《计算机原理》存储系统-知识点训练卷 2026版江苏省《计算机类专业考纲百套卷》第10卷

编写说明：2026版江苏省《计算机类专业考纲百套卷》，依据江苏省计算机类专业综合理论考试大纲编写。本专辑共110份试卷两部分组成，第一部分是按考纲的考点要求编写的75份知识点训练卷，第二部分是针对5门课程的掌握要求，编写的25份常考题训练卷。第三部分是综合模拟卷，参考历年来计算机类专业理论考试真题试卷，编写的10份专业综合训练卷。 本试卷是2026版江苏省《计算机类专业考纲百套卷》的第10卷，是知识点训练卷。按“计算机原理”考试纲要内容编写，具体知识点内容如下： 五、存储系统 1、 掌握存储器的分类和技术指标； 2、 掌握随机读写存储器的工作特征； 3、 了解存储器的分级结构。 2026版江苏省《计算机类专业考纲百套卷》第10卷 《计算机原理》 存储系统 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单项选择题（本大题共20小题，每小题3分，共60分） 1. 支持随机存取，常用于高速缓冲存储器的是（ ） A.PROM B.EPROM C.SRAM D.DRAM 答案：C 2.以下属于双极型存储器的是（ ） A. DRAM B. SRAM C. Cache D. ROM 答案：C 3.MOS型存储器的优点不包括（ ） A. 集成度高 B. 功耗低 C. 价格便宜 D. 存取速度最快 答案：D 4.静态RAM的基本存储单元通常由（ ）电路构成。 A. 单管电容 B. 双稳态触发器 C. 磁芯阵列 D. 熔断器结构 答案：B 5.双译码编址方式的主要优点是（ ） A. 减少地址线数量 B. 简化控制逻辑 C. 提高存取速度 D. 降低功耗 答案：A 6.EPROM的擦除方式是通过（ ） A. 紫外线照射 B. 电信号覆写 C. 高温加热 D. 磁场干扰 答案：A 7.某存储芯片有10根地址线和4根数据线，其容量为（ ） A. 1KB B. 4Kb C. 8KB D. 10Kb 答案：B 8.动态RAM的刷新操作是为了（ ） A. 初始化地址译码器 B. 提高存取速度 C. 减少功耗 D. 防止数据丢失 答案：D 9.FRAM的写入寿命远高于EEPROM的原因是（ ） A. 采用铁电晶体材料 B. 无需刷新电路 C. 电压要求低 D. 集成度高 答案：A 10.SRAM与DRAM相比，主要缺点是（ ） A. 需要刷新 B. 集成度低 C. 速度慢 D. 功耗小 答案：B 11.适用于图形显示存储器的芯片类型是（ ） A. SRAM B. DRAM C. FRAM D. PROM 答案：B 12.掩膜ROM的可靠性高主要是因为( ) A. 可重复编程 B. 结构简单 C. 固化不变 D. 功耗低 答案：C 13.存储器的“维持功耗”主要影响( ) A. 存取速度 B. 电池续航设备 C. 集成度 D. 抗干扰性 答案：B 14.系统频繁写入配置参数时，优选存储器类型是( ) A. 掩膜ROM B. DRAM C. EEPROM D. FRAM 答案：D 15.存储矩阵采用N×1结构的主要优点是( ) A. 简化译码电路 B. 提高字长灵活性 C. 适合大容量设计 D. 降低功耗 答案：C 16.衡量存储器抗干扰性的关键指标是( ) A. 存取时间 B. 集成度 C. 可靠性 D. 功耗 答案：C 17.动态 RAM 的刷新操作由以下（ ）部件控制完成 A. CPU B. 地址译码器 C. 逻辑电路 D. 3 态双向缓冲器 答案：C 18.掩膜式 ROM 的主要特点是（ ） A. 用户可现场编程，写入后可改写 B. 由厂家通过光刻编程，适合小批量生产 C. 需紫外线照射擦除，可多次编程 D. 存储内容固定，可靠性高，适合大批量生产 答案：D 19.半导体存储器的存储周期与存取时间的关系是（ ） A. 存储周期大于存取时间 B. 存储周期小于存取时间 C. 存储周期等于存取时间 D. 两者无固定关系 答案：A 20.可编程序只读存储器的编程原理是（ ） A. 通过紫外线照射擦除原有信息，再重新写入 B. 烧断字线与位线间二极管的熔断器实现信息写入 C. 以字节为单位电擦除和改写 D. 由厂家通过光刻掩膜写入固定信息 答案：B 二、填空题（本大题共10小题，每小题2分，共20分） 1. 存储器存储单元位数为8位，地址线16根，最大存储容量为 KB。 答案：64 2.从电路角度看，半导体存储器可分为________和单极型存储器，其中高速缓冲存储器通常采用________。 答案：双极型存储器；双极型存储器 3.单极型 RAM 包括SRAM和________。 答案：DRAM 4.静态 RAM 的基本存储单元由________个晶体管组成双稳态触发器。 答案：6 5.FRAM 的写入寿命可达________次，远超 EEPROM 的________次。 答案：10¹²；10⁶ 6.半导体存储器的功耗分为________和操作功耗。 答案：维持功耗 7.PROM 的字线和位线之间连接有带熔断器的二极管，编程时通过________熔断器实现信息写入，且写入后________更改。 答案：烧断；不能 8.半导体存储器的集成度通常以________为单位。 答案：位 / 片 9.铁电存储器写入寿命可达________次。 答案：10¹² 10.动态 RAM 的单管型基本存储单元以________的形式存储信息。 答案：电荷 三、判断题（本大题共10小题，每小题2分，共20分） 1. 随机存取存储器的存取时间与信息所在位置无关，而顺序存取存储器的存取时间取决于信息位置。（ ） 答案：√ 2.双译码编址方式中，行、列地址译码器共同控制数据的读写，可显著减少字线数量。（ ） 答案：√ 3.FRAM 作为非易失性存储器，在断电后数据会丢失，需定期刷新以保持信息。（ ） 答案：× 4.掩膜式 ROM 适合小批量生产，因为其编程成本低、周期短。 （ ） 答案：× 5.双极型 RAM 由于集成度低、功耗大，在微型计算机中基本不被采用。（ ） 答案：√ 6.半导体存储器的可靠性用平均无故障时间衡量，由于采用大规模集成电路，其可靠性较低。（ ） 答案：× 7.存储矩阵的 N×4 结构和 N×8 结构称为字结构，常用于容量较小的静态 RAM。（ ） 答案：√ 8.FRAM 的抗干扰性强，不受磁场等外界因素影响，但存在读周期累积后耐久性下降的问题。（ ） 答案：√ 9.单极型存储器具有集成度高、功耗低的特点。（ ） 答案：× 10.铁电存储器性能优越，可完全取代动态 RAM（DRAM）在图形显示存储器等场景的应用。（ ） 答案：× 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：2026版江苏省《计算机类专业考纲百套卷》，依据江苏省计算机类专业综合理论考试大纲编写。本专辑共110份试卷两部分组成，第一部分是按考纲的考点要求编写的75份知识点训练卷，第二部分是针对5门课程的掌握要求，编写的25份常考题训练卷。第三部分是综合模拟卷，参考历年来计算机类专业理论考试真题试卷，编写的10份专业综合训练卷。 本试卷是2026版江苏省《计算机类专业考纲百套卷》的第10卷，是知识点训练卷。按“计算机原理”考试纲要内容编写，具体知识点内容如下： 五、存储系统 1、 掌握存储器的分类和技术指标； 2、 掌握随机读写存储器的工作特征； 3、 了解存储器的分级结构。 2026版江苏省《计算机类专业考纲百套卷》第10卷 《计算机原理》 存储系统 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单项选择题（本大题共20小题，每小题3分，共60分） 1. 支持随机存取，常用于高速缓冲存储器的是（ ） A.PROM B.EPROM C.SRAM D.DRAM 2.以下属于双极型存储器的是（ ） A. DRAM B. SRAM C. Cache D. ROM 3.MOS型存储器的优点不包括（ ） A. 集成度高 B. 功耗低 C. 价格便宜 D. 存取速度最快 4.静态RAM的基本存储单元通常由（ ）电路构成。 A. 单管电容 B. 双稳态触发器 C. 磁芯阵列 D. 熔断器结构 5.双译码编址方式的主要优点是（ ） A. 减少地址线数量 B. 简化控制逻辑 C. 提高存取速度 D. 降低功耗 6.EPROM的擦除方式是通过（ ） A. 紫外线照射 B. 电信号覆写 C. 高温加热 D. 磁场干扰 7.某存储芯片有10根地址线和4根数据线，其容量为（ ） A. 1KB B. 4Kb C. 8KB D. 10Kb 8.动态RAM的刷新操作是为了（ ） A. 初始化地址译码器 B. 提高存取速度 C. 减少功耗 D. 防止数据丢失 9.FRAM的写入寿命远高于EEPROM的原因是（ ） A. 采用铁电晶体材料 B. 无需刷新电路 C. 电压要求低 D. 集成度高 10.SRAM与DRAM相比，主要缺点是（ ） A. 需要刷新 B. 集成度低 C. 速度慢 D. 功耗小 11.适用于图形显示存储器的芯片类型是（ ） A. SRAM B. DRAM C. FRAM D. PROM 12.掩膜ROM的可靠性高主要是因为( ) A. 可重复编程 B. 结构简单 C. 固化不变 D. 功耗低 13.存储器的“维持功耗”主要影响( ) A. 存取速度 B. 电池续航设备 C. 集成度 D. 抗干扰性 14.系统频繁写入配置参数时，优选存储器类型是( ) A. 掩膜ROM B. DRAM C. EEPROM D. FRAM 15.存储矩阵采用N×1结构的主要优点是( ) A. 简化译码电路 B. 提高字长灵活性 C. 适合大容量设计 D. 降低功耗 16.衡量存储器抗干扰性的关键指标是( ) A. 存取时间 B. 集成度 C. 可靠性 D. 功耗 17.动态 RAM 的刷新操作由以下（ ）部件控制完成 A. CPU B. 地址译码器 C. 逻辑电路 D. 3 态双向缓冲器 18.掩膜式 ROM 的主要特点是（ ） A. 用户可现场编程，写入后可改写 B. 由厂家通过光刻编程，适合小批量生产 C. 需紫外线照射擦除，可多次编程 D. 存储内容固定，可靠性高，适合大批量生产 19.半导体存储器的存储周期与存取时间的关系是（ ） A. 存储周期大于存取时间 B. 存储周期小于存取时间 C. 存储周期等于存取时间 D. 两者无固定关系 20.可编程序只读存储器的编程原理是（ ） A. 通过紫外线照射擦除原有信息，再重新写入 B. 烧断字线与位线间二极管的熔断器实现信息写入 C. 以字节为单位电擦除和改写 D. 由厂家通过光刻掩膜写入固定信息 二、填空题（本大题共10小题，每小题2分，共20分） 1. 存储器存储单元位数为8位，地址线16根，最大存储容量为 KB。 2.从电路角度看，半导体存储器可分为________和单极型存储器，其中高速缓冲存储器通常采用________。 3.单极型 RAM 包括SRAM和________。 4.静态 RAM 的基本存储单元由________个晶体管组成双稳态触发器。 5.FRAM 的写入寿命可达________次，远超 EEPROM 的________次。 6.半导体存储器的功耗分为________和操作功耗。 7.PROM 的字线和位线之间连接有带熔断器的二极管，编程时通过________熔断器实现信息写入，且写入后________更改。 8.半导体存储器的集成度通常以________为单位。 9.铁电存储器写入寿命可达________次。 10.动态 RAM 的单管型基本存储单元以________的形式存储信息。 三、判断题（本大题共10小题，每小题2分，共20分） 1. 随机存取存储器的存取时间与信息所在位置无关，而顺序存取存储器的存取时间取决于信息位置。（ ） 2.双译码编址方式中，行、列地址译码器共同控制数据的读写，可显著减少字线数量。（ ） 3.FRAM 作为非易失性存储器，在断电后数据会丢失，需定期刷新以保持信息。（ ） 4.掩膜式 ROM 适合小批量生产，因为其编程成本低、周期短。 （ ） 5.双极型 RAM 由于集成度低、功耗大，在微型计算机中基本不被采用。（ ） 6.半导体存储器的可靠性用平均无故障时间衡量，由于采用大规模集成电路，其可靠性较低。（ ） 7.存储矩阵的 N×4 结构和 N×8 结构称为字结构，常用于容量较小的静态 RAM。（ ） 8.FRAM 的抗干扰性强，不受磁场等外界因素影响，但存在读周期累积后耐久性下降的问题。（ ） 9.单极型存储器具有集成度高、功耗低的特点。（ ） 10.铁电存储器性能优越，可完全取代动态 RAM（DRAM）在图形显示存储器等场景的应用。（ ） 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $