《电子技术基础》晶体二极管 知识点训练卷 2026版湖北省电气电子类专业 考纲百套卷 第32卷

编写说明：2026版湖北省《电气电子类考纲百套卷》，是依据湖北省职教高考《电气电子类专业知识考试标准》编写，本套试卷共104份，由三个部分组成，第一部分是知识点训练卷，共70份；第二部分是常考题训练卷，共24份；第三个部分是专业综合训练卷，参考历年来电气电子类专业知识真题试卷，编写的10份专业综合训练卷。 本试卷是《电气电子类考纲百套卷》知识点训练卷的第 32卷，按《电子技术基础》中的知识模块1晶体二极管及应用内容要求编写。 2026版湖北省《电气电子类类考纲百套卷》 第 32 卷 知识模块1 晶体二极管及应用 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、判断题（本题共14题，每题2分，共28分） 1.只要二极管加正向电压就会导通。 （ ） 答案：( × ) 解析：二极管的导通需要满足两个核心条件：加正向偏置（阳极电位高于阴极），且正向电压超过死区电压。 2. 当二极管两端电压小于死区电压时，二极管开始导通。 （ ） 答案：( × ) 解析：当二极管两端电压大于死区电压时，二极管才开始导通。 3. 理想二极管导通时相当于开路，截止时相当于短路。 （ ） 答案：( × ) 解析：：理想二极管的特性完全相反。导通时应相当于短路正向电阻为 0，压降为 0）；截止时才相当于开路（反向电阻无穷大，电流为 0）。 4. 二极管的反向电流随温度升高而增大。 （ ） 答案：( √ ) 解析：反向电流主要由少数载流子运动形成，温度升高会使半导体中少数载流子数量大幅增加，导致反向电流随之增大。 5. 二极管按结构形式来分，有点接触型、面接触型和硅平面型几种。 （ ） 答案：( √ ) 解析：这是二极管按结构分类的标准方式。点接触型适用于高频小电流，面接触型适用于低频大电流，硅平面型则常用于集成电路。 6. 二极管的反向特性曲线随温度的升高将向上移动。 （ ） 答案：( √ ) 解析：反向特性曲线纵轴为反向电流，温度升高使反向电流增大，在相同反向电压下，电流值更高，曲线整体向上移动。 7.稳压管是利用PN结的反向击穿特性来实现稳定电压的，正常使用时工作在反向击穿状态。（ ） 答案：( √ ) 解析：稳压管的核心原理是反向击穿后，电流在较大范围内变化时，两端电压基本保持不 因此必须工作在反向击穿区（需串联限流电阻防止烧毁）。 8.光电二极管：将电能转换成光能，它的反向电流与光照强度成正比。 （ ） 答案：( × ) 解析：光电二极管是将光能转化为电能，而非电能转光能，反向电流与光照强度成正比。 9. 因为N型半导体的多子是空穴，所以它带负电。 （ ） 答案：( × ) 解析：N 型半导体的多子是自由电子（空穴是少子），半导体整体呈电中性，无论 N 型还是 P 型，内部正负电荷总数相等，不带电。 10.PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。 ( ) 答案：( × ) 解析：PN 结形成时，内部会产生内电场，即使不加外部电压，内电场也会阻止多子的扩散运动、允许少子的漂移运动，此时已具备单向导电的物理基础，外加电压只是进一步体现或增强这一特性。 11.硅二极管导通时，其两端稳定电压为0.7V。 ( ) 答案：( √ ) 解析：这是硅二极管的典型导通压降。在正常导通电流范围内，其两端电压基本稳定在 0.7V 左右，不受电流小幅变化的影响。 12. 硅二极管的死区电压比锗二极管大。 （ ） 答案：( √ ) 解析：死区电压是二极管开始导通所需的最小正向电压。硅二极管死区电压约为 0.5V，锗二极管约为 0.1V，硅管明显更大。 13. 检波二极管可用于将交流电转换为直流电。 （ ） 答案：( × ) 解析：检波二极管的功能是从高频调幅信号中提取低频调制信号（如收音机中的信号解调）；将交流电转换为直流电的是整流二极管，二者功能不同。 14. 二极管的正反向电阻相差越大，单向导电性越好。 （ ） 答案：( √ ) 解析：正向电阻小、反向电阻大是单向导电性的核心体现。二者差值越大，说明正向导通时电流越容易通过，反向截止时电流越难通过，单向导电性能越优异。 二、单选题（本题共24题，每题3分，共72分） 15. 二极管的主要特性是（ ）。 A. 放大作用 B. 恒温特性 C. 单向导电性 D. 恒流特性 答案：( C ) 解析：二极管的核心特性是单向导电性，仅允许电流从正极流向负极。A 是三极管特性，B、D 并非二极管典型特性。 16.硅二极管的正向导通压降约为（ ）V。 A. 0.1 B. 0.3 C. 0.7 D. 1 答案：( C ) 解析：硅材料二极管的正向导通压降为固定值，约0.7V；锗管约 0.3V，需注意材料差异。 17.二极管加反向电压时，反向电流很大，说明二极管（ ）。 A. 性能好 B. 已被击穿 C. 内部断路 D. 单向导电性差 答案：( B ) 解析：正常反向偏置时二极管电流极小，若反向电流突然增大，说明二极管已被反向击穿，失去单向导电能力。 18.若二极管的正反向电阻都很小，则该二极管（ ）。 A. 正常 B. 内部短路 C. 内部断路 D. 单向导电性好 答案：( B ) 解析：正常二极管正向电阻小、反向电阻大。若正反向电阻均很小，表明内部短路，电流可双向导通。 19.以下关于二极管的说法不正确的是（ ）。 A. 具有单向导电性 B. 正向导通时电流很大 C. 反向截止时电流很小 D. 可用于整流电路 答案：( B ) 解析：二极管正向导通的前提是电压超过死区电压，导通时电流大小由外电路电阻决定，并非 “一定很大”，其他选项均正确。 20.当二极管反向偏置时，（ ）。 A. 正向电流较大 B. 反向电流很小 C. 二极管导通 D. 二极管截止 答案：( D ) 解析：反向偏置时，二极管内部形成阻挡层，处于截止状态，反向电流极小（反向饱和电流），A、B、C 均不符合反向偏置特性。 21.锗二极管的正向导通压降约为（ ）V。 A. 0.1 B. 0.3 C. 0.7 D. 1 答案：( B ) 解析：锗材料二极管的正向导通压降约为0.3V，与硅管（0.7V）是两类二极管的关键参数区别。 22.二极管的反向饱和电流在数值上（ ）。 A.比正向电流大 B.比正向电流小 C.与正向电流相等 D.不确定 答案：( B ) 解析：反向饱和电流是二极管反向截止时的微弱电流，数值远小于正向导通后的电流，两者相差多个数量级。 23.二极管导通的条件是（ ）。 A. 正向偏置 B. 反向偏置 C. 正向电压小于死区电压 D. 反向电压大于击穿电压 答案：( A) 解析：二极管导通需满足两个条件：一是正向偏置（正极接高电位，负极接低电位），二是正向电压超过死区电压，C、D 会导致截止或击穿，B 是截止条件。 24.在 P型半导体中，多数载流子为电子，P型半导体（ ） A、带正电 B、带负电 C、不带电 D、不能确定 答案：( C) 解析：P 型半导体通过掺杂形成多数载流子（空穴），但整体材料中正负电荷总量相等，对外不显电性，A、B 错误。 25.两个硅稳压管，Uz1 = 6V，Uz2=9V, 下面那个不是两者串联时可能得到的稳压值（ ） 。 A. 15 V B. 6.7 V C. 9.7 V D. 3 V 答案：( D) 解析：稳压管串联时，稳压值有三种可能：两管均击穿（6V+9V=15V）、仅 Uz1 击穿（6V+0.7V=6.7V）、仅 Uz2 击穿（9V+0.7V=9.7V）；3V 无任何串联组合可实现，故为答案。12V 9V (c) R V A O 题1.1图 26.在题 1.1 图所示电路中，UA0 电压为（ ） A.12V B.-9V C.-3V D.0V 答案：( A) 解析：根据该图分析该二极管阳极电压为12V,阴极电压为9V，故该二极管属于导通状态，所以UA0 为12V。 27.二极管的反向电阻（ ） 。 A．小 B．大 C．中等 D．为零 答案：( B) 解析：正常二极管反向偏置时，内部阻挡层增厚，电阻极大，反向电流微弱，故反向电阻很大，A、C、D 均不符合实际特性。 28.以下能使二极管导通的情况有（ ）。 A. 硅管加0.7V正向电压 B. 锗管加0.2V正向电压 C. 硅管加0.5V正向电压 D. 锗管加0.1V正向电压 答案：( A) 解析：硅管导通需正向电压≥0.7V（A 满足），锗管需≥0.3V（B、D 均低于 0.3V，不满足），C 中硅管 0.5V 未超过死区电压，无法导通。 29.当二极管两端电压大于死区电压时，二极管（ ）。 A. 截止 B. 导通 C. 烧毁 D. 不变 答案：( B) 解析：死区电压是二极管导通的 “门槛电压”，当正向电压超过死区电压时，阻挡层变薄，二极管开始导通，A、C、D 均不符合该条件下的状态。 30.当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。 A. 左移，下移 B. 右移，上移 C. 左移，上移 D. 右移，下移 答案：( C) 解析：温度升高会导致二极管的死区电压和正向导通压降降低，二极管正向特性和反向特性曲线分别左移，上移。 31.稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。 A. ID = 0 B. ID < IZ且ID > IZM C. IZ > ID > IZM D. IZ < ID < IZM 答案：( D) 解析：稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足IZ < ID < IZM. 32.二极管两端正向电压小于死区电压时，其正向电流（ ） A. 很大 B. 较小 C. 近似为零 D. 随电压线性增长 答案：( C) 解析：当二极管两端的正向电压小于死区电压时，内部的 PN 结电场尚未被显著削弱，多数载流子的扩散运动无法有效克服电场阻碍形成明显电流，因此正向电流近似为零。 33.在25ºC时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，反向饱和电流IS≈0.1pA，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确：（ ）。 A. Uth≈0.525V，IS≈0.05pA B. Uth≈0.525V，IS≈0.2pA C. Uth≈0.475V，IS≈0.05pA D. Uth≈0.475V，IS≈0.2pA 答案：( B) 解析：温度每升高 1℃，二极管的死区电压（Uth）约降低 2-.2.5mv,本题中温度从 25℃升高到 35℃，温差为 10℃,按每℃降低 2.5mV 计算，Uth 总共降低 10℃×2.5mV/℃=25mV=0.025V,原 Uth≈0.5V，因此 35℃时 Uth≈0.5V - 0.025V=0.475V，排除选项 A、B. 34.测量二极管正向电阻时，若万用表红表笔接二极管负极、黑表笔接正极，测量结果会（ ） A. 偏小（正确正向电阻） B. 偏大（接近反向电阻） C. 为零 D. 无穷大 答案：( B) 解析：万用表欧姆档的红表笔接内部电池负极，黑表笔接内部电池正极。 35.二极管反向偏置时，下列说法正确的是（ ） A. 电流从正极流向负极 B. 反向电流随反向电压增大而急剧增大 C. 反向电流基本不变（未击穿前） D. 二极管处于导通状态 答案：(C) 解析：未击穿前，反向电流主要是反向饱和电流，其大小基本不随反向电压变化（仅受温度影响），因此选项 C 正确,选项 A 错误，反向偏置时电流几乎为零，且方向并非从正极流向负极；选项 B 错误，反向电压未超过击穿电压时，电流不会急剧增大；选项 D 错误，反向偏置时二极管处于截止状态，而非导通. 36.某电路中，二极管两端加 10V 反向电压时电流极小，加 15V 反向电压时电流突然增大，说明该二极管的反向击穿电压约为（ ） A. 10V B. 12.5V C. 15V D. 无法确定 答案：(C) 解析：反向击穿电压是二极管反向电流从 “极小” 突然转为 “急剧增大” 时的临界电压,加 10V 反向电压时电流极小，说明未击穿；加 15V 时电流突然增大，表明此时达到反向击穿电压，因此该二极管的反向击穿电压约为 15V. 37.反向饱和电流的大小与（ ）关系最密切 A. 正向电压 B. 反向电压（未击穿前） C. 环境温度 D. 限流电阻 答案：(C) 解析：反向饱和电流的大小主要由半导体材料的载流子浓度决定，而载流子浓度受环境温度影响极大。 38.两个相同的硅二极管串联，正向导通时总压降约为（ ） A. 0.3V B. 0.7V C. 1.4V D. 2.0V 答案：(C) 解析：单个硅二极管的正向导通压降约为 0.7V，串联电路中总压降等于各二极管压降之和。 两个相同硅二极管正向导通时，总压降为 0.7V + 0.7V = 1.4V,故选C. 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：2026版湖北省《电气电子类考纲百套卷》，是依据湖北省职教高考《电气电子类专业知识考试标准》编写，本套试卷共104份，由三个部分组成，第一部分是知识点训练卷，共70份；第二部分是常考题训练卷，共24份；第三个部分是专业综合训练卷，参考历年来电气电子类专业知识真题试卷，编写的10份专业综合训练卷。 本试卷是《电气电子类考纲百套卷》知识点训练卷的第 32 卷，按《电子技术基础》中的知识模块1晶体三极管内容要求编写。 2026版湖北省《电气电子类类考纲百套卷》 第 32 卷 知识模块 1 晶体二极管及应用 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、判断题（本题共14题，每题2分，共28分） 1.只要二极管加正向电压就会导通。（ ） 2.当二极管两端电压小于死区电压时，二极管开始导通。（ ） 3.理想二极管导通时相当于开路，截止时相当于短路。（ ） 4.二极管的反向电流随温度升高而增大。（ ） 5.二极管按结构形式来分，有点接触型、面接触型和硅平面型几种。（ ） 6.二极管的反向特性曲线随温度的升高将向上移动。（ ） 7.稳压管是利用PN结的反向击穿特性来实现稳定电压的，正常使用时工作在反向击穿状态。（ ） 8.光电二极管：将电能转换成光能，它的反向电流与光照强度成正比。（ ） 9. 因为N型半导体的多子是空穴，所以它带负电。 （ ） 10.PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。( ) 11.硅二极管导通时，其两端稳定电压为0.7V。( ) 12. 硅二极管的死区电压比锗二极管大。（ ） 13. 检波二极管可用于将交流电转换为直流电。（ ） 14. 二极管的正反向电阻相差越大，单向导电性越好。（ ） 二、单选题（本题共24题，每题3分，共72分） 15.二极管的主要特性是（ ）。 A. 放大作用 B. 恒温特性 C. 单向导电性 D. 恒流特性 16.硅二极管的正向导通压降约为（ ）V。 A. 0.1 B. 0.3 C. 0.7 D. 1 17.二极管加反向电压时，反向电流很大，说明二极管（ ）。 A. 性能好 B. 已被击穿 C. 内部断路 D. 单向导电性差 18.若二极管的正反向电阻都很小，则该二极管（ ）。 A. 正常 B. 内部短路 C. 内部断路 D. 单向导电性好 19.以下关于二极管的说法不正确的是（ ）。 A. 具有单向导电性 B. 正向导通时电流很大 C. 反向截止时电流很小 D. 可用于整流电路 20.当二极管反向偏置时，（ ）。 A. 正向电流较大 B. 反向电流很小 C. 二极管导通 D. 二极管截止 21.锗二极管的正向导通压降约为（ ）V。 A. 0.1 B. 0.3 C. 0.7 D. 1 22.二极管的反向饱和电流在数值上（ ）。 A.比正向电流大 B.比正向电流小 C.与正向电流相等 D.不确定 23.二极管导通的条件是（ ）。 A. 正向偏置 B. 反向偏置 C. 正向电压小于死区电压 D. 反向电压大于击穿电压 24.在 P型半导体中，多数载流子为电子，P型半导体（ ） A、带正电 B、带负电 C、不带电 D、不能确定 25.两个硅稳压管，Uz1 = 6V，Uz2=9V, 下面那个不是两者串联时可能得到的稳压值（ ） 。 A. 15 V B. 6.7 V C. 9.7 V D. 3 V 26.在题 1.1 图所示电路中，UA0 电压为（ ） A.12V B.-9V C.-3V D.0V 27.二极管的反向电阻（ ） 。 A．小 B．大 C．中等 D．为零 28.以下能使二极管导通的情况有（ ）。 A. 硅管加0.7V正向电压 B. 锗管加0.2V正向电压 C. 硅管加0.5V正向电压 D. 锗管加0.1V正向电压 29.当二极管两端电压大于死区电压时，二极管（ ）。 A. 截止 B. 导通 C. 烧毁 D. 不变 30.当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。 A. 左移，下移 B. 右移，上移 C. 左移，上移 D. 右移，下移 31.稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。 A. ID = 0 B. ID < IZ且ID > IZM C. IZ > ID > IZM D. IZ < ID < IZM 32.二极管两端正向电压小于死区电压时，其正向电流（ ） A. 很大 B. 较小 C. 近似为零 D. 随电压线性增长 33.在25ºC时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，反向饱和电流IS≈0.1pA，则在35ºC时，下列哪组数据可能正确：（ ）。 A Uth≈0.525V，IS≈0.05pA B Uth≈0.525V，IS≈0.2pA C Uth≈0.475V，IS≈0.05pA D Uth≈0.475V，IS≈0.2pA 34.测量二极管正向电阻时，若万用表红表笔接二极管负极、黑表笔接正极，测量结果会（ ） A. 偏小（正确正向电阻） B. 偏大（接近反向电阻） C. 为零 D. 无穷大 35.二极管反向偏置时，下列说法正确的是（ ） A. 电流从正极流向负极 B. 反向电流随反向电压增大而急剧增大 C. 反向电流基本不变（未击穿前） D. 二极管处于导通状态 36.某电路中，二极管两端加 10V 反向电压时电流极小，加 15V 反向电压时电流突然增大，说明该二极管的反向击穿电压约为（ ） A. 10V B. 12.5V C. 15V D. 无法确定 37.反向饱和电流的大小与（ ）关系最密切 A. 正向电压 B. 反向电压（未击穿前） C. 环境温度 D. 限流电阻 38.两个相同的硅二极管串联，正向导通时总压降约为（ ） A. 0.3V B. 0.7V C. 1.4V D. 2.0V 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $