《电子技术基础及应用》常用半导体器件结构、分类、特性、用途及参数-知识点训练卷 2026版山东省电气技术类专业 考纲百套卷 第18卷

编写说明：2026版《电气技术类考纲百套卷》，是依据山东省职教高考《电气技术类专业知识考试标准》编写，本套试卷共104份，由三个部分组成。第一部分是根据考纲的知识点训练卷，每个考点1-4份训练卷共74份；第二部分是常考题训练卷，每门课程1-5份训练卷共18份；第三个部分是专业综合训练卷，参考历年来电气技术专业知识真题试卷，编写的12份专业综合训练卷。 本试卷是《电气技术类考纲百套卷》知识点训练卷的第18卷，按知识模块 2.电子技术基础及应用—1.常用半导体器件结构、分类、特性、用途及参数的四点范围要求编写。其四点要求是：（1）了解 PN 结、半导体二极管构造，理解二极管单向导电性、伏安特性及其主要参数。（2）会使用万用表判别二极管的管脚极性及其好坏。（3）理解三极管的基本构造、电流放大作用、伏安特性和主要参数。（4）会使用万用表判别三极管的管型及管脚极性。 2026版山东省《电气技术类考纲百套卷》 第18卷 知识模块 2.电子技术基础及应用 1.常用半导体器件结构、分类、特性、用途及参数 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单项选择题（本大题共25小题，每题2分，共50分） 1.硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线如图所示，其中锗二极管的伏安特性曲线是( ) A.AOD B.AOC C.BOC D.BOD 2.  PN结的空间电荷区主要由（ ）构成 A. 自由电子 B. 空穴 C. 施主离子和受主离子 D. 以上都有 3. 下列（ ）会使PN结的内电场强度减弱 A. 外加正向电压 B. 外加反向电压 C. 温度显著升高 D. 减小半导体掺杂浓度 4. PN结正向导通时，电流的主要形成原因是（ ） A. 少数载流子的漂移运动 B. 多数载流子的扩散运动 C. 离子的定向移动 D. 电子的热运动 5.构成半导体二极管的 PN 结的数目是 ( ) A.4 B.3 C.2 D.1 6. PN结在无外加电压时，扩散电流与漂移电流的关系是（ ） A. 扩散电流大于漂移电流 B. 扩散电流小于漂移电流 C. 扩散电流等于漂移电流 D. 两者无固定关系 7.用指针式万用表检测普通二极管的极性，操作正确的是( ) A. 选用R×10挡 B. 选用R×10K 挡 C. 选用R×100挡 D. 选用R×1 挡 8. 用数字万用表判定一只正常整流二极管的正负极时，将万用表拨到标有二极管符号的挡位。当屏幕显示“0.628”时，此时红表笔所接为二极管的（ ） A.正极 B.负极 C.阴极 D.无法判定 9. 给硅二极管外加正向电压时，只有当电压超过某一数值后才有明显正向电流，该数值称为（ ） A. 击穿电压 B. 死区电压 C. 饱和电压 D. 导通电压 10.用指针式万用表的R×10和R×1k挡分别测量一个整流二极管的正向电阻，两次测试结果是（ ） A.相同 B.R×10挡的测量值小 C.R×1 k挡的测量值小 D.无法确定 11. 发光二极管（LED）发光的原理是（ ） A. 正向导通时，多数载流子复合释放热能 B. 正向导通时，电子与空穴复合释放光能 C. 反向击穿时的能量释放 D. 热运动产生的光辐射 12.要想在桥式整流电路的输出端获得负极性的直流电压，下列说法正确的是（ ）。 A.交换任意两只二极管的极性 B.交换任意一只二极管的极性 C.交换任意三只二极管的极性 D.交换四只二极管的极性 13. 当二极管外加反向电压，且电压超过其额定反向击穿电压时，若电流不加限制，会导致（ ） A. 二极管正常稳压 B. 二极管永久损坏 C. 反向电流保持不变 D. 二极管正向导通 14. 三极管的“穿透电流Icbo”是指（ ） A. 基极开路时，集电极与发射极之间的反向电流 B. 发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流 C. 集电极开路时，发射极与基极之间的正向电流 D. 基极短路时，集电极与发射极之间的电流 15.当硅二极管加上0.3V 正向电压时，该二极管呈现 ( ) A. 小阻值 B. 大阻值 C. 阻值为0 D. 阻值为 16.硅二极管各级电位如图所示，工作在导通状态的是（ ） 17.用万用表测得三极管任意两极间的正反向电阻均很小，则该管( ) A. 两个 PN 结均开路 B. 两个PN 结均击穿 C. 发射结击穿，集电结正常 D. 发射结正常，集电结击穿 18.半导体器件2CZ52B是（ ）二极管。 A.P型锗材料 B.P型硅材料 C.N型锗材料 D.N型硅材料 19.在检测正常三极管管脚极性时，万用表红表笔固定在某一管脚，黑表笔分别接触另外两管脚，两次阻值均较小，则红表笔所接管脚及三极管类型为 ( ) A. 基极 NPN型 B. 基极 PNP型 C. 发射极 NPN型 D. 发射极 PNP 型 20. 三极管实现电流放大的核心条件是（ ） A. 发射结正偏、集电结正偏 B. 发射结正偏、集电结反偏 C. 发射结反偏、集电结正偏 D. 发射结反偏、集电结反偏 21.晶体管的集电极电流Ic大于它的集电极最大允许电流Icm, 则该管( ) A. 被烧坏 B. 被击穿 C. 电流放大能力下降 D. 正常 22. 三极管的电流放大系数β表示的是（ ） A. 集电极电流与发射极电流的比值 B. 集电极电流与基极电流的比值 C. 发射极电流与基极电流的比值 D. 基极电流与集电极电流的比值 23.当温度升高时，三极管的电流放大系数β会（ ） A. 增大 B. 减小 C. 基本不变 D. 先增大后减小 24.二极管正向导通时，加在二极管两端电压的变化不大，小功率锗管为（ ）。 A.0.3 V左右 B.0.5V左右 C.0.7 V左右 D.0.2 V左右　 25.用万用表判别普通晶闸管管脚极性时应选用（ ）档 A.R×1 B.R×10 C.R×100 或R×1K D.R×10K 二、简答题（本大题共5小题，每题10分，共50分） 1.电路如图所示，设二极管正向电阻为零，反向电阻为无穷大，试判断二极管的工作状态， 并求出 A 、B 两点间的输出电压UAB。 2. 简述二极管的单向导电性原理。 3.  什么是二极管的死区电压？硅管和锗管的死区电压、正向导通压降通常分别为多少？ 4.分析图示电路中，二极管是导通还是截止，并写出输出AO两点间的电压值。(设二极管为理想二极管) 5. 三极管的截止区、放大区、饱和区分别有何偏置条件？ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：2026版《电气技术类考纲百套卷》，是依据山东省职教高考《电气技术类专业知识考试标准》编写，本套试卷共104份，由三个部分组成。第一部分是根据考纲的知识点训练卷，每个考点1-4份训练卷共74份；第二部分是常考题训练卷，每门课程1-5份训练卷共18份；第三个部分是专业综合训练卷，参考历年来电气技术专业知识真题试卷，编写的12份专业综合训练卷。 本试卷是《电气技术类考纲百套卷》知识点训练卷的第18卷，按知识模块 2.电子技术基础及应用—1.常用半导体器件结构、分类、特性、用途及参数的四点范围要求编写。其四点要求是：（1）了解 PN 结、半导体二极管构造，理解二极管单向导电性、伏安特性及其主要参数。（2）会使用万用表判别二极管的管脚极性及其好坏。（3）理解三极管的基本构造、电流放大作用、伏安特性和主要参数。（4）会使用万用表判别三极管的管型及管脚极性。 2026版山东省《电气技术类考纲百套卷》 第18卷 知识模块 2.电子技术基础及应用 1.常用半导体器件结构、分类、特性、用途及参数 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单项选择题（本大题共25小题，每题2分，共50分） 1.硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线如图所示，其中锗二极管的伏安特性曲线是( ) A.AOD B.AOC C.BOC D.BOD 【答案】D 2.  PN结的空间电荷区主要由（ ）构成 A. 自由电子 B. 空穴 C. 施主离子和受主离子 D. 以上都有 【答案】C 3. 下列（ ）会使PN结的内电场强度减弱 A. 外加正向电压 B. 外加反向电压 C. 温度显著升高 D. 减小半导体掺杂浓度 【答案】A 4. PN结正向导通时，电流的主要形成原因是（ ） A. 少数载流子的漂移运动 B. 多数载流子的扩散运动 C. 离子的定向移动 D. 电子的热运动 【答案】B 5.构成半导体二极管的 PN 结的数目是 ( ) A.4 B.3 C.2 D.1 【答案】D 6. PN结在无外加电压时，扩散电流与漂移电流的关系是（ ） A. 扩散电流大于漂移电流 B. 扩散电流小于漂移电流 C. 扩散电流等于漂移电流 D. 两者无固定关系 【答案】C 7.用指针式万用表检测普通二极管的极性，操作正确的是( ) A. 选用R×10挡 B. 选用R×10K 挡 C. 选用R×100挡 D. 选用R×1 挡 【答案】C 8. 用数字万用表判定一只正常整流二极管的正负极时，将万用表拨到标有二极管符号的挡位。当屏幕显示“0.628”时，此时红表笔所接为二极管的（ ） A.正极 B.负极 C.阴极 D.无法判定 【答案】 A 9. 给硅二极管外加正向电压时，只有当电压超过某一数值后才有明显正向电流，该数值称为（ ） A. 击穿电压 B. 死区电压 C. 饱和电压 D. 导通电压 【答案】B 10.用指针式万用表的R×10和R×1k挡分别测量一个整流二极管的正向电阻，两次测试结果是（ ） A.相同 B.R×10挡的测量值小 C.R×1 k挡的测量值小 D.无法确定 【答案】B 11. 发光二极管（LED）发光的原理是（ ） A. 正向导通时，多数载流子复合释放热能 B. 正向导通时，电子与空穴复合释放光能 C. 反向击穿时的能量释放 D. 热运动产生的光辐射 【答案】B 12.要想在桥式整流电路的输出端获得负极性的直流电压，下列说法正确的是（ ）。 A.交换任意两只二极管的极性 B.交换任意一只二极管的极性 C.交换任意三只二极管的极性 D.交换四只二极管的极性 【答案】D 13. 当二极管外加反向电压，且电压超过其额定反向击穿电压时，若电流不加限制，会导致（ ） A. 二极管正常稳压 B. 二极管永久损坏 C. 反向电流保持不变 D. 二极管正向导通 【答案】B 14. 三极管的“穿透电流Icbo”是指（ ） A. 基极开路时，集电极与发射极之间的反向电流 B. 发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流 C. 集电极开路时，发射极与基极之间的正向电流 D. 基极短路时，集电极与发射极之间的电流 【答案】B 15.当硅二极管加上0.3V 正向电压时，该二极管呈现 ( ) A. 小阻值 B. 大阻值 C. 阻值为0 D. 阻值为 【答案】B 16.硅二极管各级电位如图所示，工作在导通状态的是（ ） 【答案】D 17.用万用表测得三极管任意两极间的正反向电阻均很小，则该管( ) A. 两个 PN 结均开路 B. 两个PN 结均击穿 C. 发射结击穿，集电结正常 D. 发射结正常，集电结击穿 【答案】B 18.半导体器件2CZ52B是（ ）二极管。 A.P型锗材料 B.P型硅材料 C.N型锗材料 D.N型硅材料 【答案】B 19.在检测正常三极管管脚极性时，万用表红表笔固定在某一管脚，黑表笔分别接触另外两管脚，两次阻值均较小，则红表笔所接管脚及三极管类型为 ( ) A. 基极 NPN型 B. 基极 PNP型 C. 发射极 NPN型 D. 发射极 PNP 型 【答案】A 20. 三极管实现电流放大的核心条件是（ ） A. 发射结正偏、集电结正偏 B. 发射结正偏、集电结反偏 C. 发射结反偏、集电结正偏 D. 发射结反偏、集电结反偏 【答案】B 21.晶体管的集电极电流Ic大于它的集电极最大允许电流Icm, 则该管( ) A. 被烧坏 B. 被击穿 C. 电流放大能力下降 D. 正常 【答案】C 22. 三极管的电流放大系数β表示的是（ ） A. 集电极电流与发射极电流的比值 B. 集电极电流与基极电流的比值 C. 发射极电流与基极电流的比值 D. 基极电流与集电极电流的比值 【答案】B 23.当温度升高时，三极管的电流放大系数β会（ ） A. 增大 B. 减小 C. 基本不变 D. 先增大后减小 【答案】A 24.二极管正向导通时，加在二极管两端电压的变化不大，小功率锗管为（ ）。 A.0.3 V左右 B.0.5V左右 C.0.7 V左右 D.0.2 V左右　 【答案】A 25.用万用表判别普通晶闸管管脚极性时应选用（ ）档 A.R×1 B.R×10 C.R×100 或R×1K D.R×10K 【答案】B 二、简答题（本大题共5小题，每题10分，共50分） 1.电路如图所示，设二极管正向电阻为零，反向电阻为无穷大，试判断二极管的工作状态， 并求出 A 、B 两点间的输出电压UAB。 【答案】(1)设想把二极管 VD移去，如图所示，若取B点为参考点，则Vc= -3V,VD=-8V, 因为Vc> VD, 故二极管接入时为正向偏置，将导通。(2)因为二极管正向电阻为零，所以二极管导通后管压降为零。即UAB= -3V 2. 简述二极管的单向导电性原理。 【答案】 二极管核心是PN结，单向导电性由PN结内电场控制： 正向偏置（电源正极接P区、负极接N区）：外加电场与内电场方向相反，内电场被削弱，P区空穴、N区自由电子能顺利越过PN结，形成较大正向电流，二极管导通； 反向偏置（电源正极接N区、负极接P区）：外加电场与内电场方向相同，内电场增强，仅少数载流子形成极小反向电流，二极管截止。 3.  什么是二极管的死区电压？硅管和锗管的死区电压、正向导通压降通常分别为多少？ 【答案】 死区电压是二极管正向导通前，外加正向电压不足以抵消内电场，正向电流极小的“门槛电压”。 硅管：死区电压约0.5V，正向导通压降约0.7V； 锗管：死区电压约0.1V，正向导通压降约0.2V。 4.分析图示电路中，二极管是导通还是截止，并写出输出AO两点间的电压值。(设二极管为理想二极管) 【答案】A:二极管导通，VAO=-4V; B:V1导通、V2截止，VAO=0V。 5. 三极管的截止区、放大区、饱和区分别有何偏置条件？ 【答案】 （1）截止区：偏置条件为发射结反偏（或正偏电压＜死区电压），集电结反偏；电流特性为Ib≈0、Ic≈0（仅极微小反向电流），三极管相当于“开路开关”。 （2）放大区：偏置条件为发射结正偏，集电结反偏；电流特性为Ic=βIb（Ic与Ib成线性关系），Ic几乎不受集电极电压影响，体现电流放大能力。 （2）饱和区：偏置条件为发射结正偏，集电结正偏；电流特性为Ic不再随Ib增大而增大（Ic＜βIb），集电极与发射极之间压降极小（饱和压降Uces），三极管相当于“导通开关” 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $