数坐标分别为(0,0,4)和(1,0,0)，由T02的晶胞结构可知，原 3 子3的分数坐标为(1,1，云)B错误；钛离子形成体心四方点阵， 氧离子形成八面体，八面体嵌入体心四方点阵中，每个钛离子周围 有6个氧离子，Ti的配位数为6，C错误；T原子8个在晶胞的顶点 4个在面心和1个在体内，T原子的个数为8×工 原子8个在楼上，8个在面上2个在体内，0原子个数为8×4+8× +2=8,则1m0l晶胞的质量为4×(48+16x2)g,一个晶胞的质量 1 为m=4x(48+16×2 g,体积为V=m2n×10-30cm3,则Ti02的密度为 NA p=4(48+16x2) V×m2nx100g·cm3,D错误。 H 16.(1)①第三周期第MA族②Na③HC0,④H:N:H (2)①Li,N②Be(0H)2+20H[Be(0H)4]2 解析：由元素周期表中位置可知a~h8种短周期元素分别为氢、钠 镁、碳、氮、氧、硫、氯元素。(1)①g为硫元素，硫在周期表中的位置 为第三周期第MA族：②同周期元素随着原子序数的递增原子半径 越来越小，同主族元素随着原子序数递增原子半径越来越大，故表 中元素原子半径最大的是Na:③最高价氧化物对应水化物的酸性 取决于中心原子非金属性的强弱，非金属性：S<Cl,故S、CI的最高 价氧化物对应的水化物酸性强的是HCIO4;④上述元素组成的一种 H 气， (2)①由对角线规则可知锂在空气中燃烧，除生成氧化锂外，也会 生成微量的LN;②氢氧化铝是两性氢氧化物，溶于强碱的反应为 A1(OH)3+0H一[A1(0H)4],由对角线规则可知Be(OH)2也 属于两性氢氧化物，可溶于氢氧化钠溶液，生成Na2[Be(OH)4]: Be(0H)2+20H=[Be(0H)4]2。 17.(1)2s22p41s22s22p63s23p6(2)Al203为离子晶体（或离子化合 物)，而A1Cl3为分子晶体（或共价化合物）（3)Ca0晶体中Ca2+、 02-带的电荷数大于NaCl晶体中Na、Cl的电荷数 (4)CaF2 4×78g·molJ ag·cm-3×6.02×1023mol-1 解析：因为A原子L层上有2对成对电子，所以A为0元素，其基 寄限子外电子排布武为22。由于B与A同调原子序致 比A大，为主族元素，则B为F元素。B,CD的核外电子排布相同 选择性必修第二册·RJ 的简单离子可形成一种CgDB。型离子晶体X,且C、D位于同一周 期，所以X为Na3AlF6,即C是Na元素，D是A1元素，CE、FA为电 子数相同的离子晶体，则E为Cl元素，F为Ca元素。(4)根据晶胞 结构，用均摊法进行计算，每个晶胞中钙离子的个数为名×8+弓× 6=4,氟离子位于晶胞内部，未被其他晶胞共用，故氟离子的个数为 8,所以该化合物的化学式为CaF2,晶胞的体积V= 4×78g·mol1 ag·cm3×6.02×1023mol-1 18.(1)[Ar]3d04s24p2线状(2)①sp2②(3n+1)NA(3)①离 子晶体②H<C<N(4)大于(5)4 学o 解析：(1)Ge是32号元素，位于第四周期IVA族，基态Ge原子的核 外电子排布式为[Ar]3d104s24p2。(2)①Na2Ge03中锗原子的价层 电子对数为3+4+2,3x2=3,VSEPR模型为平面三角形，杂化方式 2 是sp2杂化；②GeH+2与烷烃结构相似，分子中的共价键均为 o键，n个Ge原子之间形成(n-1)个c键，Ge与(2n+2)个H原子 形成(2n+2)个σ键，所以1个分子中g键的数目为(2n+2)+(n 1)=3n+1,1 mol Ge,H2+2中含有g键的数目为(3n+1)NA。 (3)①该物质由阳离子EMM和阴离子[A1Cl4]ˉ构成，所以属于离 子晶体；②EMIM的组成元素为H、C、N,非金属性越强，其电负性 越大，非金属性由小到大的顺序是H<C<N,所以电负性由小到大的 顺序是H<C<N。(4)孤电子对与成键电子对之间的排斥力大于成 键电子对之间的排斥力，NH3分子中含有1对孤电子对，而 [Zn(NH3)6]2+中N原子上的孤电子对与Zn2+形成配位键，所以 [Zn(NH3)6]2+中H-N-H的键角大于107°。(5)该晶胞中Zn原 子的配位数是4，则ZSe晶胞中Se原子的配位数也是4；A的原子 坐标为(00,0)，B的原子坐标为（侵1，子），则A原子位于坐 标原点，B原子在正方体后面的面心，由图乙可知D原子在正方体 靠前右上位置，且到：轴y轴：轴的距离分别是}子子，即D 原了的坐标为（任子，）晶照的边长为am,则品酯的体 积V=a3pm3=a×10-30cm3,根据均摊法，1个晶胞中Zn原子个数为 4,Se原子个数为8×8+6×) x}=4,所以由m=nM= NA =pV,得N= NM4x1444x144×1020。 pVa3x10-30x0p·a3 19.(1)①Mg>1Mg的价层电子排布式为3s2,处于全满状态，比较稳 定，而A1的价层电子排布式为3s23p,可见A1更易失去最外层电 子，所以第一电离能较Mg小 ②t四1111③s 3d 4s (2)①正四面体形②A、B均为离子晶体，阴离子相同，阳离子所 带电荷量也相同。当阳离子侧链从乙基增长到丙基，阳离子的体积 (或半径或尺寸)增大，离子键的强度减弱，熔点也随之降低 (3)①四面体形②(4×64+4×115+8×128)×1021 N·a2b 解析：(3)①由图可知，Te原子与连接邻近的2个Cu原子、2个In 原子四个原子形成的空间结构为四面体形；②Cu位于顶点、面上和 体内，个数为8× 8×】+4×2+1=4,1n位于棱上和面上，个数为4× 8 4+6×2 =4,8个Te位于体内，品胞质量为 4×64+4×115+8×128 N g,晶胞体积为026x10cm3,晶体密度p=- 4×64+4×115+8×128 NA a2b×10-21 -g·cm3=4X64+4×115+8x128 Na×a2bx10-21 ·cm3。 黑白题32