《电子技术基础》基本放大电路 知识点训练卷 2026版湖北省电气电子类专业 考纲百套卷 第40卷

编写说明：2026版湖北省《电气电子类考纲百套卷》，是依据湖北省职教高考《电气电子类专业知识考试标准》编写，本套试卷共104份，由三个部分组成，第一部分是知识点训练卷，共70份；第二部分是常考题训练卷，共24份；第三个部分是专业综合训练卷，参考历年来电气电子类专业知识真题试卷，编写的10份专业综合训练卷。4 本试卷是《电气电子类考纲百套卷》知识点训练卷的第 40 卷，按《电子技术基础》中的知识模块3基本放大电路内容要求编写。 2026版湖北省《电气电子类类考纲百套卷》 第 40 卷 知识模块 3 基本放大电路 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、判断题（本题共14题，每题2分，共28分） 1.共射电路的集电极电阻 R_C 阻值越大，电压放大倍数越大，因此 R_C 阻值越大越好。（ ） 2.固定偏置共射电路中，基极偏置电阻 R_B 阻值越大，基极电流 I_B 越小，静态工作点越低，越容易出现截止失真。（ ） 3.共射电路中，耦合电容 C1、C2 的作用是通交流隔直流，若 C1 容量过小，低频信号会因容抗过大而衰减，导致低频特性变差。（ ） 4.测量共射电路静态工作点时，需闭合信号源，因为动态信号会影响直流参数的测量精度。（ ） 5.共射电路出现截止失真时，调整方法是减小基极偏置电阻 R_B（固定偏置），增大 I_B，提高静态工作点。（ ） 6.共射电路的电压放大倍数为负值，说明输出信号与输入信号相位相反，负号仅表示相位关系，不影响放大倍数的大小。（ ） 7.共射电路的输入电阻 r_i≈R_B//r_be，r_be 随 I_C 增大而减小，因此 I_C 增大时，输入电阻 r_i 会减小。（ ） 8.共射电路的输出电阻 r_o≈R_C，与负载电阻 R_L 无关，因此输出电阻是电路自身的固有参数，不随外部负载变化。（ ） 9.共集电路的电压放大倍数 A_V<1，因此无放大能力，仅用于阻抗匹配。（ ） 10.共集电路的输出电阻 r_o≈r_be/(1+β)，β 越大，输出电阻越小，带负载能力越强，因此选择 β 大的三极管更有利于提升共集电路的带负载能力。（ ） 11.共集电路中，若基极偏置电阻 R_B 开路，管子截止，输出电压≈0，无法实现电压跟随。（ ） 12.共基电路以基极为公共端，输入信号加在发射极与基极之间，输出信号取自集电极与基极之间，因此输出与输入信号同相。（ ） 13.共基电路的静态工作点计算与共射电路类似，均需通过偏置电路设置 I_B，再由 I_C≈βI_B 确定 I_C 和 V_CE。（ ） 14.共基电路用于电流源负载时，主要利用其输出电阻高的特性，使输出电流更稳定，受负载电阻变化的影响小。（ ） 二、单选题（本题共24题，每题3分，共72分） 15.固定偏置共射放大电路中，基极偏置电阻 R_B 的主要作用是（ ） A. 限制基极电流，设置静态工作点B. 增大输入电阻 C. 减小输出电阻D. 稳定输出电压 16.共射放大电路中，集电极电阻 R_C 的主要作用是（ ） A. 限制集电极电流，保护三极管B. 将集电极电流变化转换为电压变化，实现电压放大 C. 减小输出电阻D. 稳定静态工作点 17.以下不属于共射放大电路组成部分的是（ ） A. 三极管（放大核心）B. 基极偏置电阻（设置工作点） C. 发射极旁路电容（消除交流负反馈）D. 耦合电感（传递交流信号） 18.分压式偏置共射电路中，发射极电阻 R_E 的主要作用是（ ） A. 增大输入电阻B. 