《电子技术基础》晶体三极管 知识点训练卷 2026版湖北省电气电子类专业 考纲百套卷 第36卷

编写说明：2026版湖北省《电气电子类考纲百套卷》，是依据湖北省职教高考《电气电子类专业知识考试标准》编写，本套试卷共104份，由三个部分组成，第一部分是知识点训练卷，共70份；第二部分是常考题训练卷，共24份；第三个部分是专业综合训练卷，参考历年来电气电子类专业知识真题试卷，编写的10份专业综合训练卷。 本试卷是《电气电子类考纲百套卷》知识点训练卷的第 36 卷，按《电子技术基础》中的知识模块2晶体三极管内容要求编写。 2026版湖北省《电气电子类类考纲百套卷》 第 36 卷 知识模块 2 晶体三极管 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、判断题（本题共14题，每题2分，共28分） 1.晶体三极管由发射区、基区、集电区三个区域和两个 PN 结组成。 （ ） 2.NPN 型三极管的发射区是 P 型半导体，基区是 N 型半导体。 （ ） 3.三极管工作在放大状态的条件是发射结正偏、集电结反偏。 （ ） 4.硅三极管的发射结导通电压约为 0.2~0.3V，锗三极管约为 0.6~0.7V。 （ ） 5.三极管的集电区面积比发射区大，目的是便于收集载流子。 （ ） 6.用万用表欧姆挡测量三极管，若某电极与另外两电极的正向电阻小、反向电阻大，该电极是基极。 （ ） 7.电流放大倍数 β 是集电极电流 I_C 与基极电流 I_B 的比值，β 值越大，三极管的放大能力越强。 （ ） 8.三极管的 β 值是固定不变的常数，不受温度、集电极电流 I_C 的影响。 （ ） 9.当三极管工作在饱和区时，I_C 不再随 I_B 成比例增大，此时 β 值显著减小，三极管失去放大能力。 （ ） 10.三极管的 β 值越大越好，β 值越大，电路的放大效果越佳。 （ ） 11.温度升高时，三极管输入特性曲线向左平移，即相同 I_B 下所需的 V_BE 减小。（ ） 12.三极管输出特性曲线的横坐标为集射极电压 V_CE，纵坐标为集电极电流 I_C，每条曲线对应一个固定的基极电流 I_B。 （ ） 13.当三极管工作在击穿区时，I_C 随 V_CE 的增大而急剧增大，此时 β 值增大，放大能力增强。 （ ） 14.PNP 型三极管工作在放大区时，发射极电位必须低于基极电位（V_E < V_B），才能保证发射结正向偏置。 （ ） 二、单选题（本题共24题，每题3分，共72分） 15.NPN 型三极管的发射区和集电区材料类型分别是（ ） A. 均为 P 型 B. 均为 N 型 C. 发射区 P 型，集电区 N 型 D. 发射区 N 型，集电区 P 型 16.常温下，硅三极管发射结的导通电压约为（ ） A. 0.1~0.2V B. 0.2~0.3V C. 0.6~0.7V D. 1.0~1.2V 17.三极管基区设计得薄且掺杂浓度低的主要目的是（ ） A. 降低生产成本 B. 减少载流子在基区的复合 C. 增大输入电阻 D. 提高击穿电压 18.国产三极管型号 “3AX31” 中，“A” 代表的含义是（ ） A. NPN 型硅材料 B. PNP 型硅材料 C. NPN 型锗材料 D. PNP 型锗材料 19.三极管发射结正偏、集电结反偏，但仍可能工作在饱和区的原因是（ ） A. 基极电流 I_B 过小 B. 基极电流 I_B 过大，导致 I_C 无法随 I_B 增大而增大 C. 集电极电阻 R_C 过大 D. 电源电压 V_CC 过大 20.与硅三极管相比，锗三极管的主要缺点是（ ） A. 导通电压高 B. 温度稳定性差 C. 放大倍数小 D. 功耗大 21.某 NPN 型三极管工作在放大区，已知 I_B = 20μA，β = 50，则集电极电流 I_C 约为（ ） A. 1mA B. 2mA C. 5mA D. 10mA 22.已知三极管的 β = 99，I_CBO = 1μA，则穿透电流 I_CEO 约为（ ） A. 1μA B. 50μA C. 100μA D. 990μA 23.三极管电流放大作用的本质是（ ） A. 小电流产生大电流 B. 小电流控制大电流（能量来自电源） C. 电能转化为热能 D. 电压放大 24.共基极放大电路的电流放大倍数 α 的典型值范围是（ ） A. α＞1 B. 0＜α＜1（接近 1） C. α＜0 D. α=1 25.电流放大倍数 α 与 β 的换算关系是（ ） A. α = β / (1 + β) B. α = (1 + β) / β C. β = α / (1 + α) D. β = (1 - α) / α 26.晶体三极管管芯不包含的区域是（ ） A. 发射区 B. 基区 C. 耗尽区 D. 集电区 27.某三极管工作在放大区，当 I_B 从 10μA 增大到 30μA 时，I_C 从 1mA 增大到 3mA，则该三极管的动态 β 约为（ ） A. 50 B. 80 C. 100 D. 120 28.当三极管工作在击穿区时，集电极电流 I_C 的变化特征是（ ） A. I_C 随 I_B 成比例变化 B. I_C 随 V_CE 的增大而急剧增大 C. I_C 基本不变 D. I_C = 0 29.三极管 “电流控制电流” 特性的核心是（ ） A. 基极电流 I_B 控制集电极电流 I_C B. 集电极电流 I_C 控制基极电流 I_B C. 发射极电流 I_E 控制集电极电流 I_C D. 集电极电压 V_CE 控制集电极电流 I_C 30.三极管输出特性曲线中，饱和区的 V_CE 范围通常是（ ） A. 0~0.3V（硅管） B. 0.3~1V（硅管） C. 1~5V（硅管） D. 5V 以上（硅管） 31.下列关于三极管输出特性曲线的说法，错误的是（ ） A. 截止区 I_C ≈ I_CEO（微小电流） B. 放大区曲线近似水平 C. 饱和区 I_C 随 I_B 增大而增大 D. 击穿区 I_C 随 V_CE 增大急剧增大 32.温度升高时，三极管输出特性曲线中每条固定 I_B 的曲线会（ ） A. 向上平移 B. 向下平移 C. 向左平移 D. 向右平移 33.三极管输出特性曲线中，击穿区的形成原因是（ ） A. 发射结正向电压过大 B. 集电结反向电压过大 C. 基极电流过大 D. 环境温度过高 34.三极管输入特性曲线与二极管伏安特性曲线的相似之处是（ ） A. 均有死区和导通区 B. 均有放大区和饱和区 C. 均随温度升高向右平移 D. 均不受电压影响 35.测试三极管输出特性曲线时，若固定 I_B，减小 V_CE，I_C 的变化规律是（ ） A. 先基本不变，后急剧减小 B. 先急剧减小，后基本不变 C. 始终急剧减小 D. 始终基本不变 36.某三极管输出特性曲线中，当 I_B=0 时，V_CE=10V 对应的 I_C=0.5μA，该电流是（ ） A. I_CBO B. I_CEO C. I_E D. I_B 37.三极管输出特性曲线中，截止区的 I_C 特点是（ ） A. I_C = βI_B B. I_C ≈ I_CEO（微小电流） C. I_C ≈ V_CC/R_C D. I_C 随 V_CE 增大急剧增大 38.下列关于三极管特性曲线的应用，正确的是（ ） A. 从输入特性曲线读取 β 值 B. 从输出特性曲线读取死区电压 C. 从输出特性曲线判断三极管工作区域 D. 从输入特性曲线读取 V_CEO 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：2026版湖北省《电气电子类考纲百套卷》，是依据湖北省职教高考《电气电子类专业知识考试标准》编写，本套试卷共104份，由三个部分组成，第一部分是知识点训练卷，共70份；第二部分是常考题训练卷，共24份；第三个部分是专业综合训练卷，参考历年来电气电子类专业知识真题试卷，编写的10份专业综合训练卷。 本试卷是《电气电子类考纲百套卷》知识点训练卷的第 36 卷，按《电子技术基础》中的知识模块2晶体三极管内容要求编写。 2026版湖北省《电气电子类类考纲百套卷》 第 36 卷 知识模块 2 晶体三极管知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、判断题（本题共14题，每题2分，共28分） 1.晶体三极管由发射区、基区、集电区三个区域和两个 PN 结组成。 （ ） 答案：( √ ) 解析：三极管管芯包含发射区、基区、集电区，发射区与基区形成发射结，基区与集电区形成集电结，共两个 PN 结，结构描述正确。 2.NPN 型三极管的发射区是 P 型半导体，基区是 N 型半导体。 （ ） 答案：( × ) 解析：NPN 型三极管的结构为 “发射区 - N 型、基区 - P 型、集电区 - N 型”，发射区应为 N 型半导体，题干描述错误。 3.三极管工作在放大状态的条件是发射结正偏、集电结反偏。 （ ） 答案：( √ ) 解析：无论 NPN 还是 PNP 型三极管，放大状态的核心偏置条件均为 “发射结正偏、集电结反偏”，此时 I_C = β・I_B，实现电流放大，描述正确。 4.硅三极管的发射结导通电压约为 0.2~0.3V，锗三极管约为 0.6~0.7V。 （ ） 答案：( × ) 解析：硅管发射结导通电压约 0.6~0.7V，锗管约 0.2~0.3V，题干颠倒了两种材料的导通电压，描述错误。 5.三极管的集电区面积比发射区大，目的是便于收集载流子。 （ ） 答案：( √ ) 解析：集电区的作用是收集从发射区注入基区的载流子，面积设计得比发射区大，可提高收集效率，减少载流子流失，描述正确。 6.用万用表欧姆挡测量三极管，若某电极与另外两电极的正向电阻小、反向电阻大，该电极是基极。 （ ） 答案：( √ ) 解析：基极与发射极、基极与集电极分别构成 PN 结，正向导通电阻小、反向截止电阻大，符合 “与另外两电极正小反大” 特征的电极即为基极，描述正确。 7.电流放大倍数 β 是集电极电流 I_C 与基极电流 I_B 的比值，β 值越大，三极管的放大能力越强。 （ ） 答案：( √ ) 解析：β = I_C / I_B（放大区），β 值反映基极电流对集电极电流的控制能力，β 越大，相同 I_B 下 I_C 越大，放大能力越强，正确。 8.三极管的 β 值是固定不变的常数，不受温度、集电极电流 I_C 的影响。 （ ） 答案：( × ) 解析：β 值并非固定，温度升高时 β 增大，I_C 过大或过小时 β 均会下降，题干 “固定不变” 错误。 9.当三极管工作在饱和区时，I_C 不再随 I_B 成比例增大，此时 β 值显著减小，三极管失去放大能力。 （ ） 答案：( √ ) 解析：饱和区中 I_C ≈ V_CC / R_C（由外电路决定），与 I_B 无比例关系，β = ΔI_C / ΔI_B≈0，失去放大能力，正确。 10.三极管的 β 值越大越好，β 值越大，电路的放大效果越佳。 （ ） 答案：( × ) 解析：β 值过大时，三极管的温度稳定性变差，且容易产生自激振荡，影响电路正常工作，并非越大越好，题干错误。 11.温度升高时，三极管输入特性曲线向左平移，即相同 I_B 下所需的 V_BE 减小。（ ） 答案：( √ ) 解析：温度升高使发射结导通电压降低，相同 I_B 对应的 V_BE 减小，输入特性曲线向左平移，正确。 12.三极管输出特性曲线的横坐标为集射极电压 V_CE，纵坐标为集电极电流 I_C，每条曲线对应一个固定的基极电流 I_B。 （ ） 答案：( √ ) 解析：输出特性曲线以 V_CE 为横轴、I_C 为纵轴，不同 I_B 对应不同曲线，形成曲线族，正确。 13.当三极管工作在击穿区时，I_C 随 V_CE 的增大而急剧增大，此时 β 值增大，放大能力增强。 （ ） 答案：( × ) 解析：击穿区是集电结反向击穿后的区域，I_C 急剧增大是击穿导致，并非正常放大，此时三极管已接近损坏，β 值无意义，题干错误。 14.PNP 型三极管工作在放大区时，发射极电位必须低于基极电位（V_E < V_B），才能保证发射结正向偏置。 （ ） 答案：( × ) 解析：PNP 型三极管发射结正向偏置的条件是 “发射极电位高于基极电位（V_E> V_B）”，此时发射区（P 型）的空穴才能顺利注入基区（N 型）；若 V_E < V_B，发射结反偏，三极管无法工作在放大区，因此该说法错误。 二、单选题（本题共24题，每题3分，共72分） 14.NPN 型三极管的发射区和集电区材料类型分别是（ ） A. 均为 P 型 B. 均为 N 型 C. 发射区 P 型，集电区 N 型 D. 发射区 N 型，集电区 P 型 答案：( B ) 解析：NPN 型三极管结构为 “N-P-N”，即发射区和集电区为 N 型半导体，基区为 P 型半导体，符合 “NPN” 命名逻辑，故选 B。 15.三极管工作在放大状态的关键偏置条件是（ ） A. 发射结反偏，集电结正偏 B. 发射结正偏，集电结反偏 C. 发射结、集电结均正偏 D. 发射结、集电结均反偏 答案：( B ) 解析：无论 NPN 还是 PNP 型三极管，放大状态需满足 “发射结正偏（利于载流子注入）、集电结反偏（利于载流子收集）”，这是实现电流放大的核心条件，故选 B。 16.常温下，硅三极管发射结的导通电压约为（ ） A. 0.1~0.2V B. 0.2~0.3V C. 0.6~0.7V D. 1.0~1.2V 答案：( C ) 解析：不同材料三极管导通电压差异明显，硅管导通电压约 0.6~0.7V，锗管约 0.2~0.3V，这是区分硅管和锗管的重要参数，故选 C。 17.三极管基区设计得薄且掺杂浓度低的主要目的是（ ） A. 降低生产成本 B. 减少载流子在基区的复合 C. 增大输入电阻 D. 提高击穿电压 答案：( B ) 解析：基区薄可缩短载流子传输路径，低掺杂浓度可减少载流子数量，两者结合能显著减少载流子在基区的复合，确保大部分载流子被集电区收集，保证放大效果，故选 B。 18.国产三极管型号 “3AX31” 中，“A” 代表的含义是（ ） A. NPN 型硅材料 B. PNP 型硅材料 C. NPN 型锗材料 D. PNP 型锗材料 答案：( D ) 解析：国产三极管型号命名规则中，第二位字母 “A” 对应 PNP 型锗材料，“B” 对应 NPN 型锗材料，“C” 对应 PNP 型硅材料，“D” 对应 NPN 型硅材料，故选 D。 19.三极管发射结正偏、集电结反偏，但仍可能工作在饱和区的原因是（ ） A. 基极电流 I_B 过小 B. 基极电流 I_B 过大，导致 I_C 无法随 I_B 增大而增大 C. 集电极电阻 R_C 过大 D. 电源电压 V_CC 过大 答案：(B ) 解析：发射结正偏、集电结反偏是放大区的必要条件，但当 I_B 过大时，I_C 会达到饱和值 I_CS≈V_CC/R_C，不再随 I_B 成比例增大，此时三极管进入饱和区，故选 B。 20.与硅三极管相比，锗三极管的主要缺点是（ ） A. 导通电压高 B. 温度稳定性差 C. 放大倍数小 D. 功耗大 答案：( B ) 解析：锗三极管的穿透电流 I_CEO 远大于硅管，I_CEO 受温度影响显著，温度变化时 I_C 波动大，导致锗三极管的温度稳定性比硅管差，故选 B。 21.某 NPN 型三极管工作在放大区，已知 I_B = 20μA，β = 50，则集电极电流 I_C 约为（ ） A. 1mA B. 2mA C. 5mA D. 10mA 答案：( A ) 解析：放大区中 I_C ≈ βI_B，代入数据得 I_C = 50×20μA = 1000μA = 1mA，符合电流放大规律，故选 A。 22.已知三极管的 β = 99，I_CBO = 1μA，则穿透电流 I_CEO 约为（ ） A. 1μA B. 50μA C. 100μA D. 990μA 答案：( C ) 解析：I_CEO 与 I_CBO 的关系为 I_CEO = (1 + β) I_CBO，代入数据得 I_CEO = (1 + 99)×1μA = 100μA，该公式是两者换算的核心依据，故选 C。 23.三极管电流放大作用的本质是（ ） A. 小电流产生大电流 B. 小电流控制大电流（能量来自电源） C. 电能转化为热能 D. 电压放大 答案：( B ) 解析：三极管的电流放大并非 “凭空产生大电流”，而是利用基极微小电流控制集电极较大电流，所需能量来自电源（如 V_CC），符合能量守恒定律，故选 B。 24.共基极放大电路的电流放大倍数 α 的典型值范围是（ ） A. α＞1 B. 0＜α＜1（接近 1） C. α＜0 D. α=1 答案：( B ) 解析：共基极电路中 α = I_C/I_E，因 I_C = I_E - I_B（I_B＞0），故 I_C＜I_E，α 的范围是 0＜α＜1，且通常接近 1（0.95~0.99），无电流放大作用，但有电压放大作用，故选 B。 25.电流放大倍数 α 与 β 的换算关系是（ ） A. α = β / (1 + β) B. α = (1 + β) / β C. β = α / (1 + α) D. β = (1 - α) / α 答案：( A ) 解析：α = I_C / I_E，结合 I_E = I_C + I_B、β = I_C / I_B，可推导得 α = β / (1 + β)，因 β 通常为几十到几百，故 α 接近 1（0.95~0.99），故选 A。 26.晶体三极管管芯不包含的区域是（ ） A. 发射区 B. 基区 C. 耗尽区 D. 集电区 答案：( C ) 解析：三极管管芯核心由发射区、基区、集电区三个半导体区域构成，耗尽区是 PN 结界面处的电荷耗尽层，不属于管芯的独立区域，故选 C。 27.某三极管工作在放大区，当 I_B 从 10μA 增大到 30μA 时，I_C 从 1mA 增大到 3mA，则该三极管的动态 β 约为（ ） A. 50 B. 80 C. 100 D. 120 答案：( C ) 解析：动态 β = ΔI_C / ΔI_B，代入数据得 ΔI_B = 30μA - 10μA = 20μA，ΔI_C = 3mA - 1mA = 2mA，因此 β = 2mA / 20μA = 100，故选 C。 28.当三极管工作在击穿区时，集电极电流 I_C 的变化特征是（ ） A. I_C 随 I_B 成比例变化 B. I_C 随 V_CE 的增大而急剧增大 C. I_C 基本不变 D. I_C = 0 答案：( B) 解析：击穿区是集电结反向电压超过 V_CEO 后，集电结发生雪崩击穿或齐纳击穿的区域，此时 V_CE 微小增大就会导致 I_C 急剧增大，三极管接近损坏，故选 B。 29.三极管 “电流控制电流” 特性的核心是（ ） A. 基极电流 I_B 控制集电极电流 I_C B. 集电极电流 I_C 控制基极电流 I_B C. 发射极电流 I_E 控制集电极电流 I_C D. 集电极电压 V_CE 控制集电极电流 I_C 答案：( A ) 解析：三极管的核心特性是 “以小控大”，即基极的微小电流 I_B 能够控制集电极的较大电流 I_C（I_C = βI_B），体现电流控制电流的本质，故选 A。 30.三极管输出特性曲线中，饱和区的 V_CE 范围通常是（ ） A. 0~0.3V（硅管） B. 0.3~1V（硅管） C. 1~5V（硅管） D. 5V 以上（硅管） 答案：( A ) 解析：饱和区是 I_C 不再随 I_B 增大的区域，此时 V_CE 很小，硅管饱和压降 V_CES 约 0~0.3V，锗管约 0~0.1V，远小于放大区的 V_CE，故选 A。 31.下列关于三极管输出特性曲线的说法，错误的是（ ） A. 截止区 I_C ≈ I_CEO（微小电流） B. 放大区曲线近似水平 C. 饱和区 I_C 随 I_B 增大而增大 D. 击穿区 I_C 随 V_CE 增大急剧增大 答案：( C ) 解析：饱和区的关键特征是 I_C 不再随 I_B 增大而增大（I_C≈V_CC/R_C），即使 I_B 增大，I_C 也基本不变，因此选项 C 描述错误，A、B、D 均为各区域的正确特征，故选 C。 32.温度升高时，三极管输出特性曲线中每条固定 I_B 的曲线会（ ） A. 向上平移 B. 向下平移 C. 向左平移 D. 向右平移 答案：( A ) 解析：温度升高时，β 值增大且 I_CEO 增大，导致相同 I_B、V_CE 下的 I_C 增大，因此每条固定 I_B 的曲线向上平移（例如，原 I_B=20μA 的曲线，升温后相同 V_CE 对应的 I_C 比之前更大），故选 A。 33.三极管输出特性曲线中，击穿区的形成原因是（ ） A. 发射结正向电压过大 B. 集电结反向电压过大 C. 基极电流过大 D. 环境温度过高 答案：( B ) 解析：击穿区是当 V_CE 超过三极管的集电极最大反向电压（如 V_CEO）时，集电结承受的反向电压过大，发生雪崩击穿或齐纳击穿，导致 I_C 急剧增大，故选 B。 34.三极管输入特性曲线与二极管伏安特性曲线的相似之处是（ ） A. 均有死区和导通区 B. 均有放大区和饱和区 C. 均随温度升高向右平移 D. 均不受电压影响 答案：( A ) 解析：三极管输入特性曲线本质是发射结的伏安特性，与二极管一样，存在死区（V_BE＜死区电压时 I≈0）和导通区（V_BE＞死区电压后 I 急剧增大）；二极管无放大区（B 错误），温度升高时均向左平移（C 错误），均受电压影响（D 错误），故选 A。 35.测试三极管输出特性曲线时，若固定 I_B，减小 V_CE，I_C 的变化规律是（ ） A. 先基本不变，后急剧减小 B. 先急剧减小，后基本不变 C. 始终急剧减小 D. 始终基本不变 答案：( A ) 解析：当 V_CE 较大（放大区）时，I_C 基本不变；当 V_CE 减小到接近 V_CES（饱和区）时，I_C 随 V_CE 减小而急剧减小，符合输出特性曲线的变化规律，故选 A。 36.某三极管输出特性曲线中，当 I_B=0 时，V_CE=10V 对应的 I_C=0.5μA，该电流是（ ） A. I_CBO B. I_CEO C. I_E D. I_B 答案：( B ) 解析：I_CEO 定义为 “基极开路（I_B=0）时，集电极与发射极之间的电流”，与题干条件完全一致；I_CBO 是发射极开路时的电流（A 错误），故选 B。 37.三极管输出特性曲线中，截止区的 I_C 特点是（ ） A. I_C = βI_B B. I_C ≈ I_CEO（微小电流） C. I_C ≈ V_CC/R_C D. I_C 随 V_CE 增大急剧增大 答案：( B ) 解析：截止区时 I_B≈0，发射结反偏或零偏，I_C 并非完全为 0，而是等于穿透电流 I_CEO（通常 μA 级，可忽略但不为 0），故选 B。 38.下列关于三极管特性曲线的应用，正确的是（ ） A. 从输入特性曲线读取 β 值 B. 从输出特性曲线读取死区电压 C. 从输出特性曲线判断三极管工作区域 D. 从输入特性曲线读取 V_CEO 答案：( C ) 解析：β 值需从输出特性曲线计算（A 错误），死区电压从输入特性曲线读取（B 错误），V_CEO 从输出特性曲线的击穿区读取（D 错误）；输出特性曲线分为截止区、放大区、饱和区，可直接判断工作区域（C 正确），故选 C。 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $