第15练 第一章 二极管及其应用达标测试卷 江苏省（职教高考）电子电工类《电子技术基础与技能考点同步练》

江苏省 电子电工类编写说明：《电子技术基础与技能考点同步练》严格依据《江苏省中职职教高考专业综合理论考试大纲》（2028版新考纲）编写，全面考查学生基础知识与核心技能。考点精准覆盖，每个试卷的核心考点均源自考纲，确保复习内容不偏离考试方向，实现精准复习，旨在科学评估教学成效，有效促进学生发展。 《电子技术基础与技能》 第15练 章达标测试卷 第一章 二极管及其应用 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 考点定位 3.1 二极管及其应用 一. 单项选择题(本大题共10小题，每小题3分，共30分。在下列每小题中，选出一个正确答案，将答题卡上对应选项的方框涂满、涂黑) 1.P型半导体是指在本征半导体中掺入微量的( ) A. 硅元素 B. 硼元素 C. 磷元素 D. 锂元素 2.当半导体导通后，参加导电的是( ) A. 少数载流子 B. 多数载流子 C. 两者都是 D.电子 3.半导体受光照后，其导电能力会( ) A. 增加 B. 减弱 C. 不变 D. 丧失 4.当环境温度升高时，晶体二极管的正向导通压降将( ) A. 减小 B. 增加 C. 不变 D. 以上答案均不正确 5. 二极管正向电阻比反向电阻( ) A. 大 B. 小 C.一样大 D.无法确定 6.下列说法正确的是( ) A. 随着温度的升高，二极管的门槛电压也随之增大 B. 随着温度的升高，二极管的正向压降也随之增大 C. 随着温度的升高，二极管的反向饱和电流也随之增大 D. 随着温度的升高，二极管的反向击穿电压也随之增大 7.某晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零时，则该二极管( ) A. 正常 B. 已被击穿 C. 内部短路 D. 内部开路 8.稳压二极管利用二极管的( ) A. 死区 B. 正向导通性 C. 反向击穿性 D. 单向导电性 9. 整流的目的是( ) A.将交流电变成直流电 B.将正弦波变成方波 C.将高频信号变成低频信号 D.将高电压变成低电压 10.在半波整流和桥式全波整流电路中，当输入电压相等时，则输出结果为( ) A.半波输出电压等于全波输出电压 B.半波输出电压大于全波输出电压 C.半波输出电压小于全波输出电压 D.与负载有关，无法确定 2. 判断题(本大题共10小题，每小题2分，共20分。下列每小题表述正确的，在答题卡上将对应题号A选项的方框涂满、涂黑，表述错误的将B选项的方框涂满、涂黑) （ ）1.半导体具有两种载流子，故导电性能较强。 （ ）2.本征半导体的导电性能比掺杂半导体的导电性能强得多。 （ ）3.在 N 型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，故N 型半导体带负电。 （ ）4.在P 型半导体中多数载流子是空穴。 （ ）5.二极管是非线性器件。 （ ）6.二极管一旦导通后，电流迅速增大。 （ ）7.硅二极管的反向饱和电流比锗二极管小。 （ ）8.整流电路可将正弦波交流电变为脉动的直流电。 （ ）9.在半波整流电路中，如二极管极性接反，电路将失去整流作用。 （ ）10.半波整流电路适用于整流电流较小，对脉动要求不高的场合。 3. 填空题(本大题共8小题10空，每空2分，共20分) 1.半导体是一种导电性能介于______和______之间的物质。 2.半导体中多数载流子是由______产生的；少数载流子是由______产生的。 3. 本征半导体又称______半导体，其内部______数等于______数。 4. 整流电路由______和______部分组成。 4. 计算题（本大题共2小题，每小题15分，共30分） 1.如图所示电路中，二极管均为理想管。试求下列几种情况下输出电压V0。 (1)VA=VB=VC=1V; (2)VA=-3V,VB=0V,VC=1V。 2.电路如图所示，设二极管都是硅管。试说出晶体二极管VD1、VD2的导通情况，并求出V0。 学科网（北京）股份有限公司 $ 江苏省 电子电工类编写说明：《电子技术基础与技能考点同步练》严格依据《江苏省中职职教高考专业综合理论考试大纲》（2028版新考纲）编写，全面考查学生基础知识与核心技能。考点精准覆盖，每个试卷的核心考点均源自考纲，确保复习内容不偏离考试方向，实现精准复习，旨在科学评估教学成效，有效促进学生发展。 《电子技术基础与技能》 第15练 章达标测试卷 第一章 二极管及其应用 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 考点定位 3.1 二极管及其应用 一. 单项选择题(本大题共10小题，每小题3分，共30分。在下列每小题中，选出一个正确答案，将答题卡上对应选项的方框涂满、涂黑) 1.P型半导体是指在本征半导体中掺入微量的( ) A. 硅元素 B. 硼元素 C. 磷元素 D. 锂元素 【答案】B 【解析】P型半导体是在本征半导体（如硅）中掺入三价元素（如硼）形成的，三价元素形成空穴，成为多数载流子。 2.当半导体导通后，参加导电的是( ) A. 少数载流子 B. 多数载流子 C. 两者都是 D.电子 【答案】C 【解析】半导体导电时，电子和空穴都参与导电，它们是两种载流子。本征半导体受激发会产生电子-空穴对，二者均参与导电。 3.半导体受光照后，其导电能力会( ) A. 增加 B. 减弱 C. 不变 D. 丧失 【答案】A 【解析】光照可激发半导体中的电子-空穴对，增加载流子浓度，从而增强其导电能力。这是光敏器件的工作原理。 4.当环境温度升高时，晶体二极管的正向导通压降将( ) A. 减小 B. 增加 C. 不变 D. 以上答案均不正确 【答案】A 【解析】温度升高时，半导体内部载流子浓度增加，载流子迁移率变化，导致二极管导通时所需的外加正向压降（门槛电压）会减小。 5. 二极管正向电阻比反向电阻( ) A. 大 B. 小 C.一样大 D.无法确定 【答案】B 【解析】二极管具有单向导电性，正向偏置时电阻很小，反向偏置时电阻很大，因此正向电阻远小于反向电阻。 6.下列说法正确的是( ) A. 随着温度的升高，二极管的门槛电压也随之增大 B. 随着温度的升高，二极管的正向压降也随之增大 C. 随着温度的升高，二极管的反向饱和电流也随之增大 D. 随着温度的升高，二极管的反向击穿电压也随之增大 【答案】C 【解析】温度升高会加剧半导体内部本征激发，导致反向饱和电流显著增大。而二极管的正向压降（门槛电压）和反向击穿电压均会随温度升高而减小。 7.某晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零时，则该二极管( ) A. 正常 B. 已被击穿 C. 内部短路 D. 内部开路 【答案】C 【解析】正常的二极管正向电阻小，反向电阻大。若正反向电阻都很小或为零，说明PN结已损坏，形成内部短路（击穿后未恢复）。 8.稳压二极管利用二极管的( ) A. 死区 B. 正向导通性 C. 反向击穿性 D. 单向导电性 【答案】C 【解析】稳压二极管工作在反向击穿区。击穿后，电流在很大范围内变化时，其两端电压保持基本稳定，从而实现稳压功能。 9. 整流的目的是( ) A.将交流电变成直流电 B.将正弦波变成方波 C.将高频信号变成低频信号 D.将高电压变成低电压 【答案】A 【解析】整流是利用二极管的单向导电性，将交流电变换成方向不变但大小随时间变化的脉动直流电。 10.在半波整流和桥式全波整流电路中，当输入电压相等时，则输出结果为( ) A.半波输出电压等于全波输出电压 B.半波输出电压大于全波输出电压 C.半波输出电压小于全波输出电压 D.与负载有关，无法确定 【答案】C 【解析】在输入电压有效值相同、负载相同的情况下，全波整流（如桥式）的输出电压平均值约为半波整流的两倍，因此半波输出电压小于全波输出电压。 2. 判断题(本大题共10小题，每小题2分，共20分。下列每小题表述正确的，在答题卡上将对应题号A选项的方框涂满、涂黑，表述错误的将B选项的方框涂满、涂黑) （ ）1.半导体具有两种载流子，故导电性能较强。 【答案】B 【解析】虽然半导体有两种载流子，但其导电性能介于导体和绝缘体之间，总体上弱于导体。 （ ）2.本征半导体的导电性能比掺杂半导体的导电性能强得多。 【答案】B 【解析】本征半导体载流子浓度很低，导电性能很弱。掺杂后的半导体载流子浓度大幅增加，导电性能显著增强。 （ ）3.在 N 型半导体中，电子是多数载流子，空穴是少数载流子，故N 型半导体带负电。 【答案】B 【解析】N型半导体中电子是多子，空穴是少子，但半导体整体呈电中性，不带负电。 （ ）4.在P 型半导体中多数载流子是空穴。 【答案】A 【解析】P型半导体掺入三价杂质，主要靠空穴导电，空穴是多数载流子。 （ ）5.二极管是非线性器件。 【答案】A 【解析】二极管的伏安特性曲线不是一条直线，电流与电压不成正比，因此是非线性器件。 （ ）6.二极管一旦导通后，电流迅速增大。 【答案】A 【解析】当二极管两端正向电压超过门槛电压后，内电场被大大削弱，电流会迅速增大。 （ ）7.硅二极管的反向饱和电流比锗二极管小。 【答案】A 【解析】硅材料的禁带宽度比锗大，本征载流子浓度低，因此硅管的反向饱和电流远小于锗管。 （ ）8.整流电路可将正弦波交流电变为脉动的直流电。 【答案】A 【解析】整流电路利用二极管的单向导电性，将交流电的正负半周分开或合并，输出的是方向单一、大小波动的脉动直流电。 （ ）9.在半波整流电路中，如二极管极性接反，电路将失去整流作用。 【答案】A 【解析】在半波整流电路中，若二极管极性接反，则导通的半周与设计要求相反，输出负半周，平均电压为负或零，失去正常的整流功能。 （ ）10.半波整流电路适用于整流电流较小，对脉动要求不高的场合。 【答案】A 【解析】半波整流电路结构简单，但输出电压脉动大、平均电压低、效率低，一般仅用于对脉动要求不高、电流较小的场合。 3. 填空题(本大题共8小题10空，每空2分，共20分) 1.半导体是一种导电性能介于______和______之间的物质。 【答案】导体，绝缘体 【解析】半导体的导电能力介于导体（如金属）和绝缘体（如橡胶）之间。 2.半导体中多数载流子是由______产生的；少数载流子是由______产生的。 【答案】掺杂，本征激发 【解析】半导体中的多数载流子（如N型中的电子）主要由掺入杂质（掺杂）提供；少数载流子则由热或光激发产生（本征激发）。 3. 本征半导体又称______半导体，其内部______数等于______数。 【答案】纯净（或本征），自由电子，空穴 【解析】本征半导体是纯净的半导体材料，其内部自由电子和空穴数量相等，均由本征激发产生。 4. 整流电路由______和______部分组成。 【答案】二极管（或整流器件），负载（或滤波） 【解析】基本整流电路由实现单向导电的核心器件（二极管）和消耗电能的负载两部分组成。实际应用中常包含滤波环节。 4. 计算题（本大题共2小题，每小题15分，共30分） 1.如图所示电路中，二极管均为理想管。试求下列几种情况下输出电压V0。 (1)VA=VB=VC=1V; (2)VA=-3V,VB=0V,VC=1V。 【解析】（1）当VA=VB=VC=1V时，二极管导通条件：阳极电压 > 阴极电压（V阳​>V0）。三个二极管的阳极电压均为 1 V，初始时阴极 V0电位低于 1 V（因电阻R接3 V，但二极管导通会钳位电位）。三个二极管同时导通，理想二极管导通后阳极与阴极等电位，因此输出电压被钳位在阳极电压：V0=1 V。 （2）当 VA=-3V，VB=0V，VC=1V时，比较三个阳极电压：VC=1 V是最高的阳极电压。VD3最先满足 “阳极电压> 阴极电压” 的导通条件，导通后理想二极管压降为0，因此阴极（输出端）电位被钳位在阳极电压：V0=1 V。此时 VD2（阳极 0 V< 阴极 1 V）和 VD1（阳极 −3 V< 阴极 1 V）均反向偏置、截止，不影响输出电位。 2.电路如图所示，设二极管都是硅管。试说出晶体二极管VD1、VD2的导通情况，并求出V0。 【解析】1. 电位设定 设电路公共地（12V、6V 电源的负极）为电位参考点（0 V），则： 12V 电源正极电位：+12 V 6V 电源正极电位：+6 V 电阻下端接 +6 V，上端（二极管阴极节点）记为 VN 2. 二极管导通判断 VD2分析：阳极电位 +12 V，阴极电位VN。若 VD2导通，硅管正向压降 0.7 V，则阴极电位 VN=12 V−0.7 V=11.3 V。 VD1分析：阳极电位 0 V（地），阴极电位 VN=11.3 V。此时阳极电位（0 V）< 阴极电位（11.3 V），VD1反向偏置，截止。 验证：若假设 VD1导通，阴极电位 VN=0 V+0.7 V=0.7 V，但 VD2 阳极电位12 V 远高于阴极 0.7 V，VD2必然导通，会将 VN钳位到 11.3 V，与假设矛盾。因此 VD2优先导通，VD1截止。 3. 输出电压计算 输出端 V0为节点 VN相对于地的电位：V0=VN=12 V−0.7 V=11.3 V（若输出为节点 VN与 6V 正极的电压差，则 V0=11.3 V−6 V=5.3 V，但根据电路图，输出端负极接公共地，故以对地电位为准。） 学科网（北京）股份有限公司 $