引入直流负反馈，稳定静态工作点 C. 减小输出电阻D. 实现电压跟随 19.测量共射放大电路静态工作点时，需断开信号源，测量的参数是（ ） A. I_B、I_C、V_CEB. ΔI_B、ΔI_C、ΔV_CE C. 输入电压、输出电压、放大倍数D. 输入电阻、输出电阻、通频带 20.共射电路静态工作点过低，会导致（ ） A. 饱和失真B. 截止失真 C. 交越失真D. 频率失真 21.若共射电路静态工作点过高，调整方法不包括（ ） A. 增大基极偏置电阻 R_B（固定偏置）B. 增大上偏置电阻 R_B1（分压偏置） C. 减小下偏置电阻 R_B2（分压偏置）D. 增大集电极电阻 R_C 22.影响共射电路输入电阻 r_i 的主要因素是（ ） A. 基极偏置电阻 R_B 和三极管输入电阻 r_beB. 集电极电阻 R_C C. 负载电阻 R_LD. 电源电压 V_CC 23.共射放大电路的输出电阻 r_o 主要由（ ）决定 A. 基极偏置电阻 R_BB. 集电极电阻 R_C C. 负载电阻 R_LD. 三极管输出电阻 r_ce 24.共射电路中，若基极偏置电阻 R_B 短路，电路会出现（ ） A. 截止失真，输出无信号B. 饱和失真，输出严重失真 C. 电压放大倍数增大，输出正常D. 输入电阻增大，输出正常 25.共集放大电路的核心特性是（ ） A. 电压放大倍数大，输出与输入反相B. 电压放大倍数小于 1，输出与输入同相（电压跟随） C. 电流放大倍数小，输出电阻高 D. 输入电阻低，输出电阻低 26.共集电路的输入电阻 r_i 计算公式为（ ） A. r_i≈R_B//r_be B. r_i≈R_B//[r_be+(1+β)(R_E//R_L)] C. r_i≈R_C//r_ce D. r_i≈(1+β)(R_E//R_L) 27.共集电路的输出电阻 r_o 主要由（ ）决定 A. 集电极电阻 R_C B. 发射极电阻 R_E C. 基极偏置电阻 R_B D. 三极管 β 和 r_be 28.共集电路作为多级放大电路输出级时，主要目的是（ ） A. 提高电压放大倍数 B. 减小输出电阻，增强带负载能力 C. 增大输入电阻，减小信号源负担 D. 抑制温漂，提高稳定性 29.共基放大电路的公共端是（ ） A. 发射极 B. 基极 C. 集电极 D. 发射极和集电极 30.共基放大电路的核心特性是（ ） A. 电压放大倍数大，电流放大倍数小（α<1） B. 电压放大倍数小，电流放大倍数大（β>1） C. 输入电阻高，输出电阻低 D. 输出与输入反相，适合低频放大 31.共基电路与共射电路相比，最显著的优势是（ ） A. 电压放大倍数更大 B. 输入电阻更高 C. 高频性能更好，截止频率更高 D. 带负载能力更强 32.共基电路中，发射极电阻 R_E 的主要作用是（ ） A. 引入直流负反馈，稳定静态工作点 B. 增大输入电阻 C. 减小输出电阻 D. 实现电流放大 33.共基电路的输入电阻 r_i 计算公式为（ ） A. r_i≈R_E//[r_be/(1+β)] B. r_i≈R_B//[r_be+(1+β)R_E] C. r_i≈R_C//r_ce D. r_i≈r_be/(1+β) 34.共基电路的电压放大倍数 A_V 与共射电路相比（ ） A. 更大 B. 更小 C. 相近 D. 无法比较 35.共基电路中，若负载电阻 R_L 增大，电路性能变化为（ ） A. 电压放大倍数 A_V 增大，输入电阻 r_i 增大 B. 电压放大倍数 A_V 增大，输入电阻 r_i 不变 C. 电压放大倍数 A_V 减小，输入电阻 r_i 减小 D. 电压放大倍数 A_V 减小，输入电阻 r_i 不变 36.共基电路作为高频放大电路时，需注意（ ） A. 减小发射极电阻 R_E，降低输入电阻 B. 增大集电极电阻 R_C，提高电压放大倍数 C. 选择结电容小、f_T 高的高频三极管 D. 增加基极偏置电阻 R_B，增大输入电阻 37.共基电路与共射电路组成的 “共射 - 共基” 组合电路，主要目的是（ ） A. 提高输入电阻，增强带负载能力 B. 提高电压放大倍数，改善高频性能 C. 抑制温漂，提高稳定性 D. 实现电流放大，增大输出功率 38.以下不属于共基电路应用场景的是（ ） A. 高频信号放大（如收音机高频头） B. 电流源电路 C. 电压跟随电路 D. 高频功率放大 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：2026版湖北省《电气电子类考纲百套卷》，是依据湖北省职教高考《电气电子类专业知识考试标准》编写，本套试卷共104份，由三个部分组成，第一部分是知识点训练卷，共70份；第二部分是常考题训练卷，共24份；第三个部分是专业综合训练卷，参考历年来电气电子类专业知识真题试卷，编写的10份专业综合训练卷。 本试卷是《电气电子类考纲百套卷》知识点训练卷的第 40 卷，按《电子技术基础》中的知识模块3基本放大电路内容要求编写。 2026版湖北省《电气电子类类考纲百套卷》 第 40 卷 知识模块 3 基本放大电路 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、判断题（本题共14题，每题2分，共28分） 1.共射电路的集电极电阻 R_C 阻值越大，电压放大倍数越大，因此 R_C 阻值越大越好。（ ） 答案：（×） 解析：R_C 增大虽使 A_V≈-β(R_C//R_L)/r_be 增大，但会导致 V_CE=V_CC-I_C R_C 减小，动态范围缩小，易出现饱和失真，需兼顾放大倍数与动态范围。 2.固定偏置共射电路中，基极偏置电阻 R_B 阻值越大，基极电流 I_B 越小，静态工作点越低，越容易出现截止失真。（ ） 答案：（√） 解析：由 I_B=(V_CC-V_BE)/R_B 可知，R_B 增大使 I_B 减小，I_C≈βI_B 随之减小，V_CE 增大，工作点下移；当输入信号负半周时，管子易进入截止区，导致截止失真。 3.共射电路中，耦合电容 C1、C2 的作用是通交流隔直流，若 C1 容量过小，低频信号会因容抗过大而衰减，导致低频特性变差。（ ） 答案：（√） 解析：耦合电容容抗 X_C=1/(2πfC)，f 越低、C 越小，X_C 越大；C1 容量过小会使低频输入信号衰减，输出波形失真，降低电路低频响应。 4.测量共射电路静态工作点时，需闭合信号源，因为动态信号会影响直流参数的测量精度。（ ） 答案：（×） 解析：静态工作点是直流参数，测量时需断开信号源（或短路输入），避免交流信号叠加在直流信号上，确保 I_B、I_C、V_CE 的测量值为纯直流分量。 5.共射电路出现截止失真时，调整方法是减小基极偏置电阻 R_B（固定偏置），增大 I_B，提高静态工作点。（ ） 答案：（√） 解析：截止失真由工作点过低引起，减小 R_B 使 I_B 增大，I_C≈βI_B 增大，V_CE 减小，工作点上移，脱离截止区，消除失真。 6.共射电路的电压放大倍数为负值，说明输出信号与输入信号相位相反，负号仅表示相位关系，不影响放大倍数的大小。（ ） 答案：（√） 解析：负号是共射电路 “反相放大” 特性的体现，放大倍数的大小由 | A_V|=β(R_C//R_L)/r_be 决定，与相位无关，工程上常关注放大倍数的绝对值。 7.共射电路的输入电阻 r_i≈R_B//r_be，r_be 随 I_C 增大而减小，因此 I_C 增大时，输入电阻 r_i 会减小。（ ） 答案：（√） 解析：r_be≈r_bb'+(1+β)×(26mV/I_EQ)，I_C≈I_EQ，I_C 增大使 26mV/I_EQ 减小，r_be 减小；r_i≈R_B//r_be，r_be 减小导致 r_i 减小。 8.共射电路的输出电阻 r_o≈R_C，与负载电阻 R_L 无关，因此输出电阻是电路自身的固有参数，不随外部负载变化。（ ） 答案：（√） 解析：输出电阻是从输出端看进去的等效电阻，共射电路中 r_o≈R_C//r_ce（r_ce 为三极管输出电阻，通常很大），故 r_o≈R_C，仅由电路自身元件决定，与 R_L 无关。 9.共集电路的电压放大倍数 A_V<1，因此无放大能力，仅用于阻抗匹配。（ ） 答案：（×） 解析：共集电路虽无电压放大能力（A_V<1），但电流放大倍数 A_I≈1+β，功率 = 电压 × 电流，因此具有功率放大能力，同时兼具输入电阻高、输出电阻低的特性。 10.共集电路的输出电阻 r_o≈r_be/(1+β)，β 越大，输出电阻越小，带负载能力越强，因此选择 β 大的三极管更有利于提升共集电路的带负载能力。（ ） 答案：（√） 解析：β 增大使 r_be/(1+β) 减小，输出电阻 r_o 减小；输出电阻越小，负载电流变化时输出电压波动越小，带负载能力越强，符合共集电路的应用需求。 11.共集电路中，若基极偏置电阻 R_B 开路，管子截止，输出电压≈0，无法实现电压跟随。（ ） 答案：（√） 解析：R_B 开路时，I_B≈0，I_E≈0，V_E=I_E R_E≈0，输出电压为低电平，管子处于截止状态，失去电压跟随能力。 12.共基电路以基极为公共端，输入信号加在发射极与基极之间，输出信号取自集电极与基极之间，因此输出与输入信号同相。（ ） 答案：（√） 解析：共基电路中，输入信号使发射极电流 I_E 变化，进而导致集电极电流 I_C 变化，输出电压随 I_C 变化的趋势与输入信号一致，因此输出与输入同相。 13.共基电路的静态工作点计算与共射电路类似，均需通过偏置电路设置 I_B，再由 I_C≈βI_B 确定 I_C 和 V_CE。（ ） 答案：（√） 解析：共基电路虽输入方式不同，但静态参数仍遵循三极管电流关系（I_C≈βI_B≈I_E，V_CE=V_CC-I_C R_C），偏置电路设计逻辑与共射电路一致（如分压偏置）。 14.共基电路用于电流源负载时，主要利用其输出电阻高的特性，使输出电流更稳定，受负载电阻变化的影响小。（ ） 答案：（√） 解析：共基电路输出电阻高（≈R_C//r_ce），理想电流源输出电阻无穷大，共基电路接近理想电流源特性，输出电流随负载变化小，适合作为电流源负载。 二、单选题（本题共24题，每题3分，共72分） 15.固定偏置共射放大电路中，基极偏置电阻 R_B 的主要作用是（ ） A. 限制基极电流，设置静态工作点B. 增大输入电阻 C. 减小输出电阻D. 稳定输出电压 答案：（A） 解析：固定偏置电路中，R_B 与电源 V_CC 配合，通过 I_B=(V_CC-V_BE)/R_B 限制基极电流，进而确定静态工作点的 I_C 和 V_CE，是设置静态工作点的关键元件；B、C、D 均非 R_B 的核心作用。 16.共射放大电路中，集电极电阻 R_C 的主要作用是（ ） A. 限制集电极电流，保护三极管B. 将集电极电流变化转换为电压变化，实现电压放大 C. 减小输出电阻D. 稳定静态工作点 答案：（B） 解析：R_C 的核心作用是 “电流变电压”，集电极电流 I_C 变化时，通过 V_CE=V_CC-I_C R_C，将 ΔI_C 转换为 ΔV_CE，进而输出放大后的电压信号；A 是 R_C 的次要作用，C、D 与其功能无关。 17.以下不属于共射放大电路组成部分的是（ ） A. 三极管（放大核心）B. 基极偏置电阻（设置工作点） C. 发射极旁路电容（消除交流负反馈）D. 耦合电感（传递交流信号） 答案：（D） 解析：共射电路通常用耦合电容（通交流隔直流）传递信号，而非耦合电感；电感多用于高频或功率电路，基本共射电路中不常见，A、B、C 均为核心组成部分。 18.分压式偏置共射电路中，发射极电阻 R_E 的主要作用是（ ） A. 增大输入电阻B. 引入直流负反馈，稳定静态工作点 C. 减小输出电阻D. 实现电压跟随 答案：（B） 解析：R_E 串联在发射极回路，通过 I_E 变化引起 V_E 变化，反馈调节 I_B，抑制 I_C 因温度等因素的波动，是引入直流负反馈稳定静态工作点的关键元件；A 是 R_E 的附加作用，C、D 非其功能。 19.测量共射放大电路静态工作点时，需断开信号源，测量的参数是（ ） A. I_B、I_C、V_CEB. ΔI_B、ΔI_C、ΔV_CE C. 输入电压、输出电压、放大倍数D. 输入电阻、输出电阻、通频带 答案：（A） 解析：静态工作点是直流参数，需在无交流信号（断开信号源）时测量，包括基极电流 I_B、集电极电流 I_C 和集 - 射极电压 V_CE；B 是动态参数，C、D 是电路性能指标，均非静态参数。 20.共射电路静态工作点过低，会导致（ ） A. 饱和失真B. 截止失真 C. 交越失真D. 频率失真 答案：（B） 解析：工作点过低意味着 I_C 小、V_CE 大，输入信号负半周会使三极管基极电流进一步减小，甚至进入截止区，导致输出信号正半周被削波，产生截止失真；A 由工作点过高引起，C 多见于乙类功放，D 由结电容等引起。 21.若共射电路静态工作点过高，调整方法不包括（ ） A. 增大基极偏置电阻 R_B（固定偏置）B. 增大上偏置电阻 R_B1（分压偏置） C. 减小下偏置电阻 R_B2（分压偏置）D. 增大集电极电阻 R_C 答案：（C） 解析：减小 R_B2 会使分压电路的 V_B 增大，I_E≈(V_B-V_BE)/R_E 增大，I_C 增大，工作点进一步上移，加剧饱和失真；A、B 可减小 I_B，D 可增大 V_CE，均能降低工作点，改善失真。 22.影响共射电路输入电阻 r_i 的主要因素是（ ） A. 基极偏置电阻 R_B 和三极管输入电阻 r_beB. 集电极电阻 R_C C. 负载电阻 R_LD. 电源电压 V_CC 答案：（A） 解析：共射电路输入电阻 r_i≈R_B//r_be（固定偏置）或 r_i≈R_B1//R_B2//r_be（分压偏置），主要由 R_B（或分压电阻）和三极管自身的 r_be 决定；B 影响输出电阻，C 影响电压放大倍数，D 影响静态工作点，均与 r_i 关联小。 23.共射放大电路的输出电阻 r_o 主要由（ ）决定 A. 基极偏置电阻 R_BB. 集电极电阻 R_C C. 负载电阻 R_LD. 三极管输出电阻 r_ce 答案：（B） 解析：共射电路输出电阻 r_o≈R_C//r_ce，通常 r_ce 远大于 R_C（硅管 r_ce≈几十到几百 kΩ），因此 r_o 主要由 R_C 决定；A 与输出电阻无关，C 是外部负载，不影响电路自身输出电阻。 24.共射电路中，若基极偏置电阻 R_B 短路，电路会出现（ ） A. 截止失真，输出无信号B. 饱和失真，输出严重失真 C. 电压放大倍数增大，输出正常D. 输入电阻增大，输出正常 答案：（B） 解析：R_B 短路时，I_B=(V_CC-V_BE)/R_B→I_B 极大，I_C≈βI_B 远超 I_CS，管子深度饱和，V_CE≈V_CES，输出信号严重饱和失真（底部削波），甚至无完整波形，故 B 正确。 25.共集放大电路的核心特性是（ ） A. 电压放大倍数大，输出与输入反相B. 电压放大倍数小于 1，输出与输入同相（电压跟随） C. 电流放大倍数小，输出电阻高 D. 输入电阻低，输出电阻低 答案：（B） 解析：共集电路以集电极为公共端，输出从发射极取出，电压放大倍数 A_V≈(1+β)(R_E//R_L)/[r_be+(1+β)(R_E//R_L)]<1，且输出与输入同相，具有电压跟随特性；A 是共射特性，C 中电流放大倍数大，D 中输入电阻高，均错误。 26.共集电路的输入电阻 r_i 计算公式为（ ） A. r_i≈R_B//r_be B. r_i≈R_B//[r_be+(1+β)(R_E//R_L)] C. r_i≈R_C//r_ce D. r_i≈(1+β)(R_E//R_L) 答案：（B） 解析：共集电路输入电流是 I_B，发射极电流 I_E=(1+β) I_B，发射极回路电阻 (R_E//R_L) 折合到基极回路需乘以 (1+β)，因此输入电阻 r_i≈R_B//[r_be+(1+β)(R_E//R_L)]，体现了输入电阻高的特性。 27.共集电路的输出电阻 r_o 主要由（ ）决定 A. 集电极电阻 R_C B. 发射极电阻 R_E C. 基极偏置电阻 R_B D. 三极管 β 和 r_be 答案：（D） 解析：共集电路输出电阻 r_o≈r_be/(1+β)//R_E，通常 R_E 远大于 r_be/(1+β)（因 β 较大时 r_be/(1+β)≈几到几十 Ω），因此 r_o 主要由 r_be 和 β 决定，体现了输出电阻低的特性；A 在共集电路中通常省略，B 影响较小。 28.共集电路作为多级放大电路输出级时，主要目的是（ ） A. 提高电压放大倍数 B. 减小输出电阻，增强带负载能力 C. 增大输入电阻，减小信号源负担 D. 抑制温漂，提高稳定性 答案：（B） 解析：输出级需驱动负载（如扬声器、显示器），共集电路输出电阻低，负载电流变化时输出电压波动小，带负载能力强，这是其作为输出级的核心优势；A、C、D 分别是共射、共集输入级、差动电路的作用。 29.共基放大电路的公共端是（ ） A. 发射极 B. 基极 C. 集电极 D. 发射极和集电极 答案：（B） 解析：共基电路中，输入信号加在发射极与基极之间，输出信号取自集电极与基极之间，基极作为交流信号的公共端（通过旁路电容接地），是其电路结构的核心特征。 30.共基放大电路的核心特性是（ ） A. 电压放大倍数大，电流放大倍数小（α<1） B. 电压放大倍数小，电流放大倍数大（β>1） C. 输入电阻高，输出电阻低 D. 输出与输入反相，适合低频放大 答案：（A） 解析：共基电路电流放大倍数 α=I_C/I_E<1（无电流放大能力），但电压放大倍数 A_V≈α(R_C//R_L)/r_be，因 r_be 很小，A_V 可远大于 1（有电压放大能力）；B、C、D 均错误（共基输入电阻低、输出电阻高，输出与输入同相，适合高频放大）。 31.共基电路与共射电路相比，最显著的优势是（ ） A. 电压放大倍数更大 B. 输入电阻更高 C. 高频性能更好，截止频率更高 D. 带负载能力更强 答案：（C） 解析：共基电路无密勒效应（输入电容不会因电压放大而增大），结电容对高频信号的分流作用弱，截止频率远高于共射电路，适合高频小信号放大；A、B、D 均为共射或共集电路的优势。 32.共基电路中，发射极电阻 R_E 的主要作用是（ ） A. 引入直流负反馈，稳定静态工作点 B. 增大输入电阻 C. 减小输出电阻 D. 实现电流放大 答案：（A） 解析：R_E 串联在发射极回路，通过 I_E 变化调节 V_E，进而稳定 I_B 和 I_C，是共基电路稳定静态工作点的关键元件；B、C、D 与其功能无关（共基电路输入电阻低，无电流放大能力）。 33.共基电路的输入电阻 r_i 计算公式为（ ） A. r_i≈R_E//[r_be/(1+β)] B. r_i≈R_B//[r_be+(1+β)R_E] C. r_i≈R_C//r_ce D. r_i≈r_be/(1+β) 答案：（A） 解析：共基电路输入电流是 I_E，基极电流 I_B=I_E/(1+β)，输入电阻需将基极回路的 r_be 折合到发射极回路（除以 1+β），再与 R_E 并联，故 r_i≈R_E//[r_be/(1+β)]，体现输入电阻低的特性。 34.共基电路的电压放大倍数 A_V 与共射电路相比（ ） A. 更大 B. 更小 C. 相近 D. 无法比较 答案：（C） 解析：共基电路 A_V≈α(R_C//R_L)/r_be≈β(R_C//R_L)/[(1+β) r_be]，共射电路 A_V≈-β(R_C//R_L)/r_be，因 β>>1 时 (1+β)≈β，故两者 A_V 绝对值相近（共基略小），主要区别在于相位（共基同相，共射反相）。 35.共基电路中，若负载电阻 R_L 增大，电路性能变化为（ ） A. 电压放大倍数 A_V 增大，输入电阻 r_i 增大 B. 电压放大倍数 A_V 增大，输入电阻 r_i 不变 C. 电压放大倍数 A_V 减小，输入电阻 r_i 减小 D. 电压放大倍数 A_V 减小，输入电阻 r_i 不变 答案：（B） 解析：A_V≈α(R_C//R_L)/r_be，R_L 增大使 R_C//R_L 增大，A_V 增大；r_i≈R_E//[r_be/(1+β)]，与 R_L 无关，故 r_i 不变，仅 A_V 增大。 36.共基电路作为高频放大电路时，需注意（ ） A. 减小发射极电阻 R_E，降低输入电阻 B. 增大集电极电阻 R_C，提高电压放大倍数 C. 选择结电容小、f_T 高的高频三极管 D. 增加基极偏置电阻 R_B，增大输入电阻 答案：（C） 解析：高频放大需减少结电容对信号的分流作用，选择 f_T 高（高频放大能力强）、结电容小的管子是关键；A、B、D 虽影响电路性能，但并非高频应用的核心注意事项。 37.共基电路与共射电路组成的 “共射 - 共基” 组合电路，主要目的是（ ） A. 提高输入电阻，增强带负载能力 B. 提高电压放大倍数，改善高频性能 C. 抑制温漂，提高稳定性 D. 实现电流放大，增大输出功率 答案：（B） 解析：共射电路提供高电压放大倍数，共基电路改善高频性能（消除密勒效应），组合后既保留高放大倍数，又具备良好的高频响应，适合宽频带放大场景。 38.以下不属于共基电路应用场景的是（ ） A. 高频信号放大（如收音机高频头） B. 电流源电路 C. 电压跟随电路 D. 高频功率放大 答案：（C） 解析：电压跟随是共集电路的特性，共基电路无此功能；A、B、D 均为共基电路的典型应用（高频放大利用其高频性能，电流源利用其恒流特性）。 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $