《电子技术基础》基本放大电路 知识点训练卷 2026版湖北省电气电子类专业 考纲百套卷 第41卷

编写说明：2026版湖北省《电气电子类考纲百套卷》，是依据湖北省职教高考《电气电子类专业知识考试标准》编写，本套试卷共104份，由三个部分组成，第一部分是知识点训练卷，共70份；第二部分是常考题训练卷，共24份；第三个部分是专业综合训练卷，参考历年来电气电子类专业知识真题试卷，编写的10份专业综合训练卷。 本试卷是《电气电子类考纲百套卷》知识点训练卷的第 41卷，按《电子技术基础》中的知识模块3基本放大电路内容要求编写。 2026版湖北省《电气电子类类考纲百套卷》 第 41 卷 知识模块 3 基本放大电路 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、判断题（本题共14题，每题2分，共28分） 1.晶体管放大的核心条件是发射结正偏、集电结反偏。（ ） 答案：( √ ) 解析：晶体管放大的必要条件，发射结正偏使发射区发射载流子，集电结反偏使集电区收集载流子。 2.共射放大电路的电压放大倍数为正值，说明输入输出电压同相。（ ） 答案：( × ) 解析：共射电路 Au 为负值，输入输出反相，“正值” 错误。 3.静态工作点过高会导致放大电路出现截止失真，波形顶部被削平。（ ） 答案：( × ) 解析：静态工作点过高→饱和失真，波形底部削平；过低→截止失真，顶部削平。 4.晶体管的 β 值越大，共射放大电路的电压放大倍数就一定越大。（ ） 答案：( × ) 解析：Au 还与 RC、RL、rbe 有关，若 rbe 增大或 RC 减小，即使 β 增大，Au 可能不变甚至减小。 5.分压式偏置电路通过稳定基极电位来稳定静态工作点，适用于温度变化大的场景。（ ） 答案：（√ ） 解析：分压式偏置通过 RB1、RB2 分压固定 VB，RE 负反馈稳定 ICQ，抗温漂能力强。 6.阻容耦合放大电路的耦合电容作用是 “隔直流、通交流”，且容量越大，低频特性越好。（ ） 答案：( √ ) 解析：耦合电容隔离直流电源，传递交流信号，容量越大容抗越小，低频信号越易通过。 7.共基极放大电路的输入电阻小、输出电阻大，高频特性好，常用于高频放大或振荡电路。（ ） 答案：( √ ） 解析：共基电路输入电阻≈rbe/(1+β)，输出电阻≈RC，高频特性好。 8.放大电路的输入电阻越大，对信号源的负载效应越弱，越容易获取输入信号。（ ） 答案：( √ ) 解析：输入电阻大→从信号源取电流小，负载效应弱，信号损耗小。 9.共射放大电路的输出电阻等于集电极电阻 RC。（ ） 答案：( × ) 解析：共射输出电阻≈RC，忽略 RB 的影响，但并非等于 RC，实际是从输出端看进去的等效电阻。 10.晶体管工作在截止区时，IC≈0，UCE≈VCC，相当于开关断开。（ ） 答案：( √ ) 解析：截止区 IC≈0，UCE≈VCC，晶体管相当于开关断开；饱和区 UCE≈0.3V，相当于开关闭合。 11.静态工作点过低时，共射放大电路的输出信号会出现饱和失真，波形底部被削平。（ ） 答案：( × ) 解析：静态工作点过低→截止失真，波形顶部削平；过高→饱和失真，底部削平。 12.晶体管的 IBQ 越大，ICQ 就越大，因此可以通过无限增大 IBQ 来提高放大倍数。（ ） 答案：( × ) 解析：IBQ 过大→晶体管进入饱和区，ICQ 不再随 IBQ 增大而增大，放大倍数下降。 13.直接耦合放大电路的零点漂移主要由温度变化引起，晶体管的参数（β、ICBO）随温度变化是主要原因。（ ） 解析：直接耦合电路中，温度变化导致晶体管 β、ICBO 变化，是零点漂移的主要原因。 14.分压式偏置电路中，若发射极电阻 RE 两端并联旁路电容 CE，则 RE 仅稳定静态工作点，不影响交流放大倍数。（ ） 答案：( √ ) 解析：截止区 IC≈0，UCE≈VCC，晶体管相当于开关断开；饱和区 UCE≈0.3V，相当于开关闭合。 二、单选题（本题共24题，每题3分，共72分） 15.晶体管实现电流放大的核心条件是（ ） A. 发射区掺杂浓度高 B. 集电区面积大 C. 发射结正偏、集电结反偏 D. 基区薄且掺杂浓度低 答案：( C ) 解析：A、B、D 是晶体管的结构特点，为放大提供物理基础，但核心是偏置条件 —— 发射结正偏（让发射区发射载流子）、集电结反偏（让集电区收集载流子），缺少该条件无法实现放大。 16.下列哪种放大电路无电压放大作用，但有电流放大作用（ ） A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共基电路 D. 共源电路 答案：( B ) 解析：共集电路电压放大倍数 Au≈(1+β)(RE//RL)/(rbe+(1+β)(RE//RL))＜1，无电压放大；但电流放大倍数≈1+β，有电流放大，且兼具功率放大作用，常用于缓冲级。 17.放大电路静态工作点设置不当，会导致输出信号出现（ ） A. 频率失真 B. 相位失真 C. 非线性失真 D. 截止失真 答案：( C ) 解析：频率失真、相位失真是由电路电容 / 电感等线性元件导致的线性失真，与静态工作点无关；静态工作点不当（过高 / 过低）会导致晶体管进入饱和区 / 截止区，出现饱和失真或截止失真，二者均属于非线性失真。 18.分压式偏置电路中，发射极电阻 RE 的主要作用是（ ） A. 提高电压放大倍数 B. 稳定静态工作点 C. 减小输入电阻 D. 增大输出电阻 答案：（ B ) 解析：RE 通过直流负反馈稳定静态工作点 —— 当温度升高→ICQ 增大→IEQ 增大→VE=IEQRE 增大→VB-VE 减小→UBE 减小→IBQ 减小→ICQ 回落；若 RE 并联旁路电容 CE，CE 对交流短路，RE 不影响交流放大倍数。 19.共基极放大电路的主要特点是（ ） A. 输入电阻大 B. 电压放大倍数大 C. 高频特性好 D. 带负载能力强 答案：（ C ) 解析：共基电路输入电阻≈rbe/(1+β)（较小），输出电阻≈RC（较大），电压放大倍数与共射相近，但电流放大倍数≈α＜1；其核心优势是无密勒效应（输入输出回路无公共电容），高频特性好，常用于高频放大或振荡电路。 20.静态工作点是指放大电路在（ ）时的工作点 A. 有信号输入 B. 无信号输入 C. 信号最大 D. 信号最小 答案：（ B ) 解析：静态工作点是电路的直流工作状态，对应无信号输入（ui=0）时晶体管的 IBQ、ICQ、UCEQ；有信号输入时的工作状态称为动态，需结合静态工作点分析信号变化。 21.放大电路的输出电阻 ro 越小，说明（ ） A. 带负载能力越强 B. 输出电压越不稳定 C. 放大倍数越大 D. 输入电阻越大 答案：（ A ) 解析：输出电阻 ro 是放大电路的等效内阻，ro 越小→负载 RL 变化时，输出电压 uo=Au×ui×(RL/(ro+RL)) 的变化越小，即电路带负载后电压衰减越少，带负载能力越强。 22.晶体管工作在饱和区时，下列关系正确的是（ ） A. IC≈βIB B. UCE≈0.3V C. 发射结反偏 D. 集电结反偏 答案：（ B ) 解析：晶体管饱和区的特征是 “双结正偏”（发射结正偏、集电结正偏），此时 IC 不再随 IB 增大（IC＜βIB），UCE≈0.3V（硅管）；A 是放大区特征，C、D 是截止区特征。 23.直接耦合放大电路的主要问题是（ ） A. 低频特性差 B. 高频特性差 C. 零点漂移 D. 耦合电容容量大 答案：（ C ) 解析：直接耦合电路无耦合电容，可放大直流 / 低频信号（低频特性好），但温度变化会导致晶体管参数（β、ICBO）变化，进而使静态工作点漂移，最终在输出端出现无输入时的漂移电压（零点漂移），这是其核心问题。 24.分压式偏置电路中，已知 VCC=15V，RB1=20kΩ，RB2=10kΩ，RE=2kΩ，晶体管 β=60，UBEQ=0.7V，则基极电位 VB≈（ ） A. 3V B. 5V C. 7V D. 10V 答案：（ B ) 解析：分压式偏置电路中，若满足 IBQ 远小于 RB2 的电流（IBQ＜＜VB/RB2），则 VB≈VCC×RB2/(RB1+RB2)，代入数据得 VB=15V×10kΩ/(20kΩ+10kΩ)=5V。 25.共射放大电路中，RC=4kΩ，RL=4kΩ，β=100，rbe=1kΩ，则电压放大倍数 Au≈（ ） A. -200 B. -100 C. 200 D. 100 答案：（ A ) 解析：共射电路电压放大倍数公式为 Au=-β(RC//RL)/rbe，其中 RC//RL=（4kΩ×4kΩ）/(4kΩ+4kΩ)=2kΩ，代入得 Au=-100×2kΩ/1kΩ=-200，负号表示反相。 26.某共射放大电路输出波形底部被削平，说明存在（ ） A. 截止失真，应减小 RB B. 饱和失真，应减小 RB C. 截止失真，应增大 RB D. 饱和失真，应增大 RB 答案：（ D ) 解析：共射电路输出波形底部削平（uo 负半周失真）是饱和失真，原因是 ICQ 过大（静态工作点过高）；增大 RB→IBQ 减小→ICQ 减小，可使静态工作点回落至放大区，消除饱和失真。 27.已知晶体管的 IC=2mA，IB=40μA，则电流放大系数 β≈（ ） A. 50 B. 40 C. 30 D. 20 答案：（ A ) 解析：β 是 IC 与 IB 的比值（放大区），代入数据得 β=IC/IB=2mA/40μA=50。 28.共射放大电路的输入电阻 ri≈（ ） A. RB//rbe B. RB C. rbe D. RC//RL 答案：（ A ) 解析：共射电路输入电阻是从基极看进去的等效电阻，基极偏置电阻 RB 与晶体管输入电阻 rbe 并联，即 ri=RB//rbe（RB 是 RB1 与 RB2 的并联值，若为固定偏置则直接是 RB）。 29.共集电极放大电路中，RE=5kΩ，RL=5kΩ，β=80，rbe=1kΩ，则电压放大倍数 Au≈（ ） A. 0.98 B. -0.98 C. 40 D. -40 答案：（ A ) 解析：共集电路电压放大倍数公式为 Au≈(1+β)(RE//RL)/(rbe+(1+β)(RE//RL))，其中 RE//RL=2.5kΩ，代入得 Au≈81×2.5kΩ/(1kΩ+81×2.5kΩ)≈202.5kΩ/203.5kΩ≈0.98，无负号（同相）。 30.分压式偏置电路中，若 RE 两端未并联旁路电容 CE，则电压放大倍数 Au≈（ ） A. -β(RC//RL)/rbe B. -β(RC//RL)/(rbe+(1+β) RE) C. β(RC//RL)/rbe D. β(RC//RL)/(rbe+(1+β) RE) 答案：（ B ) 解析：无 CE 时，RE 在交流通路中仍存在，会产生交流负反馈，使输入电阻增大，电压放大倍数减小，公式中需加入 (1+β) RE 项（因 RE 上的交流电压会影响 UBE），负号表示反相。 31.分压式偏置电路中，若 RB1 开路，则晶体管可能（ ） A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定 答案：（ B ) 解析：RB1 开路时，基极无正向偏置电流（IBQ=0），ICQ≈0，晶体管工作在截止区，输出电压 uo≈VCC。 32.下列哪种放大电路适合作为输出级（ ） A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共基电路 D. 共源电路 答案：（ B ) 解析：输出级需带负载能力强（输出电阻小），共集电路输出电阻≈rbe/(1+β)//RE（较小），且能提供较大的输出电流，适合作为输出级。 33.要求放大电路 “输入电阻高、输出电阻低”，应选择（ ） A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共基电路 D. 共源电路 答案：（ B ) 解析：共集电路的核心特性是 “高输入电阻、低输出电阻”，既能减少对信号源的影响，又能稳定输出电压、增强带负载能力，符合 “高入低出” 需求。 34.放大直流信号应选择（ ） A. 阻容耦合放大电路 B. 直接耦合放大电路 C. 变压器耦合放大电路 D. 以上均可 答案：（ B ) 解析：阻容耦合、变压器耦合均无法传递直流信号，只有直接耦合电路无耦合元件，可放大直流信号及低频交流信号。 35.晶体管的 ICBO 增大，会导致（ ） A. ICQ 增大，静态工作点不稳定 B. ICQ 减小，静态工作点不稳定 C.IBQ 增大，ICQ 减小 D. IBQ 减小，ICQ 增大 答案：（ A ) 解析：ICBO 是集电结反向饱和电流，温度升高时 ICBO 显著增大；ICQ=βIBQ+(1+β) ICBO，ICBO 增大→ICQ 增大，导致静态工作点上移，甚至进入饱和区，稳定性变差。 36.为减小温度对静态工作点的影响，应采用（ ） A. 固定偏置电路 B. 分压式偏置电路 C. 共集电路 D. 共基电路 答案：（ B ) 解析：固定偏置电路静态工作点受温度影响大（温度升高→ICQ 显著增大）；分压式偏置电路通过 RE 的直流负反馈稳定 ICQ，抗温漂能力强，是抑制温度影响的常用电路。 37.共集电路不能作为（ ） A. 输入级 B. 输出级 C. 中间放大级 D. 缓冲级 答案：（ C ) 解析：中间放大级需具备电压放大能力，共集电路 Au＜1，无电压放大作用，无法作为中间放大级；共集电路可作为输入级（高输入电阻）、输出级（低输出电阻）、缓冲级（隔离前后级）。 38.直接耦合放大电路的零点漂移可以通过（ ）来抑制 A. 增大耦合电容 B. 采用差分放大电路 C. 减小发射极电阻 D. 增大基极电阻 答案：（ B ) 解析：差分放大电路利用两只晶体管的对称性，使温度变化引起的漂移相互抵消，是抑制零点漂移最有效的电路；A（耦合电容）用于阻容耦合，C、D 会降低电路性能，无法抑制漂移。 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：2026版湖北省《电气电子类考纲百套卷》，是依据湖北省职教高考《电气电子类专业知识考试标准》编写，本套试卷共104份，由三个部分组成，第一部分是知识点训练卷，共70份；第二部分是常考题训练卷，共24份；第三个部分是专业综合训练卷，参考历年来电气电子类专业知识真题试卷，编写的10份专业综合训练卷。 本试卷是《电气电子类考纲百套卷》知识点训练卷的第 41卷，按《电子技术基础》中的知识模块3基本放大电路内容要求编写。 2026版湖北省《电气电子类类考纲百套卷》 第 41 卷 知识模块 3 基本放大电路 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、判断题（本题共14题，每题2分，共28分） 1. 晶体管放大的核心条件是发射结正偏、集电结反偏。（ ） 2.共射放大电路的电压放大倍数为正值，说明输入输出电压同相。（ ） 2.共射放大电路的电压放大倍数为正值，说明输入输出电压同相。（ ） 3. 静态工作点过高会导致放大电路出现截止失真，波形顶部被削平。（ ） 4. 晶体管的 β 值越大，共射放大电路的电压放大倍数就一定越大。（ ） 5.阻容耦合放大电路的耦合电容作用是 “隔直流、通交流”，且容量越大，低频特性越好。（ ） 6.分压式偏置电路通过稳定基极电位来稳定静态工作点，适用于温度变化大的场景。（ ） 7.共基极放大电路的输入电阻小、输出电阻大，高频特性好，常用于高频放大或振荡电路。（ ） 8.放大电路的输入电阻越大，对信号源的负载效应越弱，越容易获取输入信号。（ ） 9.共射放大电路的输出电阻等于集电极电阻 RC。（ ） 10.晶体管工作在截止区时，IC≈0，UCE≈VCC，相当于开关断开。（ ） 11.静态工作点过低时，共射放大电路的输出信号会出现饱和失真，波形底部被削平。（ ） 12.晶体管的 IBQ 越大，ICQ 就越大，因此可以通过无限增大 IBQ 来提高放大倍数。（ ） 13.直接耦合放大电路的零点漂移主要由温度变化引起，晶体管的参数（β、ICBO）随温度变化是主要原因。（ ） 14.分压式偏置电路中，若发射极电阻 RE 两端并联旁路电容 CE，则 RE 仅稳定静态工作点，不影响交流放大倍数。（ ） 二、单选题（本题共24题，每题3分，共72分） 15.晶体管实现电流放大的核心条件是（ ） A. 发射区掺杂浓度高 B. 集电区面积大 C. 发射结正偏、集电结反偏 D. 基区薄且掺杂浓度低 16.下列哪种放大电路无电压放大作用，但有电流放大作用（ ） A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共基电路 D. 共源电路 17.放大电路静态工作点设置不当，会导致输出信号出现（ ） A. 频率失真 B. 相位失真 C. 非线性失真 D. 截止失真 18.分压式偏置电路中，发射极电阻 RE 的主要作用是（ ） A. 提高电压放大倍数 B. 稳定静态工作点 C. 减小输入电阻 D. 增大输出电阻 19.共基极放大电路的主要特点是（ ） A. 输入电阻大 B. 电压放大倍数大 C. 高频特性好 D. 带负载能力强 20.静态工作点是指放大电路在（ ）时的工作点 A. 有信号输入 B. 无信号输入 C. 信号最大 D. 信号最小 21.放大电路的输出电阻 ro 越小，说明（ ） A. 带负载能力越强 B. 输出电压越不稳定 C. 放大倍数越大 D. 输入电阻越大 22.晶体管工作在饱和区时，下列关系正确的是（ ） A. IC≈βIB B. UCE≈0.3V C. 发射结反偏 D. 集电结反偏 23.直接耦合放大电路的主要问题是（ ） A. 低频特性差 B. 高频特性差 C. 零点漂移 D. 耦合电容容量大 24.分压式偏置电路中，已知 VCC=15V，RB1=20kΩ，RB2=10kΩ，RE=2kΩ，晶体管 β=60，UBEQ=0.7V，则基极电位 VB≈（ ） A. 3V B. 5V C. 7V D. 10V 25.共射放大电路中，RC=4kΩ，RL=4kΩ，β=100，rbe=1kΩ，则电压放大倍数 Au≈（ ） A. -200 B. -100 C. 200 D. 100 26.某共射放大电路输出波形底部被削平，说明存在（ ） A. 截止失真，应减小 RB B. 饱和失真，应减小 RB C. 截止失真，应增大 RB D. 饱和失真，应增大 RB 27.已知晶体管的 IC=2mA，IB=40μA，则电流放大系数 β≈（ ） A. 50 B. 40 C. 30 D. 20 28.共射放大电路的输入电阻 ri≈（ ） A. RB//rbe B. RB C. rbe D. RC//RL 29.共集电极放大电路中，RE=5kΩ，RL=5kΩ，β=80，rbe=1kΩ，则电压放大倍数 Au≈（ ） A. 0.98 B. -0.98 C. 40 D. -40 30.分压式偏置电路中，若 RE 两端未并联旁路电容 CE，则电压放大倍数 Au≈（ ） A. -β(RC//RL)/rbe B. -β(RC//RL)/(rbe+(1+β) RE) C. β(RC//RL)/rbe D. β(RC//RL)/(rbe+(1+β) RE) 31.分压式偏置电路中，若 RB1 开路，则晶体管可能（ ） A. 截止 B. 饱和 C. 放大 D. 无法确定 32.下列哪种放大电路适合作为输出级（ ） A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共基电路 D. 共源电路 33.要求放大电路 “输入电阻高、输出电阻低”，应选择（ ） A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共基电路 D. 共源电路 34.放大直流信号应选择（ ） A. 阻容耦合放大电路 B. 直接耦合放大电路 C. 变压器耦合放大电路 D. 以上均可 35.晶体管的 ICBO 增大，会导致（ ） A. ICQ 增大，静态工作点不稳定 B. ICQ 减小，静态工作点不稳定 C.IBQ 增大，ICQ 减小 D. IBQ 减小，ICQ 增大 36.为减小温度对静态工作点的影响，应采用（ ） A. 固定偏置电路 B. 分压式偏置电路 C. 共集电路 D. 共基电路 37.共集电路不能作为（ ） A. 输入级 B. 输出级 C. 中间放大级 D. 缓冲级 38.直接耦合放大电路的零点漂移可以通过（ ）来抑制 A. 增大耦合电容 B. 采用差分放大电路 C. 减小发射极电阻 D. 增大基极电阻 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $