《计算机原理》存储系统-知识点训练卷 2026版江苏省《计算机类专业考纲百套卷》第9卷

编写说明：2026版江苏省《计算机类专业考纲百套卷》，依据江苏省计算机类专业综合理论考试大纲编写。本专辑共110份试卷两部分组成，第一部分是按考纲的考点要求编写的75份知识点训练卷，第二部分是针对5门课程的掌握要求，编写的25份常考题训练卷。第三部分是综合模拟卷，参考历年来计算机类专业理论考试真题试卷，编写的10份专业综合训练卷。 本试卷是2026版江苏省《计算机类专业考纲百套卷》的第9卷，是知识点训练卷。按“计算机原理”考试纲要内容编写，具体知识点内容如下： 五、存储系统 1、 掌握存储器的分类和技术指标； 2、 掌握随机读写存储器的工作特征； 3、 了解存储器的分级结构。 2026版江苏省《计算机类专业考纲百套卷》第9卷 《计算机原理》 存储系统 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单项选择题（本大题共20小题，每小题3分，共60分） 1. 固态硬盘的存储介质主要有两种：DRAM和（ ） A.硒鼓 B.磁盘片 C. Flash 芯片 D.聚碳酸酯片基 答案：C 2.硬盘分区表格式中，支持主分区数最多的是（ ） A. GPT B. SSD C. MBR D. BIOS 答案：A 3.关于随机存取存储器的描述，正确的是（ ） A. 只能读出不能写入 B. 存取时间与地址位置无关 C. 信息断电后不丢失 D. 属于非易失性存储器 答案：B 4.动态RAM需要定期刷新的原因是（ ） A. 防止数据冲突 B. 电容电荷会泄漏 C. 地址译码器失效 D. 控制逻辑需要复位 答案：B 5.掩膜式ROM的信息写入方式为（ ） A. 用户可编程 B. 紫外线擦除 C. 厂家光刻固化 D. 电信号改写 答案：C 6.PROM的熔断器烧断后表示存储的信息为（ ） A. 0 B. 1 C. 高阻态 D. 无效状态 答案：A 6.EEPROM的突出特点是（ ） A. 只能整体擦除 B. 擦写需专用设备 C. 存取速度最快 D. 可字节级擦写 答案：D 7.存储器的存取时间是指（ ） A. 连续两次读操作间隔 B. 从输入到输出时间 C. 刷新周期长度 D. 芯片寿命周期 答案：B 8.铁电存储器结合了（ ） 两种存储器的优点 A. RAM和ROM B. SRAM和DRAM C. PROM和EPROM D. Cache和Flash 答案：A 9.若DRAM刷新周期过长，可能导致( ) A. 存取速度下降 B. 功耗增加 C. 数据丢失 D. 地址译码错误 答案：C 10.EEPROM的字节擦除操作需要（ ） A. 高电平数据信号 B. 紫外线照射 C. 整体复位 D. 专用编程器 答案：A 11.FRAM在工业控制中的优势不包括( ) A. 无限次写入 B. 高抗干扰性 C. 无需后备电池 D. 成本低于DRAM 答案：D 12.下列存储器中，属于非易失性且可字节编程的是( ) A. 掩膜ROM B. PROM C. EPROM D. EEPROM 答案：D 13.FRAM的写入操作与EEPROM相比，主要改进是( ) A. 无需擦除直接写 B. 需高压编程 C. 速度慢但可靠 D. 仅支持整体写 答案：A 14.DRAM刷新逻辑的缺失会导致( ) A. 数据永久丢失 B. 地址译码错误 C. 功耗激增 D. 总线冲突 答案：A 15.关于半导体存储器的“存储周期”，下列说法错误的是( ) A. 包含存取时间和恢复时间 B. 决定存储器最大工作频率 C. 通常小于存取时间 D. 影响连续访问性能 答案：C 16.关于半导体存储器的双译码编址方式，下列说法错误的是( ) A. 适用于大容量存储器 B. 需通过行、列地址译码器共同选址 C. 相比单译码编址可显著减少字线数量 D. 256 字 1 位的存储器采用双译码需 256 根字线 答案：D 17.铁电存储器的核心优势不包括( ) A. 非易失性，断电后数据不丢失 B. 写入寿命可达 10¹² 次 C. 需定期刷新以保持数据稳定 D. 存取速度快，功耗远低于 EEPROM 答案：C 18.掩膜式 ROM 的主要特点是（ ） A. 用户可现场编程，写入后可改写 B. 由厂家通过光刻编程，适合小批量生产 C. 存储内容固定，可靠性高，适合大批量生产 D. 需紫外线照射擦除，可多次编程 答案：C 19.半导体存储器的存储周期与存取时间的关系是（ ） A. 存储周期等于存取时间 B. 存储周期小于存取时间 C. 存储周期大于存取时间 D. 两者无固定关系 答案：C 19.半导体存储器的集成度通常采用的单位是（ ） A. 字节 / 片 B. 字 / 片 C. 位 / 片 D. 千字节 / 片 答案：C 二、填空题（本大题共10小题，每小题2分，共20分） 1. 硬盘中所有盘面同-个磁道纵向形成的同心圆柱，称为 。 答案：柱面 2.4K×2的存储芯片按位扩展方式连接，其字长是 。 答案：16 3.存储器的编址方式分为________编址和双译码编址，其中________适用于大容量存储器。答案：单译码；双译码编址 4.FRAM由________材料组成。 答案：铁电晶体 5.衡量半导体存储器存取速度的指标包括存取时间和________。 答案：存储周期 6.掩膜式 ROM 的内容用户________修改。(可以，不可以） 答案：不可以 7.EPROM 需通过________照射实现整体擦除，而 EEPROM 可实现________级别的擦除和改写，无需拆卸芯片。 答案：紫外线；字节 8.FRAM 的典型应用包括 U 盘、仪器仪表、工业控制和家用电器等，可整合传统的________和 EEPROM，简化系统结构。 答案：SRAM 9.铁电存储器写入寿命可达________次。 答案：10¹² 10.动态 RAM 的单管型基本存储单元以________的形式存储信息。 答案：电荷 三、判断题（本大题共10小题，每小题2分，共20分） 1. 单极型存储器采用 TTL 电路，具有集成度高、功耗低、价格便宜的特点。（ ） 答案：× 2. 静态 RAM 的基本存储单元采用双稳态触发器，无需刷新，因此存取速度比动态 RAM 慢。（ ） 答案：× 3.动态 RAM 的单管型基本存储单元结构简单、集成度高，是目前应用最广泛的动态 RAM 类型。（ ） 答案：√ 4.EEPROM 的整体擦除需要将 OE 信号接 9～15V 电压，同时 CE 为低电平、Vpp 为 21V。（ ） 答案：√ 5.存储周期是指从接收地址信号到完成存取操作的时间，等于存取时间。（ ） 答案：× 6.FRAM 的访问速度比 EEPROM 快，写入寿命比 Flash 长，可完全取代 DRAM。（ ） 答案：× 7.PROM 出厂时未存储任何信息，用户可通过电气方式多次写入和改写信息。（ ） 答案：× 8.动态 RAM 的刷新操作由 CPU 直接控制，无需专门的逻辑电路。（ ） 答案：× 9.静态 RAM 的存取速度比动态 RAM 快，但功耗更大，因为其基本存储单元的双稳态触发器始终有晶体管导通。（ ） 答案：√ 10.铁电存储器性能优越，可完全取代动态 RAM（DRAM）在图形显示存储器等场景的应用。（ ） 答案：× 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：2026版江苏省《计算机类专业考纲百套卷》，依据江苏省计算机类专业综合理论考试大纲编写。本专辑共110份试卷两部分组成，第一部分是按考纲的考点要求编写的75份知识点训练卷，第二部分是针对5门课程的掌握要求，编写的25份常考题训练卷。第三部分是综合模拟卷，参考历年来计算机类专业理论考试真题试卷，编写的10份专业综合训练卷。 本试卷是2026版江苏省《计算机类专业考纲百套卷》的第9卷，是知识点训练卷。按“计算机原理”考试纲要内容编写，具体知识点内容如下： 五、存储系统 1、 掌握存储器的分类和技术指标； 2、 掌握随机读写存储器的工作特征； 3、 了解存储器的分级结构。 2026版江苏省《计算机类专业考纲百套卷》第9卷 《计算机原理》 存储系统 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单项选择题（本大题共20小题，每小题3分，共60分） 1. 固态硬盘的存储介质主要有两种：DRAM和（ ） A.硒鼓 B.磁盘片 C. Flash 芯片 D.聚碳酸酯片基 2.硬盘分区表格式中，支持主分区数最多的是（ ） A. GPT B. SSD C. MBR D. BIOS 3.关于随机存取存储器的描述，正确的是（ ） A. 只能读出不能写入 B. 存取时间与地址位置无关 C. 信息断电后不丢失 D. 属于非易失性存储器 4.动态RAM需要定期刷新的原因是（ ） A. 防止数据冲突 B. 电容电荷会泄漏 C. 地址译码器失效 D. 控制逻辑需要复位 5.掩膜式ROM的信息写入方式为（ ） A. 用户可编程 B. 紫外线擦除 C. 厂家光刻固化 D. 电信号改写 6.PROM的熔断器烧断后表示存储的信息为（ ） A. 0 B. 1 C. 高阻态 D. 无效状态 6.EEPROM的突出特点是（ ） A. 只能整体擦除 B. 擦写需专用设备 C. 存取速度最快 D. 可字节级擦写 7.存储器的存取时间是指（ ） A. 连续两次读操作间隔 B. 从输入到输出时间 C. 刷新周期长度 D. 芯片寿命周期 8.铁电存储器结合了（ ） 两种存储器的优点 A. RAM和ROM B. SRAM和DRAM C. PROM和EPROM D. Cache和Flash 9.若DRAM刷新周期过长，可能导致( ) A. 存取速度下降 B. 功耗增加 C. 数据丢失 D. 地址译码错误 10.EEPROM的字节擦除操作需要（ ） A. 高电平数据信号 B. 紫外线照射 C. 整体复位 D. 专用编程器 11.FRAM在工业控制中的优势不包括( ) A. 无限次写入 B. 高抗干扰性 C. 无需后备电池 D. 成本低于DRAM 12.下列存储器中，属于非易失性且可字节编程的是( ) A. 掩膜ROM B. PROM C. EPROM D. EEPROM 13.FRAM的写入操作与EEPROM相比，主要改进是( ) A. 无需擦除直接写 B. 需高压编程 C. 速度慢但可靠 D. 仅支持整体写 14.DRAM刷新逻辑的缺失会导致( ) A. 数据永久丢失 B. 地址译码错误 C. 功耗激增 D. 总线冲突 15.关于半导体存储器的“存储周期”，下列说法错误的是( ) A. 包含存取时间和恢复时间 B. 决定存储器最大工作频率 C. 通常小于存取时间 D. 影响连续访问性能 16.关于半导体存储器的双译码编址方式，下列说法错误的是( ) A. 适用于大容量存储器 B. 需通过行、列地址译码器共同选址 C. 相比单译码编址可显著减少字线数量 D. 256 字 1 位的存储器采用双译码需 256 根字线 17.铁电存储器的核心优势不包括( ) A. 非易失性，断电后数据不丢失 B. 写入寿命可达 10¹² 次 C. 需定期刷新以保持数据稳定 D. 存取速度快，功耗远低于 EEPROM 18.掩膜式 ROM 的主要特点是（ ） A. 用户可现场编程，写入后可改写 B. 由厂家通过光刻编程，适合小批量生产 C. 存储内容固定，可靠性高，适合大批量生产 D. 需紫外线照射擦除，可多次编程 19.半导体存储器的存储周期与存取时间的关系是（ ） A. 存储周期等于存取时间 B. 存储周期小于存取时间 C. 存储周期大于存取时间 D. 两者无固定关系 19.半导体存储器的集成度通常采用的单位是（ ） A. 字节 / 片 B. 字 / 片 C. 位 / 片 D. 千字节 / 片 二、填空题（本大题共10小题，每小题2分，共20分） 1. 硬盘中所有盘面同-个磁道纵向形成的同心圆柱，称为 。 2.4K×2的存储芯片按位扩展方式连接，其字长是 。 3.存储器的编址方式分为________编址和双译码编址，其中________适用于大容量存储器。4.FRAM由________材料组成。 5.衡量半导体存储器存取速度的指标包括存取时间和________。 6.掩膜式 ROM 的内容用户________修改。(可以，不可以） 7.EPROM 需通过________照射实现整体擦除，而 EEPROM 可实现________级别的擦除和改写，无需拆卸芯片。 8.FRAM 的典型应用包括 U 盘、仪器仪表、工业控制和家用电器等，可整合传统的________和 EEPROM，简化系统结构。 9.铁电存储器写入寿命可达________次。 10.动态 RAM 的单管型基本存储单元以________的形式存储信息。 三、判断题（本大题共10小题，每小题2分，共20分） 1. 单极型存储器采用 TTL 电路，具有集成度高、功耗低、价格便宜的特点。（ ） 答案：× 2. 静态 RAM 的基本存储单元采用双稳态触发器，无需刷新，因此存取速度比动态 RAM 慢。（ ） 答案：× 3.动态 RAM 的单管型基本存储单元结构简单、集成度高，是目前应用最广泛的动态 RAM 类型。（ ） 答案：√ 4.EEPROM 的整体擦除需要将 OE 信号接 9～15V 电压，同时 CE 为低电平、Vpp 为 21V。（ ） 答案：√ 5.存储周期是指从接收地址信号到完成存取操作的时间，等于存取时间。（ ） 答案：× 6.FRAM 的访问速度比 EEPROM 快，写入寿命比 Flash 长，可完全取代 DRAM。（ ） 答案：× 7.PROM 出厂时未存储任何信息，用户可通过电气方式多次写入和改写信息。（ ） 答案：× 8.动态 RAM 的刷新操作由 CPU 直接控制，无需专门的逻辑电路。（ ） 答案：× 9.静态 RAM 的存取速度比动态 RAM 快，但功耗更大，因为其基本存储单元的双稳态触发器始终有晶体管导通。（ ） 答案：√ 10.铁电存储器性能优越，可完全取代动态 RAM（DRAM）在图形显示存储器等场景的应用。（ ） 答案：× 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $