《电子技术基础》基本放大电路 知识点训练卷 2026版湖北省电气电子类专业 考纲百套卷 第42卷

编写说明：2026版湖北省《电气电子类考纲百套卷》，是依据湖北省职教高考《电气电子类专业知识考试标准》编写，本套试卷共104份，由三个部分组成，第一部分是知识点训练卷，共70份；第二部分是常考题训练卷，共24份；第三个部分是专业综合训练卷，参考历年来电气电子类专业知识真题试卷，编写的10份专业综合训练卷。 本试卷是《电气电子类考纲百套卷》知识点训练卷的第42 卷，按《电子技术基础》中的知识模块3基本放大电路内容要求编写。 2026版湖北省《电气电子类类考纲百套卷》 第 42 卷 知识模块 3 基本放大电路 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、判断题（本题共14题，每题2分，共28分） 1. 晶体管实现放大的核心条件是发射结正偏、集电结反偏。 （ ） 2.晶体管的 β 值越大，共射放大电路的电压放大倍数就一定越大。 （ ） 3.晶体管工作在放大区时，发射结和集电结均需正偏。 （ ） 4.静态工作点过低时，共射放大电路输出信号会出现截止失真，波形顶部被削平。 （ ） 5.共基极放大电路的电流放大倍数大于 1，具有电流放大作用。 （ ） 6.放大电路的输入电阻越大，从信号源获取的输入电压越大，负载效应越弱。 （ ） 7.直接耦合放大电路的零点漂移主要由晶体管参数（β、ICBO）随温度变化引起。 （ ） 8.共射放大电路的电压放大倍数为负值，说明输出信号与输入信号相位相反，且无电压放大作用。 （ ） 9.晶体管 ICEO 越大，说明其热稳定性越好，反向饱和电流的影响越小。 （ ） 10.共源极放大电路的输入电阻主要由栅极电阻 RG 决定，与场效应管本身无关。 （ ） 11.固定偏置电路（RB、VCC 组成）的静态工作点受温度影响小，适合用于温度变化大的场景。 （ ） 12.放大电路的输出电阻越小，带负载能力越强，输出电压随负载变化的波动越小。 （ ） 13.饱和失真的原因是静态工作点过高，UCEQ 过小，晶体管进入饱和区，波形底部被削平。（ ） 14.放大电路的 “放大” 本质是将输入信号的能量放大，能量来自于晶体管的自身功耗。（ ） 二、单选题（本题共24题，每题3分，共72分） 15.晶体管实现电流放大的物理基础不包括（ ） A. 基区薄且掺杂浓度低 B. 发射区掺杂浓度高 C. 集电区面积大 D. 发射结反偏、集电结正偏 16.放大电路出现饱和失真的根本原因是（ ） A. 信号频率过高 B. 静态工作点过高 C. 信号幅度过大 D. 晶体管 β 值过小 17.共基极放大电路的主要特点是（ ） A. 输入电阻大，电压放大倍数小 B. 输入电阻小，高频特性好 C. 输出电阻小，带负载能力强 D. 电流放大倍数大，功率放大能力强 18.下列器件中，属于电压控制电流器件的是（ ） A. NPN 型晶体管 B. PNP 型晶体管 C. N 沟道耗尽型 MOS 管 D. 以上均是 19.放大电路的输入电阻 ri 反映了（ ） A. 放大电路对信号源的负载效应 B. 放大电路带负载的能力 C. 放大电路放大信号的能力 D. 放大电路输出电压的稳定性 20.共集电极放大电路的输出端接在（ ） A. 集电极 B. 发射极 C. 基极 D. 栅极 21.晶体管工作在截止区时的特征是（ ） A. IC≈βIB，UCE≈0.3V B. IC≈0，UCE≈VCC C. IC≈0，UCE≈0.3V D. IC≈βIB，UCE≈VCC 22.下列放大电路中，无电流放大作用的是（ ） A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共基电路 D. 共源电路 23.放大电路的输出电阻 ro 越小，说明（ ） A. 从信号源获取的电流越大 B. 输出电压受负载变化的影响越小 C. 输入电阻越大 D. 电压放大倍数越大 24.某共射放大电路输出波形底部被削平，为消除失真，应采取的措施是（ ） A. 减小 RB B. 增大 RB C. 减小 RC D. 增大 RC 25.已知晶体管的 IC=4mA，IB=80μA，则电流放大系数 β≈（ ） A. 30 B. 40 C. 50 D. 60 26.共射放大电路的输入电阻 ri≈（ ） A. RB1+RB2+rbe B. RB1//RB2//rbe C. RC//RL D. RC 27.共射放大电路的输出电阻 ro≈（ ） A. RB1//RB2 B. rbe C. RC D. RL 28.晶体管工作在放大区时，若 IB 减小，则（ ） A. IC 减小，UCE 减小 B. IC 减小，UCE 增大 C. IC 增大，UCE 减小 D. IC 增大，UCE 增大 29.固定偏置电路中，VCC=12V，RB=300kΩ，β=60，若 RB 增大为 600kΩ，则 ICQ 将（ ） A. 从 40μA 减小到 20μA B. 从 2.4mA 减小到 1.2mA C. 从 2mA 减小到 1mA D. 从 1.2mA 减小到 0.6mA 30.放大电路输入电阻的大小主要影响（ ） A. 带负载能力 B. 从信号源获取的电压幅度 C. 电压放大倍数 D. 输出电压稳定性 31.共集电极放大电路不能作为（ ） A. 输入级 B. 输出级 C. 中间放大级 D. 缓冲级 32.要求放大电路输入电阻高、能放大直流信号，应优先选择（ ） A. 阻容耦合共射电路 B. 直接耦合共源电路 C. 直接耦合共集电路 D. 阻容耦合共基电路 33.高频微弱信号放大应选择的电路是（ ） A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共基电路 D. 共源电路 34.为减小放大电路对信号源的负载效应，应选择（ ） A. 输入电阻小的电路 B. 输入电阻大的电路 C. 输出电阻小的电路 D. 输出电阻大的电路 35.场效应管的跨导 gm 反映了（ ） A. 栅源电压对漏极电流的控制能力 B. 漏源电压对漏极电流的影响 C. 输入电阻的大小 D. 输出电阻的大小 36.共集电极放大电路的输出信号取自于（ ） A. 基极与地之间 B. 集电极与地之间 C. 发射极与地之间 D. 基极与集电极之间 37.下列放大电路中，无电流放大作用的是（ ） A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共基电路 D. 共源电路 38.放大电路输出电阻越小，说明（ ） A. 输入信号越容易被放大 B. 输出电压随负载变化的波动越小 C. 输入电阻越大 D. 电压放大倍数越大 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：2026版湖北省《电气电子类考纲百套卷》，是依据湖北省职教高考《电气电子类专业知识考试标准》编写，本套试卷共104份，由三个部分组成，第一部分是知识点训练卷，共70份；第二部分是常考题训练卷，共24份；第三个部分是专业综合训练卷，参考历年来电气电子类专业知识真题试卷，编写的10份专业综合训练卷。 本试卷是《电气电子类考纲百套卷》知识点训练卷的第 42卷，按《电子技术基础》中的知识模块3基本放大电路内容要求编写。 2026版湖北省《电气电子类类考纲百套卷》 第 42 卷 知识模块 3 基本放大电路 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、判断题（本题共14题，每题2分，共28分） 1. 晶体管实现放大的核心条件是发射结正偏、集电结反偏。 （ ） 答案：( √ ) 解析：发射结正偏使发射区发射载流子，集电结反偏使集电区有效收集载流子，二者缺一不可；若偏置相反（发射结反偏、集电结正偏），晶体管工作在反向放大区，无实际放大意义。 2.晶体管的 β 值越大，共射放大电路的电压放大倍数就一定越大。 （ ） 答案：( × ) 解析：共射电路电压放大倍数 Au=-β(RC//RL)/rbe，不仅与 β 相关，还与 RC、RL、rbe 有关。若 β 增大但 rbe（rbe=rbb'+(1+β) VT/IEQ）同步增大，或 RC、RL 减小，Au 可能不变甚至减小，“一定越大” 错误。 3.晶体管工作在放大区时，发射结和集电结均需正偏。 （ ） 答案：( × ） 解析：晶体管放大的核心偏置是 “发射结正偏、集电结反偏”；若双结均正偏，晶体管工作在饱和区，无放大作用；双结均反偏则工作在截止区。 4.静态工作点过低时，共射放大电路输出信号会出现截止失真，波形顶部被削平。 （ ） 答案：( √ ） 解析：静态工作点过低→ICQ 过小，信号正半周时 IB 进一步减小→IC 趋近于 0，晶体管进入截止区，导致输出波形顶部（对应输入正半周）被削平，即截止失真。 5.共基极放大电路的电流放大倍数大于 1，具有电流放大作用。 （ ） 答案：( × ） 解析：共基电路电流放大倍数 α=IC/IE≈1（因 IE=IC+IB，IB 远小于 IC），α＜1，无电流放大作用；但电压放大倍数与共射电路相近，具有电压放大作用。 6.放大电路的输入电阻越大，从信号源获取的输入电压越大，负载效应越弱。 （ ） 答案：( √ ） 解析：输入电阻 ri 越大，信号源内阻 RS 的分压作用越弱（ui≈us×ri/(RS+ri)），从信号源获取的电压 ui 越接近信号源电压 us，对信号源的负载效应（影响信号源输出）越弱。 7.直接耦合放大电路的零点漂移主要由晶体管参数（β、ICBO）随温度变化引起。（ ） 答案：( √ ） 解析：温度升高→β 增大、ICBO 增大→ICQ 增大，静态工作点漂移；直接耦合电路无耦合元件隔离漂移，前级漂移会被后级放大，形成明显零点漂移，温度是主要诱因。 8.共射放大电路的电压放大倍数为负值，说明输出信号与输入信号相位相反，且无电压放大作用。 （ ） 答案：( × ） 解析：共射电路 Au 为负值是因为输入输出反相，但 | Au|=β(RC//RL)/rbe，当 β、RC//RL 足够大时，|Au|＞1，具有电压放大作用，“无电压放大作用” 错误。 9.晶体管 ICEO 越大，说明其热稳定性越好，反向饱和电流的影响越小。 （ ） 答案：( × ） 解析：ICEO=(1+β) ICBO，是集电极 - 发射极反向饱和电流；ICEO 越大→ICBO 越大，温度变化时 ICQ 波动越显著，热稳定性越差，而非越好。 10.共源极放大电路的输入电阻主要由栅极电阻 RG 决定，与场效应管本身无关。（ ） 答案：( √ ） 解析：场效应管本身输入电阻极高（栅极电流≈0），实际共源电路输入电阻 ri≈RG（RG 为栅极偏置电阻），RG 的阻值直接决定输入电阻大小，FET 本身不影响实际输入电阻。 11.固定偏置电路（RB、VCC 组成）的静态工作点受温度影响小，适合用于温度变化大的场景。 （ ） 答案：( × ） 解析：固定偏置电路 IBQ≈VCC/RB（固定），温度升高→β 增大、ICBO 增大→ICQ=βIBQ+(1+β) ICBO 显著增大，静态工作点漂移严重，抗温漂能力弱，不适合温度变化大的场景。 12.放大电路的输出电阻越小，带负载能力越强，输出电压随负载变化的波动越小。（ ） 答案：( √ ） 解析：输出电阻 ro 是放大电路的等效内阻，ro 越小→负载 RL 变化时，输出电压 uo=Au×ui×(RL/(ro+RL)) 的变化越小，带负载后电压衰减越少，带负载能力越强。 13.饱和失真的原因是静态工作点过高，UCEQ 过小，晶体管进入饱和区，波形底部被削平。（ ） 答案：( √ ） 解析：静态工作点过高→ICQ 过大→UCEQ=VCC-ICQRC 过小，信号负半周时 IC 进一步增大，UCE 降至饱和压降 UCE (sat)，无法继续减小，导致输出波形底部（对应输入负半周）被削平，即饱和失真。 14.放大电路的 “放大” 本质是将输入信号的能量放大，能量来自于晶体管的自身功耗。（ ） 答案：( × ） 解析：放大电路的能量来自直流电源（VCC/VDD），晶体管是能量控制元件，通过输入信号控制电源能量的分配，将电源能量转化为输出信号能量，并非 “来自晶体管自身功耗”。 二、单选题（本题共24题，每题3分，共72分） 15.晶体管实现电流放大的物理基础不包括（ ） A. 基区薄且掺杂浓度低 B. 发射区掺杂浓度高 C. 集电区面积大 D. 发射结反偏、集电结正偏 答案：（ D ） 解析：A、B、C 是晶体管的结构基础（基区薄减少载流子复合，发射区高掺杂利于发射载流子，集电区大面积利于收集）；D 是反向放大区偏置，无电流放大作用，不属于物理基础。 16.放大电路出现饱和失真的根本原因是（ ） A. 信号频率过高 B. 静态工作点过高 C. 信号幅度过大 D. 晶体管 β 值过小 答案：（ B ） 解析：饱和失真是因静态工作点过高→ICQ 过大，晶体管易进入饱和区；A 导致频率失真，C 可能加剧失真但非根本原因，D 与饱和失真无直接关联，根本原因是静态工作点过高。 17.共基极放大电路的主要特点是（ ） A. 输入电阻大，电压放大倍数小 B. 输入电阻小，高频特性好 C. 输出电阻小，带负载能力强 D. 电流放大倍数大，功率放大能力强 答案：（ B ） 解析：共基电路输入电阻≈rbe/(1+β)（小），无密勒效应，高频特性好（核心特点）；A 错误（输入电阻小）；C 错误（输出电阻大）；D 错误（电流放大倍数 α<1，无电流放大）。 18.下列器件中，属于电压控制电流器件的是（ ） A. NPN 型晶体管 B. PNP 型晶体管 C. N 沟道耗尽型 MOS 管 D. 以上均是 答案：（ C ） 解析：MOS 管（场效应管）通过栅源电压 UGS 控制漏极电流 ID，是电压控制电流器件；A、B 均为晶体管，通过基极电流 IB 控制集电极电流 IC，是电流控制电流器件。 19.放大电路的输入电阻 ri 反映了（ ） A. 放大电路对信号源的负载效应 B. 放大电路带负载的能力 C. 放大电路放大信号的能力 D. 放大电路输出电压的稳定性 答案：（ A ） 解析：ri 是信号源的负载，ri 越大→从信号源获取的电流越小，对信号源输出电压的影响（负载效应）越弱；B、D 由输出电阻 ro 反映；C 由电压放大倍数 Au 反映。 20.共集电极放大电路的输出端接在（ ） A. 集电极 B. 发射极 C. 基极 D. 栅极 答案：（ B ） 解析：共集电路的 “共集” 指集电极为输入、输出回路的公共端（接地或接 VCC），输入信号接基极，输出信号从发射极取出，输出端为发射极；A 是公共端，C 是输入端，D 与晶体管电路无关。 21.晶体管工作在截止区时的特征是（ ） A. IC≈βIB，UCE≈0.3V B. IC≈0，UCE≈VCC C. IC≈0，UCE≈0.3V D. IC≈βIB，UCE≈VCC 答案：（ B ） 解析：截止区发射结反偏（或零偏）、集电结反偏，IB≈0→IC≈0，RC 上无压降，UCE≈VCC；A 是饱和区特征，D 是放大区特征，C 混淆了截止区与饱和区的 UCE。 22.下列放大电路中，无电流放大作用的是（ ） A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共基电路 D. 共源电路 答案：（ C ） 解析：共基电路电流放大倍数 α=IC/IE≈1（因 IE=IC+IB，IB 远小于 IC），α<1，无电流放大作用；A、B、D 均有电流放大作用（共射 β>1，共集 1+β>1，共源 gm 相关）。 23.放大电路的输出电阻 ro 越小，说明（ ） A. 从信号源获取的电流越大 B. 输出电压受负载变化的影响越小 C. 输入电阻越大 D. 电压放大倍数越大 答案：（ B ） 解析；放大电路的输出电阻 ro 越小，说明输出电压受负载的影响越小，故选B。 24.某共射放大电路输出波形底部被削平，为消除失真，应采取的措施是（ ） A. 减小 RB B. 增大 RB C. 减小 RC D. 增大 RC 答案：（ B ） 解析：波形底部削平是饱和失真，原因是 IBQ 过大→ICQ 过大，静态工作点过高；增大 RB→IBQ=(VCC-UBEQ)/RB 减小→ICQ 减小，静态工作点下移，可消除饱和失真；A 会加剧失真，C、D 影响 UCEQ，不直接解决饱和失真。 25.已知晶体管的 IC=4mA，IB=80μA，则电流放大系数 β≈（ ） A. 30 B. 40 C. 50 D. 60 答案：（ C ） 解析：β 是放大区中 IC 与 IB 的比值，β=IC/IB=4mA/80μA=50；若晶体管进入饱和区，IC＜βIB，此时不能用该公式计算 β，本题默认工作在放大区。 26.共射放大电路的输入电阻 ri≈（ ） A. RB1+RB2+rbe B. RB1//RB2//rbe C. RC//RL D. RC 答案：（ B ） 解析：分压式偏置共射电路中，基极偏置电阻为 RB1 和 RB2 的并联（RB=RB1//RB2），输入电阻是 RB 与晶体管输入电阻 rbe 的并联值，即 ri=RB1//RB2//rbe；A 是串联错误，C、D 是输出回路参数。 27.共射放大电路的输出电阻 ro≈（ ） A. RB1//RB2 B. rbe C. RC D. RL 答案：（ C ） 解析：计算输出电阻时，信号源短路（us=0，保留 RS）、负载开路（RL=∞），从输出端看进去的等效电阻≈RC（晶体管输出电阻 rce 远大于 RC，可忽略）；A 是输入回路电阻，B 是输入电阻组成部分，D 是负载。 28.晶体管工作在放大区时，若 IB 减小，则（ ） A. IC 减小，UCE 减小 B. IC 减小，UCE 增大 C. IC 增大，UCE 减小 D. IC 增大，UCE 增大 答案：（ B ） 解析：放大区 IC≈βIB，IB 减小→IC 减小→RC 上压降 ICRC 减小→UCE=VCC-ICRC 增大，符合 “IB 控制 IC，IC 决定 UCE” 的规律。 29.固定偏置电路中，VCC=12V，RB=300kΩ，β=60，若 RB 增大为 600kΩ，则 ICQ 将（ ） A. 从 40μA 减小到 20μA B. 从 2.4mA 减小到 1.2mA C. 从 2mA 减小到 1mA D. 从 1.2mA 减小到 0.6mA 答案：（ B ） 解析：IBQ=(VCC-UBEQ)/RB≈12V/RB（忽略 UBEQ），原 IBQ≈12V/300kΩ=40μA，ICQ≈60×40μA=2.4mA；RB 增大后 IBQ≈20μA，ICQ≈60×20μA=1.2mA，故 B 正确（注意 ICQ 是 mA 级，IBQ 是 μA 级）。 30.放大电路输入电阻的大小主要影响（ ） A. 带负载能力 B. 从信号源获取的电压幅度 C. 电压放大倍数 D. 输出电压稳定性 答案：（ B ） 解析：输入电阻 ri 越大，信号源内阻 RS 的分压作用越弱（ui≈us×ri/(RS+ri)），从信号源获取的输入电压 ui 越接近信号源电压 us；A、D 由输出电阻 ro 决定，C 由 β、RC//RL 等决定，与 ri 无直接关联。 31.共集电极放大电路不能作为（ ） A. 输入级 B. 输出级 C. 中间放大级 D. 缓冲级 答案：（ C ） 解析：中间放大级需具备电压放大能力，共集电路电压放大倍数 Au≈0.9~0.99＜1，无电压放大作用，无法放大信号幅度；可作为输入级（高输入电阻）、输出级（低输出电阻）、缓冲级（隔离前后级），故 C 正确。 32.要求放大电路输入电阻高、能放大直流信号，应优先选择（ ） A. 阻容耦合共射电路 B. 直接耦合共源电路 C. 直接耦合共集电路 D. 阻容耦合共基电路 答案：（ B ） 解析：需满足 “高输入电阻” 和 “放大直流”：共源电路输入电阻≈RG（MΩ 级，高输入电阻），直接耦合可传递直流信号；A、D 不能放大直流，C 无电压放大作用，故 B 正确。 33.高频微弱信号放大应选择的电路是（ ） A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共基电路 D. 共源电路 答案：（ C ） 解析：高频信号放大需高频特性好，共基电路无密勒效应（输入输出回路无公共电容），截止频率高，能有效放大高频信号；共射电路高频特性差（受密勒效应影响），共集无电压放大，共源高频受极间电容影响，故 C 正确。 34.为减小放大电路对信号源的负载效应，应选择（ ） A. 输入电阻小的电路 B. 输入电阻大的电路 C. 输出电阻小的电路 D. 输出电阻大的电路 答案：（ B ） 解析：负载效应是放大电路对信号源输出的影响，输入电阻 ri 越大→从信号源获取的电流越小，信号源内阻 RS 的分压作用越弱（ui≈us），对信号源的影响越小，负载效应越弱。 35.场效应管的跨导 gm 反映了（ ） A. 栅源电压对漏极电流的控制能力 B. 漏源电压对漏极电流的影响 C. 输入电阻的大小 D. 输出电阻的大小 答案：（ A ） 解析：gm=ΔID/ΔUGS，定义为栅源电压变化量与漏极电流变化量的比值，直接反映 UGS 对 ID 的控制能力；gm 越大，共源电路的电压放大倍数绝对值越大，与输入输出电阻无关。 36.共集电极放大电路的输出信号取自于（ ） A. 基极与地之间 B. 集电极与地之间 C. 发射极与地之间 D. 基极与集电极之间 答案：（ C ） 解析：共集电路的 “共集” 指集电极为输入、输出回路的公共端（接地或接 VCC），输入信号加在基极 - 集电极之间，输出信号从发射极 - 集电极之间取出，即输出端为发射极与地之间。 37.下列放大电路中，无电流放大作用的是（ ） A. 共射电路 B. 共集电路 C. 共基电路 D. 共源电路 答案：（ C ） 解析：共基电路电流放大倍数 α=IC/IE≈1（因 IE=IC+IB，IB 远小于 IC），α<1，无电流放大作用；共射 β>1、共集 1+β>1、共源 gm 相关，均有电流放大作用。 38.放大电路输出电阻越小，说明（ ） A. 输入信号越容易被放大 B. 输出电压随负载变化的波动越小 C. 输入电阻越大 D. 电压放大倍数越大 答案：（ B ） 解析：输出电阻 ro 是放大电路的等效内阻，ro 越小→负载 RL 变化时，输出电压 uo=Au×ui×(RL/(ro+RL)) 的变化越小，输出电压越稳定，带负载能力越强；A、C、D 与 ro 无直接关联。 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $