专题02 晶胞参数计算与原子坐标分析 （重难点训练）化学人教版选择性必修2

命学科网 www.zxxk.com 让教与学更高效 专题02 晶胞参数计算与原子坐标分析 题组A 精准突破 建议时间：15分钟 突破一晶胞密度计算 1.金属镍与镧(L)形成的合金是一种良好的储氢材料，其晶胞结构示意图及晶胞参数如下图所示。该晶体的 化学式为；晶体密度为】 g·cm3(列出含a、b、W的计算表达式，Na表示阿伏加德罗常数的 值)。 b pm ●-Ni 60 a pm ○-La a pm 2.已知C60分子结构和C6晶胞示意图（如图1、图2所示）： apm 图1C分子结构 图1C,晶胞示意图 则一个C60分子中含有o键的个数为 _,C6晶体密度的计算式为】 gcm3(W4为阿伏加 德罗常数的值) 突破二晶胞原子间距离计算 3.FeS2(其中Fe为+2价)的晶胞如图所示，其形状为立方体，边长为a=541nm(1nm=10°m)。 (1)以下关于FeS,说法错误的是 A.FeS,中正负离子的排列与Nac1中的基本相同 扇学科网 www.zxxk.com 让教与学更高效 B.FeS,中正离子处于负离子所形成的八面体的中心 C.FeS,晶体中只存在离子键 D.FeS2晶胞中与Fe2+紧邻的Fe2+有12个 (2)计算晶胞中相邻Fe2+间的最近距离为 nm(精确至整数)。 4.硫化锂L2S(摩尔质量Mgo)的纳米晶体是开发先进锂电池的关键材料，硫化锂的晶体为反萤石结构， 其晶胞结构如图。若硫化锂晶体的密度为gm3,则距离最近的两个s2的距离是 nm。(用含a、M、 Na的计算式表示) ●X OY 突破三晶胞中原子比例计算 5.由L、A1、Si构成的某三元化合物固态晶胞结构如图所示： ●Li Z ○A1 o Si (0,0,0) X 下列说法错误的是 A.晶体中Li、A1、Si三种微粒的比例为1：1：1 B.图中所指Si原子的坐标为(，4,4） 331、 C.晶体中与每个A1紧邻的Li为6个，与每个Si紧邻的Si为12个 D.晶体中A1和Li构成CsCI型晶体结构，晶体中A1和Si构成金刚石型晶体结构 6.已知Fe.O晶体的晶胞结构为NaCl型（如图所示），因晶体缺陷，x=O.86,测得Fe,O的边长为apm。下列 说法错误的是 命学科网 www.zxxk.com 让教与学更高效 Na 29 A.若晶体中的Fe分别为Fe2+和Fe3+,在Fe2+和Fe3+总数中，Fe3+所占比例为 3 B.形成该晶体的化学键无方向性和饱和性 (0.86×56+16)×4 C.该晶体的密度为 a'×Na ×1030gcm-3 D.FeO属于离子化合物 突破四晶胞坐标计算 7.铁氮化合物(Fe,N,)在磁记录材料领域有着广泛的应用前景，一种Fe,N,的晶胞结构如图所示，设Na为阿 伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 ●-Fe -N M(0,0.0) FeN,晶胞 A.基态铁原子核外电子的空间运动状态有15种 B.该晶胞中氨原子的分数坐标为2'22 111 C.该晶胞中氮原子的配位数为6 2.38×1023 D.该FeN,晶体密度为 a.Ng.cm3 8.氮化镓是具有优异光电性能的第三代半导体材料，其晶胞结构与金刚石类似，晶胞边长为apm,Na为阿 伏加德罗常数的值。下列说法正确的是 OGa原子●N原子 命学科网 www.zxxk.com 让教与学更高效 A.X原子的分数坐标为 311 4'44 B.与Ga原子相邻且最近的Ga原子个数为6 C.Ga原子与N原子间的最短距离为 apm 晶胞密度为 .36×102 D. aN g.cm 题组B 综合提升 建议时间：20分钟 1.某物质的晶体中含有A、B、C三种元素，其排列方式如图所示（其中前后两面面心中的B元素的原子未 能画出)。则晶体中A、B、C的原子个数比为 oA ·B oC A.1:3:1 B.2:3:1 C.2:2:1 D.1:3:3 2.