《电子技术基础》晶体三极管 知识点训练卷 2026版湖北省电气电子类专业 考纲百套卷 第37卷

编写说明：2026版湖北省《电气电子类考纲百套卷》，是依据湖北省职教高考《电气电子类专业知识考试标准》编写，本套试卷共104份，由三个部分组成，第一部分是知识点训练卷，共70份；第二部分是常考题训练卷，共24份；第三个部分是专业综合训练卷，参考历年来电气电子类专业知识真题试卷，编写的10份专业综合训练卷。 本试卷是《电气电子类考纲百套卷》知识点训练卷的第 37卷，按《电子技术基础》中的知识模块2晶体三极管内容要求编写。 2026版湖北省《电气电子类类考纲百套卷》 第 37 卷 知识模块 2 晶体三极管 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、判断题（本题共14题，每题2分，共28分） 1.NPN 型三极管和 PNP 型三极管的主要区别在于半导体材料类型不同，前者用硅材料，后者用锗材料。（ ） 答案：( × ) 解析：两者区别在于载流子类型（NPN 以自由电子为主，PNP 以空穴为主）和电流方向，而非半导体材料；硅管和锗管均可制成 NPN 或 PNP 型。 2.国产三极管型号中，“3DG6” 的 “G” 代表高频小功率，说明该管适合高频小信号放大场景。（ ） 答案：( √ ) 解析：国产三极管型号命名规则中，“3” 表示三极管，“D” 代表硅材料，“G” 代表高频小功率，“6” 为序号，3DG6 确为高频小信号硅管。 3.三极管处于放大状态时，若突然断开集电极电源，管子会立即进入截止区，I_C 迅速降为零。（ ） 答案：( √ ) 解析：断开集电极电源后，集电结失去反偏电压，无法收集载流子，I_C≈0，管子从放大区转为截止区。 4.穿透电流 I_CEO 是基极开路时集电极与发射极之间的电流，其值越大，说明三极管的温度稳定性越好。（ ） 答案：( × ) 解析：I_CEO=(1+β) I_CBO，I_CEO 越大，表明管子反向漏电流越大，温度变化时 I_C 波动越明显，温度稳定性越差。 5.集电极最大允许功耗 P_CM 是常数，与工作温度无关，只要保证 V_CE×I_C≤P_CM，管子就不会损坏。（ ） 答案：( × ) 解析：P_CM 随温度升高而减小，温度越高，允许的最大功耗越低；若仅满足 V_CE×I_C≤P_CM，但结温超额定值，管子仍可能损坏。 6.电极最大允许电流 I_CM 是指管子允许通过的最大集电极电流，超过该值，管子会立即击穿损坏。（ ） 答案：( × ) 解析：超过 I_CM 时，β 会显著下降（如下降到低频值的一半），但管子不会立即击穿；击穿由反向电压超 V_CEO 导致，而非电流超 I_CM。 7.反向击穿电压 V_CEO 是基极开路时集 - 射极间的最大允许电压，实际应用中应确保 V_CE≤V_CEO，避免集电结击穿。（ ） 答案：( √ ) 解析：V_CEO 是管子承受反向电压的极限参数，超过该值会导致集电结雪崩击穿，反向电流急剧增大，损坏管子。 8.温度升高时，三极管的发射结导通电压 V_BE 会减小，通常温度每升高 1℃，V_BE 约减小 2-2.5mV。（ ） 答案：( √ ) 解析：V_BE 的负温度系数特性使温度升高时，I_B=(V_CC-V_BE)/R_B 增大，进而导致 I_C 增大，加剧工作点漂移。 9.三极管的反向漏电流 I_CBO 具有正温度系数，温度每升高 10℃，I_CBO 约增大一倍，最终通过 I_CEO=(1+β) I_CBO 影响 I_C。（ ） 答案：( √ ) 解析：I_CBO 由少数载流子形成，温度升高使少数载流子数量激增，I_CBO 呈指数增长，虽数值小，但经 β 放大后（I_CEO）对 I_C 影响显著。 10.三极管工作在放大区的核心条件是：发射结正偏，集电结反偏，此时集电极电流仅由基极电流控制，与集 - 射极电压无关。（ ） 答案：( √ ) 解析：发射结正偏确保载流子注入，集电结反偏确保载流子收集；放大区具有恒流特性，I_C≈βI_B，只要 V_CE 足够大（保证集电结反偏），I_C 不受 V_CE 影响。 11.当三极管发射结反偏、集电结反偏时，管子工作在截止区，此时 I_B≈0，I_C≈I_CBO，V_CE≈V_CC。（ ） 答案：( √ ) 解析：截止区载流子注入被抑制，仅存在微小的反向漏电流 I_CBO，集 - 射极间近似开路，电压接近电源电压 V_CC。 12.三极管的电流放大系数 β 在低温时减小，高温时增大，因此在温度变化剧烈的环境中，需选择 β 温度系数小的管子，减少性能波动。（ ） 答案：( √ ) 解析：β 具有正温度系数，温度变化会导致 β 波动，影响电路放大倍数稳定性；选择 β 温度系数小的管子（如硅管比锗管温度系数小），可降低温度对性能的影响。 13.误以为 “反向漏电流 I_CBO 很小，对电路无影响”，实际在高温或高 β 管子中，I_CEO=(1+β) I_CBO 可能很大，导致静态工作点漂移，影响电路稳定性，需重视。（ ） 答案：( √ ) 解析：常温下 I_CBO 虽小（硅管 nA 级），但高温下可增大至 μA 级，经 β 放大后 I_CEO 可能达到 mA 级，使 I_C 显著变化，工作点漂移，尤其在高 β、高温场景中，需选择 I_CBO 小的管子。 14.认为 “三极管是电流控制电流的器件，与电压无关” 是错误的，因为发射结正偏电压 V_BE 控制载流子注入量，进而控制 I_B 和 I_C，电压是电流控制的基础。（ ） 答案：( √ ) 解析：三极管虽表现为电流控制特性（I_C≈βI_B），但 I_B 的产生依赖于发射结正偏电压 V_BE（V_BE 达到导通电压后才有 I_B），电压是电流控制的前提，不能完全脱离电压谈电流控制。 二、单选题（本题共24题，每题3分，共72分） 15.以下不属于三极管三个电极的是（ ） A. 发射极 B. 基极 C. 栅极 D. 集电极 答案：( C ) 解析：三极管的三个电极为发射极（E）、基极（B）、集电极（C）；栅极（G）是场效应管、晶闸管等器件的电极，故选 C。 16.NPN 型三极管中，掺杂浓度最高的区域是（ ） A. 发射区 B. 基区 C. 集电区 D. 三个区域浓度相同 答案：( A ) 解析：三极管发射区需向基区发射大量载流子，因此掺杂浓度最高；基区掺杂浓度最低且薄，便于载流子穿过；集电区掺杂浓度次之，故选 A。 17.硅管导通时，基 - 射极电压 V_BE 约为（ ） A. 0.1V B. 0.2V C. 0.7V D. 1.5V 答案：( C ) 解析：硅材料 PN 结正向导通电压约为 0.6-0.7V，锗管约为 0.1-0.2V，硅管 V_BE 通常取 0.7V，故选 C。 18.以下关于 PNP 型三极管电流方向的描述，正确的是（ ） A. 电流从发射极流出，集电极流入 B. 电流从发射极流入，集电极流出 C. 电流从基极流入，发射极流出 D. 电流从集电极流入，基极流出 答案：( B ) 解析：PNP 型三极管工作时，空穴是主要载流子，电流方向与空穴运动方向一致，从发射极流入，经基区到集电极流出，故选 B。 19.三极管发射区和集电区不能互换的主要原因是（ ） A. 掺杂浓度不同 B. 几何尺寸不同 C. 掺杂浓度和几何尺寸均不同 D. 半导体类型不同 答案：( C ) 解析：发射区掺杂浓度高、面积小，集电区掺杂浓度低、面积大，两者掺杂浓度和几何尺寸差异极大，互换后无法满足电流放大条件，故选 C。 20.NPN 型三极管工作在放大区时，各电极电位关系为（ ） A. V_C>V_B>V_E B. V_E>V_B>V_C C. V_B>V_C>V_E D. V_C>V_E>V_B 答案：( A ) 解析：NPN 管放大区需发射结正偏（V_B>V_E）、集电结反偏（V_C>V_B），故电位关系为 V_C>V_B>V_E，故选 A。 21.三极管工作在放大区的偏置条件是（ ） A. 发射结正偏，集电结正偏 B. 发射结正偏，集电结反偏 C. 发射结反偏，集电结正偏 D. 发射结反偏，集电结反偏 答案：( B ) 解析：发射结正偏利于载流子从发射区注入基区，集电结反偏利于集电区收集基区载流子，只有此偏置条件下三极管才能实现电流放大，故选 B。 22.三极管输入特性曲线的横坐标和纵坐标分别是（ ） A. V_CE，I_C B. V_BE，I_B C. V_CE，I_B D. V_BE，I_C 答案：( B ) 解析：输入特性曲线反映固定 V_CE 时，基 - 射极电压 V_BE 与基极电流 I_B 的关系，横坐标为 V_BE，纵坐标为 I_B，故选 B。 23.输出特性曲线中，放大区的特点是（ ） A. I_C 随 V_CE 增大而显著增大 B. I_C 随 I_B 增大而线性增大，与 V_CE 无关 C. I_C≈0 D. V_CE≈0 答案：( B ) 解析：放大区具有恒流特性，I_C≈βI_B，随 I_B 线性增大，且基本不受 V_CE 影响；A 是饱和区前的过渡特性，C 是截止区，D 是饱和区，故选 B。 24.三极管集电极最大允许功耗 P_CM 的计算公式是（ ） A. P_CM=V_CE×I_C B. P_CM=V_CC×I_C C. P_CM=V_BE×I_B D. P_CM=V_CE×I_B 答案：( A ) 解析：集电极功耗是集电极电压 V_CE 与集电极电流 I_C 的乘积，P_CM 是允许的最大功耗，故选 A。 25.以下哪项参数反映三极管的高频性能（ ） A. β B. I_CBO C. f_T D. V_CEO 答案：( C ) 解析：特征频率 f_T 是 β 下降到 1 时的频率，f_T 越高，三极管高频工作能力越强；A 是电流放大系数，B 是反向漏电流，D 是击穿电压，故选 C。 26.温度升高时，三极管的 I_CBO 会（ ） A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 先增大后减小 答案：( A ) 解析：I_CBO 是少数载流子形成的反向漏电流，温度升高使少数载流子数量增多，I_CBO 显著增大，故选 A。 27.三极管开关速度主要受以下哪项影响（ ） A. β B. 结电容 C. V_BE D. I_CBO 答案：( B ) 解析：结电容会阻碍电荷充放电，结电容越小，开关速度越快；A 影响放大能力，C 是导通电压，D 是漏电流，故选 B。 28.极管放大电路中，若要减小输出电阻，应引入（ ） A. 电压负反馈 B. 电流负反馈 C. 串联负反馈 D. 并联负反馈 答案：( A ) 解析：电压负反馈的核心作用是稳定输出电压、减小输出电阻；电流负反馈稳定输出电流、增大输出电阻；串联 / 并联负反馈影响输入电阻，故选 A。 29.三极管的穿透电流 I_CEO 是指（ ） A. 发射极开路时的集 - 基极电流 B. 基极开路时的集 - 射极电流 C. 集电极开路时的基 - 射极电流 D. 发射极短路时的集 - 基极电流 答案：( B ) 解析：I_CEO 定义为基极开路（I_B=0）时，集电极与发射极之间的反向漏电流，是衡量管子温度稳定性的重要参数，故选 B。 30.三极管工作在饱和区时，集 - 射极电压 V_CES 约为（ ） A. 0.1-0.3V（硅管） B. 0.7V（硅管） C. 1.5V（硅管） D. 0.2V（锗管） 答案：( A ) 解析：硅管饱和时 V_CES≈0.1-0.3V，远小于发射结导通电压（0.7V）；锗管 V_CES≈0.05-0.1V，故选 A。 31.三极管的极限参数 V_CEO 是指（ ） A. 发射极开路时的集 - 基极反向击穿电压 B. 基极开路时的集 - 射极反向击穿电压 C. 基极短路时的集 - 射极反向击穿电压 D. 集电极开路时的基 - 射极反向击穿电压 答案：( B ) 解析：V_CEO 是基极开路时，集电极与发射极之间的最大允许反向电压，超过该值会导致集电结击穿，故选 B。 32.三极管的极限参数 V_CEO 是指（ ） A. 发射极开路时的集 - 基极反向击穿电压 B. 基极开路时的集 - 射极反向击穿电压 C. 基极短路时的集 - 射极反向击穿电压 D. 集电极开路时的基 - 射极反向击穿电压 答案：( B ) 解析：V_CEO 是基极开路时，集电极与发射极之间的最大允许反向电压，超过该值会导致集电结击穿，故选 B。 33.若三极管 I_CBO=5μA，β=200，则 I_CEO 约为（ ） A. 100μA B. 1005μA C. 200μA D. 205μA 答案：( B ) 解析：I_CEO=(1+β) I_CBO=(1+200)×5μA=201×5μA=1005μA，故选 B。 34.三极管工作频率 f=50MHz 时，β=20，若 f_T=1000MHz，则当 f=100MHz 时，β 约为（ ） A. 5 B. 10 C. 15 D. 20 答案：( B ) 解析：β≈f_T/f=1000MHz/100MHz=10，故选 B。 35.三极管的电流放大系数 β 随 I_C 增大而（ ） A. 增大 B. 减小 C. 先增大后减小 D. 不变 答案：( C ) 解析：I_C 较小时，β 随 I_C 增大而增大；I_C 达到一定值后，β 随 I_C 增大而减小，呈现先增后减的趋势，故选 C。 36.以下哪种参数表示三极管承受反向电压的能力（ ） A. I_CM B. P_CM C. V_CEO D. f_T 答案：( C ) 解析：V_CEO 是集 - 射极反向击穿电压，反映管子承受反向电压的能力；I_CM 是最大电流，P_CM 是最大功耗，f_T 是高频参数，故选 C。 37.温度升高时，三极管的反向漏电流 I_CBO 会（ ），导致静态工作点上移 A. 增大B. 减小 C. 不变D. 先减小后增大 答案：( A ) 解析：I_CBO 是集电结反向饱和电流，由少数载流子形成，温度升高会使半导体中少数载流子数量显著增多，导致 I_CBO 增大，进而通过 I_CEO=(1+β) I_CBO 影响 I_C，使静态工作点上移。 38.若三极管的 P_CM=2W，在电路中测得 V_CE=5V，则其允许的最大集电极电流 I_C 约为（ ） A. 0.4AB. 2.5A C. 10AD. 0.2A 答案：( A ) 解析：集电极最大允许功耗 P_CM=V_CE×I_C，推导得 I_C≤P_CM/V_CE=2W/5V=0.4A，超过此电流会因功耗过大损坏管子；B、C、D 均未按公式正确计算，不符合功率限制要求。 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：2026版湖北省《电气电子类考纲百套卷》，是依据湖北省职教高考《电气电子类专业知识考试标准》编写，本套试卷共104份，由三个部分组成，第一部分是知识点训练卷，共70份；第二部分是常考题训练卷，共24份；第三个部分是专业综合训练卷，参考历年来电气电子类专业知识真题试卷，编写的10份专业综合训练卷。 本试卷是《电气电子类考纲百套卷》知识点训练卷的第 37 卷，按《电子技术基础》中的知识模块2晶体三极管内容要求编写。 2026版湖北省《电气电子类类考纲百套卷》 第 37 卷 知识模块 2 晶体三极管 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、判断题（本题共14题，每题2分，共28分） 1.三极管的三个电极分别是发射极、基极和栅极。 （ ） 2.PNP 型三极管工作时，电流主要从发射极流出。（ ） 3.硅管和锗管的主要区别在于导通时的基 - 射极电压 V_BE 不同，硅管约为 0.7V，锗管约为 0.2V。（ ） 4.当三极管工作在截止状态时，基极电流 I_B=0，集电极电流 I_C 也为 0。（ ） 5.三极管的电流放大系数 β 越大，其电流放大能力越强，因此 β 值越大的三极管性能越好。（ ） 6.NPN 型三极管工作在放大状态时，各电极电位关系为 V_E>V_B>V_C。（ ） 7.三极管的穿透电流 I_CEO 越大，其温度稳定性越好。（ ） 8.三极管的输入特性曲线是指在固定 V_CE 时，I_B 与 V_BE 之间的关系曲线。（ ） 9.输出特性曲线的放大区中，I_C 随 V_CE 增大而显著增大，呈现线性增长趋势。（ ） 10.集电极最大允许功耗 P_CM 与 V_CE 和 I_C 的乘积相关，当 V_CE×I_C>P_CM 时，管子会过热损坏。（ ） 11.温度升高时，三极管的 V_BE 减小，β 增大，I_CBO 增大，这些变化都会导致静态工作点上移。（ ） 12.三极管工作在开关状态时，主要在截止区和饱和区之间切换，放大区仅为过渡区域。（ ） 13.温度升高时，三极管的 I_CBO 增大，会导致 I_C 增大，静态工作点上移，因此需采取措施抑制 I_CBO 的变化。（ ） 14.若测量三极管的发射极和集电极之间正反向电阻都很小，则说明该三极管的发射结和集电结都短路。（ ） 二、单选题（本题共24题，每题3分，共72分） 15.三极管按半导体材料分类，不包括以下哪种类型？（ ） A. 硅管 B. 锗管 C. 砷化镓管 D. 碳管 16.NPN 型三极管的三个电极中，电位最高的通常是（ ） A. 发射极 E B. 基极 B C. 集电极 C D. 不确定 17.三极管的三个区中，掺杂浓度最高的是（ ） A. 发射区 B. 基区 C. 集电区 D. 三者相同 18.三极管实现电流放大的关键条件是（ ） A. 发射结正偏，集电结正偏 B. 发射结反偏，集电结反偏 C. 发射结正偏，集电结反偏 D. 发射结反偏，集电结正偏 19.三极管的电流放大系数 β 是指（ ） A. I_E 与 I_B 的比值 B. I_C 与 I_B 的比值 C. I_C 与 I_E 的比值 D. I_E 与 I_C 的比值 20.若某 NPN 型三极管的 I_B=10μA，β=100，则其 I_C 约为（ ） A. 1μA B. 1mA C. 10mA D. 100mA 21.三极管输出特性曲线中，放大区的特点是（ ） A. I_C 随 V_CE 增大而显著增大 B. I_C 基本不随 V_CE 变化，仅由 I_B 决定 C. I_C 随 I_B 增大而减小 D. I_C≈0 22.当三极管的集电极功耗 P_C 超过 P_CM 时，会导致（ ） A. 管子击穿损坏 B. β 显著增大 C. 管子过热损坏 D. 截止状态失效 23.三极管工作在开关状态时，主要工作在以下哪些区域？（ ） A. 放大区和截止区 B. 截止区和饱和区 C. 饱和区和放大区 D. 仅饱和区 24.三极管开关电路中，为加快开关速度，通常会采用（ ） A. 减小基极电阻 B. 增加基极电阻 C. 接入加速电容 D. 减小集电极电阻 25.三极管的温度稳定性主要受以下哪种参数影响？（ ） A. β B. I_CBO C. V_BE D. 以上都是 26.对于硅 NPN 型三极管，正常工作在放大状态时，其基 - 射极电压 V_BE 约为（ ） A. 0V B. 0.2V C. 0.7V D. 1.5V 27.三极管构成的差分放大电路，主要作用是（ ） A. 提高电压放大倍数 B. 抑制零点漂移 C. 增大输入电阻 D. 减小输出电阻 28.若三极管的 β=50，I_CBO=10μA，则其 I_CEO 约为（ ） A. 500μA B. 510μA C. 10μA D. 2500μA 29.以下哪种情况会导致三极管进入击穿状态？（ ） A. V_CE 超过 V_CEO B. I_C 超过 I_CM C. P_C 超过 P_CM D. I_B 过大 30.用万用表判别三极管类型（NPN 或 PNP）时，通常先确定（ ） A. 发射极 B. 基极 C. 集电极 D. 无法确定先后 31.三极管构成的电流源电路，主要作用是（ ） A. 提供稳定的电压 B. 提供稳定的电流 C. 增大输入电阻 D. 减小输出电阻 32.三极管的反向击穿电压 V_CEO 与 V_CBO 的关系是（ ） A. V_CEO>V_CBO B. V_CEO<V_CBO C. V_CEO=V_CBO D. 无法确定 33.三极管工作在放大状态时，若集电极电源 V_CC 减小，会导致（ ） A. V_CE 增大 B. V_CE 减小 C. I_C 增大 D. I_C 减小 34.三极管的穿透电流 I_CEO 与 β 的关系是（ ） A. I_CEO 随 β 增大而增大 B. I_CEO 随 β 增大而减小 C. I_CEO 与 β 无关 D. 无法确定 35.以下哪种情况会导致三极管的 V_BE 增大？（ ） A. 温度升高 B. 基极电流增大 C. 发射区掺杂浓度降低 D. 集电极电流减小 36.三极管的电流放大系数 β 与 α 的关系是（ ） A. β=α/(1-α) B. β=(1-α)/α C. α=β/(1+β) D. α=(1+β)/β 37.用万用表测量三极管的发射极和集电极，若正反向电阻都很小，则该三极管（ ） A. 正常 B. 发射结和集电结都短路 C. 发射结短路、集电结正常 D. 集电结短路、发射结正常 38.若三极管的 β=200，I_CBO=5μA，则其 I_CEO 约为（ ） A. 100μA B. 105μA C. 1005μA D. 2005μA 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $