辽宁省鞍山市海城市高级中学2025-2026学年高二下学期期初考试物理试卷

海城高中2025-2026学年度下学期高一期初考试 物理试卷 命题人：高二物理组 审校人：高二物理组 时间：75分钟 满分：100分 一、选择题：本题共10小题，共46分。在每小题给出的四个选项中，第17题只有一项符 合题目要求，每小题4分：第810题有多项符合题目要求，每小趣6分，全部选对的得6分， 选对但不全的得3分，有选错的得0分。 1.图甲所示为扬声器的实物图，图乙为剖面图，线糊处于磁场中，当音频电流信号通过线圈 时，线圈带动纸盆振动发出声音。俯视图丙表示处于辐射状磁场中的线圈，磁场方向如图中 箭头所示。则下列说法正确的是( 线圈 纸盆 环形 习N囹 磁体 线圈 甲 乙 丙 A.线圈匝数对扬声效果无影响 B.环形磁体产生的磁感线是不闭合的 C.图丙中线圈上各点的磁感应强度相同 D.图丙中当电流沿逆时针方向时，对应图乙中线圈所受安培力向下 2.特高压直流输电是国家重点能源工程。如图所示是两根等高、相互平行的水平长直输电导 线，分别通有大小相等、方向相同的电流1，和2，α、b、c三点连线与两根导线垂直并共面， b点位于两根导线间的中点，a、c两点与b点等距，d点位于b点正上方。不考虑地磁场的 影响，则() d ◆C CS扫描全能王 3亿人都在用的扫猫ApP A.b处磁感应强度等于零 B.a点处的磁感应强度方向竖直向下 C.c处的磁感应强度方向竖直向上 D.d点处的磁感应强度方向竖直向上 5.某高中物理兴趣小组将电磁弹射原理简化如图所示。固定在绝缘水平面上足够长的 平行光滑金属导轨，左端接有电源，整个装置处在竖直向下的匀强磁场中，导轨的电 阻不计。舰载机等效为电阻为R的导体棒PQ,当电键S闭合后，其速度v、电流I、 所受安培力F、流过的电量9的变化关系图像可能正确的是() B 4.两个用材料和横截面积都相同的细导线做成的单匝刚性闭合线框，分别用不可伸长 的细线悬挂起来，如图所示。两个线框均有一半面积处在磁感应强度随时间均匀变化 的匀强磁场中，两线框平面均始终垂直于磁场方向。某时刻圆形线框所受细线的拉力 为零，此时正方形线框所受细线的拉力也为零。若已知圆形线框的半径为，则正方 形线框的边长为() A.v2 B. 2v2 π X XX C. 4v2 D. 8V2 XXXXXX 2 CS扫描全能王 3亿人都在用的扫猫ApP 5.如图所示，图甲为质谱仪的原理图，图乙为磁流体发电机的原理图，图丙为回旋加速器的原 理图，图丁为洛伦兹力演示仪的原理图。下列说法中正确的是( 励磁线圈 (前后各-个) 玻璃泡 电子枪 等离子体 接交流电源 丙 A.在图甲中，比荷为号的粒子在质谱仪B区域中运动的半径为R=m qB B2 B.在图乙中，将一束等离子体喷入磁场中，A、B板间产生电势差，B板电势更高 C.在丙中，狭缝中所接的交流电压越大，带电粒子最终获得的最大动能越大 D.在图丙中，仅减小通过励磁线圈的电流，则电子的运动半径减小 6、如图所示的电路中各电表均为理想电表，D为理想二极管，C为电容器，R为定值电阻，R 为滑动变阻器。闭合开关S,待电路稳定后，记录各电表示数，将滑动变阻器的滑片P向左移 动一小段距离，待电路再次稳定后发现电压表V的示数变化量绝对值为△U,电压表V,的示数 变化量绝对值为△U,电流表A的示数变化量绝对值为△I,则下列判断不正确的是() A. △C的值等于R+“ A/ B. 的值等于电源内阻r △ C.电压表V的示数变大，电流表A的示数变小 D,电容器所带电荷量减少 合物逆i认 CS扫描全能王 3亿人都在用的扫描App 如图所示，纸面内两个宽度均为α的区域内存在着方向相反、磁感应强度大小相等 的匀强磁场，纸面内一个边长为25。的等边三角形闭合金属线框水平向右匀速通过 两个磁场区域。已知运动过程中线框的BC边始终与虚线边界平行，若规定逆时针方 向为感应电流的正方向，则从线框的A点进入磁场开始，线框中的感应电流i随线框 移动距离x变化的-x图象正确的是( a B XX. !× A:X e × × + × × 。 20 2I0 2a 3a A. 0 B 2a 3a -Zo 2l0 6 D 2a 12a 3a 20 CS扫描全能王 3亿人都在用的扫描App 8,高层建筑中的电梯系统安装了电磁缓冲装置。在电梯轿厢底部对称安装了8台永久强磁铁， 磁铁$极均朝上，电梯井道内壁上铺设若干金属线圈，当电梯轿厢超速下降时会迅速启动缓冲 系统，使线圈立即闭合。当电梯桥厢超速下降到如图所示位置时，下列说法正确的是() 上方线圈 轿厢 井道 下方线圈 永磁铁 /S A,轿厢上下方线圈对轿厢均有阻碍作用 B.轿厢上方与下方金属线圈中感应电流方向相同 C.上、下方线圈都有扩张的趋势 D.上方线圈有扩张的趋势，下方线圈有收缩的趋势 9.如图，一个匝数为N的矩形线圈在匀强磁场中绕垂直磁场的轴OO匀速转动，通过理想自 耦变压器给一电阻供电，变压器的原线圈匝数可以调节，电流表、电压表均为理想电表。滑片 P初始时位于原线圈中点处，当矩形线圈以角速度①匀速转动时，电压表的示数为U,不计线 圈和导线的电阻，下列说法正确的是() A.从线圈平面与磁场平行开始计时，线圈产生电动势的瞬时值表达式为e=√2Usi加似 B.此时，电阻消耗的电功率为4 R CS扫描全能王 3亿人都在用的扫猫App C.若滑片P向上移动，则流过矩形线框的电流变大 D.若滑片P向下移动，则电阻消耗的电功率变人 10.如图所示，空间存在着相互垂直的匀强电场和匀强磁场，其中磁场方向垂直纸面 向外（匀强电场方向末标出，微感应强度大小为B=T。有一长L=6如的光滑绝缘 空心细玻璃管竖直放置，细管开口向.上，底部有一个质量为1=0.kg、电荷量为q=1C 的带负电小球，玻璃管上端处在纸面内的直线P?上，P2和水平方向成B=30°角。现 保持玻璃管竖直，使其沿着Pg方向从图示位置以大小为y。=2√3m/s的速度匀速运动， 当小球离开管后恰好做匀速圆周运动。已知重力加速度g=10/s2,下列说法正确的 是() B A.电场强度大小为1V/m,方向竖直向下 B.小球离开玻璃管所需要的时间为√15-v3s C.小球离开玻璃管时速度大小为6m/s,方向与P2的夹角为30° D.离开管口后，经过s时小球离P2最远 二、非选择题：本题共5小题，共54分 11.(8分)某学校的物理兴趣小组要测量一节干电池的电动势和内阻，现有如下实验 器材： A.电压表V(0~3V),内阻约为3k2): B.电流表A（0~0.6A,内阻约为0.52)： C.滑动变阻器(0~999.92)； CS扫描全能王 3亿人都在用的扫猫App D.待测干电池： E.开关S、导线若千 (1)请按照实验原理图在图甲中补充连接好实物图： R 甲 (2)改变滑动变阻器滑片的位置，记录多组电压表的示数利和对应的电流表的示数【，利用描点 法作出如图乙所示的U一I图像。由图像可求出该干电池的内电阻为 Ω（结果保留 两位小数)： ↑U/N 1.50t1 1.30 1.10 0.90 0.70 0.50日 0.000.100.200.300.400.500.60[/A 乙 (3)为更准确测量干电池电动势和内阻，某同学对实验进行了改进，设计了如图丙所示的电路， 闭合开关S,,将开关S2接在a端，调节滑动变阻器R的阻值，记录多组电压表和电流表的示数， 作出U-1图线（如图丁中图线1所示)，图线在U轴和1轴的截距分别为U,=1.49V和 L1=088A。保持开关S,闭合，再将开关S,接在b端，调节滑动变阻器R的阻值，记录多组电 压表和电流表的示数，作出U-【图线（如图丁中图线2所示），图线在U轴和1轴的截距分别 岛二物理试卷 第4丽 CS扫描全能王 3亿人都在用的扫描ApP 为U,二1.46V和I,=0.92A。从尽可能减小电表引起的系统误差的角度可得，电动势 E= V,内阻r= 2(结果保留两位小数)。 S2 b U a 图线 U A R 图线2 丙 丁 12.(6分)在“测定金属丝电阻率”的实验中： (1)用游标卡尺测量金属丝的长度如图甲所示，由图可知其长度/=cm:用螺旋测 微器测得金属丝的直径如图乙所示，则d= nim: 25 5 cm TT 20 15 10 m0 图甲 图乙 (2)首先用多用电表粗测R的电阻，当用“×10挡时发现指针偏转角度过大，应该换用 (填“×100或×1“)挡，进行一系列正确操作后，指针静止时位置如图丙所示，其读 数为2： 9长⊙53，之o、1、、、、, y'W'tphnth中TTT" 100 15p 50 20 200 0 0 0 1.5 00.5 3g A-VO D 丙 CS扫描全能王 3亿人都在用的扫描ApP (3)为了进一步精确地测量电阻丝的电阻Rx,实验室提供了下列器材： A.电压表V1(量程3V,内阻约为3k2): B.电流表A1(量程为100mA,内阻约为102)： C.电流表A2（量程为450mA,内阻约为22)： D.滑动变阻器R(阻值范围为052： E.电动势为4.5V的电源，内阻不计： F.开关S,导线若干。 根据实验器材，设计如图丁所示的实验电路，为比较精确地测量电阻丝的电阻，电流表应选 (填写器材前对应的字母序号)；电压表右侧导线接（填“α或“b”)点。 13.(8分)某山村附近有-条河流，现建成一座小型水电站，可满足村镇、小型企业的用电需 求。水电站发电机的输出功率为100kW,输出电压为200V。水电站到用户之间要进行远距离 输电，两地间输电线的总电阻为82，输电线上损耗的功率为发电机输出功率的5%，用户所需 要的电压为220V,认为所用的变压器均为理想变压器。求： 电图 在变 (1)输电线上的电流I; (2)升压、降压变压器原、副线圈的匝数比。 CS扫描全能王 3亿人都在用的扫猫ApP 14.(14分)在芯片制造工艺中，离子注入是精确摻杂半导体材料的关键技术，其简 化原理如图所示：初速度可忽略的正一价磷离子的质量m=6.4×106kg,电荷量 9=1.6×10-1C,从离子源发出，经U=8.0×105V的高压加速电场加速后，进入静电 分析器，该分析器内部为四分之一圆弧形真空通道，中心线半径R=0.5m,通道内存 在均匀辐向电场，离了沿中心线做匀速圆周运动，通过静电分析器的离子，从P点沿PQ 方向（磁场区域的竖直直径)进入一圆形匀强磁场区域，磁场区域半径飞，=03m,磁 感应强度B大小可调，方向垂直纸面向外，右侧硅片与PQ等高且平行于PQ,其到PQ 的距离为d=0.35m,忽略离子重力及离子间相互作用，求： 硅 片 加速电场 静电分析器 (1)离子进入圆形磁场区域时的速度大小V; (2)静电分析器通道内辐向电场沿中心线处的电场强度大小E; (3)为保证离子能打到硅片上，求圆形区域内磁感应强度B的取值范围。（计算结果保留 2位有效数字) CS扫描全能王 3亿人都在用的扫猫App