磷化硼是一种超硬耐磨涂层材料，其结构与金刚石类似，磷化硼的晶体结构如图所示。 b(1,1,1) OB ●P a (0,0,0) 己知：①以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置，称作原子的分数坐标：②设 该晶胞的参数为dnm。 下列说法不正确的是 A.磷化硼晶胞中B原子的配位数为4 B.c原子的分数坐标为 313 44'4 c.该晶胞中P与B原子的最近距离为5dnm 4 1 D.磷化硼晶胞沿z轴方向上的投影图为 3.如图所示是某共价晶体A的空间结构片段，A与某物质B反应生成C,其实质是在每个A一A中插入一 个B原子，则C物质的化学式可能为 学科网 www.zxxk.com 让教与学更高效 A.AB B.AsBa C.AB2 D.A2Bs 4.制造硼合金的原料硼化钙晶胞结构及其沿z轴方向的投影图如图所示，硼原子全部组成B正八面体，各 个顶点通过B一B键互相连接成三维骨架。已知该晶体晶胞参数为anm,B八面体中B一B键的键长为dnm, 222设N为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是 111 Ca原子的坐标参数为 ●Ca 0 a nm- 晶胞结构 沿z轴方向投影图 A.硼化钙的化学式为CaBs B.Ca的配位数为16 C.该晶体的密度为aN 106 g/cm3 D.N点的坐标参数为 d.0,0 5.金刚砂的晶胞结构如图所示，下列说法正确的是 ●Si oc (0.0.0) (1,0,0) 己知：Na为阿伏加德罗常数的值，晶胞的边长为apm。 333 A.a原子的坐标参数为 4'44) B,熔点：晶体硅>金刚砂>金刚石 C.晶胞中离得最近的Si原子与C原子的距离是V3a 10-0cm 4 D.金刚砂硬度大，在较大外力的锤击下，化学键不发生断裂 学科网 www.zxxk.com 让教与学更高效 6.储氢材料MgH2的晶胞结构如图所示，己知MgH2的摩尔质量为Mg/mol,阿伏加德罗常数的值为Na。 下列说法正确的是 ↑z 90y 90° 90° cnm OMg2+ anm ○H anm A.Mg2(①和Mg2*m之间的距离为Va+c2 2 nm 2M B.晶体密度的计算式为N,a。g/cm C.H的配位数为3 D.晶胞中含有2个H 7.硒化铟类晶体，具有优良的塑性和电学性能，一种C掺杂晶体的结构如图，阿伏加德罗常数的值为N4 ,下列说法不正确的是 ●Cu OIn OSe bpm a pm a pm 1348 A.晶体密度： a'bx N x103 g/cm3 B.Cu周围最近且等距的In个数：8 C.Se与Se最短的距离： D.Se在元素周期表中的位置：第四周期，第VIA族 8.铈的某种氧化物是汽车尾气净化催化剂的关键成分，其晶体结构如图1所示，下列说法正确的是 函学科网 www zxxk com 让教与学更高效 甲o ●OoCe 图1 图2 A.该晶胞中Ce+的配位数为4 B.若沿z轴向y平面投影，则其投影图如图2所示 C.晶胞中甲的原子分数坐标为0,0,0)，则乙的原子分数坐标为 133 444 D.该氧化物中铈元素的化合价为+4 9.某种金属卤化物无机钙钛矿的晶胞结构如图所示，晶胞的边长为apm,则该物质的化学式为 ;晶体中Pb2+与Cs+最短距离为 pm;晶体的密度p gcm3(设阿伏加德罗常数的 值为N4,用含a、Na的代数式表示；可能用到的相对原子质量：Cs-133Pb-207I-127) OCs" ● 4Pb2+ l0.一种含Ga、Ni、Co元素的记忆合金的晶体结构可描述为Ga与Ni交替填充在Co构成的立方体体心， 形成如图所示的结构单元。该合金的晶胞中，粒子个数最简比Co:Ga:Ni= ,其立方晶胞的体 积为 m3。 Co Ga Ni nm nm 题组C 高考探源 建议时间：5分钟 1. (2025广西高考真题)Mg-Z型晶态半导体材料由Mg与碳族元素()形成，其立方晶胞结构如图。已 知：晶胞参数a(Mg-Si)=634pm,a(Mg-Ge)=639pm。下列说法正确的是 ●Mg A. 与Z紧邻的Mg有4个 学科网 www.zxxk.com 让教与学更高效 B.晶胞内Mg之间最近的距离为2。 C.晶胞密度：p(Mg-Ge)>p(Mg-Si) D.若Mg-Sn晶胞顶点Sm替换为Ge,则SD-{ n(Ge)3 2.(2025江西·高考真题)C02晶格中的O被去除，产生一个氧空位(V。),V。相对原点的分数坐标为 131） 444 则图中Ce+的分数坐标分别为 ●O Ce a.2 B.(2.0.2-d.0.0 c.（5o3 D.(50 专题02 晶胞参数计算与原子坐标分析 建议时间：15分钟 突破一 晶胞密度计算 1. 金属镍与镧(La)形成的合金是一种良好的储氢材料，其晶胞结构示意图及晶胞参数如下图所示。该晶体的化学式为 ；晶体密度为 g⋅cm-3(列出含a、b、的计算表达式，表示阿伏加德罗常数的值)。 【答案】 LaNi5 【解析】据“均摊法”，晶胞中含个Ni、个La，则该晶体的化学式为LaNi5；晶体密度为。 2. 已知C60分子结构和C60晶胞示意图(如图1、图2所示)： 则一个C60分子中含有σ键的个数为 ，C60晶体密度的计算式为 g·cm-3.(NA为阿伏加德罗常数的值) 【答案】 90 【解析】根据C60分子结构，C60分子中1个碳原子有2个C—C键、1个“C=C”，根据均摊法，一个碳原子真正含有的σ键的个数为，即一个C60分子中含有σ键的个数为60×=90；晶胞中C60的个数为8×＋6×=4，晶胞的质量为，晶胞的体积为(a×10-10)3 cm3=a3×10-30 cm3，根据密度的定义，晶胞的密度计算式为 突破二 晶胞原子间距离计算 3. (其中为价)的晶胞如图所示，其形状为立方体，边长为()。 （1）以下关于说法错误的是___________。 A．中正负离子的排列与中的基本相同 B．中正离子处于负离子所形成的八面体的中心 C．晶体中只存在离子键 D．晶胞中与紧邻的有12个 （2）计算晶胞中相邻间的最近距离为 (精确至整数)。 【答案】（1）C （2）383 【解析】（1）A．FeS2晶胞中正负离子排列和NaCl晶胞相同，均为面心立方堆积，A正确； B．亚铁离子处于与其距离最近的6个离子构成的正八面体中心，B正确； C．阴离子中存在S-S共价键，C错误； D．以侧面面心的亚铁离子为例，离其最近的亚铁离子个数为4+4+4=12个，D正确， 故选C。 （2）相邻Fe2+最近的距离为面对角线的一半，值为。 4. 硫化锂Li2S(摩尔质量Mg∙mol-1)的纳米晶体是开发先进锂电池的关键材料，硫化锂的晶体为反萤石结构，其晶胞结构如图。若硫化锂晶体的密度为ag∙cm-3，则距离最近的两个S2-的距离是 nm。(用含a、M、NA的计算式表示) 【答案】 【解析】由晶胞结构可知，X原子个数为：，Y原子个数为：8，所以X为S2-，Y为Li+， 设晶胞的边长为bcm，，cm，距离最近的两个S2-的是面对角线的一半，面对角线为，则距离最近的两个S2-的距离为nm。 突破三 晶胞中原子比例计算 5. 由Li、Al、Si构成的某三元化合物固态晶胞结构如图所示： 下列说法错误的是 A．晶体中Li、Al、Si三种微粒的比例为1：1：1 B．图中所指Si原子的坐标为(，，) C．晶体中与每个Al紧邻的Li为6个，与每个Si紧邻的Si为12个 D．晶体中Al和Li构成CsCl型晶体结构，晶体中Al和Si构成金刚石型晶体结构 【答案】D 【解析】A．该晶胞中，Li原子个数==4，Al原子个数==4，Si原子个数=4，原子个数比为1:1:1，A正确； B．根据晶胞结构图可得，图中所指原子的坐标为，B正确； C．根据晶胞结构图可得，晶体中与每个Al距离最近的Li为6个，与每个Si距离最近的Si为12个，C正确； D．晶体中Al和Li构成NaCl型骨架，而CsCl型为体心结构；晶体中Al、Si构成正四面体型结构，与金刚石型的结构相同，D错误。 故选D。 6. 已知FexO晶体的晶胞结构为NaCl型(如图所示)，因晶体缺陷，x=0.86，测得FexO的边长为apm。下列说法错误的是 A．若晶体中的Fe分别为Fe2+和Fe3+，在Fe2+和Fe3+总数中，Fe3+所占比例为 B．形成该晶体的化学键无方向性和饱和性 C．该晶体的密度为×1030g•cm-3 D．FexO属于离子化合物 【答案】A 【解析】A．设晶体中Fe3+的个数为x，则Fe2+的个数为0.86-x，根据正负化合价代数和为0，有3x+2(0.86-x)=2，则x=0.28，则Fe3+所占的比例为，故A错误； B．形成该晶体的化学键是离子键，离子键没有方向性和饱和性，故B正确； C．该晶体中有4个FexO，则一个晶胞的质量为g，一个晶胞的体积为(a×10-10)3cm3，则该晶体密度为×1030g•cm-3，故C正确； D．FexO晶体的晶胞结构为NaCl型，NaCl是离子化合物，则FexO也是离子化合物，故D正确； 故选A。 突破四 晶胞坐标计算 7. 铁氮化合物()在磁记录材料领域有着广泛的应用前景，一种的晶胞结构如图所示，设为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．基态铁原子核外电子的空间运动状态有15种 B．该晶胞中氮原子的分数坐标为 C．该晶胞中氮原子的配位数为6 D．该晶体密度为 【答案】D 【解析】A．基态Fe原子的核外电子排布为1s22s22p63s23p63d64s2，电子的空间运动状态由轨道决定，s轨道1种、p轨道3种、d轨道5种，共15种，A正确； B．由晶胞结构可知，N原子位于晶胞体心位置，故氮原子的分数坐标为，B正确； C．N原子周围直接相连的Fe原子有6个（上下、左右、前后各1个），故配位数为6，C正确； D．晶胞中Fe原子数：，晶胞中N原子数：1，，D错误； 故选D。 8. 氮化镓是具有优异光电性能的第三代半导体材料，其晶胞结构与金刚石类似，晶胞边长为a pm，为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是 A．X原子的分数坐标为 B．与Ga原子相邻且最近的Ga原子个数为6 C．Ga原子与N原子间的最短距离为 D．晶胞密度为 【答案】D 【解析】A．X原子为N原子，位于轴的处，位于轴的处，位于轴的处，则X原子的分数坐标为：()，A错误； B．由晶胞结构可知，Ga原子位于晶胞的顶点和面心（面心立方堆积），面心立方结构中，与Ga原子相邻且最近的Ga原子个数为12，B错误； C．Ga与N原子间的最短距离为晶胞体对角线的1/4，体对角线长度为 pm，故最短距离为 pm，C错误； D．由晶胞结构可知，晶胞中Ga原子个数：，N原子在晶胞内部，则N原子个数为4，晶胞质量为，D正确； 故选D。 建议时间：20分钟 1．某物质的晶体中含有A、B、C三种元素，其排列方式如图所示(其中前后两面面心中的B元素的原子未能画出)。则晶体中A、B、C的原子个数比为 A．1∶3∶1 B．2∶3∶1 C．2∶2∶1 D．1∶3∶3 【答案】A 【解析】如图所示，A位于晶胞顶点，个数为8×=1，B位于晶胞面心，个数为6×=3，C位于晶胞内部，个数为1，A、B、C原子个数比为1：3：1，故答案为A。 2．磷化硼是一种超硬耐磨涂层材料，其结构与金刚石类似，磷化硼的晶体结构如图所示。 已知：①以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置，称作原子的分数坐标；②设该晶胞的参数为d nm。 下列说法不正确的是 A．磷化硼晶胞中B原子的配位数为4 B．c原子的分数坐标为 C．该晶胞中P与B原子的最近距离为d nm D．磷化硼晶胞沿z轴方向上的投影图为 【答案】D 【解析】A．磷化硼中B原子与周围4个P原子形成共价键，配位数为4，A正确； B．由a和b原子的分数坐标可知，c原子的分数坐标为（），B正确； C．P与B原子的最近距离为晶胞体对角线的，体对角线长度为d nm，故该晶胞中P与B原子的最近距离为 nm，C正确； D．沿z轴投影时，P原子（面心立方）投影在顶点、面心和边中点，B原子（内部4个）投影在（，）、（）、（）、（），而非中心位置，D错误； 故答案选D。 3．如图所示是某共价晶体A的空间结构片段，A与某物质B反应生成C，其实质是在每个A—A中插入一个B原子，则C物质的化学式可能为 A．AB B．A5B4 C．AB2 D．A2B5 【答案】C 【解析】每个A原子形成4个键，每个A—A键中插入一个B原子，每个B原子形成2个键，故C物质中每个A原子形成4个A—B键，每个B原子形成2个B—A键，则A、B原子个数比为1∶2，所以其化学式可能是； 故本题选C。 4．制造硼合金的原料硼化钙晶胞结构及其沿z轴方向的投影图如图所示，硼原子全部组成B正八面体，各个顶点通过B—B键互相连接成三维骨架。已知该晶体晶胞参数为a nm，B八面体中B—B键的键长为d nm，Ca原子的坐标参数为，设为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是 A．硼化钙的化学式为 B．Ca的配位数为16 C．该晶体的密度为 D．N点的坐标参数为 【答案】D 【解析】A．由题意可知，硼原子组成的正八面体的化学式为，由晶胞结构可知，晶胞中位于体心的钙原子个数为1，位于顶点的正八面体的个数为，则硼化钙的化学式为，A错误； B．由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点的正八面体中都有3个硼原子与钙原子的距离最近，共有24个，则钙原子的配位数为24，B错误； C．该晶体晶胞参数为a nm，则晶体的密度为：，C错误； D．由晶胞结构可知，晶胞中N点所在的正八面体的体心为原点坐标，硼硼键的键长为d nm，N点到原点的距离为，晶胞参数为a nm，钙原子的坐标参数为，则N点在x轴的坐标为，所以N点的坐标参数为，D正确； 故答案为：D。 5．金刚砂的晶胞结构如图所示，下列说法正确的是 已知：为阿伏加德罗常数的值，晶胞的边长为a pm。 A．a原子的坐标参数为() B．熔点：晶体硅>金刚砂>金刚石 C．晶胞中离得最近的Si原子与C原子的距离是 D．金刚砂硬度大，在较大外力的锤击下，化学键不发生断裂 【答案】C 【解析】A．根据图像中坐标系的建立情况，a原子在x、y、z轴上的投影分别为，坐标参数为，故A错误； B．晶体硅、金刚砂(SiC)、金刚石都是共价晶体，键长C-C<C-Si<Si-Si，键能金刚石>金刚砂>晶体硅，故熔点金刚石>金刚砂>晶体硅，故B错误； C．该晶胞中离得最近的Si原子与C原子位于体对角线的，即距离为，故C正确； D． 金刚砂中只含有共价键，硬度大，在较大外力的锤击下，共价键将发生断裂，故D错误； 故答案选C。 6．储氢材料的晶胞结构如图所示，已知的摩尔质量为M g/mol，阿伏加德罗常数的值为。下列说法正确的是 A．(i)和(ii)之间的距离为 B．晶体密度的计算式为 C．的配位数为3 D．晶胞中含有2个 【答案】C 【解析】A．(i)和(ii)之间的距离为晶胞体对角线的一半，则两点距离为，A错误； B．该晶胞的体积为，的个数为，的个数为，一个晶胞中含有2个，故晶体密度为，选项中未包含单位转换，表达式不完整，B错误； C．由图可知，与距离最近且相等的的个数为3，的配位数为3，C正确； D．晶胞中含有的个数为，D错误； 故答案选C。 7．硒化铟类晶体，具有优良的塑性和电学性能，一种Cu掺杂晶体的结构如图，阿伏加德罗常数的值为NA，下列说法不正确的是 A．晶体密度： g/cm3 B．Cu周围最近且等距的In个数：8 C．Se与Se最短的距离： D．Se在元素周期表中的位置：第四周期，第ⅥA族 【答案】C 【解析】A．由均摊法可知，该结构中含Cu原子数为，含In原子个数为，含Se原子个数为8，则晶体密度为，A正确； B．根据晶体结构图可知，以位于体心的Cu原子为例，离Cu周围最近且等距的In个数为8，B正确； C．由图可知，Se与Se最短的距离为下底面对角线长的一半，即，C错误； D．Se为34号元素，电子层数为4，最外层电子数为6，则Se在元素周期表中的位置为：第四周期，第ⅥA族，D正确； 故选C。 8．铈的某种氧化物是汽车尾气净化催化剂的关键成分，其晶体结构如图1所示，下列说法正确的是 A．该晶胞中的配位数为4 B．若沿轴向平面投影，则其投影图如图2所示 C．晶胞中甲的原子分数坐标为，则乙的原子分数坐标为 D．该氧化物中铈元素的化合价为+4 【答案】D 【解析】A．配位数是指离子周围最近邻的异号离子数目。该晶胞中Cen+（白球）周围最近邻的O2-（黑球）数目为8，A错误； B．沿z轴向xy平面投影时，图2未正确反映所有O的投影位置（图2中心处应还有O的投影），应该为，则B错误； C．原子分数坐标以晶胞参数为单位1，甲为(0，0，0)（顶点），乙为四面体空隙中的O原子，其坐标应为(3/4，3/4，1/4)，C错误； D．通过均摊法计算，一个晶胞中Ce（白球）数目为，O（黑球）个数为8，个数比为1：2，所以氧化物化学式为CeO2，Ce元素化合价为+4，D正确； 答案选D。 9．某种金属卤化物无机钙钛矿的晶胞结构如图所示，晶胞的边长为a pm，则该物质的化学式为 ；晶体中Pb2＋与Cs＋最短距离为 pm；晶体的密度ρ= g·cm-3(设阿伏加德罗常数的值为NA，用含a、NA的代数式表示；可能用到的相对原子质量： Cs-133　Pb-207　I-127) 【答案】 CsPbI3 【解析】Cs＋位于顶角，个数为8×=1；I-位于面心，个数为6×=3，Pb2＋有1个位于体心，则该晶胞的化学式为CsPbI3，晶体中Pb2＋与Cs＋最短距离为体对角线长的一半，即为 pm；晶胞质量为 g，晶胞体积为(a×10-10)3 cm3，则晶体密度为 g·cm-3. 10．一种含Ga、Ni、Co元素的记忆合金的晶体结构可描述为与Ni交替填充在Co构成的立方体体心，形成如图所示的结构单元。该合金的晶胞中，粒子个数最简比Co：Ga：Ni= ，其立方晶胞的体积为 nm3。 【答案】 2：1：1 8a3 【解析】合金的晶体结构可描述为Ga与Ni交替填充在Co构成的立方体体心，形成如图所示的结构单元，取Ga为晶胞顶点，晶胞面心也是Ga，Ni处于晶胞棱心和体心，Ga和Ni形成类似氯化钠晶胞的结构，晶胞中Ga和Ni形成的8个小正方体体心为Co，故晶胞中Ga、Ni个数为4，Co个数为8，粒子个数最简比Co:Ga:Ni=2:1:1，晶胞棱长为两个最近的Ga之间（或最近的Ni之间）的距离，为2a nm，故晶胞的体积为8a3 nm，答案为：2：1：1；8a3。 建议时间：5分钟 1．（2025·广西·高考真题）型晶态半导体材料由与碳族元素形成，其立方晶胞结构如图。已知：晶胞参数。下列说法正确的是 A．与Z紧邻的有4个 B．晶胞内之间最近的距离为 C．晶胞密度： D．若晶胞顶点替换为，则 【答案】C 【解析】A．假设Z形成面心立方结构，每个Z原子周围有8个四面体空隙（填充Mg），故与Z紧邻的Mg有8个，A错误； B．Mg位于四面体空隙，最近Mg-Mg距离为晶胞边长的，晶胞内之间最近的距离为，B错误； C．密度公式，Mg-Ge中M(Z)=73、a=639 pm，计算出ρ(Mg-Ge)=，Mg-Si中M(Z)=28、a=634 pm，计算出ρ(Mg−Si)=，故ρ(Mg−Ge)>ρ(Mg−Si)，C正确； D．Z（Sn）在晶胞中顶点（8个）和面心（6个），仅替换顶点时，Sn在晶胞中的个数为，Ge在晶胞中的个数为，则，D错误； 故选C。 2．（2025·江西·高考真题）晶格中的O被去除，产生一个氧空位()，相对原点的分数坐标为，则图中的分数坐标分别为 A． B． C． D． 【答案】D 【解析】由晶胞结构可知，相对原点的分数坐标为，则坐标原点为，位于面心，位于底面面心的分数坐标为，位于侧面面心的分数坐标为，故选D。 / 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $