2026届高三化学二轮复习 晶体结构与性质（564道选择题）

高中化学二轮题库—晶体结构与性质（564道选择题） 基础版 1．一种负热膨胀材料的立方晶胞结构如图，晶胞密度为，阿伏加德罗常数的值为，下列说法错误的是 A．沿晶胞体对角线方向的投影图为 B．和B均为杂化 C．晶体中与最近且距离相等的有6个 D．和B的最短距离为 2．下列对物质性质的解释错误的是 选项 物质性质 解释 A 氯化钠熔点高于氯化铯 氯化钠离子键强于氯化铯 B 碘易溶于四氯化碳 碘和四氯化碳都是非极性分子 C 草酸氢钠溶液显酸性 草酸氢根离子水解程度大于电离程度 D 离子液体导电性良好 离子液体中有可移动的阴、阳离子 A．A B．B C．C D．D 3．某种铁系储氢合金材料的晶胞如下图，八面体中心为金属铁离子，顶点均为分子；四面体中心为硼原子，顶点均为氢原子。该晶体属于立方晶系，下列说法正确的是 A．的空间结构为三角锥形 B．该铁系储氢合金材料中铁元素的化合价为+3 C．和“●”距离最近且相等的 “○”数目为4 D．晶体中元素的电负性： 4．砷化硼晶体是具有超高热导率的半导体材料，其结构如图所示，若晶胞边长为anm，下列说法错误的是 A．基态As原子的价电子排布式为 B．B原子的配位数为12 C．As原子位于B原子所围成的正四面体体心 D．B、As原子之间的最短距离为 5．赤铜矿广泛应用于冶金、化工等领域，其晶胞结构如图所示，晶胞参数为，阿伏加德罗常数的值为。下列说法错误的是 A．的分数坐标为、 B．该晶体的密度为 C．该晶体中与最近且距离相等的有4个 D．和之间的最短距离为 6．碳材料家族又添2位新成员：通过对两种分子实施“麻醉”和“手术”，我国科学家首次成功合成了分别由10个或14个碳原子组成的芳香性环形纯碳分子材料(结构如图所示)，下列叙述错误的是 A．C10Cl8分子中存在极性键和非极性键 B．环形碳(C10)和环形碳()的碳结构不稳定，具有很高的反应活性 C．C10和均为共价晶体 D．C14H10转化为环形碳(C14)的过程，C14H10发生了氧化反 7．钠与氧可形成多种二元化合物。其中一种二元化合物的晶胞如图所示，晶胞的边长为apm。下列说法正确的是 A．该二元化合物属于过氧化物 B．阴离子有6种不同的空间取向 C．阴离子位于形成的八面体空隙中 D．两个之间的最短距离为apm 8．铁酸镧是一种常见的催化剂，在铁酸镧晶胞中的转化过程如图所示，立方晶胞甲的晶胞参数为apm。下列说法正确的是 A．晶胞甲中●与▲表示的微粒的配位数之比为 B．晶胞乙中最近的之间的距离为 C．若该催化剂的化学式为，则 D．反应（1）的离子方程式为 9．钙钛矿材料在太阳能光伏发电、半导体电子器件等领域有着广泛应用。某种金属卤化物无机钙钛矿材料的立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a pm，阿伏加德罗常数的值为。下列说法错误的是 A．该物质的化学式为 B．该晶体中与的最短距离为 C．该晶体的密度 D．能识别，则识别的能力： 10．下列关于物质的性质与原因解释匹配不正确的是 性质 原因解释 A 原子光谱是不连续的线状谱线 原子核外电子的能量是量子化的 B AlF3(1040℃)熔点远高于AlCl3(178℃升华) AlF3是离子晶体，AlCl3是分子晶体，两者的晶体类型不同 C 苯甲酸的酸性强于乙酸 苯基的推电子效应强于甲基 D 离子液体作溶剂比传统有机溶剂难挥发 离子键强于分子间作用力 A．A B．B C．C D． 11．某三元化合物的立方晶胞结构如图所示，晶胞的边长为a pm，NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．晶体的化学式为LiAlSi B．晶体的密度为 C．晶体中Al原子周围最近的Li原子有12个 D．晶体中Si、Al原子之间的最短距离为 12．在的晶体空隙中插入金属离子可获得超导体。一种超导体的面心立方晶胞如图1所示，已知：晶胞参数为a pm，各点的原子分数坐标分别为，。下列说法错误的是 A．通过A原子的对角面结构如图2所示 B．相邻两个的最短距离为 C．晶胞中C点原子分数坐标为 D．该晶体中，都位于形成正八面体空隙 13．氮化铜晶体是一种半导体材料，其晶胞结构如图所示。设为阿伏加德罗常数的值，该晶胞边长为apm。下列叙述不正确的是 A．铜元素基态原子的核外电子共有15种空间运动状态 B．2个铜原子的最近距离为 C．N原子的配位数是12个 D．该晶体密度 14．立方相氮化硼(BN)超硬，有优异的耐磨性，其结构与金刚石类似。晶胞中N原子位于顶点和面心，B原子(未画出)位于N原子围成的部分正四面空隙(如1、3、6、7号N原子围成)。已知晶胞参数为a pm，晶体的密度为，下列说法错误的是 A．正四面体空隙的填充率为100% B．BN晶体中原子个数与共价键数之比1：2 C．该晶胞沿x、y、z轴方向投影均为 D．晶胞中B原子与N原子最近的距离为 15．一种新型稀磁半导体(摩尔质量为)的立方晶胞结构如图所示，图中微粒m、p的分数坐标分别是，阿伏加德罗常数的值为，晶体的密度为。 下列叙述正确的是 A．微粒n的分数坐标是 B． C．元素锂的焰色是紫红色，属于吸收光谱 D．微粒Zn与微粒As之间的最短距离为 16．氢气的安全贮存和运输是氢能应用的关键，铁镁合金是储氢密度很高的储氢材料之一，其晶胞结构如图所示。该晶胞的晶胞边长为d nm，阿伏加德罗常数为NA，下列说法正确的是 A．距离Mg原子最近的Fe原子个数是8 B．铁镁合金的化学式为 C．合金的密度为g·cm-3 D．若该晶体储氢时，H2分子在晶胞的体心和棱心(棱的中点)位置，则含Mg质量为48 g的该储氢合金可储存标准状况下H2的体积约为11.2 L 17．科研人员在高温高压条件下合成了类金刚石结构的硼碳氮化合物，其晶胞结构如图所示，立方晶胞参数为。是阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．该化合物为共价晶体，硬度大 B．晶体中与B原子距离最近且相等的B原子数为4 C．晶胞中键与键的数目比为 D．晶体的密度 18．物质结构决定性质。下列物质性质差异与结构因素没有关联的是 选项 性质差异 结构因素 A 极性： 分子空间构型 B 酸性：二氯乙酸<二氟乙酸 分子间氢键 C 熔点： 晶体类型 D 识别K+的能力：18-冠-6>12-冠-4 冠醚空腔直径 A．A B．B C．C D．D 19．双钙钛矿型氧化物具有立方晶胞结构，通过掺杂改性可用作固体电解质材料，其晶体的一种完整结构单元如图所示，真实的晶体中存在5%的O空位缺陷。下列说法错误的是 A．不考虑晶体缺陷，与的配位数相等 B．空位的形成有利于的传导 C．不考虑晶体缺陷，该晶体的化学式为 D．考虑晶体缺陷，该晶体中+3价与+4价原子的个数之比为 20．物质结构决定物质性质。下列性质差异与结构因素匹配错误的是 选项 性质差异 结构因素 A 沸点：乙醇(78.3℃)高于二甲醚(-29.5℃) 氢键作用 B 熔点：AlF3(1040℃)远高于AlCl3(178℃升华) 晶体类型 C 键角：PF3(94°)小于PCl3(109.5°) 电负性差异 D 分解温度：HBr(500℃)高于HI(300℃) 范德华力作用 A． A B．B C．C D．D 21．砷化镓是一种立方晶系如图甲所示，将Mn掺杂到晶体中得到稀磁性半导体材料如图乙所示，砷化镓的晶胞参数为x pm，密度为。下列说法错误的是 A．砷化镓中配位键的数目是 B．Ga和As的最近距离是 C．沿体对角线a→b方向投影图如丙，若c在11处，则As的位置为7、9、11、13 D．Mn掺杂到砷化镓晶体中，和Mn最近且等距离的As的数目为6 22．某种天然沸石的化学式为，其中元素X、Y、Z、R、W原子序数依次增大，且占据四个不同周期。Y在地壳中含量最高，在该化合物中R显示其最高价态， 基 态W原子的核外电子恰好填满10个原子轨道。下列说法错误的是 A．简单离子半径： B．第一电离能： C．最简单氢化物稳定性： D．氯化物熔点： 23．下列关于物质使用及其解释均正确的是 选项 物质使用 解释 A 可用作净水剂 有氧化性 B 高纯硅用于光导纤维、太阳能电池、计算机芯片 硅具有半导体性能 C 液晶可作电视显示屏 液晶分子可沿电场方向有序排列 D 可用于钡餐 无毒 A．A B．B C．C D．D 24．硒化锌是一种重要的半导体材料；其晶胞结构如图甲所示，已知晶胞参数为pnm，乙图为晶胞的俯视图，下列说法正确的是 A．晶胞中硒原子的配位数为12 B．晶胞中d点原子分数坐标为 C．相邻两个Zn原子的最短距离为nm D．电负性：Zn>Se 25．我国科研工作者利用冷冻透射电子显微镜同步辐射等技术，在还原氧化石墨烯膜上直接观察到了自然环境下生成的某二维晶体，其结构如图所示。下列说法正确的是 A．该二维晶体的化学式为CaCl2 B．Ca－Cl－Ca的键角为60° C．Can+和Cl-的配位数均为3 D．该晶体可由钙在氯气中燃烧制得 26．铁铝铅榴石主要成分为，其组成也可写成的氧化物形式：。下列说法正确的是 A．组成元素均位于元素周期表的p区 B．晶体硅的熔点比二氧化硅晶体高 C．基态铝原子核外电子有7种不同的空间运动状态 D．中Fe(II)与Fe(III)的个数比为2：1 27．三聚氰胺()是一种有机合成剂和分析剂，结构中含大π键。下列说法错误的是 A．晶体类型为分子晶体 B．1 mol该分子中存在15 mol σ键 C．分子中所有化学键均为极性键 D．六元环上的N原子提供孤对电子形成大π键 28．硫化锌是一种优良的宽带隙半导体锂离子电池负极材料，具有在充电的同时合金化反应的特点。在充电过程中负极材料晶胞的组成变化如图所示。 下列说法正确的是 A．当1 mol 完全转化为时，转移电子数为2 mol B．在体对角线的一维空间上会出现“ ”的排布规律 C．当完全转化为时，每转移6 mol电子，生成3 mol LiZn(合金相) D．若的晶胞参数为a nm，则EF间的距离为nm 29．（铝的卤化物AlX3(X=Cl、Br、I)气态时以Al2X6双聚形态存在，下列说法错误的是 性质 AlF3 AlCl3 AlBr3 AlI3 熔点/℃ 1290 192.4 97.8 189.4 沸点/℃ 1272 180 256 382 A．AlF3晶体类型与其他三种不同 B．1molAl2Cl6中所含配位键数目为4NA C．Al2X6中Al、X原子价电子层均满足8e-结构 D．AlCl3熔点高于AlBr3原因是Cl的电负性大于Br，具有一定离子晶体特征 30．氢化铝锂以其优良的还原性广泛应用于医药、农药、香料、染料等行业，而且还是一种潜在的储氢材料，其释氢过程可用化学方程式表示为3LiAlH4=Li3AlH6+2Al+3H2↑，其晶胞结构如图所示，设NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．氢化铝锂中含有离子键、共价键、配位键 B．AlH的VSEPR模型为正四面体结构 C．当氢化铝锂释放1mol氢气时，将有2molAl3+被还原 D．该晶胞的密度为g/cm3 31. 是一种具有优异磁性能的稀土永磁材料，在航空航天等领域中获得重要应用。的六方晶胞示意图如下，晶胞参数、，M、N原子的分数坐标分别为、。设是阿伏加德罗常数的值。 下列说法错误的是 A. 该物质的化学式为 B. 体心原子的分数坐标为 C. 晶体的密度为 D. 原子Q到体心的距离为 32. 金属铋及其化合物广泛应用于电子设备、医药等领域。如图是铋的一种氟化物的立方晶胞及晶胞中MNPQ点的截面图，晶胞的边长为为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A. 该铋氟化物的化学式为 B. 粒子S、T之间的距离为 C. 该晶体的密度为 D. 晶体中与铋离子最近且等距的氟离子有6个 34．硫化镉(CdS)晶胞的结构如图所示。已知该晶胞边长为apm，以晶胞参数建立分数坐标系，1号原子的坐标为(0,0,0)，下列说法错误的是 A．S的配位数为4 B．3号原子的坐标为 C．2号原子与3号原子的核间距为 D．设NA为阿伏加德罗常数的值，该晶体的密度为 35．氧化铈(CeO2)常用作玻璃工业添加剂，在其立方晶胞中掺杂Y2O3，Y3+占据原来Ce4+的位置，可以得到更稳定的结构，如图所示(图乙为晶胞的俯视图)。下列说法不正确的是 已知：①CeO2晶胞中Ce4+与最近O2-的核间距为apm ②O2-的填充率 A．图甲中M点的原子坐标为，则N点的原子坐标为 B．图乙中表示的相对位置的是4 C．晶胞参数为 D．化学式中y=4，且该晶胞中的填充率为83.3% 36．CdSe是良好的半导体材料，其立方晶胞结构如图所示，原子间主要以离子键结合，有一定的共价键成分，晶胞参数为，表示阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．CdSe的离子键百分数小于 B．晶胞中原子的配位数为4 C．原子形成的正四面体空隙中均填入了原子 D．CdSe晶体密度为 37.常用于制作光电器和光电探测器，其晶胞如图所示，晶胞边长为a nm。下列叙述正确的是 已知：填充在构成的四面体“空穴”中，设为阿伏加德罗常数的值。 A．四面体“空穴”填充率为 B．的配位数为4 C．2个的最近距离为 D．晶体的密度 38．的晶体结构如图甲所示，沿线MN取得的截图如图乙所示，晶胞中含有两个原子且其中一个的坐标为，原子位于晶胞顶点和部分棱心。下列说法错误的是 A．原子的配位数为6 B．另一个原子的坐标为 C．、原子间的最短距离为 D．已知为阿伏加德罗常数的值，晶体密度为，则可表示为 39．X、Y、Z、M、Q、R是原子序数依次增大的前四周期元素。X元素原子中电子只有一种自旋状态；Z元素是地壳中含量最高的元素；M元素基态原子核外电子总数是最外层电子数的3倍；Y与M位于同一主族，Q元素基态原子只有一个不成对电子，且与M位于同一周期；R元素基态原子最外层只有一个电子，其次外层内的所有轨道的电子均成对。下列说法错误的是 A．电负性： B．键角： C．和的空间结构均为V形 D．Q和R形成晶胞如图所示，晶胞参数为，设阿伏加德罗常数的值为，该晶体的密度为 40铜氧化物超导体的研究突破揭开了超导领域的新篇章。一种电子型铜氧化物(相对分子质量为)超导体的晶体结构如图甲所示。 下列有关该晶体说法正确的是 A．电子型铜氧化物化学式可表示为 B．M原子与N原子之间的距离为 C．电子型铜氧化物的密度为 D．图甲沿x轴或沿y轴的投影均可用图乙表示 41．二氟化铅晶体可用作红外线分光材料。若用○和来表示中的两种离子，其中在立方晶胞中的位置如图甲所示，晶胞中ACGE和BDHF的截面图均如图乙所示。已知晶胞参数为，表示阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．表示 B．的配位数为6 C．与的最小间距为 D．晶体的密度为 42．铜的一种化合物的晶胞如图所示，晶胞的边长为，为阿伏加德罗常数的值，铜原子a的分数坐标为。下列说法错误的是 A．铜原子b的分数坐标为 B．将晶胞从上下两面对角线方向切开得到的切面图为 C．a、c两个铜原子间的距离为 D．晶体中与最近且等距离的有4个 43.金刚石是天然存在的最坚硬的物质，其高硬度、优良的耐磨性和热膨胀系数低等特点使得它在众多领域中都有着广泛的应用。如图甲、乙是金刚石晶胞和沿晶胞面对角线的投影，下列说法错误的是 A．晶胞中由碳原子构成的四面体空隙中填充的原子占晶胞中原子数目的50% B．图乙中2号位置对应的原子分数坐标为或 C．图乙中3、4、6、7号为晶胞体内碳原子沿面对角线的投影 D．金刚石晶体的密度为 44．新型储氢材料较好地解决了氢气的储存和运输问题。其中铁镁合金储氢材料立方晶胞结构如图1所示，a表示晶胞边长。储氢后H原子以正八面体的配位模式分布在Fe原子周围，其中某镁原子的原子分数坐标为(，，)，某氢原子的原子分数坐标为(，0，0)。 下列说法错误的是 A．图2为MPQN的截面图 B．储氢后晶体的化学式为Mg2FeH6 C．Mg原子周围最近的氢原子数为12 D．两个H原子之间的最短距离为 45．化学式为的笼形包合物的晶胞结构如图所示(H原子未画出， 晶胞中N原子均参与形成配位键，每个苯环只有一半属于该晶胞)，为阿伏加德罗常数的值，下列叙述错误的是 A．基态Ni原子位于元素周期表的d区 B． C．与的配位数之比为 D．该晶体密度为 46．冰存在多种形态的晶体，其中Ih型冰的晶体结构、晶胞结构以及晶胞中氧原子沿z轴方向的投影如图所示，已知晶胞中部分氧原子的分数坐标为。为阿伏加德罗常数的值，下列说法错误的是 A．晶体中O和H通过共价键和氢键形成12元环 B．平均每个晶胞中含有16个氢键 C．b处氧原子的分数坐标为 D．该冰晶体的密度为 47．已知的晶胞结构如图所示，边长为，晶胞中分别处于顶角、体心、面心位置。下列说法错误的是 A．第一电离能： B．与O间的最短距离： C．晶胞中与紧邻的O个数为8个 D．在晶胞结构的另一种表示中，处于各顶角位置，则处于体心位置 48．某立方卤化物可用于制作光电材料，其晶胞是立方体(图1)，当部分K+被Eu2+取代后可获得高性能激光材料(图2)。下列说法错误的是 A．图1中K+的配位数为12 B．图1表示的晶体的密度为 C．图1晶胞若以Mg2+作晶胞的顶点，则F-位于晶胞的棱心 D．图2表示的化学式为KEuMg2F6 49．钙镁矿、、的结构模型如图所示。下列说法正确的是 A．钙镁矿中，2号硫原子的坐标为 B．钙镁矿中，距离硫原子最近的硫原子数目为4 C．晶胞中，分子的排列方式只有3种取向 D．结构中与、与离子之间的作用力相同 50．某种含钒超导材料的晶胞结构及晶体结构俯视图如图，晶胞参数为。下列叙述错误的是 A．基态V原子核外电子的空间运动状态有13种 B．晶体中与原子距离最近的原子有6个 C．该晶体的化学式为 D．若该含钒超导材料的摩尔质量为，则该晶体密度为 51．砷(As)和镍(Ni)形成某种晶体的晶胞结构如下图所示，距离As最近的Ni构成正三棱柱，为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．晶胞中含有2个As B．晶体中Ni的配位数为6 C．(i)和(ii)两个Ni之间的距离为 D．晶胞密度为 52．一种由阳离子、和阴离子组成的无机固体电解质结构如图，其中高温相呈现无序结构，、均未画出，低温相呈现有序结构。     下列说法错误的是 A．该物质的化学式为 B．低温相中的配位数为3 C．低温相晶体中阳离子占据37.5%的四面体空隙 D．高温相中空隙有66.7%被填充，33.3%被填充 53．尖晶石铁氧体有独特的电学，光学，磁学性能，大多数铁氧体具有很稳定的立方对称性，但铁酸铜很特别，它同时具备立方对称性和四方对称性，其晶胞结构如图所示。下列说法正确的是 A．铁酸铜的化学式为 B．基态铁原子的价电子数比基态铜原子多 C．晶胞中和均填充在由形成的四面体空隙内 D．与距离最近且相等的的数目为6 54．Cu2S是一种常用的半导体材料，Cu2S的晶胞结构如图所示，晶胞参数为apm。下列说法正确的是 A．图中黑色球代表的是Cu+ B．距离S2-最近的S2-有8个 C．S2-与Cu+的最近距离为 D．晶胞的密度为 55．砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、抗辐射能力强等优点。其立方晶胞结构如图，晶胞边长为，原子的分数坐标为，原子的分数坐标为，设为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是 A．Ga原子的配位数为2 B．位于晶胞内的As围成正方形 C．q原子的分数坐标为 D．晶体密度为 56．一种新型储氢材料[Mg(NH3)6](BH4)2的立方晶胞如图1所示(的位置未标出)，该晶胞沿z轴方向的投影如图2所示，设NA为阿伏加德罗常数的值。 下列说法正确的是 A．与的空间结构相同 B．晶体中由围成的正四面体空隙的占用率为 C．晶体中存在离子键、共价键和配位键 D．晶体的密度为 57．钠硒电池具有能量密度大、导电率高、成本低等优点。以填充碳纳米管作为正极材料的一种钠硒电池工作原理如图所示，充放电过程中正极材料立方晶胞内未标出因放电产生的0价原子。下列说法错误的是 A．每个晶胞中个数为4 B．放电时，a极电势比b极电势低 C．放电时，正极反应为 D．充电时，每转移极质量增加 58．Cu2O的立方晶胞如图，晶胞参数为a pm，m点的分数坐标为（），设阿伏加德罗常数的值为NA，下列说法错误的是 A．O的配位数为4 B．Cu与O的最近距离为pm C．n点的分数坐标为（） D．晶体密度ρ=g·cm-3 59．硒化锌主要用于制造红外线光学仪器，图1是其晶胞结构，图2是晶胞的俯视图。已知晶胞参数为npm，a点离子的分数坐标为（0，0，0），是阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是 A．位于构成的正八面体空隙中 B．d点离子的分数坐标为 C．硒化锌晶体密度为 D．晶胞中b点离子和d点离子的距离为 60．二氧化铱(化学式为，铱和钴位于同族)可用于制造高硬度的铱铂合金，这种合金常被用来制造陀螺仪导电环、笔尖、钟表、仪器轴承等精密部件。二氧化铱的晶胞结构如图所示。已知：为阿伏加德罗常数的值，晶胞棱长分别为、、。下列叙述正确的是 A．铱位于元素周期表区 B．氧离子的配位数为6 C．铱离子位于面心和体内 D．晶体密度为 61．锑化镓是一种半导体材料，常被用于制造红外检测器、红外发光二极管、晶体管、激光二极管等设备。锑化镓晶胞如图所示。晶胞参数为，为阿伏加德罗常数的值，晶体密度为，摩尔质量为。下列叙述正确的是 A．锑化镓的化学式为GaSb B．镓原子半径 C．镓的配位数为8 D．该晶胞的体积 62．MgO具有NaCl型晶体结构，其中阴离子采用面心立方最密堆积方式，其结构如图所示，已知晶胞参数a=0.42nm，下列说法不正确的是 A．位于构成的八面体空隙中 B．阴离子半径 C．晶体的密度为 D．若将换为，晶胞参数变为0.448nm，则 63．NiO是一种极有前景的功能材料，已被广泛应用于冶金、化工及电子工业等领域。其晶胞结构(与NaCl相同)如图所示。按面对角线对晶胞进行垂直切割，得到的截面图是 A． B． C． D． 64.Li2CN2是一种高活性的人工固氮产物，其合成反应为2LiH+C+N2Li2CN2+H2，晶胞如图所示，下列说法错误的是(　　) A.合成反应中，还原剂是LiH和C B.晶胞中含有的Li+个数为4 C.每个周围与它最近且距离相等的Li+有8个 D.为V形结构 65.黄金按质量分数分级，纯金为24K。Au-Cu合金的三种晶胞结构如图，Ⅱ和Ⅲ是立方晶胞。下列说法错误的是(　　) A.Ⅰ为18K金 B.Ⅱ中Au的配位数是12 C.Ⅲ中最小核间距Au-Cu<Au-Au D.Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ中，Au与Cu原子个数比依次为1∶1、1∶3、3∶1 66.配合物[MA2L2]的分子结构以及分子在晶胞中的位置如图所示，下列说法错误的是(　　) A.中心原子的配位数是4 B.晶胞中配合物分子的数目为2 C.晶体中相邻分子间存在范德华力 D.该晶体属于混合型晶体 67.β⁃MgCl2晶体中，多个晶胞无隙并置而成的结构如图甲所示，其中部分结构显示为图乙，下列说法错误的是 (　　) A.电负性：Mg<Cl B.单质Mg是金属晶体 C.晶体中存在范德华力 D.Mg2+的配位数为3 68某锂离子电池电极材料结构如图。结构1是钴硫化物晶胞的一部分，可代表其组成和结构；晶胞2是充电后的晶胞结构；所有晶胞均为立方晶胞。下列说法错误的是(　　) A.结构1钴硫化物的化学式为Co9S8 B.晶胞2中S与S的最短距离为a C.晶胞2中距Li最近的S有4个 D.晶胞2和晶胞3表示同一晶体 69.全固态氟离子电池中的固态电解质晶胞如图。电池工作时，F-发生迁移。晶胞参数越大，可供离子迁移的空间越大，越有利于离子传输。F位点空缺也可使离子传输更加高效。下列说法不正确的是(　　) A.晶体中与Cs距离最近且相等的F有12个 B.该固态电解质的化学式为CsPbF3 C.在Pb位点掺杂K，F位点将出现空缺 D.随Pb位点掺杂K含量的增大，离子传输效率一定提高 70.NiO的晶胞示意图如图甲所示。存在“缺陷”的氧化镍晶体(NixO)如图乙所示(一个Ni2+空缺，另有两个Ni2+被两个Ni3+所取代，其晶体仍呈电中性)。下列说法正确的是(　　) A.Ni元素位于元素周期表的ds区 B.NiO晶体中每个O2-周围与它距离相等且最近的O2-有6个 C.某氧化镍(NixO)晶体中Ni3+与Ni2+的个数比为1∶11，则x=0.96 D.NiO晶体中与一个Ni2+距离相等且最近的O2-构成的空间几何形状为正四面体 71.二维磁性材料卤化铬CrXn混合晶体结构如图，在纯氧中发生光氧化反应生成长链状CrOm和X2。下列说法错误的是(　　) A.化学键中离子键成分百分数：CrCln>CrBrn>CrIn B.n=m=3 C.生成1 mol X—X转移3 mol电子 D.熔点：CrCln>CrBrn>CrIn 72.α-AgI可用作固体离子导体，能通过加热γ-AgI制得。两种晶体的晶胞如图a所示(Ag+ 未标出)。测定α-AgI中导电离子类型的实验装置如图b所示，在电场的作用下，α-AgI中的离子无需克服太大阻力即可发生迁移。下列说法错误的是(　　) A.γ-AgI与α-AgI晶胞的质量之比为2∶1 B.可用X射线衍射实验区分γ-AgI和α-AgI晶体 C.γ-AgI与α-AgI中与I-等距离且最近的I-个数比为3∶2 D.支管a中AgI质量不变，可判定导电离子是I-而非Ag+ 73.铜的化合物可用于制造催化剂，铜和氧形成的一种离子化合物的晶体结构如图。下列有关说法正确的是 (　　) A.化学式为CuO B.阳离子的配位数为3 C.该物质的密度为 g·cm-3 D.基态O原子的轨道表示式：　 74黄铁矿(FeS2)在工业上有着重要的用途，黄铁矿在空气中煅烧的反应为4FeS2+11O22Fe2O3+8SO2，生成的SO2可用于生产Na2SO3和H2SO4。FeS2立方晶胞如图，其晶胞边长为a nm。下列有关说法不正确的是(　　) A.FeS2中存在非极性共价键 B.的空间结构为三角锥形 C.SO2能使酸性高锰酸钾溶液褪色，说明SO2具有漂白性 D.晶胞中Fe2+位于所形成的正八面体的体心，该正八面体的边长为a nm 75砷化镓是一种高性能半导体材料，被广泛应用于光电子器件等领域。砷化镓立方晶胞(晶胞参数为a pm)如图1。下列说法正确的是(　　) A.Ga的配位数为2 B.该晶胞沿z轴方向的平面投影如图2 C.晶体中配位键占共价键总数的25% D.晶胞中砷原子与镓原子间的最短距离为a pm 76.晶体世界丰富多彩、复杂多样，各类晶体具有的不同结构特点，决定着它们具有不同的性质和用途。氢化铝钠(NaAlH4)是一种新型轻质储氢材料，其晶胞结构如图所示，为长方体。设阿伏加德罗常数的值为NA，下列说法错误的是(　　) A.中中心原子Al的杂化方式为sp3杂化 B.NaAlH4晶体中，与紧邻且等距的Na+有4个 C.NaAlH4晶体的密度为 g·cm-3 D.若NaAlH4晶胞上下面心处的Na+被Li+取代，得到的晶体的化学式为Na3Li 77碳化硅是一种半导体，一定条件下可由聚硅烷反应制得，反应过程为 。的晶胞结构如图所示，晶胞参数为a pm。下列说法错误的是 A．中为杂化 B．晶体中，C原子与C原子的最短距离为 C．晶体中，C、的配位数均为4 D．晶体的密度为 78.IIIA-VA族化合物在光电领域具有重要应用。砷化镓(GaAs，M = 145 g·mol1)具有空间网状结构，其晶胞结构如图所示，立方晶胞参数为a pm，NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．As原子周围等距离且最近的As原子有12个 B．GaAs属于共价晶体 C．Ga原子间的最短距离为a/4 pm D．GaAs的晶体密度为 (145×4×1030)/(NA×a3) g·cm3 79．用于陶瓷业及半导体工业中的某含铅化合物的晶胞结构如图。已知晶胞参数为apm， 为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．晶体中Pb与S个数比为1：1 B．晶胞中与Pb最近且等距离的Pb有12个 C．S原子之间的最短距离为 D．晶体的密度为 80．氮化铁晶体可用于磁记录材料领域，其立方晶胞结构如图所示。已知该晶体的密度为，阿伏加德罗常数的值为。下列说法错误的是 A．该氮化铁的化学式为Fe4N B．该晶胞中距离铁原子最近且距离相等的铁原子数目为12 C．若以N原子为晶胞的八个顶角，则铁原子的位置为棱心和体心 81．已知某离子晶体的晶胞结构如图所示，其摩尔质量为M g⋅mol，阿伏加德罗常数的值为，晶体的密度为d g⋅cm。则下列说法正确的是 A．晶胞中阴、阳离子的个数都为4 B．该晶体中两个距离最近的同种离子的核间距为cm C．阴、阳离子的配位数都是4 D．该晶胞可能是CsCl晶体的晶胞 82．氯化铅( 为白色粉末，在氯化物溶液中存在平衡 另外在一定条件下 可与 CsCl反应生成CsPbCl3。CsCl与( 的立方晶胞结构如图所示， 晶胞中 Cs与Cl之间的最短距离小于 Pb与 Cl之间的最短距离。 下列叙述错误的是 A．晶胞中 Pb位于顶点处 B．中 Pb的杂化方式为： C．晶胞中一个 Cs周围与其最近的 Cl的个数： D．晶体的密度为 83．一种MnS晶胞的结构如图所示，设晶胞边长为a nm，1号原子的分数坐标为，2号原子的分数坐标为。下列说法正确的是 A．距离最近且等距的数为6 B．3号原子的分数坐标为 C．填充在围成的正四面体中心 D．该晶体的密度为 84．锰酸锂(相对分子质量为)是新型锂离子电池常用的正极材料，其晶胞如下图甲所示。甲可看作是由下图中相邻A、B两种基本单元交替结合而成(顶面的已标注，其余位置的未画出)，均位于单元中体对角线上离顶点处，已知形成晶体的晶胞参数(晶胞边长)。 下列说法错误的是 A．中的x、y分别为2、4 B．图甲中箭头所指的B单元中离标★的位置距离最远的锰离子(或)的原子分数坐标为() C．晶体的密度表达式为 D．图A中位于体心的与的距离为 85．铜元素能形成多种化合物，在生产和生活中起着重要的作用。和是铜的两种氯化物，下图是其中一种物质的晶胞。已知原子坐标参数可用来表示晶胞内部各原子的相对位置，下图中各原子坐标参数：A为，B为，C为；图示晶胞中C、D两原子核间距为298pm。阿伏加德罗常数的值为，下列说法错误的是 A．该图表示的是的晶胞 B．D原子的坐标参数为 C．晶胞中的配位数是4 D．该晶体密度为 86．Cu的化合物种类繁多，在人类的生产生活中有着广泛的应用，实验测得一种Cu与Br形成的化合物沸点为1345℃，晶胞结构如图所示(晶胞的密度为ρ g·cm-3，设NA为阿伏加德罗常数的值)。下列说法正确的是 A．该化合物为共价晶体，其化学式为CuBr2 B．晶体中与Br最近且距离相等的Br有6个 C．Cu与Br之间的最短距离为 D．该晶胞沿z轴方向上的投影图为 87．图1为γ-AgI立方晶胞结构（Ag+未画出），晶胞中I-处于顶点和面心；γ-AgI晶胞沿x、y、z轴方向的投影均如图2所示，已知NA表示阿伏加德罗常数的值。γ-AgI晶胞的密度为ρg⋅cm-³，下列说法正确的是 A．Ag与Cu同族，Ag在元素周期表中位于d区 B．Ag+填充在I-构成的正四面体空隙中 C．与I-等距离且最近的I-有6个 D．晶胞中两个最近的Ag+之间的距离为 88．磷化硼(BP)晶体的晶胞如图所示，晶胞的棱长为a pm，为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．基态B原子价电子轨道表示式 B．晶胞中P原子的配位数是8 C．晶胞中有4个B原子和4个P原子 D．晶体的密度 89．某卤化物可用于制作光电材料，其晶胞是立方体(结构如图1所示)。当部分被铕离子或空位取代后可获得高性能激光材料，其晶胞结构如图2所示。下列说法正确的是(设阿伏加德罗常数的值为) A．图1中每个周围紧邻且距离相等的共有6个 B．图1晶胞若以作为晶胞的顶点，则位于晶胞的棱心 C．图2表示的化学式为 D．图2晶体的密度可表示为 90．钙的化合物在工农业生产和生活中有广泛的应用。某含钙化合物的晶胞结构如图甲所示，沿x轴方向的投影为图乙，晶胞底而显示为图丙，晶胞参数，。为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．N、B为p区元素，Ca为s区元素 B．该含钙化合物的化学式为 C．图丙中Ca与N的距离为 D．该晶体的密度为 91．晶体世界丰富多彩、复杂多样，各类晶体具有的不同结构特点，决定着它们具有不同的性质和用途。氢化铝钠是一种新型轻质储氢材料，其晶胞结构如图所示，为长方体。设阿伏加德罗常数的值为，下列说法错误的是 A．晶体的密度为 B．中氢元素显价 C．若晶胞上下面心处的被取代，得到的晶体的化学式为 D．中中心原子Al的杂化方式为杂化 92．向FeCl3溶液中滴加黄血盐K4[Fe(CN)6]可制得普鲁士蓝。其晶胞由8个如图所示的小立方体构成(K+未标出)，晶胞参数为2apm。下列关于普鲁士蓝说法错误的是 A．普鲁士蓝为离子晶体 B．设普鲁士蓝的式量为Mr，则普鲁士蓝晶体的密度为 C．测定晶体的结构常采用X射线衍射法 D．普鲁士蓝中含有离子键、共价键、配位键 93．某种太阳能材料晶体为四方晶系，其晶胞参数及结构如图所示，晶胞棱边夹角均为90°。已知A处In原子坐标为，B处Cu原子坐标为。阿伏加德罗常数的值为。下列说法正确的是    A．C处S原子坐标为 B．中的x=4 C．晶体中，每个D处Cu原子周围紧邻且距离相等的Cu原子共有6个 D．晶体的密度为 94．钴氧化物和按照适量的比例高温煅烧可得到钴蓝，钴蓝可用于青花瓷的颜料。钴蓝晶体结构是由图1中Ⅰ型和Ⅱ型两种小立方体平移所得。图2是钴蓝的晶胞，已知钴原子位于晶胞的顶角和面心。下列说法中错误的是 A．钴蓝晶胞中原子个数比为 B．Co原子间最短的距离为 C．图2所示字母中，Ⅰ型小立方体分别是 D．钴蓝晶体的密度为 95．朱砂(硫化汞)在众多先秦考古遗址中均有发现，其立方晶系型晶胞如下图所示，晶胞参数为a nm，A原子的分数坐标为，阿伏加德罗常数的值为，下列说法不正确的是 A．S的配位数是4 B．晶胞中B原子分数坐标为 C．该晶体的密度是g/cm3 D．相邻两个Hg的最短距离为nm 96．已知胆矾()和铜晶胞的结构如下图所示，铜晶胞的参数为，表示阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是 A．在胆矾示意图中，存在氢键、配位键、共价键和离子键等化学键 B．胆矾中元素的电负性从大到小的顺序为 C．胆矾中铜的配位数和铜晶胞中铜的配位数相同 D．铜晶胞的密度为 97．氢气的安全贮存和运输是氢能应用的关键，铁镁合金是已发现的储氢密度最高的储氢材 料之一，若该晶胞边长为dnm，其晶胞结构如图所示。下列说法正确的是 A．铁镁合金的化学式为Mg8Fe4 B．Fe原子与最近的Mg原子的距离是 C．若该晶体储氢时，H2填充在Fe原子组成的八面体空隙中心位置，则含Mg 96g的该储氢合金可储存标准状况下H2的体积约为22.4L D．若NA为阿伏加德罗常数的值，则该合金的密度为 98．金铜合金在低于395℃时形成图a所示的晶胞结构，在低于380℃时形成图b所示的晶胞结构，晶胞参数均为a nm，设为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是 A．图a中 B．图b所示晶胞对应合金的化学式为Cu2Au C．图a、b中与Cu距离最近且相等的Au的数目均为4 D．图b晶体的密度为 99．钛具有十分优异的性能，因而得到了广泛应用。其应用领域主要有航空航天、舰船制造等。钛晶体的堆积方式属于密堆积，晶胞结构及参数如图所示。下列说法错误的是 A．晶胞中含2个Ti B．钛原子的配位数为12 C．沿z轴的投影图为 D． 100．半导体光催化可以将太阳能直接转化为化学能，在解决能源危机方面具有广阔的发展前景。硫化镉是一种新型半导体材料，其晶胞的结构如图所示。已知该晶胞参数为a pm，以晶胞参数建立分数坐标系，1号原子的坐标为，3号原子的坐标为，下列说法错误的是。 A．的配位数为4 B．2号原子的坐标为 C．与之间最近的距离 D．设为阿伏加德罗常数的值，该晶体的密度为 101．GaN是新型半导体材料，该晶体的一种晶胞结构可看作金刚石晶胞(图1)内部的碳原子被N原子替代，顶点和面心的碳原子被Ga原子替代，晶胞参数为anm，沿z轴从上往下俯视的晶胞投影图如图2所示，设阿伏加德罗常数的值为NA。下列说法正确的是 A．若图2中原子1的分数坐标是则原子4的分数坐标是 B．N的配位数为6 C．晶胞中原子2、5之间的距离为 D．Ga原子位于N原子形成的八面体空隙中 102．硫化汞的立方晶系型晶胞如图所示，晶胞参数为，P原子的分数坐标为，阿伏加德罗常数的值用表示。下列说法正确的是 A．基态S原子核外有4个未成对电子 B．M原子的分数坐标为 C．晶体密度 D．S与之间的最短距离为 103．硒化锌的晶胞结构如图I所示，晶胞参数为，A点的分数坐标为，C点的分数坐标为，该晶胞沿z轴方向在xy平面的投影如图Ⅱ所示，为阿伏加德罗常数的值，下列说法错误的是 A．硒化锌的密度为 B．Se原子的配位数为4 C．B点的分数坐标为 D．Zn与Zn之间的最近距离为 104．方解石的六方晶胞结构如下： 设为阿伏加德罗常数的值，下列说法错误的是 A．的空间结构为平面三角形 B．晶体中存在离子键、大π键 C．方解石的化学式为CaCO3 D．晶体密度为 105．铁的一种硫化物的晶胞如下图。已知晶胞的边长为n pm，NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是。 A．的配位数为6 B．在中， C．ef的距离为 D．该晶体的密度为 106．合成某种脱氢催化剂的主要成分之一为立方ZnO，其晶胞结构如图，已知晶体密度为，a的分数坐标为，设阿伏加德罗常数的值为。下列说法错误的是 A．与最近的有12个 B．若以为顶点重新取晶胞，位于晶胞的面心和体心 C．之间的最短距离为 D．b的分数坐标为 107．某含钙化合物的晶胞结构如图甲所示，沿x轴方向的投影为图乙，晶胞底面显示为图丙，晶胞参数，。已知该含钙化合物的摩尔质量为，阿伏加德罗常数的值是。下列说法正确的是 A．元素电负性： B．该含钙化合物的化学式是 C．晶体密度的计算式为 D．图丙中和N的间距为 108．半导体材料砷化镓的晶胞如图所示。下列叙述错误的是 已知：为阿伏加德罗常数的值，砷化镓晶体密度为。 A．基态As原子有3个未成对电子 B．砷化镓的化学式为GaAs C．砷原子的配位数为4 D．xy原子间的距离为 109．硒化锌是一种重要的半导体材料，其立方晶胞结构如图甲所示。已知晶胞参数为， 图乙为晶胞沿z轴的俯视图，a点的原子分数坐标为。 下列说法错误的是 A．基态原子核外电子排布式： B．晶体中，与最近的原子有12个 C．晶胞中d点的原子分数坐标为 D．相邻两个原子间的最短距离为 110．金属铜晶胞沿体对角线方向投影如图所示，下列有关说法正确的是 A．1号原子的分数坐标可为 B．2号原子处于棱中心 C．1、2号原子的距离为 D．晶体密度的计算式为 111．Cu的化合物种类繁多，在人类的生产生活中有着广泛的应用，实验测得一种Cu与Br形成的化合物沸点为1345℃，晶胞结构如图所示(晶胞的密度为ρ g·cm-3，设NA为阿伏加德罗常数的值)。下列说法正确的是 A．该化合物为共价晶体，其化学式为CuBr2 B．晶体中与Br最近且距离相等的Br有6个 C．Cu与Br之间的最短距离为 D．该晶胞沿z轴方向上的投影图为 112．嫦娥三号卫星上的PIC元件(热敏电阻)的主要成分——钡钛矿的晶胞结构如图所示。若该晶体的密度为ρg/cm3，NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．Ti4+位于O2-围成的正八面体的中心 B．Ba2+周围距离最近的O2-数目为12 C．两个O2-的最短距离为cm D．Ba2+与Ti4+之间的最短距离为×10-10pm 113．已知：金晶胞为立方晶胞，晶胞结构如图所示。设晶胞边长为，为阿伏加德罗常数的值。下列叙述正确的是 A．每个晶胞含14个Au B．Au的配位数为8 C．两个Au的最近距离为 D．晶体密度为 114．氧化铈(CeO2)是一种重要的催化剂，在其立方晶胞中掺杂Y2O3，Y3+占据原来Ce4+的位置，可以得到更稳定的结构(过程如下图)，这种稳定的结构使得氧化铈具有许多独特的性能。下列说法正确的是 [已知：O2-的空缺率=×100%] A．CeO2晶胞中Ce4+的配位数为6 B．若CeO2晶胞中两个Ce4+间的最小距离为apm，则Ce4+与O2-的最小核间距为pm C．已知M点原子的分数坐标为(0，0，0)，则N点原子的分数坐标为(，，) D．若掺杂Y2O3后得到n(CeO2)：n(Y2O3)=3：1的晶体，则此晶体中O2-的空缺率为10% 115．磷化硼是一种半导体材料，其晶胞结构如下图所示。已知阿伏加德罗常数的值为NA，下列说法错误的是 A．晶胞结构中，硼原子的配位数为4 B．磷化硼为分子晶体 C．硼原子与磷原子间的最短距离为nm D．磷化硼晶体g·cm-3 116 ．砷化镓(GaAs)的晶胞结构如左图所示。将Mn参杂到晶体中得到稀磁性半导体材料，其晶胞结构如右图所示。下列说法错误的是 A．左图中，与Ga原子直接连接的As原子构成的几何形状为正四面体形 B．1 molGaAs晶体中的配位键数目为NA C．左图中，若Ga-As键的键长为a pm，则晶胞边长为 D．稀磁性半导体材料中，Mn、As的原子个数比为1：2 117．某锂离子电池电极材料结构如图。结构1是钴硫化物晶胞的一部分，可代表其组成和结构；晶胞2是充电后的晶胞结构；所有晶胞均为立方晶胞。下列说法错误的是 A．结构1钴硫化物的化学式为 B．晶胞2中S与S的最短距离为 C．晶胞2中距最近的S有4个 D．晶胞2和晶胞3表示同一晶体 118．二氧化铈()可作脱硝催化剂，其理想晶胞如图甲所示。催化脱硝时，能在 和之间改变氧化状态，将氧化为，并引起氧空位的形成，得到新的铈氧化物()。该催化脱硝时可能的变化如图乙所示。 下列有关说法不正确的是 A．理想晶胞中，的配位数为8 B．若理想晶胞边长为，则晶体密度为(其中为阿伏加德罗常数的值) C．中和个数比为 D．每氧化标准状况下气体，则生成 119．某钾离子电池负极材料的晶胞结构如图1所示，该晶体沿垂直石墨层方向的部分投影如图2所示，下列说法正确的是 A．图1晶胞是一个立方体 B．该负极材料的组成可表示为KC6 C．晶体中与K+紧邻的C的数目为8 D．晶胞底面棱长等于碳碳键长的倍 120．我国科研人员通过注入自旋和电荷调控制备出兼具自旋特性和电荷属性的稀磁半导体(图2)，该材料为(图1)的部分原子被原子取代所得。二者晶胞体积近似相等。下列说法正确的是 A．位于元素周期表ds区 B．图1晶胞的密度为 C．图2晶体中和原子个数最简比为 D．若图1中的分数坐标为，则的分数坐标为 121．Cu2O主要用于制造船底防污漆、杀虫剂，可溶于浓氨水形成无色配离子[Cu(NH3)2]+[铜 (I)氨离子]，其在空气中被氧化为蓝色的[Cu(NH3)4]2+(空间结构为平面正方形)。Cu2O的立方 晶胞结构如图所示。 已知：①Cu、O的原子半径分别为r1pm、r2pm； ②a、b的原子坐标分别为、； ③Cu2O晶体的密度为，NA是阿伏加德罗常数的值； ④原子空间利用率。 下列说法错误的是 A．Cu2O晶胞中Cu的配位数为2 B．d的原子坐标为 C．[Cu(NH3)4]2+中Cu2+采用的是sp3杂化 D．该晶胞中原子空间利用率为 122．砷化镓是一种重要的半导体材料，熔点为。它在以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓晶胞结构如图。下列说法正确的是 A．砷化镓是一种离子晶体 B．距离砷原子最近的砷原子数为6 C．若晶胞参数为apm，则Ga原子与As原子的最短距离为 D．晶胞中与Ga等距且最近的As形成的空间结构为正四面体 123．嫦娥三号卫星上的元件（热敏电阻）的主要成分——钡钛矿的晶胞结构如图所示。若该晶体的密度为，为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．位于围成的正八面体的中心 B．周围距离最近的数目为12 C．两个的最短距离为 D．若的分数坐标为，则的分数坐标为 124．硒化锌()是一种重要的半导体材料，其晶胞结构如图所示，已知该晶体密度为，设阿伏加德罗常数的值为。下列说法错误的是 A．位于元素周期表的p区 B．基态原子核外有18种不同空间运动状态的电子 C．该晶胞中与之间的最短距离为 D．若A、C两原子的原子坐标分别为和，则B原子的坐标为 125．半导体材料砷化镓的晶胞如图所示。下列叙述错误的是 已知：为阿伏加德罗常数的值，砷化镓晶体密度为。 A．基态As原子有3个未成对电子 B．砷化镓的化学式为GaAs C．砷原子的配位数为4 D．xy原子间的距离为 126．某铁的氧化物立方晶胞如图所示，它由A、B两种单元组成。已知晶胞边长为。 下列有关说法错误的是 A．该晶胞的最简式为 B．A单元沿轴的投影图为 C．中M微粒的原子分数坐标为，则中微粒（即）的原子分数坐标为 D．A单元中相邻间的最近距离为 127．砷化镓()的晶胞结构如图甲所示。将掺杂到晶体中得到稀磁性半导体材料，其晶胞结构如图乙所示。下列说法错误的是 A．属于区元素 B．图甲中，原子位于原子构成的正四面体空隙中 C．图甲中，若的键长为，则晶胞边长为 D．稀磁性半导体材料中，、的原子个数比为 128．一种稀磁半导体晶体的晶胞结构如下（部分原子的分数坐标已给出），有关说法正确的是 A．该晶体属于金属晶体，一定条件下可以导电 B．a处原子的分数坐标为 C．该晶体的化学式为 D．与距离最近且等距的原子有4个 129．是一种铁电材料，掺杂可提高其光电转化性能，取代部分后的晶胞结构示意图(氧原子未画出)如下。下列说法错误的是 A．填充在形成的六面体空隙中 B．该晶体的化学式为 C．该晶胞在平面的投影为 D．若p点平移至晶胞体心，则位于晶胞顶点 130．一种由三种元素形成的晶体结构的基本单元如图所示。下列说法不正确的是 A．该物质中的化合价为价 B．每个O周围距离相等且最近的有4个 C．通过X射线衍射实验图谱能计算该晶体中离子间的距离 D．该物质的一种晶胞表示方法中，若顶点位置是F，则O仅位于棱心位置 131．GaN是新型半导体材料，该晶体的一种晶胞结构可看作金刚石晶胞(图1)内部的碳原子被N原子替代，顶点和面心的碳原子被Ga原子替代，晶胞参数为anm，沿z轴从上往下俯视的晶胞投影图如图2所示，设阿伏加德罗常数的值为NA。下列说法正确的是 A．若图2中原子1的分数坐标是则原子4的分数坐标是 B．N的配位数为6 C．晶胞中原子2、5之间的距离为 D．Ga原子位于N原子形成的八面体空隙中 132．某立方晶系的硫锰矿晶胞，沿c轴将原子投影到ab平面，投影图如下(设代表阿伏加德罗常数的值，括号中数据为原子在轴方向的原子坐标)。下列说法错误的是 A．基态的价电子排布式为 B．晶体中S的配位数是6 C．位于晶胞的顶角和面心 D．若晶体密度为，则最近的两个硫原子之间的距离为 133．CdTe的晶胞属立方晶系，晶胞参数如图1所示。下列说法错误的是 A．已知原子M的坐标为(0，0，0)，则原子N的坐标为 B．该晶胞在面ABCD上的投影如图2所示，则代表Te原子的位置是9，10，11 C．晶胞中原子6和11之间的距离为 D．距离最近的原子有12个 134．某镁镍合金储氢后所得晶体的立方晶胞如图，晶胞边长为位于相邻4个所围合的正四面体的体心。下列说法不正确的是 A．储氢过程中被还原 B．晶体的化学式为 C．每个周围有12个紧邻的H D．与的原子核间距为 135．某记忆合金的晶体结构如图a所示，晶胞结构如图b所示。已知原子半径为、。下列说法错误的是 A．该物质的化学式为 B．与最邻近且距离相等的原子数是8 C．该晶体与金属钠含有相同的化学键 D．该晶胞的体积为 136．如图所示是氧化锆晶胞，其结构为立方体，氧化锆的摩尔质量为，若阿伏加德罗常数的值为，下列说法正确的是 A．立方氧化锆的化学式为ZrO B．每个Zr原子周围有8个O原子 C．氧化锆晶体密度的计算式为 D．相邻两个氧原子之间的最短距离为 137．锌、硒所形成的晶体是一种重要的半导体材料，其晶胞结构如图甲所示，乙图为该晶胞俯视图，已知A点原子坐标为，B点坐标为，下列说法错误的是 A．Zn位于元素周期表的ds区 B．该晶体的化学式为ZnSe C．Se的配位数为4 D．C点原子的坐标为 138．一种锂的氧化物的晶胞结构如图所示(晶胞参数a=b=c=0.4665nm，晶胞棱边夹角均为90°)。以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置，称作原子的分数坐标。下列有关说法不正确的是 A．该氧化物的化学式为Li2O B．O原子之间的最短距离为×466.5pm C．与Li距离最近且相等的O有8个 D．若p原子的分数坐标为(，，)，则q原子的分数坐标为(，，) 139．锂电池负极材料为Li嵌入两层石墨层中，形成如图所示的晶胞结构。下列说法中正确的是 A．该负极材料的摩尔质量为79 B．碳原子的杂化方式为杂化 C．Li的配位数为8 D．晶胞中Li与C原子个数比为1：6 140．元素周期表可以有多种表示方法，如图1为八角形元素周期表，八角形的每个顶角对应一种元素，下列说法错误的是 A．图1中沿虚线箭头方向，元素单质的还原性逐渐增强 B．元素第一电离能大小关系：②>①>④ C．最简单气态氢化物的稳定性：⑤>⑥ D．与③、④可形成冰晶石(已知(熔融)，形成的晶胞如图2所示，其中黑球代表，该晶体密度为 141．锂离子电池的正负极一般采用可逆嵌锂－脱锂的材料。尖晶石结构的LiMn2O4是一种常用的正极材料。已知一种LiMn2O4晶胞可看成由A、B单元按III方式交替排布构成，“○”表示O2−。下列说法不正确的是 A．充电时，LiMn2O4电极发生电极反应LiMn2O4−xe－＝Li1−xMn2O4＋xLi＋ B．充电和放电时，LiMn2O4电极的电势均高于电池另一极 C．“●”表示的微粒是Mn D．每个LiMn2O4晶胞转化为Li1−xMn2O4时转移8x个电子 142．一种理想的荧光材料CuInSn的晶胞结构如图所示。已知：原子中电子有两种相反的自 旋状态，一种用+表示，另一种用-表示。下列说法正确的是 A．晶体中距离D处Cu原子最近的S原子有8个 B．基态In原子的电子自旋量子数的代数和为或- C．若A处原子坐标为(0.5，0，0.25)，B处原子坐标为(0，0.5，0.25)，则C处原子坐标为(0.5，0.5，0.75) D．设NA为阿伏加德罗常数，CuInSn的摩尔质量为Mg/mol，则晶体的密度为g/cm 143．Li、Fe、Se可形成新型超导材料，晶胞如图所示(Fe原子均位于面上)。晶胞棱边夹角均为90°，X的坐标为(0，1， )，Y的坐标为( ，，)，设NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是 已知：以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置，称作原子分数坐标 A．基态Fe原子的核外电子排布式为[Ar]3d54s2 B．坐标为(，1，)的原子是Li原子 C．Se原子X与Se原子Y之间的距离为nm D．该晶体的密度为g·cm-3 144．自然界中原生铜的硫化物经氧化、淋滤后变成溶液，遇到ZnS(晶胞结构如图所示，晶胞参数为a nm)可缓慢转化为CuS。已知：，。下列说法正确的是 A．的配位数为6 B．与的最短距离为 nm C．体系达平衡后，溶液中： D．要使反应正向进行，需满足 145．亚铁氰化钾可用作食品添加剂，其受热分解时发生反应3K4[Fe(CN)6]12KCN+Fe3C+2(CN)2↑+N2↑+C(下图为Fe3C的晶胞)，下列关于该反应的说法不正确的是 A．K4[Fe(CN)6]中心离子的配位数是6 B．基态Fe2+和Fe3+的未成对电子数之比为6∶5 C．(CN)2分子的空间结构为直线形 D．Fe3C晶体中与Fe最近且等距的C的个数为6 146．Li2O具有反萤石结构，其立方晶胞结构如图所示(晶胞的边长为apm)下列说法错误的是 A．字母B表示氧离子，配位数是8 B．若晶胞中M的坐标为(0，0，0)，则P的坐标为(，，) C．A处于B围成的正八面体空隙中 D．晶胞中A与B的最短距离为cm 147．冰晶石晶胞结构如图甲所示，Al单质的晶体中原子的堆积方式如图乙所示，其晶胞特征如图丙所示，原子之间相互位置关系的平面图如图丁所示。下列说法错误的是 A．甲图中大立方体的体心处小三角“△”所代表的应该是“小白球” B．Al晶胞中Al原子的配位数为12 C．若已知Al的原子半径为dcm，代表阿伏加德罗常数，Al的相对原子质量为M，Al晶体的密度为 D．中含有离子键、配位键 148．一种固体导电材料为四方晶系，其晶胞参数为a pm、a pm和2a pm，晶胞沿x、y、z的方向投影(如图所示)，A、B、C表示三种不同原子的投影，标记为n的原子分数坐标为，的摩尔质量为，设为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．C表示的是Ag原子 B．距离Hg最近的Ag有8个 C．m原子的分数坐标为 D．该晶体的密度为 149．硼氢化锂(LiBH4)是一种潜在的高效储能材料，在高压下呈现出多晶型的转变过程。图a是不同压强下LiBH4的两种晶胞，图b是晶胞I沿x、y、z轴的投影图，下列有关说法错误的是 A．电负性：H>B>Li B．晶胞II为较大压强下的晶型 C．LiBH4中存在配位键，B提供空轨道 D．晶胞I中Li+周围距离最近的BH有4个 150．砷化镓是一种立方晶系如图甲所示，将Mn掺杂到晶体中得到稀磁性半导体材料如图乙所示，砷化镓的晶胞参数为x pm，密度为。下列说法错误的是 A．砷化镓中配位键的数目是 B．Ga和As的最近距离是 C．沿体对角线a→b方向投影图如丙，若c在11处，则As的位置为7、9、11、13 D．Mn掺杂到砷化镓晶体中，和Mn最近且等距离的As的数目为6 151．双钙钛矿型氧化物因其巨介电效应已经成为当代材料学家的重要研究对象。双钙钛矿型晶体的一种典型结构单元如图所示，下列说法不正确的是 A．真实的晶体中存在2.5%的O原子缺陷，已知B＇为＋3价，为＋2价，A有＋3价与＋4价两种价态，则＋3价与＋4价的A原子个数比为13：7 B．晶体中与B＇原子距离最近的原子构成了正八面体 C．该晶体的一个完整晶胞中含有4个A原子 D．考虑晶体中存在2.5%的O原子缺陷，则该晶体的密度为 152．石墨烯是从石墨材料中剥离出来，由碳原子组成的只有一层原子厚度的二维晶体。下列关于石墨与石墨烯的说法中正确的是 A．从石墨中剥离石墨烯需要既要破坏化学键也会破坏范德华力 B．石墨中的碳原子采取sp2杂化，每个sp2杂化轨道含s轨道与p轨道 C．石墨属于混合晶体，层与层之间存在分子间作用力；层内碳原子间存在共价键 D．石墨烯中平均每个六元碳环含有3个碳原子 153．经理论计算预测，一种由汞()、锗()、锑()形成的新物质X为潜在的拓扑绝缘体材料。X的晶体可视为金刚石晶体中的C原子被、和取代后形成。其晶胞如图所示，下列说法正确的 A．、、三种元素都位于周期表的ds区 B．该晶胞中粒子个数比 C．原子位于原子构成的四面体空隙中 D．X晶体是一种合金，内部有自由电子，是电的良导体 154．前四周期元素M、Q、W、X、Y、Z原子序数依次增大。M的单质常用作保护气，W是元素周期表中电负性最大的元素，X与Y形成化合物的化学式为YX且其焰色试验为紫 色(透过蓝色钴玻璃)，Z的原子序数为28，Q和Y形成的一种化合物甲的晶胞在xy平面、xz平面、yz平面上的投影图如图所示。W、Y、Z三种元素组成的化合物乙的晶体结构如图乙所示。 下列说法正确的是 A．键角： B．X是其所在周期第一电离能最大的元素 C．简单氢化物沸点： D．化合物甲的化学式为YQ2 155．请根据下面食盐晶体的晶胞结构示意图计算，已知食盐的密度为ρg·cm-3，其摩尔质量为Mg·mol-1，阿伏加德罗常数为NA，则在食盐晶体中Na＋和Cl-的核间距大约是 A．cm B．cm C．cm D．cm 156．某种离子型铁的氧化物晶胞如图所示，它由A、B两种单元组成。已知该晶体的密度为，阿伏加德罗常数的值为，若通过嵌入或脱嵌晶胞的棱心和体心，可将该晶体设计为某锂电池的正极材料。下列有关说法错误的是 A．放电时，该锂电池的正极反应为 B．当该正极材料中，则的脱嵌率为75% C．该晶体的晶胞参数为 D．中M原子分数坐标为，则中Q原子分数坐标为 157．设为阿伏加德罗常数的值。工业上用接触法制备硫酸的微流程如图： 下列叙述正确的是 A．和生成的反应是熵增反应 B．完全转化成红色粉末和时转移的电子数为 C．的晶胞结构如图所示，恰好切成个如图所示的晶胞 D．上述工艺中使用足量的氧气可以将硫全部转化成硫酸 158．氮化铬的晶胞结构如图所示，A点分数坐标为(0，0，0)。氮化铬的晶体密度为dg/cm3，摩尔质量为M g/mol，晶胞参数为anm，NA代表阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是 A．铬原子的价电子排布式为 B．Cr原子位于N原子构成的四面体空隙中 C．距离Cr原子最近的Cr原子有8个 D． 159．萤石(CaF2) 是自然界常见的含氟矿物，晶胞结构如图所示，晶胞参数为a nm，NA为阿伏加德罗常数的值，下列说法不正确的是 A．CaF2晶体属于离子晶体 B．晶体密度为 C．可用质谱法区分40Ca 和42Ca D．Ca2+与 F-的最小核间距为 160．已知Mg、Al、O三种元素组成尖晶石型晶体结构，其晶胞由4个A型小晶格和4个B型小晶格构成，其中和都在小晶格内部，部分在小晶格内部，部分在小晶格顶点(如图)，下列分析错误的是 A．该晶体为离子晶体 B．该物质的化学式为 C．晶胞中，距离等距且最近的数为12 D．与之间最近的距离是 161．金属及其化合物在生产生活中应用广泛。2011年云南的“乌铜走银”制作技艺列入国家级非物质文化遗产名录。制作中的走银工序是将氧化变黑的银丝嵌入铜器表面已錾刻好的花纹内，再经揉黑工序，用手边焐边搓揉铜器，直到铜器表面变成乌黑、银丝变得光亮。近期中国科学院在含银化合物运用于超离子导体方面取得突破性进展，制得的αAgI晶体在室温下的电导率比普通多晶的AgI提高了近5个数量级。 α-AgI晶体中I-作体心立方堆积(如图所示)，Ag＋可分布在由I-构成的空隙位置上。在电场作用下，Ag＋无需克服太大阻力即可发生迁移。已知：阿伏加德罗常数为NA．下列说法不正确的是 A．I-的最外层电子排布式为5s25p6 B．Ag＋位于I-构成的四面体和八面体空隙上 C．α-AgI晶体的摩尔体积为m3·mol-1 D．α-AgI晶体不属于电解质 162．Cu2O的晶胞如图所示。已知：A原子坐标为(0，0，0)，C原子坐标为(1，1，1)。晶胞参数为a nm，NA为阿伏加德罗常数的值。 下列叙述正确的是。 A．1个Cu2O晶胞含4个O2- B．晶胞中2个O2-最近距离为a nm C．B原子的坐标为() D．Cu2O晶体密度为×1030 g·cm-3 163．萤石主要成分的晶胞结构及坐标如图所示，已知：晶体密度为，阿伏加德罗常数为，下列说法错误的是 （ ） A．的配位数为4 B．晶胞中的个数是4 C．B点的原子分数坐标为 D．晶胞中与最近的之间的距离为 164．某晶体具有良好的电学性能，其晶胞为立方晶胞（如图），晶胞参数（边长）为。设阿伏加德罗常数的值为，下列说法错误的是 （ ） A．化学式为 B．的配位数为6 C．位于的八面体空隙 D．晶体的密度为 165．硫和氢气在低温高压下形成一种新型超导材料，晶胞如图，下列说法错误的是 （ ） A．该化合物中存在离子键 B．S位于H构成的八面体空隙中 C．晶胞中S与H的配位数之比为 D．基态S原子核外不同自旋状态的电子数之比为 166．锂硒电池是一种能量密度很高的新型可充电电池，其正极材料的晶胞结构如图。已知晶胞参数为a pm，下列说法不正确的是 （ ） A．Se位于元素周期表中的p区 B．基态最外层电子的电子云轮廓图为哑铃型 C．每个周围距离相等且最近的有4个 D．与之间最近的距离为pm 167．氟化钾镁是一种具有优良光学性能的材料，主要应用于激光领域，其立方晶胞结构如图。表示阿伏加德罗常数的值。下列说法不正确的是 （ ） A．的配位数为8 B．氟化钾镁晶体的化学式为 C．每个位于距其最近且等距的构成的正八面体空隙中 D．若位于晶胞的体心，则位于晶胞的面心 168．砷化镓（）的晶胞结构如图甲所示，将掺杂到晶体中得到稀磁性半导体材料，其晶胞结构如图乙所示，下列说法错误的是 （ ） A．、均属于区元素 B．图甲中，原子位于原子构成的正四面体空隙中 C．图甲中，若的键长为，则晶胞边长为 D．稀磁性半导体材料中，、的原子个数比为 169．硒化锌的晶胞结构如图I所示，晶胞参数为，A点的分数坐标为，C点的分数坐标为，该晶胞沿z轴方向在xy平面的投影如图Ⅱ所示，为阿伏加德罗常数的值，下列说法错误的是 （ ） A．硒化锌的密度为 B．Se原子的配位数为4 C．B点的分数坐标为 D．Zn与Zn之间的最近距离为 170．干冰晶体的晶胞如图1所示，形状是边长为的立方体，沿连线方向的投影图如图2所示。下列说法错误的是 （ ） A．该晶体为分子晶体 B．晶胞沿连线旋转可与旋转前重合 C．该晶体中每个分子周围有12个紧邻分子 D．该晶体的密度为 171．的结构如图1所示，晶胞为立方体，棱长为a nm，如图2所示，设阿伏加德罗常数的值为，下列说法错误的是 （ ） A．图1与图2中的的配位数都是6 B．相邻两个的最短距离为nm C．晶胞的密度为g/cm3 D．中存在配位键、极性键、氢键等化学键 172 ．钙钛矿类杂化材料(CH3NH3)PbI3在太阳能电池领域具有重要的应用价值，其晶胞结构如图1所示，B代表Pb2＋，A的原子分数坐标为(0，0，0)，B的为()。设NA为阿伏加德罗常数的值，下列说法中不正确的是 （ ） A．N、I、Pb均属于p区元素 B．C的原子分数坐标为(1，) C．若沿z轴向xy平面投影，则其投影图如图2所示 D．该晶体的密度为g·cm-3 173．叠氮化合物是重要的有机合成试剂，化学兴趣小组的同学在实验室制备了一种叠氮化合物，结构如图。下列说法正确的是 （ ） A．该晶体中每个周围距离最近且相等的共有12个 B．该叠氮化合物的密度为 C．测定该晶体结构的方法是红外光谱法 D．与相比，的熔点低于的熔点 174．可用于玻璃雕刻，作杀虫剂、催化剂等，其晶胞结构如图甲所示。晶胞边长为为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 （ ） A．位于形成的正八面体空隙中 B．晶体中与最近且等距离的有4个 C．点的截面如图乙所示 D．该晶体的密度为 175．砷化镓是一种重要的半导体材料，熔点为。它在以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。砷化镓晶胞结构如图。下列说法正确的是 （ ） A．砷化镓是一种离子晶体 B．距离砷原子最近的砷原子数为6 C．若晶胞参数为apm，则Ga原子与As原子 的最短距离为 D．晶胞中与Ga等距且最近的As形成的空间 结构为正四面体 176．一种由Cu、In、Te组成的晶体属四方晶系，晶胞棱边夹角均为90°，其晶胞结构如图。晶体中Te原子填充在Cu、In围成的四面体空隙中。已知：A点、B点原子的分数坐标分别为、。下列说法错误的是 （ ） A．该晶体的化学式为之 B．In原子的配位数为2 C．晶胞中四面体空隙的占有率为50% D．C点原子的分数坐标为 177． 某晶体立方晶胞如图。已知图中微粒1的分数坐标是(0，，)，阿伏加德罗常数的 值为NA．下列说法正确的是 （ ） A．Ag+周围距离最近且相等的个数是6 B．微粒2的分数坐标是(，，) C．已知银与铜位于同一族，银位于元素周期表的d区 D．若晶胞边长为apm，则相邻Ag+之间的最短距离为a pm 178．图1为γ-AgI立方晶胞结构（Ag+未画出），晶胞中I-处于顶点和面心；γ-AgI晶胞沿x、y、z轴方向的投影均如图2所示，已知NA表示阿伏加德罗常数的值。γ-AgI晶胞的密度为ρg⋅cm-³，下列说法正确的是 （ ） A．Ag与Cu同族，Ag在元素周期表中位于d区 B．Ag+填充在I-构成的正四面体空隙中 C．与I-等距离且最近的I-有6个 D．晶胞中两个最近的Ag+之间的距离为 179．磷化硼(BP)是一种半导体材料，熔点：1 100 ℃，其结构与氮化硼相似，晶胞结构如图1，下列说法正确的是 （ ） A．熔点：BP>BN B．晶体中P周围距离最近且相等的P有8个 C．若图中①处磷原子坐标为(0，0，0)，则②处的B原子坐标为(，，) D．磷化硼晶胞在y轴方向的投影图为图2 180．六方ZnS的晶胞结构如图甲所示(高为cnm)，其晶胞的上表面如图乙所示，已知、半径分别为、，且，下列说法错误的是 （ ） A．ZnS的熔点低于ZnO B．晶胞的空间利用率为 C．该晶体中占据了构成的正四面体空隙 D．在晶体中离最近且等距的有12个 181．我国古代四大发明之一的黑火药爆炸时发生的反应为2KNO3+S+3C=K2S+N2↑+3CO2↑。生成物K2S的晶体结构如图。下列有关说法错误的是 （ ） A．反应产物中有两种非极性分子 B．1mol CO2和1mol N2含有的π键数目之比为1:1 C．K2S晶体中阴离子周围最近的阳离子有4个 D．若K2S晶体的晶胞边长为a nm，则该晶体的密度为g·cm-3 182．某立方晶系的锑钾（Sb－K）合金可作为钾离子电池的电极材料，其晶胞如图1所示（图2为晶胞中的一部分），已知，为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是 （ ） A．该晶体是离子晶体 B．该合金的组成可表示为K2Sb C．与每个Sb原子距离最近的Sb原子有6个 D．该晶体的密度为 183．已知气态通常以二聚体的形式存在，其分子结构如图1所示。属于立方晶系，其熔点为1090℃，远高于的192℃，其晶胞结构如图2所示。下列说法错误的是 （ ） A．晶胞中的配位数为2 B．与中化学键类型相同 C．二聚体中Al原子的轨道杂化类型为 D．若的晶胞参数为，则晶体密度 184．黄金按质量分数分级，纯金为。合金的三种晶胞结构如图，Ⅱ和Ⅲ是立方晶胞。下列说法错误的是 （ ） A．I为金 B．Ⅱ中的配位数是12 C．Ⅲ中最小核间距 D．I、Ⅱ、Ⅲ中，与原子个数比依次为、、 185．砷化硼的晶胞结构如图1所示，晶胞边长为，为阿伏加德罗常数的值，图2中矩形AA'C'C是沿着晶胞对角面取得的截图，下列说法错误的是 （ ） A．1个砷化硼的晶胞结构中含有4个B原子 B．离硼原子最近的硼原子有6个，且最近距离为 C．该晶体密度可表示为 D．晶胞中各原子在矩形AA'C'C的位置为 186．某种由Cu、Fe、S三种元素组成的物质具有如图中图1所示的晶胞结构，其中铁原子的投影位置如图2，铜原子全部位于楞和面上，设NA为阿伏加德罗常数的值，下列说法正确的是 （ ） A．该晶体的化学式为 B．该晶体中两个Fe原子之间的最近距离为a pm C．若1号S原子的分数坐标为，则2号Fe原子的分数坐标为 D．该晶体的密度为 187．硼氢化钠在室温下是α型的立方晶体，晶胞如图甲所示，在一定条件下转变为四方晶体，晶胞结构和晶胞参数如图乙所示，下列说法错误的是 （ ） A．硼氢化钠α型的立方晶体中离最近的有12个 B．α型的立方晶体中填充在围成的正八面体的空隙中 C．若A点的坐标为，则B点坐标为 D．硼氢化钠四方晶体的晶胞中A和B之间的距离为 188．铋合金可用于自动喷水器的安全塞，一旦发生火灾时，安全塞会“自动”熔化，喷出水来灭火。铋的晶胞结构如图乙所示，下列有关铋的说法错误的是 （ ） A．金属铋的原子堆积方式为体心立方堆积 B．铋与氮同主族，Bi的第一电离能小于N C．配合物中Bi的化合价为+3价，内界为 D．已知铋位于第六周期第ⅤA族，其价电子排布式为 189．中国科学院物理研究所合成了基于铁基超导体系掺杂调控的新型稀磁半导体LiZnqMnpAs(图乙)，该材料是LiZnAs晶体(如图甲所示立方晶胞)中部分Zn原子被Mn原子代替后制成的。已知a点原子的分数坐标为()，图甲晶体的密度为dg·cm-3，晶胞参数为cpm。下列说法错误的是 （ ） A．b点As原子的分数坐标为() B．图乙晶体的最简化学式为LiZn0.75Mn0.25As C．图乙晶胞结构中的As位于Zn、Mn形成的正四面体空隙中 D．阿伏加德罗常数 190．一种由Cu、In、Te组成的晶体如图，晶胞参数和晶胞中各原子的投影位置如图所示，晶胞棱边夹角均为90°。 已知：A点、B点原子的分数坐标分别为、，下列叙述不正确的是 （ ） A．In原子的配位数为2 B．该晶体的化学式为 C．C点原子的分数坐标为 D．晶胞中A、D原子间距离为 191．硒化锌是一种重要的半导体材料；其晶胞结构如图甲所示，已知晶胞参数为pnm，乙图为晶胞的俯视图，下列说法正确的是 （ ） A．晶胞中硒原子的配位数为12 B．晶胞中d点原子分数坐标为 C．相邻两个Zn原子的最短距离为nm D．电负性：Zn>Se 192．某镁镍合金储氢后所得晶体的立方晶胞如图，晶胞边长为位于相邻4个所围合的正四面体的体心。下列说法不正确的是 （ ） A．储氢过程中被还原 B．晶体的化学式为 C．每个周围有12个紧邻的H D．与的原子核间距为 193．铁氮化合物()在磁记录材料领域有着广泛的应用前景。某的晶胞如图1所示，Cu可以完全替代该晶体中a位置Fe或b位置Fe，形成Cu替代型产物。转化为两种Cu替代型产物的能量变化如图2所示，下列有关说法不正确的是( ) A.二价铁离子的基态电子排布式为 B.图1中氮原子的配位数为6 C.更稳定的Cu替代型产物的化学式为 D.当a位置的Fe位于体心时，b位置的Fe位于棱心 194．氮化铬的晶胞结构如图所示，A点原子坐标，密度为，摩尔质量为，晶胞参数为，代表阿伏加德罗常数的值.下列说法错误的是( ) A.该晶体的化学式为 B.B点原子坐标 C.原子位于N原子构成的四面体空隙中 D. 195．双钙钛矿型晶体的一种典型结构单元如图所示，真实的晶体中存在的O原子缺陷，能让在其中传导，可用作固体电解质材料。已知La为+3价，Ba为+2价。下列说法错误的是( ) A.该晶体的一个完整晶胞中含有1个Co原子 B.晶体中与La距离最近的Ba的数目为6 C.+3价Co与+4价Co的原子个数比为4:1 D.忽略氧原子缺陷，每个La或Ba原子都处于氧原子构成的正八面体空隙的中心 196．某种红镍矿晶体的晶胞如图所示。晶胞参数分别为，下方As原子分数坐标为，为阿伏加德罗常数的值。下列有关说法错误的是( ) A.该化合物的化学式为NiAs B.上方As原子分数坐标为 C.Ni原子的配位数为4 D.该晶胞的密度为 197．一种稀磁半导体晶体的晶胞结构如图（部分原子的分数坐标已给出），有关说法正确的是( ) A.该晶体属于金属晶体，一定条件下可以导电 B.a处Zn原子的分数坐标为 C.该晶体的化学式为 D.与Zn距离最近且等距的As原子有3个 198．下图(1)是常见的几种物质的晶胞，从左到右分别为锌、碘、金刚石和钠，下列说法不正确的是( ) A.Zn晶胞的俯视图是如图(2)所示的菱形，则晶体中与一个Zn原子最近且等距的Zn原子有12个 B.碘晶胞中分子有两种不同的取向，一个晶胞中有4个分子 C.金刚石晶胞中C原子的半径为cpm，则体对角线的长度为8cpm D.Na晶胞是边长为anm的立方体，则Na的原子半径可以表示为pm 199．观察下列模型，判断下列说法错误的是( ) 金刚石 碳化硅 二氧化硅 石墨烯 A.物质的量相同的金刚石和碳化硅，共价键个数之比为1∶1 B.晶体中Si和Si-O键个数比为1∶4 C.石墨烯中碳原子和六元环个数比为2∶1 D.晶体堆积属于分子密堆积 200．硫代硫酸盐是具有应用前景的浸金试剂。硫代硫酸根离子可看作中的一个原子被原子替代的产物。的晶胞形状为长方体，边长分别为、、，其结构如图所示，已知的摩尔质量是为阿伏加德罗常数的值，下列说法正确的是( ) A.晶胞中的个数为3 B.若晶胞中A的分数坐标为，则B的分数坐标为 C.的中心硫原子的杂化方式为 D.该晶体的密度为 201．LiZnAs是首个发现的电荷与自旋掺杂分离的新型稀磁半导体材料，其立方晶胞结构如图所示，a点（As原子）的原子分数坐标为（，，），晶胞密度为。 下列说法错误的是( ) A.位于元素周期表的ds区 B.每个Zn周围距离最近的As原子个数为4 C.b点（As原子）的原子分数坐标为（，，） D.两个Li原子之间的最短距离为 202．铜氧化物常被用作高温超导基础材料，向其中掺杂一些特定元素可以改变材料的电子结构和能带结构。一种镧锶铜氧（LSCO）单胞结构如图所示，已知c轴方向上Cu-O之间距离大于a轴和b轴方向上Cu-O之间距离。下列说法正确的是( ) A.改变掺杂镧和锶的比例不会影响该材料的超导效果 B.LSCO的化学式可表示为 C.Cu的第一电离能大于Cu的第二电离能 D.由图可知Cu填充在由O形成的正八面体空隙中 203．我国科学家在新型热电材料的研发领域利用一种理论计算方法，筛选出某种最简式量为的化合物X，已知X晶胞结构高度对称，沿体对角线的投影如图所示（表示被遮挡的原子，其晶胞棱长为，棱上无原子），则下列说法错误的是( ) A.X的化学式为 B.晶胞中K与的最短距离为 BrC.晶胞中与距离最近且相等的的个数为12 D.X晶体密度为 204．朱砂（硫化汞）在众多先秦考古遗址中均有发现，其立方晶系β型晶胞如图所示，晶胞参数为，A原子的分数坐标为，阿伏加德罗常数的值为，下列说法正确的是( ) A.S的配位数是6 B.晶胞中B原子分数坐标为） C.该晶体的密度 D.相邻两个Hg的最短距离为 205．配合物的分子结构以及分子在晶胞中的位置如图所示，下列说法错误的是( ) A.中心原子的配位数是4 B.晶胞中配合物分子的数目为2 C.晶体中相邻分子间存在范德华力 D.该晶体属于混合型晶体 206．研究人员制备了一种具有锂离子通道的导电氧化物()，其立方晶胞和导电时迁移过程如下图所示。已知该氧化物中Ti为+4价，La为+3价。下列说法错误的是( ) A.导电时，Ti和La的价态不变 B.若，与空位的数目相等 C.与体心最邻近的O原子数为12 D.导电时、空位移动方向与电流方向相反 207．铁镁合金是目前储氢密度较高的材料之一，其晶胞结构如图所示，晶胞参数为a。下列说法正确的是( ) A.合金储氢的过程是物理变化 B.铁镁合金中存在金属键和离子键 C.晶体中Fe的配位数为4 D.晶胞中Fe与Mg的最短距离为 208．某离子型铁的氧化物立方晶胞如图所示（由X、Y组成），该离子型铁的氧化物晶体的晶胞参数为anm。设阿伏加德罗常数的值为，下列说法错误的是( ) A.基态Fe原子价层电子排布式为 B.该晶体中 C.该晶胞中有处于体心 D.该晶体的密度为 209．具有双钙钠矿型氧化物通过掺杂改性可用作固体电解质材料，其晶体的一种完整结构单元如图所示，但真实的晶体中存在的O空位缺陷，下列说法错误的是( ) A.Ni原子与Mn原子的配位数相等 B.不考虑晶体缺陷，该晶体的化学式为 C.O空位的形成有利于的传导 D.考虑晶体缺陷，该晶体的+3价与+4价La原子个数比为4：1 210．过渡金属氮化物具有优良的性能，是当前材料科学研究的热点之一。Fe和N组成的一种立方晶胞如图所示，Fe原子和N原子都是紧密接触的刚性小球，Fe原子半径为，N原子半径为。下列说法正确的是( ) A.的核外电子填充了12个原子轨道 B.的空间构型为三角锥形 C.N原子位于Fe原子形成的六面体空隙中 D.该晶体的空间利用率为 211．分析化学中常用X射线研究晶体结构，有一种蓝色晶体可表示为，研究表明它的结构特性是分别占据立方体的顶点，自身互不相邻，而位于立方体的棱上，其晶体中的阴离子结构如图所示。下列说法正确的是( ) A.该晶体是共价晶体 B.M的离子位于上述立方体的面心，呈+2价 C.M的离子位于上述立方体的体心，且的空缺率（体心中没有的占总体心的百分比）为50% D.晶体的化学式可表示为，且M为+1价 212．Ce的某种氧化物具有良好的储氧放氧能力，可作为氧载体参与有机物氧化反应，其中Ce为面心立方堆积，O填充在Ce立方晶格所有的正四面体空隙中（如下图，未标注全部的O），下列说法错误的是( ) A.该氧化物化学式为 B.O原子周围等距且最近O原子个数为6 C.若反应后，晶胞中O脱离形成一个O的空位，则该物质中与的个数比为1：3 D.若顶点位置原子位于体心时，则面心原子位于棱心 213．某镁镍合金储氢后所得晶体的立方晶胞如图甲（为便于观察，省略了2个图乙的结构），晶胞边长为apm。下列说法正确的是( ) A.晶体的化学式为 B.晶胞中与1个Mg配位的Ni有6个 C.晶胞中2个Ni之间的最近距离为 D.镁镍合金中通过离子键结合 214．硼可用镁热还原制备，晶体硼硬度与金刚石相近。B与Mg形成超导材料X，B层与Mg层交替排列，结构如图。下列说法不正确的是( ) A.晶体硼为共价晶体 B.离子中的H-B-H键角为109.5° C.分子中存在配位键 D.超导材料Ⅹ的化学式为 215．下列说法中不正确的是（ ） A.在 NaCl 晶体中，距 最近的形成正八面体 B.在晶体中，每个晶胞平均占有 4 个 C.在晶体中，每个周围等距且紧邻的有 12 个 D.E 和 F 形成的气态团簇分子的分子式为 EF 或 FE 216．表示阿伏加德罗常数的值，下列说法错误的是( ) A.18g冰（图甲）中含O—H键数目为2 B.28g晶体硅（图乙）中含有Si—Si键数目为2 C.44g干冰（图丙）中含有个晶胞结构单元 D.石墨烯（图丁）是碳原子单层片状新材料，12g石墨烯中含C—C键数目为1.5 217．73号元素钽（Ta）与砷（As）形成的晶体在室温下拥有超高的空穴迁移率和较低的电子迁移率，其长方体晶胞结构如图所示。下列说法错误的是( ) A.基态As原子核外N层有4种空间运动状态不同的电子 B.该晶胞中As的配位数为4 C.该晶体的化学式为TaAs D.TaAs的晶体密度 218．NiO与NaCl晶胞结构相似。在一定温度下，NiO晶体可以自发地分散并形成“单分子层”（如图所示），可以认为作密置单层排列，填充其中。设为阿伏加德罗常数的值，半径为。下列说法错误的是( ) A.Ni位于元素周期表第四周期第Ⅷ族 B.NiO晶体中、的配位数均为6 C.该“单分子层”面积密度为 D.NiO晶胞中与最近的有8个 219．LiZnAs晶体中的部分Zn原子被Mn原子代替后可以形成一种新型稀磁半导体。LiZnAs晶体的立方晶胞结构如图所示，a点原子分数坐标为，晶胞密度为。下列说法错误的是( ) A.b点原子分数坐标为 B.晶体中每个Zn周围距离最近的As原子共有4个 C.As原子与As原子之间的最短距离为 D.若Li的半径为rcm。则晶胞中Li的空间利用率为 220．砷化镉晶胞结构如图，图1中“①”和“②”位是“真空”，晶胞参数为apm，建立如图2，①号位的坐标为(，，)。已知：砷化镉的摩尔质量为，为阿伏加德罗常数的值，下列说法错误的是( ) A.砷化镉中与原子个数比为3∶2 B.两个原子间最短距离为0.5apm C.③号位原子坐标参数为(，1，) D.该晶胞的密度为 221．某镁铁合金是目前储氢密度最高的材料之一，其晶体的立方晶胞如图所示，晶胞边长为a pm。Mg原子占据Fe原子形成的所有四面体空隙。储氢后，分子占据Fe原子形成的八面体空隙，化学式为。下列说法正确的是( ) A.氢气储满后晶体的化学式为 B.该镁铁合金中Mg、Fe通过离子键结合 C.氢气储满后，分子和分子之间的最近距离为 D.该镁铁合金中，与1个Mg配位的Fe和与1个Fe配位的Mg均有4个 222．钙钛矿类杂化材料在太阳能电池领域具有重要的应用价值，其晶胞参数如图1所示，B代表，以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置，称为原子的分数坐标，如A的原子分数坐标为，B的原子分数坐标为。设为阿伏加德罗常数的值，晶体的密度为。下列说法中错误的是( ) A.该晶胞含有3个 B.粒子A与粒子C之间最近距离为 C.a为 D.若沿z轴向xy平面投影，则其投影图如图2所示 223．硒化锌主要用于制造透红外线材料及红外线光学仪器，其晶胞结构如图甲所示，已知晶胞参数为，图乙为晶胞的俯视图。下列说法错误的是( ) A.硒化锌的化学式为 B.距离距离最近且相等的有4个 C.硒化锌晶体密度为 D.晶胞中b原子和d原子的距离为 224．近日，中南大学何军团队发表了对新型单元素半导体材料黑砷晶体b-As的研究成果，其三维结构如图所示。下列说法错误的是( ) A.与石墨相比，黑砷晶体中的As更易结合 B.As原子的杂化方式与石墨中C原子不同 C.与相比，同压下黑砷晶体的沸点更低 D.As原子与键的个数比为 225．钴的某种氧化物广泛应用于硬质合金、超耐热合金、绝缘材料和磁性材料的生产，其晶胞结构如图所示。下列有关说法正确的是( ) A.该氧化物的化学式为 B.晶胞中的配位数为12 C.根据晶体类型推测，该物质熔点低于硫 D.若该氧化物的密度为，阿优加德罗常数为，则晶胞中两个间的最短距离是 226．钴的一种氧化物在纳米储能领域应用广泛，其晶胞结构如图所示（白球为Co，黑球为O）。已知该晶胞的晶胞参数为apm，阿伏加德罗常数的值为。下列说法错误的是( ) A.该晶体的化学式为 B.基态Co原子核外有3个未成对电子 C.与O原子最近且等距离的O原子有8个 D.该晶体的密度为 227．黄金按质量分数分级，纯金为24K。合金的三种晶胞结构如图，Ⅱ和Ⅲ是立方晶胞。下列说法错误的是( ) A.Ⅰ为18K金 B.Ⅱ中Au的配位数是12 C.Ⅲ中最小核间距 D.Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ中，Au与Cu原子个数比依次为1:1、1:3、3:1 228．辉铜矿（主要成分Cu2S）可以用于制铜，化学反应方程式为Cu2S+O22Cu+SO2制得的粗铜（含CuO等杂质）可通过电解法进行精炼，下列相关说法正确的是（　　） A．Cu+转化为基态Cu，得到的电子填充在3d轨道上 B．硫元素的简单气态氢化物稳定性大于氧元素 C．上述反应中获得1mol单质铜转移电子数为NA D．如图所示的Cu2O晶胞中，黑球表示的是O2﹣ 229．锡是现代“五金”之一，广泛应用于合金、半导体工业等。白锡和灰锡晶胞结构如图，下列说法中错误的是（　　） A．白锡与灰锡晶体的配位数之比为2：1 B．两种晶体的密度大小关系为白锡小于灰锡 C．若白锡和灰锡的晶胞体积分别为V1nm3和V2nm3，则白锡和灰锡晶体的密度之比是 D．若灰锡晶胞参数为anm，则其中最近的两个锡原子间距为anm 230．某金属合金的晶胞如图所示，含有六个变形四面体空隙和三个变形八面体空隙，每个空隙可以容纳一个氢原子，已知晶胞体积为9.0×10﹣23cm3，设NA＝6.0×1023mol﹣1，下列说法错误的是（　　） A．该合金的化学式为XY5 B．0.1mol该合金最多可以储存相当于标准状况下20.16LH2 C．该合金四面体空隙储氢后的氢元素密度约为0.11g•cm﹣3 D．距离X最近且等距的Y围成正六边形 231．镓是一种液态金属，具有熔解分散其他金属的特性，但是镓的化合物熔沸点很高，被视作新一代半导体材料，譬如氮化镓、氧化镓。下面有关它们的结构，说法错误的是（　　） A．1mol氮化镓晶胞中含有4NA个原子 B．氧化镓晶体结构中镓的配位数为4，氧的配位数为6 C．N原子位于Ga原子构成的四面体空隙中 D．结构乙是由3个结构甲无缝拼接后，并沿棱往下平移个单位得到的 232．Bi4（TiO4）3是一种铁电材料，掺杂La可提高其光电转化性能，La取代部分Bi后的晶胞结构示意图（氧原子未画出）如图所示。下列说法错误的是（　　） A．La填充在Ti形成的六面体空隙中 B．该晶体的化学式为Bi2La2（TiO4）3 C．该晶胞在xy平面的投影为 D．若p点La平移至晶胞体心，则Ti位于晶胞顶点 233．某种离子型铁的氧化物晶胞如图所示，它由a、b两种正方体单元组成，且两种正方体单元中氧离子的空间位置相同。若通过Li+嵌入或脱嵌晶胞的棱心和体心，可将该晶体设计为锂电池的正极材料LiFenOm/Li1﹣xFenOm（m、n为正整数）。 已知：脱吹率100%。 下列说法错误的是（　　） A．a单元中，体心位置的Fe2+位于O2﹣形成的四面体空隙中 B．该晶胞中Fe3+周围等距最近的O2﹣有6个 C．放电时，该锂电池的正极反应为Li1﹣xFe6O8+xe﹣+xLi+＝LiFe6O8 D．若该正极材料中n（Fe2+）：n（Fe3+）＝3：5，则脱嵌率为50% 234．（β—HgS）大多数是黑色结晶状，其晶胞结构如图所示。已知阿伏加德罗常数的值为NA，晶体密度为ρg/cm3。下列说法正确的是（　　） A．Hg位于元素周期表中p区 B．Hg2+位于S2﹣构成的正四面体中心 C．该晶胞中最近的S2﹣之间的距离为 D．若c的原子坐标为（1，1，1），则b的原子坐标为 235．S、Cr形成的一种化合物的晶胞结构如图所示，下列说法错误的是（　　） A．该化合物的化学式是CrS B．Cr原子的配位数为6 C．该晶体的密度为 D．基态Cr原子的未成对电子个数等于硫原子的价电子数 236．一种贮氢的金属氢化物可通过MgH2和Ni球磨制成，其晶胞形状为如图立方体，边长为anm，Ni原子占据晶胞的顶点和面心，Mg2+处于八个小立方体的体心。下列说法正确的是（　　） A．元素Ni位于第四周期第Ⅷ族，位于周期表ds区 B．该金属氢化物的化学式为Mg2NiH4 C．该晶体的密度为 D．Mg2+位于Ni原子形成的八面体空隙 237．Li2O的晶胞结构如图所示，晶胞边长为anm，α＝β＝γ＝90°。下列说法错误的是（　　） A．Li和O均为p区元素 B．每个晶胞中含有4个O2﹣ C．Li+和O2﹣的配位数之比为1：2 D．Li+和O2﹣最短距离为 238．一种新型稀磁半导体LiZnaMnbAs（摩尔质量为Mg•mol﹣1）的立方晶胞结构如图所示，图中微粒m、p的分数坐标分别是，阿伏加德罗常数的值为NA，晶体的密度为dg•cm﹣3。 下列叙述正确的是（　　） A．微粒n的分数坐标是 B．a：b＝1：3 C．元素锂的焰色是紫红色，属于吸收光谱 D．微粒Zn与微粒As之间的最短距离为 239．某钙钛矿型太阳能电池吸光材料的晶胞如图所示，其中A为，可由CH3NH2分子制得，晶胞参数为anm，NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是（　　） A．中含有7NAσ键 B．与I﹣最近距离的I﹣数为8 C．该晶体属于混合型晶体 D．晶胞密度的计算式为 240．硫化锌（ZnS）是一种优良的电池负极材料，其在充电过程中晶胞的组成变化如图所示。下列说法错误的是（　　） A．基态Zn原子核外电子的空间运动状态有15种 B．S2﹣在ZnS晶胞和Li2S晶胞中的配位数相同 C．在ZnS体对角线的一维空间上会出现“”的排布规律 D．充电过程中该电极反应式为4ZnS+6Li++6e﹣＝3Zn+4Li1.5Zn0.25S 241．二氧化铈（CeO2）是一种重要的催化剂，在其立方晶胞中掺杂Y2O3，Y3+占据原来Ce4+的位置，可以得到更稳定的结构（过程如图），这种稳定的结构使得二氧化铈具有许多独特的性能。下列说法正确的是（　　） 已知：O2﹣的空缺率00%] A．CeO2晶胞中，距离Ce4+最近且等距的Ce4+数目为8 B．若CeO2晶胞中两个Ce4+间的最小距离为a pm，则Ce4+与O2﹣的最小核间距为 C．已知M点原子的分数坐标为（0，0，0），则N点原子的分数坐标为（0.75，0.25，0.25） D．若掺杂Y2O3后得到n（CeO2）：n（Y2O3）＝3：1的晶体，则此晶体中O2﹣的空缺率为10% 242．半导体材料砷化镓的晶胞如图所示。下列叙述错误的是（　　） 已知：NA为阿伏加德罗常数的值，砷化镓晶体密度为dg•cm﹣3。 A．基态As原子有3个未成对电子 B．砷化镓的化学式为GaAs C．砷原子的配位数为4 D．xy原子间的距离为 243．KFexCN）y是一种新型钠离子电池的正极材料，其分子质量为Mr，图立方体是其晶胞的（K+未画出）。下列说法错误的是（　　） A．该晶体的化学式为KFe2（CN）6 B．晶体中与每个Fe3+距离最近且等距离的CN﹣有6个 C．晶体的密度表达式是 D．K+可能在每一个立方体中心位置 244．碘化银汞是一种离子晶体，低温时为β型，高温时转化为具有空位（用□表示）结构的α型，且导电性大幅增加。下列说法不正确的是（　　） A．α型和β型的化学式均为Ag2HgI4 B．β型转化为α型的ΔS＞0 C．导电性增加与结构中的空位有关 D．碘化银汞导电主要由于I﹣的迁移 245．向HgBr2溶液中滴入NH3—NH4Cl混合液，得到晶体M，其晶胞结构中N—Hg—N键角为180°，每个晶胞由两个小立方体构成，Br﹣位于小立方体的顶点，两个小立方体共用面中心的 Hg2+，NH3分子的中心原子位于小立方体的体心。小立方体的边长为apm。下列说法错误的是（　　） A．按照描述，晶胞结构为如图所示 B．N—Hg—N中Hg—N的键长为 C．1个晶胞中含有Br﹣的质量为 D．晶体M的密度为 246．我国航空站“天和核心舱”电推进系统采用的氮化硼（BN）陶瓷，如图所示为常见的三种氮化硼晶体结构，下列叙述错误的是（　　） A．h﹣BN晶体不导电的原因可能是电子被约束在N原子周围不能有效流动 B．c﹣BN晶体中“一般共价键”与配位键的数目之比为3：1 C．w﹣BN晶体中B的配位数为12 D．w﹣BN晶体的密度可表示为 247．一种硫化锌的立方晶胞结构如图所示，晶胞边长为a nm，设NA为阿伏加德罗常数的值，下列说法错误的是（　　） A．S2﹣的配位数是4 B．晶胞中m原子分数坐标为（，，） C．相邻两个Zn2+的最短距离为nm D．该晶体的密度ρg•cm﹣3 228．配合物在生产、生活中有重要应用。下列关于配合物的说法不正确的是( ) A.该配合物的配体是和 B.该配合物的中心离子是，配位数是6 C.该配合物的内界和外界的数目之比是2: 1 D.1 mol该配合物溶于水可电离出1 mol 229．一种配合物的化学式为，该配合物的水溶液不导电，加入溶液不产生沉淀，加入强碱处理不释放。下列说法错误的是( ) A.该配合物无外界 B.该配合物中Pt采取杂化 C.该配合物中H-N-H键角比中H-N-H键角大 D.该配合物中Pt为+4价 230．许多过渡金属离子对多种配体有很强结合力，能形成种类繁多的配合物，下列说法错误的是( ) A.配合物的配位数为2 B.配合物中共有键 C.配合物的配体为 D.向配合物中加入足量溶液，能生成沉淀 233．下列有关配位键与配合物的说法，错误的是( ) A.0.1mol配合物中含0.8mol配位键 B.配合物中提供空轨道形成配位键 C.向含1mol配合物的溶液中滴加足量溶液，可得到3 mol AgCl沉淀 D.配合物中存在离子键、配位键、极性键 答案：C 234．蛋氨酸铬（Ⅲ）配合物是一种治疗Ⅱ型糖尿病的药物，其结构简式如图所示。 对于该配合物分子的结构分析，下列说法错误的是( ) A.该配合物分子中的O原子最外层都满足8电子结构 B.该配合物分子结构中的配位键稳定性：O—Cr>N—Cr C.该配合物溶解度小于蛋氨酸 D.该配合物分子含有的σ键与π键个数比为20:1 235．某新型配合物可用于电致发光技术，结构如图，R代表烃基。 下列有关说法不正确的是( ) A.该配合物中非金属元素电负性H<C<N B.该配合物是平面结构 C.该配合物中中心原子位于元素周期表d区 D.该配合物中Pt的配位数是4 237．有组成不同的3种含铂配合物，分别是、和，在液氨中它们之间有如下的转化关系：，下列关于这3种含铂配合物的说法正确的是( ) A.具有很强的碱性 B.3种含铂配合物的配位数均为6 C.3种含铂配合物都属于共价化合物 D.3种含铂配合物中Pt的化合价不同 238．配合物a分子(如图所示)可形成超分子结构。下列说法错误的是( ) A.配合物a中含4种配体 B.Cd的配位数为4 C.配合物a中配位原子的杂化方式相同 D.配合物a形成超分子结构可借助氢键作用 239．配合物间的结构转变是一种有趣的现象。配合物1经过加热可转变为配合物2，如图所示。 下列说法错误的是( ) A.配合物1中含有2种配体 B.配合物2中N原子采取杂化 C.转变过程中涉及配位键的断裂和形成 D.转变前后，Co的化合价由+2价变为0价 240．铬的配合物在药物应用、设计合成新磁材料等领域有着重要应用。现有配合物,下列说法错误的是（ ） A.该配合物中的化合价为+3 B.该配合物中原子的杂化方式均为 C.水属于共价化合物 D.的核外电子排布式为 241．如图是卟啉配合物叶绿素的结构示意图(部分),下列有关叙述中正确的是(   ) A.该叶绿素只含有H、Mg、C、N元素 B.该叶绿素是配合物,中心离子是镁离子 C.该叶绿素是配合物,其配体是氮元素 D.该叶绿素不是配合物,而是高分子化合物 242．的盐酸溶液能吸收CO生成配合物氯化羰基亚铜，其结构如图：    下列有关氯化羰基亚铜的说法不正确的是( ) A.该配合物中Cl离子的杂化方式为杂化 B.该配合物的配体有CO、、，其中CO提供孤电子对的为O原子 C.该配合物中，提供空轨道接受孤电子对形成配位键 D.该配合物中，中心离子的配位数为4 243．的某配合物为，其配离子的八面体空间结构如图所示。其中数字处的小圆圈表示分子或，位于八面体的中心。已知1mol配合物与足量，溶液作用可以生成1molAgCl沉淀。下列说法错误的是( ) A. B.符合题中条件的配合物有两种可能的结构 C.1mol该配合物含有键18mol D.该配合物中分子之间能形成氢键 244．若配合物中心离子含有单电子，则配合物为顺磁性物质，将顺磁性物质置于外磁场中，会使磁场强度增大。某金属发光配合物的结构如下（代表苯环）。下列叙述错误的是( ) A.苯分子中有12个键 B.该配合物不属于顺磁性物质 C.苯中碳的未杂化的轨道形成6中心6电子的大键 D.该配合物中含有的化学键有配位键、氢键、共价键 245．EDTA（乙二胺四乙酸）可用于水的软化，软化水过程中与形成的一种配合物如图所示。下列说法错误的是( ) A.配合物中碳原子的杂化方式为和 B.该配合物中配位原子是N和O C.图中键角1小于键角2 D.1mol该配合物中的配位键有6mol 246．Cu（II）配合物A和B可发生配位构型的转变，该转变可带来颜色的变化，因此可用作热致变色材料。下列说法正确的是( ) A.Cu（II）的价层电子排布式为 B.配合物A中存在的作用力类型有共价键、配位键 C.配合物B中Cu（II）的配位原子构成八面体结构 D.配合物实现颜色的转变的原因是发生了电子跃迁 247.Li2CN2是一种高活性的人工固氮产物，其合成反应为2LiH+C+N2Li2CN2+H2，晶胞如图所示，下列说法错误的是(　　) A.合成反应中，还原剂是LiH和C B.晶胞中含有的Li+个数为4 C.每个周围与它最近且距离相等的Li+有8个 D.为V形结构 248.黄金按质量分数分级，纯金为24K。Au-Cu合金的三种晶胞结构如图，Ⅱ和Ⅲ是立方晶胞。下列说法错误的是(　　) A.Ⅰ为18K金 B.Ⅱ中Au的配位数是12 C.Ⅲ中最小核间距Au-Cu<Au-Au D.Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ中，Au与Cu原子个数比依次为1∶1、1∶3、3∶1 249.某锂离子电池电极材料结构如图。结构1是钴硫化物晶胞的一部分，可代表其组成和结构；晶胞2是充电后的晶胞结构；所有晶胞均为立方晶胞。下列说法错误的是(　　) A.结构1钴硫化物的化学式为Co9S8 B.晶胞2中S与S的最短距离为a C.晶胞2中距Li最近的S有4个 D.晶胞2和晶胞3表示同一晶体 250.研究人员制备了一种具有锂离子通道的导电氧化物(LixLayTiO3)，其立方晶胞和导电时Li+迁移过程如图所示。已知该氧化物中Ti为+4价，La为+3价。下列说法错误的是(　　) A.导电时，Ti和La的价态不变 B.若x=，Li+与空位的数目相等 C.与体心最邻近的O原子数为12 D.导电时，空位移动方向与电流方向相反 251.金属铋及其化合物广泛应用于电子设备、医药等领域。如图是铋的一种氟化物的立方晶胞及晶胞中M、N、P、Q点的截面图，晶胞的边长为a pm，NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是(　　) A.该铋氟化物的化学式为BiF3 B.粒子S、T之间的距离为a pm C.该晶体的密度为 g·cm-3 D.晶体中与铋离子最近且等距的氟离子有6个 252.二维磁性材料卤化铬CrXn混合晶体结构如图，在纯氧中发生光氧化反应生成长链状CrOm和X2。下列说法错误的是(　　) A.化学键中离子键成分百分数：CrCln>CrBrn>CrIn B.n=m=3 C.生成1 mol X—X转移3 mol电子 D.熔点：CrCln>CrBrn>CrIn 253.α-AgI可用作固体离子导体，能通过加热γ-AgI制得。两种晶体的晶胞如图a所示(Ag+未标出)。测定α-AgI中导电离子类型的实验装置如图b所示，在电场的作用下，α-AgI中的离子无需克服太大阻力即可发生迁移。下列说法错误的是(　　) A.γ-AgI与α-AgI晶胞的质量之比为2∶1 B.可用X射线衍射实验区分γ-AgI和α-AgI晶体 C.γ-AgI与α-AgI中与I-等距离且最近的I-个数比为3∶2 D.支管a中AgI质量不变，可判定导电离子是I-而非Ag+ 254.砷化镉晶胞结构如图，图1中“①”和“②”位是“真空”，晶胞参数为a pm，建立如图2所示坐标系，①号位的坐标为(，，)。已知：砷化镉的摩尔质量为M g·mol-1，NA为阿伏加德罗常数的值，下列说法错误的是(　　) A.砷化镉中Cd与As原子个数比为3∶2 B.两个Cd原子间最短距离为0.5a pm C.③号位原子坐标为(，1，) D.该晶胞的密度为NA(a×10—10)3 g·cm-3 255.朱砂(硫化汞)在众多先秦考古遗址中均有发现，其立方晶系β型晶胞如下图所示，晶胞参数为a nm，A原子的分数坐标为(0，0，0)，阿伏加德罗常数的值为NA，下列说法正确的是(　　) A.S的配位数是6 B.晶胞中B原子分数坐标为(，，) C.该晶体的密度是ρ= g·m-3 D.相邻两个Hg的最短距离为a nm 256.镍酸镧电催化剂立方晶胞如图所示，晶胞参数为a，具有催化活性的是Ni，图①和图②是晶胞的不同切面。下列说法错误的是(　　) A.催化活性：①>② B.镍酸镧晶体的化学式为LaNiO3 C.La周围紧邻的O有4个 D.La和Ni的最短距离为a 257.钒的某种氧化物的立方晶胞结构如图所示。已知：NA为阿伏加德罗常数的值，晶体密度为d g·cm-3。下列叙述正确的是(　　) A.基态V的电子占11个能级 B.该晶体的化学式为V2O5 C.1个晶胞含2个钒离子 D.晶胞参数a为×1010 nm 258.砷化镓是一种高性能半导体材料，被广泛应用于光电子器件等领域。砷化镓立方晶胞(晶胞参数为a pm)如图1。下列说法正确的是(　　) A.Ga的配位数为2 B.该晶胞沿z轴方向的平面投影如图2 C.晶体中配位键占共价键总数的25% D.晶胞中砷原子与镓原子间的最短距离为a pm 259.晶体世界丰富多彩、复杂多样，各类晶体具有的不同结构特点，决定着它们具有不同的性质和用途。氢化铝钠(NaAlH4)是一种新型轻质储氢材料，其晶胞结构如图所示，为长方体。设阿伏加德罗常数的值为NA，下列说法错误的是(　　) A.中中心原子Al的杂化方式为sp3杂化 B.NaAlH4晶体中，与紧邻且等距的Na+有4个 C.NaAlH4晶体的密度为 g·cm-3 D.若NaAlH4晶胞上下面心处的Na+被Li+取代，得到的晶体的化学式为Na3Li 260.科学家发现固体电解质Li3SBF4具有良好的导电能力,为锂离子电池的发展做出了重要贡献,其晶胞结构如图所示,其中B位于体心。下列说法正确的是 (　　) A.该晶胞中Li+位于体心和棱心 B.电负性:F>B>S>Li C.Li+周围距离最近且相等的S2-的个数为4 D.若晶胞参数为a pm,则晶体密度为 g/cm3 261. Li2O具有反萤石结构,其立方晶胞结构如图所示(晶胞的边长为a pm)下列说法错误的是 (　　) A.字母B表示氧离子,配位数是8 B.若晶胞中M的坐标为(0,0,0),则P的坐标为(,,) C.A处于B围成的正八面体空隙中 D.晶胞中A与B的最短距离为 cm 262.可用于配制无机防锈颜料的复合氧化物的晶胞结构如图,下列说法中不正确的是 (　　) A.该复合氧化物的化学式为CaCrO3 B.若图中A、B的原子坐标均为(0,0,0),则C的原子坐标为(0,0.5,0.5) C.若该晶体密度为ρ g·cm-3,钙和氧的最近距离为a nm,则阿伏加德罗常数NA= mol-1 D.由晶胞结构可知,与1个钙原子等距离且最近的氧原子有8个 263.某记忆合金的晶体结构如图a所示,晶胞结构如图b所示。已知原子半径为Ni:130 pm、Mn:130 pm、Ga:150 pm。下列说法错误的是 (　　) A.该物质的化学式为Ni2MnGa B.与Ga最邻近且距离相等的Ni原子数是8 C.该晶体与金属钠含有相同的化学键 D.该晶胞的体积为(130×2)2×(130×2+150×2) pm3 265.据文献报道:CeO2的氧缺陷可以有效促进氢气在催化加氢过程中的活化。图1为CeO2理想晶胞,图2为CeO2缺陷晶胞,若晶胞参数为a nm,下列说法正确的是 (　　) A.图1晶胞面对角线切面上的离子数目有8个 B.图2中Ce4+与O2-的数目之比为4∶7 C.理想晶胞中O2-的配位数为4 D.理想晶胞的体积V=a3×10-30 cm3 266.钙钛矿型结构是一种重要的结构形式,若选择Ti4+作为晶胞原点,其立方晶胞如图所示(边长为a nm)。下列关于该晶体的说法错误的是 (　　) A.该晶胞中Ca、Ti、O三种原子个数比为1∶1∶3 B.晶胞中Ti4+的配位数是6 C.该晶体的密度为×1021 g/cm3 D.若选择Ca2+作为晶胞原点画出晶胞,则晶胞中的O2-位于体心的位置 267.一种理想的荧光材料CuInSn的晶胞结构如图所示。已知:原子中电子有两种相反的自旋状态,一种用+表示,另一种用-表示。下列说法正确的是 (　　) A.晶体中距离D处Cu原子最近的S原子有4个 B.基态In原子的电子自旋量子数的代数和为 C.若A处原子坐标为(0.5,0,0.25),B处原子坐标为(0,0.5,0.25),则C处原子坐标为(0.5,0.5,0.75) D.设NA为阿伏加德罗常数,CuInSn的摩尔质量为M g/mol,则晶体的密度为 g/cm3 268.一种含钒超导材料的晶胞结构及晶体结构俯视图如下图,晶胞参数为x nm、x nm、y nm,摩尔质量为Mr g/mol。(Sb原子有两种位置关系,分别用Sb1和Sb2代表),下列叙述中错误的是 (　　) A.该晶体的化学式为CsV3Sb5 B.与Cs原子距离最近的Sb1原子有6个 C.基态V2+占据的最高能层的符号是M D.该含钒超导材料的晶体密度为 g·cm-3 269.硼氢化锂(LiBH4)是一种潜在的高效储能材料,在高压下呈现出多晶型的转变过程。图a是不同压强下LiBH4的两种晶胞,图b是晶胞Ⅰ沿x、y、z轴的投影图,下列有关说法错误的是 (　　) A.电负性:H>B>Li B.晶胞Ⅱ为较大压强下的晶型 C.LiBH4中存在配位键,B提供空轨道 D.晶胞Ⅰ中Li+周围距离最近的B有4个 270 .砷化镓是一种立方晶系如图甲所示,将Mn掺杂到晶体中得到稀磁性半导体材料如图乙所示,砷化镓的晶胞参数为x pm,密度为ρ g·cm-3。下列说法错误的是 (　　) A.1 mol砷化镓中配位键的数目是NA B.Ga和As的最近距离是x pm C.沿体对角线a→b方向投影图如丙,若c在11处,则As的位置为7、9、11、13 D.Mn掺杂到砷化镓晶体中,和Mn最近且等距离的As的数目为6 271.C60在高温高压下可转变为具有一定导电性、高硬度的非晶态碳玻璃。下列关于该碳玻璃的说法错误的是(　　) A.具有自范性 B.与C60互为同素异形体 C.含有sp3杂化的碳原子 D.化学性质与金刚石有差异 272.下列关于超分子和配合物的叙述不正确的是(　　) A.[Cr(NH3)3(H2O)2Cl]2＋中三价铬离子提供空轨道，N、O、Cl提供孤电子对与三价铬离子形成配位键，其中心离子的配位数为6 B.配合物[TiCl(H2O)5]Cl2·H2O中存在离子键、共价键、配位键，若加入足量AgNO3溶液，所有Cl－均被完全沉淀 C.超分子是两种或两种以上的分子通过分子间相互作用形成的分子聚集体，包括离子 D.人体细胞和细胞器的双分子膜体现了超分子的自组装的特征 273.单质硫和氢气在低温高压下可形成一种新型超导材料，其晶胞如图。 下列说法错误的是(　　) A.S位于元素周期表p区 B.该物质的化学式为H3S C.S位于H构成的八面体空隙中 D.该晶体属于分子晶体 274.下列晶体分类中正确的一组是(　　) 选项 离子晶体 共价晶体 分子晶体 A NaOH Ar SO2 B H2SO4 石墨 S C CH3COONa 水晶 D Ba(OH)2 金刚石 玻璃 275.已知NixMg1－xO晶体属立方晶系，晶胞边长为a。将Li＋掺杂到该晶胞中，可得到一种 高 性能的p型太阳能电池材料，其结构单元如图所示。假定掺杂后的 晶胞参数不发生变化，下列说法不正确的是(　　) A.该结构单元中O原子数为4 B.Ni和Mg间的最短距离是a C.晶体中并非每个O原子周围都有3个等距且最近的Ni原子 D.该物质的化学式为Li0.5Mg1.12Ni2.38O4 276.石英晶体的平面示意图如图，它实际上是立体的网状结构(可以看作是晶体硅中的每个Si—Si中插入一个O)，其中硅、氧原子数比是m∶n，下列有关叙述正确的是(　　) A.m∶n＝2∶1 B.6 g该晶体中含有0.1NA个分子 C.原硅酸根离子(SiO)的结构为[]，则二聚原硅酸根离子Si2O中的x＝7 D.石英晶体中由硅、氧原子构成的最小的环上含有的Si、O原子个数和为8 277.在碱性溶液中，Cu2＋可以与缩二脲形成紫色配离子，其结构如图所示。 下列说法错误的是(　　) A.该配离子与水分子形成氢键的原子只有N和O B.该配离子中铜离子的配位数是4 C.基态Cu原子的价电子排布式是3d104s1 D.该配离子中非金属元素的电负性大小顺序为O>N>C>H 278.下图为冰晶体的结构模型，大球代表氧原子，小球代表氢原子，下列有关说法正确的是(　　) A.每个水分子与周围邻近的四个水分子间通过H—O形成冰晶体 B.冰晶体是四面体形的空间网状结构，属于共价晶体 C.冰晶体熔化时，水分子之间的空隙增大 D.1 mol冰晶体中最多含有2 mol氢键 279.鲍鱼壳有内层和外层之分，一层是霰石，一层是方解石，它们的组成成分都是碳酸钙，但它们的晶体结构不同，霰石光滑，方解石坚硬，称为“同质多象”现象。金刚石和石墨也是一种同质多象现象。下列说法不正确的是(　　) A.霰石晶体结构图的方框中含有4个钙离子、4个碳酸根离子 B.方解石晶体结构图的平行六面体中含有2个钙离子、2个碳酸根离子 C.霰石转化成方解石是物理变化 D.方解石与霰石的某些性质不同 280.中国科学院物理研究所合成了基于铁基超导体系掺杂调控的新型稀磁半导体LiZnqMnpAs(图乙)，该材料是LiZnAs晶体(如图甲所示立方晶胞)中部分Zn原子被Mn原子代替后制成的。已知a点原子的分数坐标为(，，)，图甲晶体的密度为d g·cm－3，晶胞参数为c pm。下列说法错误的是(　　) A.b点As原子的分数坐标为(，，) B.图乙晶体的最简化学式为LiZn0.75Mn0.25As C.图乙晶胞结构中的As位于Zn、Mn形成的正四面体空隙中 D.阿伏加德罗常数NA＝ mol－1 281.某记忆合金的晶体结构如图a所示，晶胞结构如图b所示。已知原子半径为Ni：130 pm、Mn：130 pm、Ga：150 pm。下列说法错误的是(　　) A.该物质的化学式为Ni2MnGa B.与Ga最邻近且距离相等的Ni原子数是8 C.该晶体与金属钠含有相同的化学键 D.该晶胞的体积为(130×2)2×(130×2＋150×2)pm3 282.我国科学家在新型二维半导体芯片材料——硒氧化铋(Bi2SeO2，摩尔质量为M g·mol－1)的研究中取得突破性进展。硒氧化铋的晶胞结构如图所示，晶胞棱边夹角均为90°，设NA为阿伏加德罗常数。下列说法中错误的是(　　) A.该晶胞沿z轴方向的投影为 B.每个O2－周围紧邻的Bi3＋有4个 C.若M的坐标为(0，0，0)，则N的坐标为(，，) D.硒氧化铋的密度为×1030 g·cm－3 283.钋(Po)是目前已知最稀有的元素之一。金属钋的晶胞沿x、y或z轴的投影如 图 所示。下列说法错误的是(　　) A.构成晶体的微粒间的作用力是金属键 B.构成该晶体的微粒是金属原子(金属离子)和自由电子 C.若Po原子的半径为r，则晶胞边长为r D.晶胞中Po原子的配位数为6 284.以晶胞参数为单位长度建立的坐标系可以表示晶胞中各原子的位置，称作原子分数坐标。如图中原子1的坐标为(，，)，则原子2和3的坐标中正确的是(　　) A.原子2为(，0，) B.原子2为(0，，) C.原子3为(1，0，) D.原子3为(0，0，) 285.磷化硼是一种耐磨涂料，可用作金属的表面保护层。磷化硼晶体晶胞(立方体)如图所示。已知原子坐标P1为(0，0，0)，P2为(1，1，1)，晶胞的密度为ρ g·cm－3，阿伏加德罗常数的值用NA表示。下列说法正确的是(　　) A.磷原子的配位数为12 B.图中a原子的坐标是(，，) C.磷化硼晶体的晶胞边长为×1010 pm D.电负性：B>P 286.汞钡铜氧晶体的晶胞如图A所示，通过掺杂Ca2＋获得的具有更高临界温度的超导材料如图B所示。下列说法正确的是(　　) A.掺杂后晶体密度增大是因为晶胞中增加了1个Ca2＋ B.汞钡铜氧晶体中的Hg和Cu个数比为1∶2 C.图A晶胞中一个Ba的分数坐标为(，，)，则另一个(，，) D.图B晶胞中Ca周围距离最近的Hg数目和Hg周围距离最近的Ca的数目不同 287.已知空间利用率是指构成晶体的原子、离子或分子在整个晶体空间中所占有的体积百分比。下列有关说法不正确的是(　　) A.铜碘杂化团簇分子结构如图1所示，分子间通过范德华力聚集在一起 B.CaF2晶体的晶胞如图2所示，标记为X的F－的分数坐标为(，，) C.氢原子的电子云如图3所示，氢原子核外大多数电子在原子核附近运动 D.金属Cu为面心立方晶胞(如图4所示)，其空间利用率约为74% 288.钒的某种氧化物的立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a pm。下列说 法 错误的是(　　) A.该钒的氧化物的化学式为VO2 B.V原子在该晶体中的堆积方式为体心立方 C.V原子的配位数与O原子的配位数之比为1∶2 D.该晶胞的密度为 g·cm－3 289.单质硫和氢气在低温高压下可形成一种新型超导材料，其晶胞如图。下列说法正确的是(　　) A.该物质的化学式为H2S B.H3S和H2S互为同素异形体 C.图中M原子的原子分数坐标为(0，0，0)，则N原子的原子分数坐标为(1，1，) D.与S原子最近且等距离的S原子数为12 290.Fe为过渡金属元素,在工业生产中具有重要的用途。已知NO能被FeSO4溶液吸收生成配合物[Fe(NO)(H2O)n]SO4,该配合物的中心离子的最外层电子数与配体提供的电子总数之和为26。下列有关说法正确的是 (　　) A.该配合物的化学式为[Fe(NO)(H2O)5]SO4 B.该配合物中所含非金属元素均位于元素周期表p区 C.1 mol该配合物与足量Ba(OH)2溶液反应可生成2 mol沉淀 D.该配合物中阳离子呈正八面体结构,阴离子呈正四面体结构 291.在碱性溶液中,Cu2+可以与缩二脲形成紫色配离子,其结构如下图所示。 下列说法错误的是 (　　) A.该配离子与水分子形成氢键的原子只有N和O B.该配离子中铜离子的配位数是4 C.基态Cu原子的价层电子排布式是3d104s1 D.该配离子中非金属元素的电负性:O>N>C>H 292.)一种钴的配合物乙二胺四乙酸合钴的结构为,下列说法错误的是 (　　) A.Co2+的价电子排布式为3d54s2 B.碳原子的杂化轨道类型为sp2和sp3 C.该配合物中配位原子是N和O D.1 mol该配合物形成的配位键有6 mol 293.某种新型储氢材料的立方晶胞如图所示,该晶体由[Fe(NH3)6]n+和[BH4]-形成,晶胞参数为a pm。 下列说法中不正确的是 (　　) A.[Fe(NH3)6]n+中n=2 B.晶胞中[Fe(NH3)6]n+和[BH4]-的配位数分别为8和4 C.晶胞中距离最近的2个[Fe(NH3)6]n+之间的距离为 pm D.[BH4]-中心原子的杂化方式为sp3杂化 294.Zn2+、Cu2+可与Cl-分别形成[ZnCl4]2-(无色)、[CuCl4]2-配离子。将无水CuSO4固体溶于水,得到蓝色溶液,加入浓盐酸后,溶液由蓝色变为绿色。该反应过程为[Cu(H2O)4]2+(蓝色)+4Cl-[CuCl4]2-(黄色)+4H2O。下列说法错误的是 (　　) A.等物质的量的[Cu(H2O)4]2+和[CuCl4]2-中σ键数之比为3∶1 B.往绿色溶液中加入少量ZnCl2固体,溶液变蓝色,可知配离子稳定性:[ZnCl4]2->[CuCl4]2- C.往绿色溶液中加水稀释,溶液变蓝色,是由于c(H2O)增大导致平衡逆向移动 D.无水CuSO4固体中,Cu2+与S通过离子键结合 295我国科学家研究出联吡啶双酚铝氯化物,用作制备聚酯高效稳定的催化剂,其终步反应如图所示。已知含有大π键,下列说法正确的是 (　　) A.反应物中C、N、O原子均采用sp2杂化 B.(CH3CH2)2AlCl的熔点比AlCl3的高 C.产物中有2个配位键与Al相结合 D.产物中含有离子键和共价键 296.化合物Ni(CO)4中心原子采取sp3杂化,常温下为无色液体,沸点42.1 ℃。在空气中加热Ni(CO)4发生如下反应:2Ni(CO)4+5O22NiO+8CO2,下列说法不正确的是 (　　) A.Ni(CO)4分子结构式如图所示 B.Ni(CO)4难溶于水,易溶于有机溶剂 C.Ni(CO)4可分解生成Ni和CO D.Fe(CO)5与Ni(CO)4性质相似,在空气中加热生成FeO 297.BF3(三氟化硼)熔点-127 ℃,沸点-100 ℃,水解生成H3BO3(硼酸,结构如图)和HBF4(氟硼酸),与氨气相遇立即生成白色的BF3·NH3(氨合三氟化硼)固体。下列说法不正确的是 (　　) A.BF3和B中心硼原子杂化方式不同 B.1 mol H3BO3晶体含有6 mol氢键 C.H3BO3显酸性原因:H3BO3+H2OB(OH+H+ D.BF3·NH3结构式为 298.HCHO与[Zn(CN)4]2-在水溶液中发生反应:4HCHO+[Zn(CN)4]2-+4H++4H2O[Zn(H2O)4]2++4HOCH2CN,下列说法错误的是 (　　) A.反应中HCHO发生了加成反应 B.HCHO和H2O中心原子的价层电子对数相同 C.CN-和H2O与Zn2+的配位能力:CN-<H2O D.Zn2+与CN-生成的配离子[Zn(CN)4]2-中,σ键和π键的数目之比为1∶1 299.照相底片定影并回收定影液硫代硫酸钠和银,经历如下过程,下列说法不正确的是 (　　) AgBrNa3[Ag(S2O3)2]Ag2SAg+SO2 A.Na3[Ag(S2O3)2]晶体中所含的作用力只有离子键、配位键 B.S2是等电子体,结构相似,相当于S中O被一个S原子替换 C.该过程中与Ag+结合能力:S2->S2>Br- D.副产物SO2的键角小于120°的原因:SO2分子中S的孤电子对对成键电子对的排斥作用使键角变小 300.某废水中含有N和Cu2+,N浓度远大于Cu2+。用NaOH溶液调节该废水pH(溶液体积变化忽略不计),上层清液中铜元素的含量随pH变化如图所示。 已知:Cu2+在溶液中可形成[Cu(NH3)4]2+和[Cu(OH)4]2-。 下列说法不正确的是 (　　) A.a~b段:随pH升高,Cu(OH)2(s)Cu2+(aq)+2OH-(aq)平衡逆向移动 B.b~c段:发生反应Cu(OH)2+4NH3·H2O[Cu(NH3)4]2++2OH-+4H2O C.c~d段:随pH升高,溶液中的OH-浓度上升,再次出现Cu(OH)2沉淀 D.推测d点以后,随pH升高,上层清液中铜元素含量持续下降 301.[Co(NH3)6]Cl3是一种重要的化工产品,实验室可利用CoCl2制取该配合物:2CoCl2+10NH3+2NH4Cl+H2O22[Co(NH3)6]Cl3+2H2O。已知[Co(NH3)6]3+的空间结构如图,其中1~6处的小圆圈表示NH3分子,各相邻的NH3分子间的距离相等,中心离子Co3+位于八面体的中心,NH3分子到中心离子的距离相等(图中虚线长度相等),下列说法正确的是 (　　) A.H2O2为非极性分子 B.NH3、H2O与Co3+形成配离子的稳定性:NH3<H2O C.1 mol [Co(NH3)6]Cl3含有σ键的数目为18NA D. 若[Co(NH3)6]3+中两个NH3被Cl-替代,得到的[Co(NH3)4Cl2]+有2种结构 302．你认为下列对晶体概况的描述合理的组合是( ) ①金属晶体中存在离子，却不存在离子键 ②共价晶体、分子晶体、金属晶体中一定都存在化学键 ③共价晶体的硬度一般比分子晶体大，分子晶体的熔点不一定比金属晶体低 ④固态能导电的一定是金属晶体 ⑤共价晶体和金属晶体都由原子构成 ⑥不同金属晶体的熔点相差较大，熔点最低的是汞 A.①③⑥ B.①②④ C.②④⑥ D.①②⑥ 303．下列关于晶体与非晶体的说法正确的是( ) A.晶体熔点一定比非晶体的熔点高 B.晶体有自范性但构成晶体的微粒排列无序 C.非晶体无自范性且构成非晶体的微粒排列相对无序 D.固体一定是晶体 304．下列有关晶体的说法中正确的是( ) A.共价晶体、离子晶体、金属晶体、分子晶体中都一定存在化学键 B.熔点：离子晶体：MgO>NaCl；分子晶体：；金属晶体：锂<钠<钾<铷<铯 C.金刚石的硬度大于晶体硅的硬度，其熔点也高于晶体硅的熔点 D.“硅－炭黑晶体管”为一种新型材料，硅、炭黑均属于晶体 305．晶体的性质与晶体类型密切相关，下列关于晶体的描述不正确的是( ) A.结构相似的共价晶体，原子半径越小，晶体的硬度和熔沸点越高 B.某无色晶体能溶于水，质硬而脆，熔点为801℃，熔化状态下能导电，则该晶体可能为离子晶体 C.易溶于，液态时不导电，水溶液能导电的晶体为分子晶体 D.含有阳离子的晶体不一定是金属晶体，金属晶体都具有较高的熔点、良好的导电性和延展性 306．下列晶体分类正确的一组是(　　) 晶体类型 离子晶体 原子晶体 分子晶体 A KOH Ne P B HCl MgCl2 乙醇 C Na2CO3 晶体硅 甲苯 D Ca(OH)2 晶体硅 石墨 A. A B. B C. C D. D 307．下列有关晶体和非晶体的说法中正确的是( ) A.晶体具有自范性，非晶体没有自范性 B.晶体研碎后即变为非晶体 C.将玻璃加工成规则的固体即变成晶体 D.具有规则几何外形的固体均为晶体 308．固体有晶体和非晶体之分（实际上还有介于两者之间的晶体），下列对晶体和非晶体相关叙述中不正确的是( ) A.相同质量的晶体转变为非晶体属于熵增过程 B.晶体具有自范性，非晶体没有自范性 C.晶体不具有物理性质各向异性的特点 D.图中a表示的是晶态的衍射图谱 309．下列关于晶体的说法正确的是( ) ①金属晶体能导电，离子晶体在一定条件下也能导电 ②金属晶体和离子晶体的熔、沸点都很高 ③在晶体中只要有阴离子就一定有阳离子 ④晶体中（晶胞结构如图所示）每个和12个相紧邻 ⑤金刚石、SiC、NaF、NaCl、晶体的熔点依次降低 ⑥分子晶体中分子间作用力越大，分子越稳定 ⑦晶体中每个硅原子与两个氧原子以共价键相结合 ⑧晶体状态能导电的一定是金属晶体 A.②③⑤⑧ B.①②⑥⑦ C.②④⑥⑧ D.①③④⑤ 310．已知溴化铝是一种无色晶体,熔点为98℃,熔融时不导电,则溴化铝所属的晶体类型是(   ) A.分子晶体 B.原子晶体 C.离子晶体 D.金属晶体 311．下列关于晶体的说法中,不正确的是( ) ①晶胞是晶体结构的基本单元 ②分子晶体若是密堆积方式，其配位数一般都是12 ③含有离子的晶体一定是离子晶体 ④共价键的强弱决定分子晶体熔沸点的高低 ⑤MgO远比NaCl的晶格能大 ⑥含有共价键的晶体一定是原子晶体 ⑦分子晶体的熔点一定比金属晶体低 ⑧NaCl晶体中，阴、阳离子的配位数都为6. A. ①③④⑦ B. ②④⑥⑧ C. ③⑤⑦⑧ D. ③④⑥⑦ 312．下列关于原子晶体和分子晶体说法不正确的是( ) A.原子晶体硬度通常比分子晶体大 B.原子晶体的熔、沸点较高 C.有些分子晶体的水溶液能导电 D.金刚石、水晶和干冰属于原子晶体 313．一种钴的氧化物在纳米储能领域研究广泛，其晶胞结构如图所示(白球为Co，黑球为O)，已知该晶胞参数为a pm，阿伏加德罗常数的值为NA。下列说法错误的是(　　) A．该晶体的化学式为CoO B．基态Co原子有3个未成对电子 C．与O原子最近且等距离的O原子有12个 D．该氧化物的摩尔体积为 cm3·mol－1 314．一种新型高性能的p型太阳能电池材料的晶体结构单元(为立方体，质量为b g)及部分原子分数坐标如图所示，其中Ni和Mg间的最短距离为a pm。下列说法正确的是(　　) A．①处原子分数坐标为(1，，) B．晶体密度为 g·cm－3 C．该晶体不可能是离子晶体 D．该物质的化学式为Li0.5Mg1.2Ni2.4O4 315．一种含钒超导材料的晶胞结构及晶体结构俯视图如图，晶胞参数为x nm、x nm、y nm，摩尔质量为M g·mol－1(Sb原子有两种位置关系，分别用Sb1和Sb2代表)，下列叙述错误的是(　　) A．该晶体的化学式为CsV3Sb5 B．与Cs原子距离最近的Sb1原子有6个 C．基态V2＋占据的最高能层的符号是M D．该含钒超导材料的晶体密度为 g·cm－3(NA为阿伏加德罗常数的值) 316．碘和钙形成的某种可溶性二元化合物常用于医药方面，其熔、沸点分别为779 ℃、1 100 ℃，晶胞结构如图所示。下列说法错误的是(　　) A．该物质的化学式是CaI2 B．该物质在熔融状态和水溶液中均可导电 C．该化合物熔、沸点高于氟化钙 D．Ca在周期表中所处的s区含有非金属元素 316．下列事实与共价键的强弱无关的是(　　) A．金刚石熔点高于晶体硅 B．碘化氢的沸点高于氯化氢 C．氮气的化学性质很稳定 D．乙炔易发生加成反应 317．下列物质中，常温下以分子晶体形式存在的是(　　) A．氯化铵 B．单质碘 C．金刚石 D．单质硅 318．某晶体中含有非极性键，下列关于该晶体的说法正确的是(　　) A．可能有很高的熔、沸点 B．不可能是化合物 C．只可能是有机物 D．不可能是离子晶体 319．根据表中几种物质的熔点数据，判断下列有关说法错误的是(　　) 物质 AlCl3 SiCl4 单质M SiC 熔点/℃ 190 －70 2 300 2 830 A．AlCl3为离子晶体 B．单质 M可能是共价晶体 C．SiCl4是分子晶体 D．SiC的熔点比金刚石低 320．氮化硼(BN)是一种重要的功能陶瓷材料。以天然硼砂为起始物，经过一系列反应可以得到BF3和BN，过程如图所示。下列叙述正确的是(　　) A．NH3与BF3都是由极性键构成的极性分子 B．六方氮化硼在高温高压下，可以转化为立方氮化硼，其结构与金刚石相似，1个立方氮化硼晶胞中含有4个氮原子、4个硼原子 C．NH4BF4(氟硼酸铵)是合成氮化硼纳米管的原料之一，1 mol NH4BF4含有配位键的数目为NA D．立方氮化硼和半导体材料氮化铝的结构均类似于金刚石，立方氮化硼的熔点小于氮化铝 321．2024年1月，我国自主研制的AG60E电动飞机成功首飞。AG60E采用了SiC电控系统，SiC晶体属于 A．分子晶体 B．金属晶体 C．离子晶体 D．共价晶体 322．下列有关晶体的说法正确的是 A．含有阳离子的晶体中，一定含有阴离子 B．氯化钠是由阴、阳离子间通过静电引力结合而成的离子晶体 C．二氧化硅是由共价键结合而成的共价晶体 D．干冰内有共价键，分子间既存在范德华力又存在氢键 323．下列关于物质的熔沸点高低顺序中，正确的是 A．金刚石>晶体硅>金刚砂 B．NaF>NaCl>NaBr C．邻羟基苯甲酸>对羟基苯甲酸 D．生铁>纯铁>钠 324．列说法错误的是 A．沸点：CO>N2 B．键角：NH<NH3 C．离子键百分数：MgO>Al2O3 D．稳定性：CH4>SiH4 325．如图为冰晶体的结构模型，大球代表O原子，小球代表H原子，下列有关说法正确的是 A．每个水分子与周围邻近的四个水分子间通过H-O键形成冰晶体 B．冰晶体是四面体型的空间网状结构，属于原子晶体 C．冰晶体熔化时，水分子之间的空隙增大 D．lmol冰晶体中最多含有2mol氢键 326．下列有关自然界中含硫物质的说法正确的是 A．、互为同位素 B．、中硫原子的杂化轨道类型相同 C．大气圈与水圈中主要含硫物质的类别相同 D．如图所示晶胞中硫原子的配位数为8 327．某太阳能电池材料的化学式为，其晶胞结构如下图所示，其中代表，表示阿伏加德罗常数。下列说法中不正确的是 A．N的杂化方式为 B．图中代表 C．晶体密度为 D．的配位数为8 328．铍及其化合物具有重要应用。铍与铝性质相似，铍铝合金可用作航空材料，是很好的储氢材料；BeO可用于制造耐火陶炎，晶胞结构如图所示；固体加热至得分子和两种气态氢化物；气态主要以二聚体()形式存在，可与在乙醚中制备；在分解为和等。 下列说法正确的是 A．键角大于 B．为离子化合物 C．BeO晶胞中配位数为4 D．气体含键 329．某合金的立方晶胞结构如图所示。下列说法错误的是 A．基态铜原子的价层电子排布式为 B．晶胞中的配位数为8 C．该合金中Au的质量分数约为75% D．晶胞中最小核间距 330．通常情况下，氯化钠、氯化铯、二氧化碳和二氧化硅的晶体结构如下图所示(其中图甲、图乙和图丙分别表示相应晶体的晶胞结构)，下列关于这些晶体结构和性质的叙述正确的是 A．个NaCl晶胞的质量是234g B．氯化钠、氯化铯和干冰的晶胞结构都是立方体，因此它们具有相似的物理性质 C．干冰晶体中每个二氧化碳分子周围等距且紧邻的二氧化碳分子数是6个 D．60g二氧化硅晶体中，含有：个Si—O共价键 331．我国科学家合成了一种具有巨磁电阻效应的特殊导电性物质，其立方晶胞结构如图所示。已知晶胞参数为anm，表示阿伏加德罗常数的值，下列说法正确的是 A．基态Cr的价层电子排布式为 B．该晶体密度为 C．晶体中Ca原子周围等距离且最近的O原子数为8 D．若用放射性的O替换图中的O，对其化学性质影响较大 332．某化合物的晶胞如图所示，下列说法不正确的是 A．该物质化学式为Fe(NH3)2Cl2 B．该物质的熔点高于FeCl2 C．该晶体中含离子键、配位键 D．若该晶胞体积为a cm3，则晶胞的密度为g/cm3 333．研究表明晶胞的氧缺陷可以有效促进氢气在催化加氢过程中的活化。图1为理想晶胞，图2为氧缺陷晶胞。下列说法错误的是 A．图1中的配位数是8 B．图1中填充在构成的四面体空隙中 C．若图2中与的个数比为2∶3，则的空缺率为25% D．若晶胞参数为a nm，图1晶胞的密度为 334．钒(V)是一种重要的战略金属，V的某种氧化物具有绝缘体-导体相转变特性，导体状态的晶胞结构如图。已知为阿伏加德罗常数的值，下列说法错误的是 A．基态V原子核外电子的空间运动状态有13种 B．该晶胞中与O距离最近的V有6个 C．该氧化物化学式为 D．该晶胞的密度为 335．氢能具有高热值、零污染和资源丰富等优点。一种光解水产生氢气的催化剂晶胞结构如图所示，已知晶胞参数为。下列说法正确的是 A．与的个数比为 B．与距离最近的个数为8 C．与的最近距离为 D．该晶体的摩尔体积为 336．黑辰砂大多数是黑色结晶状，其晶胞结构如图所示。已知阿伏加德罗常数的值为，晶体密度为。下列说法正确的是 A．位于元素周期表中p区 B．位于构成的正四面体中心 C．该晶胞中最近的之间的距离为 D．若c的原子坐标为，则b的原子坐标为 337．一种钽(Ta)的化合物的四方晶胞结构如图所示()。已知为阿伏加德罗常数的值。原子分数坐标x、y、，原子分数坐标为1时记为0。M、N的原子分数坐标分别为，，下列说法错误的是 A．P的原子分数坐标为 B．该化合物的化学式为 C．与Q距离相等且最近的有8个 D．该晶体的密度是 338．锆是重要的战略金属，可从其氧化物中提取。下图是某种锆的氧化物晶体的立方晶胞，为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．该氧化物的化学式为 B．晶胞中与O的配位数分别为8和4 C．该氧化物的密度为 D．若p处坐标为，则q处的坐标参数为 339．由铜、铟、镓、硒组成的晶体属于四元半导体化合物，原子填充在与(或)围成的四面体空隙中，晶胞棱边夹角均为，设为阿伏加德罗常数的值。已知：A点、B点原子的分数坐标分别为和。下列说法错误的是 A．该晶体的化学式： B．C点原子的分数坐标是 C．距离原子最近且等距的原子有2个 D．若晶胞中与原子数相同，晶体密度为 340．可用于制造乳白玻璃或用作玻璃磨光剂，其晶胞属于四方晶系(晶胞棱边夹角均为90℃)，结构如图所示，用表示阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．小黑球代表 B．位于6个所构成的八面体空隙中 C．该晶体的密度为 D．晶胞沿z轴的投影图为 341．汞及其化合物在我国应用的历史悠久，可用作医药、颜料等。一种含汞化合物的立方晶胞结构如图所示，该晶胞的密度为，A的分数坐标为。 下列说法正确的是 A．B的分数坐标为 B．晶胞中相邻的两个之间的距离为 C．阿伏加德罗常数为 D．图2是晶胞的俯视图 342．CsCl晶体结构如图所示，对相距最近的两个Cs+与它们最近的Cl-之间夹角的判断正确的是 A．120° B．90° C．109°28' D．以上均不正确 343．实验室可用萤石(CaF2)与浓硫酸制取HF，氢氟酸可用来刻蚀玻璃，发生反应：，CaF2的立方晶胞如图所示，其晶胞参数为apm。下列说法不正确的是 A．氢化物的稳定性：HF>H2O>SiH4 B．SiF4、H2O、SO、SiO2四者的中心原子的杂化方式相同 C．CaF2的晶体密度为(NA为阿伏伽德罗常数的值) D．CaF2晶体中Ca2＋和Ca2＋之间的最近距离与F-和F-之间的最近距离之比为 344．IIIA-VA族化合物在光电领域具有重要应用。砷化镓(GaAs，M = 145 g·mol1)具有空间网状结构，其晶胞结构如图所示，立方晶胞参数为a pm，NA为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．As原子周围等距离且最近的As原子有12个 B．GaAs属于共价晶体 C．Ga原子间的最短距离为a/4 pm D．GaAs的晶体密度为 (145×4×1030)/(NA×a3) g·cm3 345．已知的晶胞结构如图所示，边长为，晶胞中分别处于顶角、体心、面心位置。下列说法错误的是 A．第一电离能： B．与O间的最短距离： C．晶胞中与紧邻的O个数为8个 D．在晶胞结构的另一种表示中，处于各顶角位置，则处于体心位置 346．是三种典型的晶体，晶胞结构如图所示。下列说法错误的是 A．通过晶体的X射线衍射实验可以区分晶体与晶体 B．晶体中，的配位数相等 C．两种晶体的熔点高低关系为： D．晶胞中，a点坐标参数为，则b点F-坐标为 347．晶体具有良好的光学性能，晶胞为立方体。已知：晶胞参数为，为阿伏加德罗常数的值。下列叙述正确的是 A．与最近且距离相等的的数目为6 B．1个晶胞中含有2个原子 C．和的最近距离为 D．该晶体密度 348．二氧化铱(化学式为，铱和钴位于同族)可用于制造高硬度的铱铂合金，这种合金常被用来制造陀螺仪导电环、笔尖、钟表、仪器轴承等精密部件。二氧化铱的晶胞结构如图所示。已知：为阿伏加德罗常数的值，晶胞棱长分别为 、 、 。下列叙述正确的是 A．铱位于元素周期表区 B．氧离子的配位数为6 C．铱离子位于面心和体内 D．晶体密度为 349．结晶型PbS可作为放射性探测器元件材料，其立方晶胞如图所示。为阿伏加德罗常数的值，下列说法错误的是 A．Pb的配位数为6 B．该晶体密度为： C．该晶体摩尔体积为： D．S原子位于Pb原子构成的八面体中心 10．是一种新型钠离子电池的正极材料，其分子质量为Mr，下图立方体是其晶胞的(未画出)。下列说法错误的是 A．该晶体的化学式为 B．晶体中与每个距离最近且等距离的有6个 C．晶体的密度表达式是g·cm-3 D．可能在每一个立方体中心位置 351．某热电材料的晶胞结构如图，属于立方晶系，晶体密度为，摩尔质量为。下列说法错误的是 A．化学式为SnAuSc B．与Au等距且最近的Au原子有12个 C．摩尔体积 D．微粒间作用力为金属键 352．硫代硫酸盐是一类具有应用前景的浸金试剂。硫代硫酸根离子(，结构如图1)可看作是中的一个O原子被S原子取代。的晶胞形状为长方体，边长分别为、、，结构如图2所示，设为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．晶胞中的个数为4 B．的空间结构为四面体形 C．中1号S原子可作配位原子 D．晶体的密度为 353．研究发现，实际是按一定比例构成的。的晶胞如图所示(面上大球为)，形状为长方体。下列叙述正确的是 A．的空间结构与相同 B．中原子的杂化类型为 C．化学式可以写为 D．晶胞中比例关系为 354．某立方卤化物可用于制作光电材料，其晶胞结构如图1所示，当部分被取代后可获得高性能激光材料，其基本重复单元如图2所示。若，表示阿伏加德罗常数的值，下列说法错误的是 A．图1中，与距离相等且最近的有12个 B．图1中，若位于晶胞的顶角，则位于晶胞的体心 C．图2中，晶体中与空位的数目比为 D．图2中，该晶体密度为 355．CeO2可用于催化消除CO尾气，CeO2晶胞结构变化如下图所示(已知：CeO2晶胞棱长为apm且Ce为镧系元素)，下列说法错误的是 A．CeO2晶胞中Ce和O的配位数之比为2:1 B．CeO2的晶体密度为(NA为阿伏加德罗常数的值) C．CeO2-x中Ce(Ⅲ)与Ce(Ⅳ)的数目之比为1:1 D．CeO2晶胞中Ce的价层电子排布式为5d16s2 356．硫化锂的纳米晶体是开发先进锂电池的关键材料，晶体为反萤石（萤石）结构，其晶胞结构如图。已知为阿伏加德罗常数的值，晶胞参数为，晶体密度为。下列说法错误的是 A．的配位数是8 B．B点的原子分数坐标为 C．该晶胞参数为： D．晶胞在方向的投影图为 357．硒化钠常用于制备光敏材料和半导体材料，共立方晶体结构如下图，硫化钠的晶体结构与其相似。已知硒化钠晶体晶胞参数为dpm，表示阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是 A．熔点：硫化钠<硒化钠 B．每个周围距离最近的Na+数目为4 C．离子a的分数坐标参数为 D．之间的最短距离为 358．硒化锌主要用于制造透红外线材料及红外线光学仪器，其晶胞结构如图1所示，已知晶胞参数为，图2为晶胞的俯视图，a点离子的分数坐标为(0，0，0)。下列说法正确的是 A．晶体中距离最近且等距的有6个 B．b点离子的分数坐标为 C．硒化锌晶体密度为 D．晶胞中点离子和点离子的距离为 359．某立方晶系的硫锰矿晶胞，沿c轴将原子投影到ab平面，投影图如下（设代表阿伏加德罗常数的值，括号中c数据为原子在c轴方向的原子坐标）。下列说法错误的是 A．基态Mn的价电子排布式为 B．晶体中的配位数是6 C．Mn位于晶胞的顶角和面心 D．若晶体密度为，则最近的两个硫原子之间的距离为 360．硒化锌主要用于制造红外线光学仪器，图1是其晶胞结构，图2是晶胞的俯视图。已知晶胞参数为npm，a点离子的分数坐标为（0，0，0），是阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是 A．位于构成的正八面体空隙中 B．d点离子的分数坐标为 C．硒化锌晶体密度为 D．晶胞中b点离子和d点离子的距离为 361．某物质可溶于水、乙醇，熔点为209.5℃，其结构简式如图所示。下列说法正确的是 A．该物质为原子晶体 B．该物质分子中σ键和π键的个数比为3∶1 C．该物质分子中含有极性共价键和非极性共价键 D．该物质分子中每个原子最外层均达到8电子稳定结构 362．下列有关共价晶体的叙述不正确的是 A．金刚石和二氧化硅晶体的最小结构单元都是正四面体 B．含1molC的金刚石中C-C键数目是，晶体中Si-O键数目是 C．水晶和干冰在熔化时，晶体中的共价键都会断裂 D．晶体是共价晶体，所以晶体中不存在分子，不是它的分子式 363．冰晶胞中水分子的空间排列方式与金刚石晶胞类似，其晶胞结构如图所示。下列有关说法正确的是 A．冰晶胞内水分子间以共价键结合 B．每个冰晶胞平均含有4个水分子 C．水分子间的氢键具有方向性和饱和性，也是键的一种 D．冰变成水，氢键部分被破坏 364．下列叙述错误的是 A．超分子是由两个或两个以上分子通过非共价键形成的分子聚集体 B．金属晶体中含有离子，但不存在离子键 C．晶体的重要特征是在不同的方向上表现出相同的物理性质 D．晶体结构中基本的重复单元称为晶胞，晶胞的形状为平行六面体 365．已知：可发生水解反应，机理如下： 下列有关C、Si及其化合物的说法正确的是 A．C和Si同为ⅣA族，可推断也能发生与类似的水解反应 B．由轨道杂化理论，推测中间体()中Si采取的杂化类型为 C．C的电负性比Si的大，可推断为分子晶体，为共价晶体 D．Si的原子半径比C的大，推断Si原子之间难形成p-pπ 366．最近英国研究人员创造了一种由18个碳原子构成的环碳(cyclocarbon)分子(如图)。下列有关说法正确的是 A．属于烃 B．属于聚合物 C．晶体中存在空间网状结构 D．与石墨互为同素异形体 367．我国力争于2060年前实现碳中和。与重整是利用的研究热点之一。下列关于和说法正确的是 A．固态属于共价晶体 B．键角大于键角 C．分子中含有极性共价键，是极性分子 D．干冰中每个分子周围紧邻12个分子 368．下列关于原子晶体、分子晶体的叙述中，正确的是 A．在SiO2晶体中，1个硅原子和2 个氧原子形成2个共价键 B．晶体中分子间作用力越大，分子越稳定 C．HI 的相对分子质量大于HF，所以HI 的沸点高于HF D．金刚石为网状结构，由共价键形成的碳原子环中，最小环上有6个碳原子 369．晶体硼的结构如右图所示。已知晶体硼结构单元是由硼原子组成的正二十面体，其中有20个等边三角形的面和一定数目的顶点，每个项点上各有1个B原子。下列有关说法不正确的是 A．每个硼分子含有12个硼原子 B．晶体硼是空间网状结构 C．晶体硼中键角是60° D．每个硼分子含有30个硼硼单键 370．通常情况下，氯化钠、氯化铯、二氧化碳和二氧化硅的晶体结构分别如下图所示： 下列关于这些晶体结构和性质的叙述不正确的是 A．在氯化钠晶体中每个Cl周围同时吸引6个Na，在氯化铯晶体中每个Cl周围同时吸引8个Cs B．氯化钠、氯化铯和二氧化碳的晶体都有立方的晶胞结构，它们具有相似的物理性质 C．二氧化碳晶体是分子晶体，其中不仅存在分子间作用力，而且也存在共价键 D．在二氧化硅晶体中，平均每个Si原子形成4个Si一O共价单键 371．下面有关晶体的叙述中，不正确的是 (　 　) A．金刚石为网状结构，由共价键形成的碳原子环中，最小的环上有6个碳原子 B．氯化钠晶体中，每个Na＋周围距离相等的Na＋共有12个 C．干冰晶体中，每个CO2分子周围紧邻12个CO2分子 D．金属铜属于六方最密堆积结构，金属镁属于面心立方最密堆积结构 372．下列说法不正确的是 A．1 mol 冰中拥有2 mol氢键 B．分子晶体中既有范德华力，又有共价键 C．干冰晶体中，每个CO2分子周围最近且距离相等的CO2分子共有12个 D．晶体熔点：晶体硅＜SiC 373．有关晶体的结构如图所示，下列说法中不正确的是 A．在NaCl晶体(图甲)中，距Na+最近的Cl-形成正八面体 B．该气态团簇分子(图乙)的分子式为EF或FE C．在CO2晶体(图丙)中，一个CO2分子周围有12个CO2分子紧邻 D．在碘晶体(图丁)中，存在非极性共价键和范德华力 374．通过下列实验可以从废铜屑中制取CuSO4·5H2O。 下列说法正确的是 A．加入Na2CO3溶液的作用是除去废铜屑表面的油污 B．“氧化”时反应的离子方程式：Cu+H2O2+2H+=Cu2++H2O C．操作1是蒸发浓缩、冷却结晶 D．将CuSO4·5H2O加热到1000℃以上会分解得到Cu2O，1个Cu2O晶胞(如图)中含1个氧原子 375．钛酸钡是一种强介电化合物材料，具有高介电常数和低介电损耗，是电子陶瓷中使用最广泛的材料之一，被誉为“电子陶瓷工业的支柱”，可应用于陶瓷电容器、热敏感电阻器、嵌入式电容器材料、化学催化剂及有机物性能改善．其晶体的晶胞结构示意图如图所示，它的化学式是 A． B． C． D． 376．最近发现一种由R、Q、T三种原子构成的气态团簇分子，其分子模型如图所示，则该分子的化学式为 A．RQT B． C． D． 377．钼(Mo)为元素周期表中的42号元素，其和磷形成的一种半导体材料的立方晶胞如图所示，晶胞中Mo位于顶点和面心，而P原子位于体心和部分棱心。下列说法错误的是 A．Mo为元素周期表中的d区元素 B．与Mo距离最近且等距离的Mo的数目为12 C．该物质的化学式为 D．P原子位于Mo原子形成的四面体空隙中 378．葡萄糖和蔗糖都是常见的糖类，均为有甜味的无色晶体，易溶于水。葡萄糖与新制Cu(OH)2可发生如下反应：RCHO+2Cu(OH)2+NaOHRCOONa+Cu2O↓+3H2O(RCHO表示葡萄糖)。Cu2O的晶胞如图所示。蔗糖水解的实验过程是：在试管中加入2mL蔗糖溶液，接着加入2mL 2mol·L-1 H2SO4溶液，加热。 下列关于蔗糖水解实验的说法正确的是 A．蔗糖水解产物均为葡萄糖 B．检验蔗糖是否水解的方法是：取上述反应后的溶液，冷却后加入少量新制Cu(OH)2，加热，若有红色沉淀生成，则蔗糖已水解 C．可以用如下方法配制新制Cu(OH)2：在试管中加入2mL 10%NaOH溶液，滴加5滴2%CuSO4溶液 D．Cu2O晶胞中，距离每个Cu+最近的O2-有4个 379．铁镁合金是目前已发现的储氢密度较高的储氢材料之一，其晶胞结构如图所示(黑球代表Fe，白球代表Mg)。则下列说法不正确的是 A．铁镁合金的化学式为Mg2Fe B．晶体中存在的化学键类型为金属键 C．晶胞中Fe和Mg的配位数都是4 D．该晶胞的质量是g(NA表示阿伏加德罗常数的值 380．某原子晶体的基本结构单元是正二十面体，每个原子与另外五个原子相连，每个面均是正三角形，请分析该晶体的棱数和定点数 A．60、12 B．12、30 C．30、12 D．10、30 381．下列是晶体结构中具有代表性的最小重复单元(晶胞)的排列方式，其对应的化学式正确的是(图中：○-X，●-Y，⊗-Z) A．X2Y B．XY3 C．XY3Z D．XYZ A．A B．B C．C D．D 382．研究低温超导体材料的性能对解决能源危机有重要意义。金属K与C60形成的一种低温超导材料的立方晶胞结构如图所示，晶胞边长都为apm，K原子位于晶胞的棱上与内部。下列说法正确的是 A．该材料的化学式为KC60 B．C60周围等距且最近的C60的个数为4个 C．棱上K原子处在C60构成的立方体空隙中 D．C60与C60的最短距离是apm 383．区分晶体和非晶体的最科学的方法是 A．测固体的熔点 B．对固体进行X射线衍射实验 C．看固体是否易被压缩 D．比较固体的导热性 384．1925年贝尔德在英国首次成功装配世界第一台电视机，短短几十年时间，电视机经历了从黑白到彩色，从手动到遥控，从平板电视机到液晶电视机的发展历程。下列关于液晶的叙述中，错误的是 A．液晶是物质的一种聚集状态 B．液晶具有流动性 C．液晶和液态是物质的同一种聚集状态 D．液晶具有各向异性 385．如图是某固体的微观结构示意图，请认真观察两图，判断下列说法正确的是 A．两种物质在一定条件下都会自动形成有规则几何外形的晶体 B．I形成的固体的物理性质有各向异性 C．Ⅱ形成的固体一定有固定的熔、沸点 D．二者都属于晶体 386．下列关于晶体的说法中，不正确的是(　 　) ①晶体中原子呈周期性有序排列，有自范性；而非晶体中原子排列相对无序，无自范性　 ②含有金属阳离子的晶体一定是离子晶体　 ③共价键可决定分子晶体的熔、沸点　 ④MgO的晶格能远比NaCl大，这是因为前者离子所带的电荷数多，离子半径小　 ⑤晶胞是晶体结构的基本单元，晶体内部的微粒按一定规律作周期性重复排列　 ⑥干冰晶体中，一个CO2分子周围有12个CO2分子紧邻；CsCl和NaCl晶体中阴、阳离子的配位数都为6 A．①②③ B．②③④ C．④⑤ D．②③⑥ 387．下列有关物质特殊聚集状态与结构的说法不正确的是 A．液晶中的分子长轴取向一致，表现出类似晶体的各向异性 B．等离子体是一种特殊的气体，由阳离子和电子两部分构成 C．纯物质有固定的熔点，但其晶体颗粒尺寸在纳米量级时也可能发生变化 D．超分子内部的分子间一般通过非共价键或分子间作用力结合成聚集体 388．下列关于青蒿素分子的说法中，不正确的是 A．青蒿素的分子式为 B．过氧基团(－O－O－)的存在可以通过红外光谱证实 C．对青蒿素进行结构改良得到了药效更佳的双氢青蒿素，该过程发生了氧化反应 D．通过晶体的X射线衍射实验可获得青蒿素晶体中分子的空间结构 389．下列有关晶体的叙述中，正确的是 A．晶体与非晶体的本质区别在于固体是否具有规则的几何外形 B．红外光谱不仅可以用于晶体和非晶体的鉴别，还可测定分子中官能团和化学键的信息 C．SiO2属于共价晶体，其中Si采取sp3杂化与4个O相连，形成正四面体结构单元 D．第三周期主族元素形成的氧化物的晶体中，Na2O是纯粹的离子晶体，SiO2是纯粹的共价晶体 390．劳动创造幸福。下列劳动项目与所述的化学知识没有关联的是 选项 劳动项目 化学知识 A 分析员用X射线衍射仪区分普通玻璃和水晶 普通玻璃属于非晶体，水晶属于晶体 B 面点师制作糕点时添加小苏打作膨松剂 可与碱反应 C 实验员用加热法分离和NaCl 易升华 D 维修工用NaOH和铝粉疏通厨卫管道 Al与NaOH溶液反应产生 A．A B．B C．C D．D 391．科学家发现固体电解质具有良好的导电能力，为锂离子电池的发展做出了重要贡献，其晶胞结构如图所示，其中位于体心。下列说法正确的是 A．该晶胞中位于体心和棱心 B．电负性： C．周围距离最近且相等的的个数为4 D．若晶胞参数为，则晶体密度为 392．下列关于物质特殊聚集状态结构的叙述中，错误的是 纳米氧化锌晶体的晶胞结构 A．液晶具有液体的流动性，在某些物理性质方面具有类似晶体的各向异性 B．氧化镁晶体中离子键的百分数为50%，氧化镁晶体是一种过渡晶体 C．如图氧化锌纳米晶体的晶胞中锌离子与氧离子的个数比为1∶1 D．等离子体的基本构成粒子只有阴、阳离子 393．下列说法正确的是 A．液晶是液体和晶体的混合物 B．混合型晶体是由多种类型晶体互相混合而成的晶体 C．石英和金刚石都是共价晶体，最小环上都有6个原子 D．大多数离子液体含有体积很大的阴阳离子，呈液态，难挥发 394．下列关于晶体的说法，不正确的是 ①晶体中粒子呈周期性有序排列，有自范性，而非晶体中粒子排列相对无序，无自范性； ②含有金属阳离子的晶体一定是离子晶体； ③共价键可决定分子晶体的熔、沸点； ④和两种晶体中，的离子键键能较小，所以其熔点比较低； ⑤晶胞是晶体结构的基本单元，晶体内部的微粒按一定规律作周期性重复排列； ⑥受热分解生成和，既破坏了离子键，也破坏了共价键； ⑦干冰晶体中，一个分子周围有12个分子紧邻； A．①②③ B．②③⑦ C．④⑤⑥ D．②③④ 395．能说明某晶体属于离子晶体的是 A．易溶于水 B．固态不导电，水溶液能导电 C．有较高的熔点 D．固态不导电，熔融时能导电 396．已知晶体很可能具有比金刚石更大的硬度，且原子间均以单键结合。于晶体的说法中，正确的是 A．晶体是分子晶体 B．晶体中，C-N键的键长比金刚石中的C-C键的键长要长 C．晶体中，C-N键的键长比金刚石中的C-C键的键长要短 D．晶体中微粒间通过离子键结合 397．下列物质所含化学键与其晶体结构对应错误的是 选项 物质 化学键 晶体结构 A NaCl 离子键 离子晶体 B (s，冰) 共价键 共价晶体 C 共价键 共价晶体 D Na 金属键 金属晶体 A．A B．B C．C D．D 398．下表给出了几种物质的熔点和沸点： 单质B 熔点/℃ 801 710 -68 2300 沸点/℃ 1465 1418 57 2500 下列说法中，错误的是A．是分子晶体 B．单质B可能是共价晶体 C．时，呈气态 D．水溶液不能导电 399．化学与生产、生活、科技、环境等关系密切。下列说法正确的是 A．汽车尾气催化转化器可有效减少，的排放，实现“碳中和” B．制造焊锡时，把铅加入锡，形成原电池，从而增加锡的抗腐蚀能力 C．2022年冬奥会衣物采用石墨烯纺织物柔性发热材料，石墨烯属于混合型晶体 D．聚氯乙烯塑料通过加聚反应制得，可用于制作不粘锅的耐热涂层 400．下列有关说法正确的是 A．晶格能与离子晶体的物理性质无关 B．金属晶体的熔点高于原子晶体 C．只含有共价键的晶体不一定具有较高的熔、沸点及硬度 D．晶格能： 401．固体分为晶体和非晶体。下列关于晶体的叙述正确的是 A．块状固体一定是晶体，粉末状固体一定是非晶体 B．破损的晶体经过重结晶后能够变成规则的多面体，体现了晶体的自范性 C．晶体和非晶体的本质区别是晶体的衍射图谱有明锐的衍射峰 D．熔融态的SiO2冷却过快会生成水晶，反之则生成玛瑙 402．几种物质的熔点和沸点的数据如表，下列有关判断正确的是 单质M 熔点/ 801 712 190 2300 沸点/ 1465 1412 178 57.6 2500 注：的熔点在条件下测定。A．常温下，为液态 B．单质M一定是分子晶体 C．熔沸点： D．离子键强度： 403．所谓合金，就是不同种金属（也包括一些非金属）在熔化状态下形成的一种熔合 物，根据下列四种金属的熔沸点： Na Cu Al Fe 熔点 97．5．C 1083℃ 660℃ 1535℃ 沸点 883℃ 2595℃ 2200℃ 3000℃ 其中不能形成合金的是A．Cu和Na B．Fe与Cu C．Cu与Al D．Al与Na 404．下列关于晶体的说法正确的是 A．圆形容器中结出的冰是圆形的，体现了晶体的自范性 B．石英玻璃和水晶都是晶体 C．晶胞是晶体中最小的平行六面体 D．液晶不是晶体，却可以表现出类似晶体的各相异性 405．碳化硅晶体具有多种结构，其中一种晶体的晶胞(如图所示)与金刚石的类似。下列判断不正确的是 A．该晶体属于分子晶体 B．该晶体中只存在极性键 C．该晶体中Si的化合价为 D．该晶体中C的杂化类型为 406．下列关于晶体的说法，不正确的是 ①晶体中粒子呈周期性有序排列，有自范性，而非晶体中粒子排列相对无序，无自范性； ②含有金属阳离子的晶体一定是离子晶体； ③共价键可决定分子晶体的熔、沸点； ④和两种晶体中，的离子键键能较小，所以其熔点比较低； ⑤晶胞是晶体结构的基本单元，晶体内部的微粒按一定规律作周期性重复排列； ⑥受热分解生成和，既破坏了离子键，也破坏了共价键； ⑦干冰晶体中，一个分子周围有12个分子紧邻； A．①②③ B．②③⑦ C．④⑤⑥ D．②③④ 407．CeO2纳米粒子在抗病毒和抗肿瘤方面有无限潜力，其晶胞结构如图所示，M的坐标为（0，0，0），下列说法正确的是（　　） A．一个晶胞中有14个Ce4+ B．Ce4+的配位数为6 C．N的坐标为（，，） D．每个O2﹣周围与它最近且等距的O2﹣有6个 408．PCl5晶体的晶胞结构如图。下列说法正确的是（　　） A．该晶体为分子晶体 B．晶胞体心上微粒为PCl4 C．晶胞顶点上微粒的空间构型为正八面体 D．存在的化学键类型仅有极性共价键 409．下列有关晶体的说法不正确的是（　　） A．如图所示的四种物质中，熔点最低的是冰 B．每个Cu晶胞中平均含有4个铜原子 C．在NaH晶体中，距离Na+最近且等距的Na+的个数为12 D．钛酸钡晶体中，Ba2+的配位数为4 410．通常把原子总数和价电子总数相同的分子或离子称为等电子体，人们发现等电子体的空间结构相同。下列说法，认识错误的有几个（　　） ①s﹣sσ键与p﹣pσ键的电子云对称性不同 ②1个N原子最多只能与3个H原子结合形成NH3分子，是由共价键的饱和性决定的 ③CH3﹣CH3、CH2＝CH2、CH≡CH中碳原子间成键键长相同 ④两个非金属原子之间形成的化学键都是共价键 ⑤1个分子中含有11个σ键 ⑥SO2与O3互为等电子体，空间结构均为V形 A．1个 B．2个 C．3个 D．4个 411．一种超导材料（仅由Cs、Ag、F三种元素组成）的长方体晶胞结构如图所示（已知MP＝QR，用NA表示阿伏加德罗常数的值）。下列说法正确的是（　　） A．基态Ag失去4d能级上的一个电子转化为Ag+ B．若N点原子分数坐标为，则P点原子分数坐标为 C．M、N之间的距离为a×10﹣7cm D．晶体的密度为g•pm﹣3 412．萤石是制作光学玻璃的原料之一，其主要成分氟化钙的晶胞结构如图所示。已知：原子中电子有两种相反的自旋状态，一种用表示，另一种用表示。下列说法错误的是（　　） A．F﹣位于Ca2+构成的四面体空隙 B．每个Ca2+周围距离最近且等距的F﹣有8个 C．基态氟原子核外电子的原子轨道有四种伸展方向 D．基态F原子的电子自旋量子数的代数和为 413．工业电解氧化铝制取金属铝时，常常需要加入冰晶石Na3AlF6），冰晶石晶胞是以大阴离子[]构成的面心立方晶胞（如图所示），下列说法正确的是（　　） A．冰晶石可以降低氧化铝熔点的原因是冰晶石的熔点远低于氧化铝 B．大阴离子[]存在配位键，空间构型为正八面体形，Al3+采取sp3杂化 C．冰晶石晶胞中的离子数和氯化钠（NaCl）晶胞中的离子数之比为2：1 D．若冰晶石晶胞密度为ρg/cm3，则晶胞中Al﹣Al的最短距离为×1010pm（设NA为阿伏加德罗常数的值） 414．为维护国家安全和利益，经国务院批准，决定对镓、锗相关物项实施出口管制。镓的某种化合物的晶胞结构如图所示（晶胞参数为a pm），下列说法正确的是（　　） A．Ga元素位于周期表的ds区 B．晶体结构中N的配位数为4 C．该物质的化学式为GaN2 D．该晶体的密度为g/cm3 415．硒化锌（ZnSe）是一种重要的半导体材料；其晶胞结构如图甲所示，乙图为晶胞的俯视图，已知晶胞参数为anm，硒原子和锌原子的半径分别为r1nm和r2nm，下列说法不正确的是（　　） A．Zn与距离最近的Se所形成的键的夹角为109°28ˊ B．晶胞中d点原子分数坐标为（，，） C．相邻两个Zn原子的最短距离为0.5anm D．硒原子和锌原子的空间利用率为 ×100% 416．科学家合成了一种高温超导材料，其晶胞结构如图所示，该立方晶胞参数为apm，阿伏加德罗常数的值为NA。下列说法正确的是（　　） A．晶体中与Ca2+最近且距离相等的K+有12个 B．晶体化学式为KCaB4C6 C．该晶胞对应的晶体类型为分子晶体 D．晶体的密度g•cm﹣3 417．下列说法正确的是（　　） A．熔点：NaCl＞CsCl B．沸点：F2＞Cl2 C．熔点：＞​ D．沸点：CO2＞SiO2 418．甲烷晶体熔点为﹣182.5℃，沸点为﹣161.5℃，其晶胞结构如图所示。下列说法不正确的是​（　　） A．CH4分子的共价键是s﹣sp3 σ键 B．每个晶胞中含有4个CH4分子 C．甲烷晶体熔化时不会破坏化学键 D．甲烷晶体是共价晶体 419．有关晶体的结构如图所示，下列说法中不正确的是（　　） A．在NaCl晶体（图甲）中，距Na+最近的Cl﹣形成正八面体 B．该气态团簇分子（图乙）的分子式为EF或FE C．在CO2晶体（图丙）中，一个CO2分子周围有12个CO2分子紧邻 D．在碘晶体（图丁）中，存在非极性共价键和范德华力 420．砷化镓是一种半导体材料，其晶胞结构如图所示，其晶胞参数为anm，晶胞密度为ρg⋅cm﹣3。下列说法正确的是（　　） A．As位于元素周期表d区 B．砷化镓化学式为GaAs2 C．Ga与As原子的最近距离为nm D．阿伏加德罗常数可表示为mol﹣1 421．下列有关有机物分子结构和性质的分析中正确的是（　　） A．沸点：正戊烷＞2，2﹣二甲基戊烷＞2，3﹣二甲基丁烷＞丙烷 B．、、、代表了3种不同的烷烃 C．质量相同，完全燃烧时耗O2量：CH4＞C2H6＞C3H8 D．若1mol甲烷全部生成CCl4，最多消耗2mol氯气 422．磷锡青铜合金广泛用于仪器仪表中的耐磨零件和抗磁元件等。其晶胞结构如图所示。已知晶胞参数为apm，下列说法不正确的是（　　） A．磷锡青铜的化学式为Cu3SnP B．该晶胞中与Cu等距离且最近的Cu有4个 C．三种元素Cu、Sn、P在元素周期表中分别处于ds区、p区、p区 D．Sn和P原子间的最短距离为apm 423．如图为Ge单晶的晶胞，晶胞参数为apm。其中原子坐标参数A为（0，0，0），B为，C为。下列说法正确的是（　　） A．该晶体的密度为g/cm3 B．若Ge原子半径为rpm，则晶胞参数a＝ C．该晶体中每个Ge原子被6个六元环共用 D．D原子的坐标参数为 424．某种新型储氢材料的立方晶胞如图所示，该晶体由[Fe（NH3）6]n+和[BH4]﹣形成，晶胞参数为apm。下列说法中不正确的是（　　） A．[Fe（NH3）6]n+中n＝2 B．晶胞中[Fe（NH3）6]n+和[BH4]﹣的配位数分别为8和4 C．晶胞中距离最近的2个[Fe（NH3）6]n+之间的距离为pm D．[BH4]﹣的中心原子的杂化方式为sp3杂化 425．某太阳能光伏电池的有机半导材料晶胞结构如图所示，其中A为CH3，另两种离子为I﹣和Pb2+。下列说法正确的是（　　） A．CH3中C和N的轨道杂化方式相同 B．X为Pb2+ C．晶胞中距离A最近的X有6个 D．该晶胞中含有8个A 426．下列关于C、Si及其化合物结构与性质的论述错误的是（　　） A．自然界中的14C来自宇宙射线（中子）撞击14N，其过程可表示为14N+═14C+ B．SiH4中Si的化合价为+4，CH4中C的化合价为﹣4，因此SiH4还原性小于CH4 C．高压下制得的CO2共价晶体结构与SiO2晶体相似，其硬度和熔沸点均高于SiO2晶体 D．Si原子间难形成双键而C原子间可以，是因为Si的原子半径大于C，难形成p﹣pπ键 427．某立方晶系的钴硅合金材料由于具有易于实现能量转化等优点，可作为高性能热电材料。该合金的晶胞结构如图所示（设晶胞边长为apm）。下列说法正确的是（　　） A．该晶胞的体积为a3×10﹣21cm3 B．Co和Si原子个数比为2：1 C．与Si最邻近的Co原子数为8 D．Co与Si之间的最短距离为apm 428．普鲁士蓝的晶体结构如图所示（K+未表示出来，图中所示结构为晶胞的）。下列说法错误的是​（　　） A．C、N的杂化方式均为sp杂化 B．一个晶胞中有2个Fe2+ C．每个Fe3+周围有6个Fe2+ D．该晶体的密度为×1021g•cm﹣3 429．干冰（CO2）的晶胞结构如图所示。下列说法不正确的是（　　） A．干冰晶体属于分子晶体 B．干冰晶胞中，含有4个CO2分子 C．干冰晶体中，每个CO2周围等距且紧邻的CO2有6个 D．干冰晶体中CO2分子间作用力较小，常压下易升华 430．铁氮化合物（FexNy）在磁记录材料领域有着广泛的应用前景。铁和氨气在640℃可发生置换反应，产物之一的晶胞结构如图所示如图﹣1所示，晶胞边长为anm。Cu可以完全 替代该晶体中a位置Fe或者b位置Fe，形成Cu替代型产物Fe（x﹣n）CunNy。FexNy转化为两种Cu替代型产物的能量变化如图﹣2所示，下列说法不正确的是（　　） ​ A．制备该铁氮化合物时生成氢气 B．a位置周围距离最近的铁原子有6个 C．可通过晶体的X﹣射线衍射实验获取晶体结构信息 D．更稳定的Cu替代型产物的化学式Fe3CuN 431．钴的某种氧化物广泛应用于硬质合金、超耐热合金、绝缘材料和磁性材料的生产，其晶胞结构如图所示。下列有关说法正确的是（　　） A．该氧化物的化学式为Co13O14 B．晶胞中Co2+的配位数为12 C．根据晶体类型推测，该物质熔点低于硫（S8） D．若该氧化物的密度为ρg⋅cm﹣3，阿伏加德罗常数为NAmol﹣1，则晶胞中两个O2﹣间的最短距离是cm 432. 纳米为无定形（非晶态）白色粉末，颗粒尺寸小、微孔多、比表面积大，对紫外线反射能力强。下列关于纳米的说法正确的是（ ）。 A. 对光有各向异性 B. 熔点与晶体相同 C. 与晶体互为同分异构体 D. 可用射线衍射实验区分纳米与晶体 433. 我国科学家将氢化锂与氮气和石墨烯反应，通过多相化学合成方法获得了高活性氮物质。下列有关叙述错误的是（ ）。 A. 氢化锂中阳离子半径小于阴离子 B. 为离子晶体 C. 石墨烯中存在的六元环个数为 D. 碳的电负性和第一电离能均小于氮 434.一种理想的激光基质材料由钾、镁和氟元素组成。晶体的晶胞如图所示，晶胞参数为。下列有关该晶体的说法错误的是（ ）。 A. 该晶胞中、、的原子个数比为 B. 与原子等距离且最近的原子的数目为6 C. 在晶胞结构的另一种表示中，若原子位于晶胞的体心，则原子位于棱心 D. 该晶体的密度为 435.我国科学家研究出一种磷化硼纳米颗粒并将其作为高选择性电化学还原为甲醇的非金属电催化剂，磷化硼的晶胞结构如图所示，晶胞的棱长为 ，设为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是（ ）。 A. 磷化硼晶体中共价键与配位键的数目之比为 B. 若氮化硼与磷化硼具有相似的结构，则的熔点比高 C. 磷化硼晶体中，每个硼原子周围紧邻且距离相等的硼原子共有4个 D. 磷化硼晶体的密度为 436. 碳的一种单质可以与钾形成低温超导化合物，该化合物的晶胞结构如图所示。原子位于立方体的棱上和立方体的内部。下列说法中不正确的是（ ）。 A. 金刚石、石墨和都属于碳的同素异形体 B. 电负性： C. 的晶胞结构和干冰相似 D. 该化合物的化学式为 437.具有良好的半导体性能，立方晶胞中的和位于晶胞体心的如图所示（晶胞中的其他已省略）。下列叙述正确的是（ ）。 A. 的最高能层的电子排布式为 B. 基态的核外电子共有24种空间运动状态 C. 晶体中距离每个最近的有8个 D. 晶胞中位于所形成的正八面体的体心 438. 铬的一种氧化物（晶胞结构如图所示）被广泛用于高档录音带和录像带。实验测得该晶体的密度为 。下列有关叙述不正确的是（ ）。 A. 基态铬原子的价层电子排布式为 B. 第二周期第一电离能比大的主族元素只有 C. 该氧化物的化学式为 D. 铬原子和氧原子最近的距离为 439. 超导材料具有型结构（如图所示）。已知晶胞参数（晶胞棱长）为，的相对分子质量为。下列说法不正确的是（ ）。 A. 基态原子的电子排布式为 B. 晶体中阴、阳离子的配位数都是4 C. 该晶胞沿轴的投影图为 D. 该晶体的密度为 440.国内某科研团队发现，在紫外线作用下，多孔管状价带失去电子产生空穴（，具有强氧化性），在导带中得电子转化为无毒的，水中的有机腐质不断消耗价带产生的羟基自由基促进反应不断进行，作用机理如图所示。 下列判断正确的是（ ）。 A. 晶体中周围与其距离最近的个数为9 B. 价带产生羟基自由基的反应式为 C. 若消耗有机腐质（按计），理论上价带失去电子 D. 若晶胞的参数为，则晶体的密度为 441.某种含钒超导材料的晶胞结构及晶体结构俯视图如图所示，晶胞参数为、、。下列叙述错误的是（ ）。 A. 该晶体的化学式为 B. 基态占据的最高能层的符号是 C. 位于元素周期表的第五周期第族 D. 若该含钒超导材料的摩尔质量为，则该晶体的密度为 442水系镁离子电池的正极材料由、、C和元素组成，其中C和元素组成，该正极材料的立方晶胞结构如图1所示，在下底面的投影如图2所示。该晶胞中填充在正方体空隙中，当达到最大容量时，元素和元素的价态均为价。下列说法错误的是（ ）。 图1 图2 A. 该晶体的化学式为 B. 图1 c处的坐标为 C. 当达到最大容量时，正方体空隙的利用率为 D. 与金属离子均以配位键结合形成晶胞骨架 443. 、、、是元素周期表中原子序数依次增大的前四周期元素。某科研团队研究发现，、、形成的晶体有超导性，该新型超导晶体的晶胞结构如图所示，晶胞参数为。已知是形成化合物种类最多的元素，和的最外层电子数相同，但不位于同一族，的次外层电子数是最外层的8倍，是主族元素，其最高价氧化物对应的水化物可以用于净水。下列说法正确的是（ ）。 A. 的第一电离能小于的第一电离能 B. 的最高价氧化物对应的水化物可以与的最高价氧化物对应的水化物反应 C. 晶体中与最近的原子有6个 D. 晶体密度为 444短周期主族元素、、、的原子序数依次增大，可用作火箭燃料，燃烧时发生的反应为。基态原子的核外、能级电子数相等。下列说法正确的是（ ）。 A. 蒸气可在形成的单质中冷却 B. 中含有配位键 C. 中含有 键 D. 的中心原子价层电子对数为2 445.、、均为短周期元素且原子序数依次增大，其中、为同一周期元素，为元素周期表中电负性最大的元素，三者可以形成配合物。下列说法正确的是（ ）。 A. 原子半径： B. 、的最高价氧化物对应的水化物之间可以发生反应 C. 的氢化物为强酸，可与反应 D. 该配合物在水中的电离方程式为 446.、、、是电负性逐渐减小的短周期非金属元素。、、位于三个不同周期，与的价电子数目之和为的价电子数的两倍，化合物的电子总数为18。下列说法错误的是（ D ）。 A. 原子半径： B. 简单氢化物的稳定性： C. 与形成的化合物具有较强的还原性 D. 的含氧酸为弱酸 447.、、、均为短周期元素，它们在元素周期表中的相对位置如图所示。原子的最外层电子数是次外层电子数的3倍。下列说法中正确的是（ ）。 A. 的单质中 键和 键个数之比为 B. 和只能组成一种化合物 C. 晶体属于分子晶体 D. 最高价氧化物对应的水化物的酸性： 448. 、、、、均为短周期元素，它们在元素周期表中的相对位置如图所示。的最高价氧化物对应的水化物是一种三元酸。 下列说法正确的是（ ）。 A. 元素的第一电离能： B. 与氢元素能组成直线形分子 C. 的单质的晶体类型一定和的单质的晶体类型相同 D. 的最高价氧化物能被元素的简单氢化物的水溶液溶解 449.某点击化学试剂由原子序数依次增大的、、、四种短周期元素组成，其中基态原子的电子总数是其最高能级电子数的2倍，的原子序数是的2倍，的衰变方程：。下列说法错误的是（ ）。 A. 简单氢化物的沸点： B. 简单氢化物的还原性： C. 和互为同位素 D. 元素的第一电离能小于同周期相邻元素 450. 短周期主族元素、、、的原子序数依次增大，和、组成的一种化合物——抗坏血酸的结构式如图所示，、位于同周期。常温下，的的最高价氧化物 对应水化物的小于1。下列说法正确的是（ ）。 A. 简单氢化物的沸点： B. 该化合物中所有原子均达到8电子稳定结构 C. 抗坏血酸的摩尔质量为 D. 电负性： 451.前四周期元素、、、的原子序数依次增大。基态原子中有7种运动状态不同的电子，元素形成的某种单质是极性分子，基态原子的价层电子排布式为，基态原子次外层全充满，最外层电子数为1。下列说法正确的是（ ）。 A. 和的气态氢化物的稳定性： B. 基态原子的第一电离能比同周期相邻元素的原子都要低 C. 的空间结构是直线形 D. 单质与单质反应生成 452. 下列说法正确的是（ ）。 A. 、、含有的化学键相同 B. 共价晶体的熔点一定高于金属晶体 C. 的熔点低于 D. 、分子中的中心原子均为杂化 453．关于有机物解题思路检测，下列说法不正确的是( ) A.通过X射线衍射可确定乙酸的空间结构 B.用溴的四氯化碳溶液，可以鉴别己烯和己醛 C.红外光谱图可获得分子中所含有的化学键或官能团的信息 D.卤代烃与氢氧化钠溶液共热、滴加溶液后根据沉淀颜色可判断卤原子种类 454．铜氧化物常被用作高温超导基础材料，向其中掺杂一些特定元素可以改变材料的电子结构和能带结构。一种镧锶铜氧（LSCO）单胞结构如图所示，已知c轴方向上Cu-O之间距离大于a轴和b轴方向上Cu-O之间距离。下列说法正确的是( ) A.改变掺杂镧和锶的比例不会影响该材料的超导效果 B.LSCO的化学式可表示为 C.Cu的第一电离能大于Cu的第二电离能 D.由图可知Cu填充在由O形成的正八面体空隙中 455．我国科学家在新型热电材料的研发领域利用一种理论计算方法，筛选出某种最简式量为的化合物X，已知X晶胞结构高度对称，沿体对角线的投影如图所示（表示被遮挡的原子，其晶胞棱长为，棱上无原子），则下列说法错误的是( ) A.X的化学式为 B.晶胞中K与的最短距离为 BrC.晶胞中与距离最近且相等的的个数为12 D.X晶体密度为 456．朱砂（硫化汞）在众多先秦考古遗址中均有发现，其立方晶系β型晶胞如图所示，晶胞参数为，A原子的分数坐标为，阿伏加德罗常数的值为，下列说法正确的是( ) A.S的配位数是6 B.晶胞中B原子分数坐标为） C.该晶体的密度 D.相邻两个Hg的最短距离为 457．冠醚在水相和油相均有一定的溶解度，是重要的相转移催化剂。18-冠-6是冠醚的一种，其结构如图A，下列说法不正确的是( ) A.18-冠-6中氧原子的杂化类型为 B.表示18-冠-6在油相中结构的是图B而不是图C C.图D中与18-冠-6的空腔大小相近，且与氧原子之间通过弱相互作用形成稳定的超分子结构，体现超分子的分子识别功能 D.若18-冠-6的部分氢原子被氟原子取代，与形成的超分子稳定性将增强 458．配合物的分子结构以及分子在晶胞中的位置如图所示，下列说法错误的是( ) A.中心原子的配位数是4 B.晶胞中配合物分子的数目为2 C.晶体中相邻分子间存在范德华力 D.该晶体属于混合型晶体 459．研究人员制备了一种具有锂离子通道的导电氧化物()，其立方晶胞和导电时迁移过程如下图所示。已知该氧化物中Ti为+4价，La为+3价。下列说法错误的是( ) A.导电时，Ti和La的价态不变 B.若，与空位的数目相等 C.与体心最邻近的O原子数为12 D.导电时、空位移动方向与电流方向相反 460．铁镁合金是目前储氢密度较高的材料之一，其晶胞结构如图所示，晶胞参数为a。下列说法正确的是( ) A.合金储氢的过程是物理变化 B.铁镁合金中存在金属键和离子键 C.晶体中Fe的配位数为4 D.晶胞中Fe与Mg的最短距离为 461．某离子型铁的氧化物立方晶胞如图所示（由X、Y组成），该离子型铁的氧化物晶体的晶胞参数为anm。设阿伏加德罗常数的值为，下列说法错误的是( ) A.基态Fe原子价层电子排布式为 B.该晶体中 C.该晶胞中有处于体心 D.该晶体的密度为 462．血红蛋白可与结合，更易与CO配位，血红蛋白与配位示意如图所示。血红蛋白与结合的反应可表示为 ① ② 下列说法中错误的是( ) A.相同温度下， B.反应①②的，均小于0 C.图中的配位数为6 D.用高压氧舱治疗CO中毒时，平衡①②均逆向移动 463．化学与人类生产、生活密切相关，下列说法中错误的是( ) A.歼-20上采用的氮化镓涂层，属于新型金属材料 B.液晶既有液体的流动性，又有类似晶体的各向异性 C.氯化钠不能使蛋白质变性，可用作食品防腐剂 D.碳酸氢铵、碳酸氢钠可用于制作面包等食品的膨松剂 464．根据下列性质判断，属于共价晶体的物质是( )。 A.熔，点为2700 ℃，导电性好，延展性强 B.无色晶体，熔，点大于3500 ℃，不导电，质硬，难溶于水和有机溶剂 C.无色晶体，能溶于水，质硬而脆，熔点为801 ℃，熔化时能导电 D.沸点为-78 ℃，微溶于水，硬度小，固态或液态时不导电 465．下列各项中，不属于晶体的特点的是( )。 A.具有规则的几何外形 B.某些物理性质具有各向异性 C.具有固定的熔点 D.一定是无色透明的固体 466．Cu、Au能形成多种组成固定的合金，其中一种晶体的晶胞结构(立方体)如图所示。下列说法正确的是(　　) A．该晶体的化学组成可表示为CuAu B．Cu在元素周期表中位于ds区，属于过渡元素 C．与1个Cu原子距离最近且相等的Au原子有8个 D．Au填充了与之距离最近的Cu原子构成的正四面体空隙 467．Ce的某种氧化物具有良好的储氧放氧能力，可作为氧载体参与有机物氧化反应，其中Ce为面心立方堆积，O填充在Ce立方晶格所有的正四面体空隙中(如图，未标注全部的O)，下列说法错误的是(　　) A．该氧化物化学式为CeO2 B．O原子周围等距且最近的O原子个数为6 C．若反应后，晶胞中O脱离形成一个O的空位，则该物质中Ce3+与Ce4+的个数比为1∶3 D．若顶点位置原子位于体心时，则面心原子位于棱心 468．石墨是层状结构，许多分子和离子可以渗入石墨层间形成插层化合物。Li＋插入石墨层中间，形成晶体结构如图(a)，晶体投影图如图(b)。若该结构中碳碳键键长为a pm，碳层和锂层相距d pm(用NA表示阿伏加德罗常数的值)。下列说法错误的是(　　) (a)　　　　　　　　(b) A．石墨的二维结构中，每个碳原子配位数为3 B．该插层化合物的化学式为LiC6 C．该插层化合物中同层Li＋最近距离为3a pm D．该插层化合物的密度为×1030 g·cm-3 469．镍酸镧电催化剂立方晶胞如图所示，晶胞参数为a，具有催化活性的是Ni，图①和图②是晶胞的不同切面。下列说法错误的是(　　) A．催化活性：①>② B．镍酸镧晶体的化学式为LaNiO3 C．La周围紧邻的O有4个 D．La和Ni的最短距离为a 470．β-MgCl2晶体中，多个晶胞无隙并置而成的结构如图甲所示，其中部分结构显示为图乙，下列说法错误的是(　　) 甲 乙 A．电负性：Mg<Cl B．单质Mg是金属晶体 C．晶体中存在范德华力 D．Mg2+离子的配位数为3 471．晶体结构的缺陷美与对称美同样受关注。某富锂超离子导体的晶胞是立方体(图1)，进行镁离子取代及卤素共掺杂后，可获得高性能固体电解质材料(图2)。下列说法错误的是(　　) 图1　　　　　　图2 A．图1晶体密度为72.5/(NA×a3×10-30) g·cm-3 B．图1中O原子的配位数为6 C．图2表示的化学式为LiMg2OClxBr1－x D．Mg2+取代产生的空位有利于Li＋传导 472．朱砂(硫化汞)在众多先秦考古遗址中均有发现，其立方晶系β型晶胞如下图所示，晶胞参数为a nm，A原子的分数坐标为(0，0，0)，阿伏加德罗常数的值为NA，下列说法正确的是(　　) A．S的配位数是6 B．晶胞中B原子分数坐标为 C．该晶体的密度是ρ＝ g·m-3 D．相邻两个Hg的最短距离为a nm 473．镧La和H可以形成一系列晶体材料LaHn，在储氢和超导等领域具有重要应用。LaHn属于立方晶系，晶胞结构和参数如图所示。高压下，LaH2中的每个H结合4个H形成类似CH4的结构，即得到晶体LaHx。下列说法错误的是(　　) A．LaH2晶体中La的配位数为8 B．晶体中H和H的最短距离：LaH2>LaHx C．在LaHx晶胞中，H形成一个顶点数为40的闭合多面体笼 D．LaHx单位体积中含氢质量的计算式为 g·cm-3 474．北京冬奥会使用的碲化镉(CdTe)太阳能电池，能量转化效率较高。立方晶系CdTe的晶胞结构如图甲所示，其晶胞参数为a pm。下列说法正确的是(　　) 图甲　　　　　　图乙　　　　　图丙 A．Cd的配位数为4 B．相邻两个Te的核间距为 pm C．晶体的密度为 g·cm-3 D．若按图乙虚线方向切甲，可得到图丙 475．氧化铈(CeO2)常用作玻璃工业添加剂，在其立方晶胞中掺杂Y2O3，Y3+占据原来Ce4+的位置，可以得到更稳定的结构，这种稳定的结构使得氧化铈具有许多独特的性质和应用，CeO2晶胞中Ce4+与最近O2-的核间距为a pm。下列说法正确的是(　　) 已知：O2-的空缺率＝×100%。 A．已知M点原子的分数坐标为(0，0，0)，则N点原子的分数坐标为(1，0，1) B．CeO2晶胞中与Ce4+最近的Ce4+的个数为6 C．CeO2晶体的密度为 g·cm-3 D．若掺杂Y2O3后得到n(CeO2)∶n(Y2O3)＝0.6∶0.2的晶体，则此晶体中O2-的空缺率为10% 476.和形成的一种化合物的晶胞结构如图甲所示。晶胞边长为，为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 (    ) A. 该化合物的化学式为 B. 该晶体的密度为 C. 晶胞中与等距且最近的有个 D. 图乙是该晶体晶胞结构的另一种表示 477.常用作冶炼的添加剂、铸铁的脱硫剂，熔点为。的两种立方晶胞如图甲、乙所示。已知：甲、乙晶胞参数都为，为阿伏加德罗常数的值。晶胞甲中、原子坐标分别为、。下列叙述错误的是 (    ) A. 是离子晶体，在熔融状态下能导电 B. 甲中原子坐标为 C. 乙中两个最近距离为  D. 甲、乙两种晶体密度相等 478.一种具有钙钛矿结构的光催化剂，其四方晶胞结构如图所示，是阿伏加德罗常数的值。 下列说法错误的是(    ) A. 该物质的化学式为 B. 位和位的核间距为 C. 晶体的密度为 D. 位的分数坐标为 479.是一种铁电材料，掺杂可提高其光电转化性能，取代部分后的晶胞结构示意图氧原子未画出如图。下列说法错误的是 (    ) A. 填充在形成的六面体空隙中 B. 该晶体的化学式为 C. 该晶胞在平面的投影为 D. 若点平移至晶胞体心，则位于晶胞顶点 480.科研人员在高温高压条件下合成了类金刚石结构的硼碳氮化合物，其晶胞结构如图所示，立方晶胞参数为。是阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 (    ) A. 该化合物为共价晶体，硬度大 B. 晶体中与原子距离最近且相等的原子数为 C. 晶胞中键与键的数目比为： D. 晶体的密度 481.某种铁的氧化物的立方体结构如图所示，白球为，其余代表铁的离子，表示阿伏加德罗常数的值。下列有关说法错误的是(    ) A. 的离子均位于构成的正八面体空隙中 B. 该铁的氧化物的化学式为 C. 设立方体的棱长为，则点的坐标为 D. 若立方体棱长为，则晶体密度计算式为 482.我国科研人员利用和掺杂制造了一种富勒烯化合物，是一种定量还原剂，其晶胞结构如图所示，该立方晶胞参数为，设阿伏加德罗常数的值为，下列说法正确的是(    ) A. 该富勒烯化合物中的原子和原子的个数比为： B. 该晶胞中与最近且距离相等的是个 C. 将看作顶点，该晶体中构成的多面体有个面 D. 该晶体的密度为 483.某和形成的金属化合物的立方晶胞结构如图。 下列说法正确的是(    ) A. 该晶体属于金属晶体 B. 周围距离最近的原子个数为 C. 该晶胞沿轴、轴的投影图完全相同 D. 该晶体在高温时导电能力更强 484.强热条件下硫酸铵发生的分解反应如下：。下列叙述错误的是(    ) A. 是含配位键的离子晶体 B. 和的模型相同 C. 的沸点高于 D. 是非极性分子 485.晶体具有良好的光学性能，晶胞为立方体。已知： 晶 胞参数为，为阿伏加德罗常数的值。下列叙述正确的 是(    ) A. 与最近且距离相等的的数目为 B. 个晶胞中含有个原子 C. 和的最近距离为 486．硅与镁能够形成二元半导体材料，其晶胞如图所示，已知晶胞参数为r pm。下列说法错误的是 A．该晶体的化学式为Mg2Si B．晶胞中硅原子的配位数为8 C．晶胞中两个硅原子间的最短距离为pm D．镁原子位于硅原子所构成的正八面体空隙中 487．某笼形络合物晶胞结构中，镍离子与连接形成平面层，两个平面层通过分子连接，所有N原子均参与形成配位键，苯分子填充于空隙正中心，其晶胞结构如图(H原子未画出)。下列说法错误的是 A．基态Ni原子核外有28种不同空间运动状态的电子 B．N的杂化方式为sp、 C．电负性：N>C>H D．可用X射线衍射法测定该晶体结构 488．、、在光电领域有重要作用，三种晶体的立方晶胞结构如图所示。下列说法错误的是 A．和结构不同的主要原因是离子半径比不同 B．的熔点主要取决于所含键的键能 C．和中均含有属于周期表s区的元素 D．和中阳离子配位数之比为1：2 489．钛酸钡具有优良的介电、压电特性，主要用于电容器、自动温控等领域。钛酸钡的晶胞结构如图所示。下列说法错误的是 A．Ti元素位于元素周期表的d区 B．该物质的化学式为 C．晶体中每个钛离子周围等距且最近的氧离子数目为6 D．若位于晶胞的体心，位于晶胞的顶点，则处于立方体的位置是棱心 490．一种贮氢的金属氢化物可通过和Ni球磨制成，其晶胞形状为如图立方体，边长为a nm，Ni原子占据晶胞的顶点和面心，处于八个小立方体的体心。下列说法正确的是 A．元素Ni位于第四周期第Ⅷ族，位于周期表ds区 B．该金属氢化物的化学式为 C．该晶体的密度为 D．位于Ni原子形成的八面体空隙 491．硒化钠常用于制备光敏材料和半导体材料，共立方晶体结构如下图，硫化钠的晶体结构与其相似。已知硒化钠晶体晶胞参数为dpm，表示阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是 A．熔点：硫化钠<硒化钠 B．每个周围距离最近的Na+数目为4 C．离子a的分数坐标参数为 D．之间的最短距离为 492．一定条件下，存在缺陷位的LiH晶体能吸附使其分解为N，随后N占据缺陷位(如图)。下列说法错误的是 A． B．半径： C． D．LiH晶体为离子晶体 493．常用于制备磁芯、磁盘和传感器等，其晶胞如下图所示，为等轴晶系。晶胞参数为，为阿伏加德罗常数的值。下列叙述错误的是 A．构成正八面体形 B．距离最近的数目为6个 C．该晶体的密度为 D．的分数坐标为 494．合成某种脱氢催化剂的主要成分之一为立方ZnO，其晶胞结构如图，已知晶体密度为，a的分数坐标为，设阿伏加德罗常数的值为。下列说法错误的是 A．与最近的有12个 B．若以为顶点重新取晶胞，位于晶胞的面心和体心 C．之间的最短距离为 D．b的分数坐标为 495．萤石的主要成分为，常用于冶金、化工和建材三大行业。的立方晶胞及坐标如图所示，其晶胞参数为，用表示阿伏加德罗常数的值，下列说法正确的是 A．基态钙原子的核外电子共有20种空间运动状态 B．晶体中的配位数为4 C．B点F-的原子分数坐标为 D．晶体的密度为 496．钛酸亚铁常用于制备磁芯、磁盘和传感器等，它属于立方晶系，晶胞结构如图所示。下列叙述错误的是 已知：晶胞参数为a nm，为阿伏加德罗常数的值。 A．的分数坐标为 B．晶胞中位于所形成的正八面体的体心 C．和之间的最短距离为等 D．钛酸亚铁晶体密度为 497．某镁铁合金是目前储氢密度最高的材料之一，其晶体的立方晶胞如图所示，晶胞边长为a pm。Mg原子占据Fe原子形成的所有四面体空隙。储氢后，分子占据Fe原子形成的八面体空隙，化学式为。下列说法正确的是 A．氢气储满后晶体的化学式为 B．该镁铁合金中Mg、Fe通过离子键结合 C．氢气储满后，分子和分子之间的最近距离为 D．该镁铁合金中，与1个Mg配位的Fe和与1个Fe配位的Mg均有4个 498．砷化镓是一种新型半导体材料，应用广泛。图甲为它的立方晶胞结构，图乙为该晶胞沿y轴的投影图。该晶胞的边长为，在三维坐标系中两点的原子坐标分别为，。下列说法错误的是 A．和原子间的最近距离为 B．原子的配位数为4 C．c点的原子坐标为 D．原子填充在原子围成的“正四面体空隙”中 499．我国科学家合成了一种具有巨磁电阻效应的特殊导电性物质，其立方晶胞结构如图所示。已知晶胞参数为anm，表示阿伏加德罗常数的值，下列说法正确的是 A．基态Cr的价层电子排布式为 B．该晶体密度为 C．晶体中Ca原子周围等距离且最近的O原子数为8 D．若用放射性的O替换图中的O，对其化学性质影响较大 500．钙钛矿类杂化材料在太阳能电池领域具有重要的应用价值，其晶胞结构如图1所示，代表的原子分数坐标为(0，0，0)，B的为。设为阿伏加德罗常数的值，晶体的密度为。下列说法中错误的是 A．该晶胞含有3个 B．A与之间最近的距离为 C．该晶胞参数为 D．若沿轴向平面投影，则其投影图如图2所示 501．以黄铁矿(主要成分为)为原料生产硫酸的简要过程如图所示，的立方晶胞如图所示。代表阿伏加德罗常数，晶胞参数为。下列说法错误的是 A．的空间结构为平面三角形 B．的立方晶胞的密度为 C．的立方晶胞中，紧邻的阴离子个数为8 D．完全反应生成和，有电子发生转移 D. 该晶体密度 502．钠硒电池具有能量密度大、导电率高、成本低等优点。以填充碳纳米管作为正极材料的一种钠硒电池工作原理如图所示，充放电过程中正极材料立方晶胞内未标出因放电产生的0价原子。下列说法错误的是 A．每个晶胞中个数为4 B．放电时，a极电势比b极电势低 C．放电时，正极反应为 D．充电时，每转移极质量增加 503．合金中广泛存在的一种耐磨相晶胞如图甲所示，研究发现添加适量可以提高其耐磨性能，加后(替换部分)的晶胞结构如图乙所示，其中A原子坐标为。下列说法错误的是 A．元素在元素周期表中属于d区 B．加后晶体的化学式为 C．若B原子坐标为，则M原子坐标为 D．图甲晶胞的晶体密度为 504．AlCl3、AlBr3水解均可得到Al(OH)3胶体，还可形成二聚体。Al2Br6()的四方晶胞如图所示(各棱长不相等，棱边夹角为90°，Al2Br6在棱心)。下列说法错误的是 A．AlCl3沸点低于AlBr3 B．AlBr3分子中存在配位键 C．Al(OH)3胶体粒子的平均直径可能是1x10-6m D．晶体中与Al2Br6最近且距离相等的Al2Br6有4个 505．近年来，钙钛矿太阳能电池以其高转换效率和潜在的低成本吸引了广泛的研究兴趣。钙钛矿材料一般指具有结构的化合物，其中A通常为有机阳离子或甲胺离子，B为铅或锡等金属离子，X为卤素离子。有一种新型钙钛矿太阳能电池材料，其组成为，该材料在光照下能够有效捕获光能并转化为电能，其晶胞结构如图所示。下列说法正确的是 A．的A位离子为 B．晶胞中1个周围距离最近的数目为3 C．设晶胞边长为，则与之间最短的距离为 D．该为材料的钙钛矿太阳能电池对环境无污染 506．下列事实与解释均正确且相互对应的是 选项 事实 解释 A CsCl晶体中的配位数为8，NaCl晶体中的配位数为6 第一电离能：C＜Na B 沸点： O—H…O的键能大于F—H…F的键能 C 石墨能导电 石墨中未杂化的p轨道相互平行且重叠，使电子可在整个碳原子平面中运动 D 熔点： 为共价晶体，为分子晶体 A．A B．B C．C D．D 507．下列物质均为共价晶体且成键结构相似，其中熔点最低的是 A．金刚石(C) B．单晶硅() C．金刚砂() D．氮化硼(，立方相) 508．铬可形成M、N、Q三种氟化物，其中Q具有无限链状结构，M、N的晶胞结构与Q的部分结构如图所示，M与H2反应可以得到N，下列说法错误的是 A．M中离F原子最近的F原子数为8 B．M与氢气反应生成N，生成1个N晶胞的同时生成1分子HF C．Q的化学式为可表示为(CrF5)n D．Q中Cr原子周围的F原子形成正八面体结构 509．二氧化铈(CeO2)晶体属于立方CaF2型晶体结构(如图所示)，其中晶胞参数为apm，下列说法正确的是 A．Y代表O2- B．Ce4+与O2-的核间距离最小为0.5apm C．该晶体的摩尔体积为m3/mol D．离Ce4+等距离最近的Ce4+有8个 510．在催化剂中元素的作用下可以产生具有极强氧化活性的，其在固态催化剂表面转化过程如图所示。 下列说法正确的是 A．过程①中每转移电子，晶胞中产生空位 B．过程②中在空位产生 C．催化过程中的配位数不变 D．相同条件下，比催化效果好 511．的晶胞形状为长方体，边长分别为anm、bnm、cnm，结构如图所示。已知的摩尔质量是，阿伏加德罗常数的值为，下列说法错误的是 A．该晶体中存在的化学键包括共价键、离子键、氢键 B．的空间结构为四面体形 C．的配位数为4 D．该晶体的密度为 512．是一种钠离子电池正极材料，充放电过程中正极材料立方晶胞(示意图)的组成变化如图所示，晶胞内未标出因放电产生的0价Cu原子。下列说法正确的是 A．每个晶胞中个数为x B．每个晶胞完全转化为晶胞，转移电子数为8 C．每个晶胞中0价Cu原子个数为 D．当转化为时，每转移电子，产生原子 513．黄金按质量分数分级，纯金为24K。Au-Cu合金的三种晶胞结构如图，Ⅰ是六方晶胞(底面锐角为60°)，Ⅱ和Ⅲ是立方晶胞。下列说法正确的是 A．Ⅰ中Au的配位数是8 B．Ⅱ中最小核间距Au-Cu<Cu-Cu C．Ⅲ为18K金 D．Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ中，Au与Cu原子个数比依次为1：1、1：3、3：1 526．某锂离子电池电极材料结构如图所示。图1是钴硫化物晶胞的一部分，图2是充电后的晶胞结构。 下列说法正确的是 A．图1结构中钴硫化物的化学式为 B．若图1结构中M位于顶点，则N位于面心 C．图2晶胞中距离最近的S有6个 D．图2晶胞中与的最短距离为 527．关于干冰晶体说法错误的是 A．1个晶胞含4个分子 B．晶体内存在一种分子间作用力 C．晶体结构松散，不具有分子密堆积特征 D．与1个分子距离最近的分子总数为12个 528．二氧化铈(CeO2)晶体属于立方CaF2型晶体结构(如图所示)已知晶胞参数为，设 为阿伏加德罗常数的值。下列说法中错误的是 A．在晶胞中的配位数为8 B．Ce与Ce最近的距离为 C．二氧化铈(CeO2)晶体的摩尔体积 D．位于由构成的四面体空隙中 529．下列说法正确的是（　　） A．分子间作用力越大，分子越稳定 B．分子间作用力越大，物质的熔、沸点越高 C．相对分子质量越大，其分子间作用力越小 D．分子间只存在范德华力 530．下列关于晶体的描述中，错误的是（　　） A．干冰晶体中，每个二氧化碳分子周围紧邻12个二氧化碳分子 B．氯化钠晶体中，每个Na+周围紧邻且距离相等的Na+共有6个 C．氯化铯晶体中，每个Cs+周围紧邻且距离相等的Cl-共有8个 D．金刚石为三维骨架结构，由共价键形成的碳原子环中，最小的环由6个碳原子构成 531．物质微观结构决定宏观性质，进而影响用途。下列结构或性质不能解释其用途的是 选项 结构 性质 用途 A 等离子体含电子、阳离子和中性粒子 具有良好的导电性和流动性 可制造显示器 B 增大组成油脂的脂肪酸的不饱和程度 油脂熔点升高 可制造人造奶油 C 在硅酸盐中，Si和O构成了顶角氧原子相互连接的硅氧四面体结构 硬度高、熔点高、耐腐蚀 可建造硫酸吸收塔的内衬 D 硝酸纤维分子中含硝酸酯基 极易燃烧 可用于生产火棉 A．A B．B C．C D．D 532．如图为几种晶体或晶胞的结构示意图，下列说法错误的是 A．18g冰晶体中含有2mol氢键 B．金刚石晶体中，碳原子与碳碳键个数的比为1:2 C．每个碘晶胞中含有4个碘原子 D．金刚石、MgO、碘单质三种晶体的熔点顺序为：金刚石碘单质 A．A B．B C．C D．D 533．氮和碳可形成多种结构，一种石墨相氮化碳具有和石墨相似的层状结构，其晶胞结构如图甲所示；一种空间网状结构的立方相氮化碳，其晶胞结构如图乙所示。下列说法错误的是 A．黑球为氮原子，白球为碳原子 B．石墨相氮化碳晶体中存在的作用力有非极性键和范德华力 C．立方相氮化碳晶体中原子的配位数为3 D．立方相氮化碳晶体的硬度与金刚石相当 534．钠与氧可形成多种二元化合物。其中一种二元化合物的晶胞如图所示。下列说法错误的是 A．该二元化合物的化学式为Na4O4 B．阴离子有2种不同的空间取向 C．阴离子位于Na+形成的八面空隙中 D．该二元化合物具有强氧化性 535．下图为锰的某种氧化物的晶胞(图中A原子处于体心，B原子处于顶点)，晶胞参数为apm，NA为阿伏加德罗常数的值，下列说法正确的是 A．该氧化物化学式为MnO2 B．A、B之间的距离为 C．距离Mn原子最近的Mn原子数目为6 D．该晶体密度为 536．CdS常见的有立方(晶胞为立方体)和六方(晶胞为底面是60°菱形的六面体)两种晶体结构。它们的结构如下，下列叙述正确的是 (俯视图) 立方CdS的晶胞 六方CdS的晶体结构 A．六方CdS的晶体结构图中，完全位于晶胞外的原子共有6个 B．立方CdS中，阴阳离子的配位数不相等 C．立方CdS中最近的两个阴离子之间的距离小于最近的两个阳离子之间的距离 D．设六方CdS的晶胞参数为a和c，则晶体的密度的计算式为 537．化合物是一种潜在热电材料，其晶胞结构如图1所示，沿、、轴方向的投影均如图2所示。最简式的式量为，已知晶胞参数为，为阿伏加德罗常数的值。下列说法正确的是 A．晶胞中阴离子的配位数为4 B．1个晶胞中含有2个 C．两个之间的最短距离为 D．晶胞密度为 538．半导体材料的立方晶胞如图所示，晶胞边长为apm，图中晶胞顶点原子的分数坐标均为(0,0,0)，Y原子的分数坐标为。下列说法错误的是 A．晶胞中6个Sb原子均处于晶胞内部 B．Fe处于Sb形成的八面体空隙中 C．Z原子的分数坐标为 D．Y原子与X原子之间的距离为 539．某合金的立方晶胞结构如图所示。下列说法错误的是 A．基态铜原子的价层电子排布式为 B．晶胞中的配位数为8 C．该合金中Au的质量分数约为75% D．晶胞中最小核间距 540．向溶液中滴入混合液，得到晶体M，其晶胞结构中键角为，每个晶胞由两个小立方体构成，位于小立方体的顶点，两个小立方体共用面中心的分子的中心原子位于小立方体的体心。小立方体的边长为。下列说法错误的是 A．按照描述，晶胞结构为如图所示 B．中的键长为 C．1个晶胞中含有的质量为 D．晶体M的密度为 541．一种由三种元素形成的晶体结构的基本单元如图所示。下列说法不正确的是 A．该物质中的化合价为价 B．每个O周围距离相等且最近的有4个 C．通过X射线衍射实验图谱能计算该晶体中离子间的距离 D．该物质的一种晶胞表示方法中，若顶点位置是F，则O仅位于棱心位置 542．某镁镍合金储氢后所得晶体的立方晶胞如图，晶胞边长为位于相邻4个所围合的正四面体的体心。下列说法不正确的是 A．储氢过程中被还原 B．晶体的化学式为 C．每个周围有12个紧邻的H D．与的原子核间距为 543．一种稀磁半导体晶体的晶胞结构如下（部分原子的分数坐标已给出），有关说法正确的是 A．该晶体属于金属晶体，一定条件下可以导电 B．a处原子的分数坐标为 C．该晶体的化学式为 D．与距离最近且等距的原子有4个 544．双钙钛矿型氧化物具有立方晶胞结构，通过掺杂改性可用作固体电解质材料，其晶体的一种完整结构单元如图所示，真实的晶体中存在5%的O空位缺陷。下列说法错误的是 A．不考虑晶体缺陷，与的配位数相等 B．空位的形成有利于的传导 C．不考虑晶体缺陷，该晶体的化学式为 D．考虑晶体缺陷，该晶体中+3价与+4价原子的个数之比为 545．已知合金的立方晶胞结构如图1所示，原子以金刚石方式堆积，八面体空隙和半数的四面体空隙中填入四面体：沿轴投影晶胞中所有原子的分布图如图2所示，点的分数坐标为。设晶胞参数为，的摩尔质量为，为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误的是 A．电负性： B．B点的分数坐标为 C．A、C两原子间的距离为 D．该晶体的密 546．某笼形络合物Ni(CN)x(NH3)y(C6H6)z结构中，金属离子与CN-连接形成平面层，两个平面层通过NH3分子连接，中间的空隙填充大小合适的分子(如C6H6)，其基本结构如图(H原子未画出)。下列说法正确的是（　　） A．该结构是晶胞结构单元 B．x：y：z=2：1：1 C．金属离子的配位数都是4 D．该笼形络合物A的晶胞密度为g/cm3 547．配合物种类繁多，在分析化学、工业生产以及生物学中有广泛应用。已知某配合物的化学式为[TiCl(H2O)5]Cl2∙H2O，下列有关说法正确的是（　　） A．该配合物中存在离子键、配位键和极性键 B．中心离子是Ti4+，配离子是[TiCl(H2O)5]2+ C．配体是Cl-和H2O，配位数是9 D．加入足量AgNO3溶液，所有Cl-均以沉淀形式存在 548．短周期主族元素W、X、Y、Z的原子序数依次增大，且总和为24，四种元素组成的化合物(如图所示)，具有良好的储氢性能。下列有关叙述正确的是（　　） A．该化合物中X、Y和W原子间均存在配位键 B．Y的最高价氧化物的水化物一定为强酸 C．离子半径：Z＞Y＞W D．电负性顺序：X＞Y＞W 549．锂电池负极材料为Li嵌入两层石墨层中，形成如图所示的晶胞结构。下列说法中正确的是 A．晶胞中Li与C原子个数比为1：6 B．Li的配位数为8 C．碳原子的杂化方式为杂化 D．该负极材料的摩尔质量为79 550．普鲁士蓝的晶体结构如图所示（K+未表示出来，图中所示结构为晶胞的）。下列说法错误的是（　　） A．C、N的杂化方式均为sp杂化 B．一个晶胞中有2个Fe2+ C．每个Fe3+周围有6个Fe2+ D．该晶体的密度为×1021g•cm﹣3 551．下列说法正确的是 A．离子液体常温下呈液态的主要原因是其阴阳离子所带电荷一般较少 B．接近水的沸点的水蒸气的相对分子质量测定值比按化学式计算出来的相对分子质量小一些 C．实验室I制备氨气可以加热氯化铵使其分解 D．是细小的白色晶体，向其中加入少量水，碳酸氢钠能溶解，并伴随吸热现象 552．下列推理均合理的是 已知 结论 A 分子间存在氢键 沸点； B 低温石英不含有手性碳原子 低温石英不具有手性 C 纳米金属铅的熔点随晶粒变小而变小 晶体的表面积影响晶体的性质 D 海水中的铁闸门因发生电化学腐蚀而生锈 铁闸门生锈最多的部位就是腐蚀最厉害的部位 A．A B．B C．C D．D 553．锑酸亚铁晶胞的结构如图，其晶胞参数分别为anm、anmcnm，，以晶胞参数建立分数坐标系，原子填充在原子形成的八面体空隙中。下列说法正确的是 A．每个晶胞含有12个O原子 B．距离体心原子最近的原子一定有10个 C．晶胞中点原子的原子的数坐标为 D．设为阿伏加德罗常数的值，该晶体密度为 554．常作有机合成催化剂、人工降雨剂和加碘盐的碘来源。其一种制备原理：，不同晶型的晶胞结构如图所示： 下列说法正确的是 A．上述反应中，氧化剂与还原剂的物质的量之比为 B．中阴离子的中心原子价层电子对数为5 C．中1个与4个等距离且最近 D．等数目的和晶胞，其质量之比为 555．钒(V)是一种重要的战略金属，V的某种氧化物具有绝缘体-导体相转变特性，导体状态的晶胞结构如图。已知为阿伏加德罗常数的值，下列说法错误的是 A．基态V原子核外电子的空间运动状态有13种 B．该晶胞中与O距离最近的V有6个 C．该氧化物化学式为 D．该晶胞的密度为 556．研究表明晶胞的氧缺陷可以有效促进氢气在催化加氢过程中的活化。图1为 理想晶胞，图2为氧缺陷晶胞。下列说法错误的是 A．图1中的配位数是8 B．图1中填充在构成的四面体空隙中 C．若图2中与的个数比为2∶3，则的空缺率为25% D．若晶胞参数为a nm，图1晶胞的密度为 557．氢能具有高热值、零污染和资源丰富等优点。一种光解水产生氢气的催化剂晶胞结构如图所示，已知晶胞参数为。下列说法正确的是 A．与的个数比为 B．与距离最近的个数为8 C．与的最近距离为 D．该晶体的摩尔体积为 558．由铜、铟、镓、硒组成的晶体属于四元半导体化合物，原子填充在与(或) 围成的四面体空隙中，晶胞棱边夹角均为，设为阿伏加德罗常数的值。已知：A点、 B点原子的分数坐标分别为和。下列说法错误的是 A．该晶体的化学式： B．C点原子的分数坐标是 C．距离原子最近且等距的原子有2个 D．若晶胞中与原子数相同，晶体密度为 559．黄铁矿晶体的晶胞如图所示，晶胞参数为anm，晶胞中位于所形成的正八面体的体心，M点分数坐标为，为阿伏加德罗常数的值，下列说法错误的是 A．N点的分数坐标为 B．晶胞中与等距且最近的数目为8 C．该晶体密度为g⋅cm D．若八面体边长为d nm，则 560．一种基于ZnO的锌基催化剂，可高效催化丙烷转化为丙酸。立方ZnO的晶胞如图，晶胞参数为a pm，阿伏加德罗常数的值为。下列说法错误的是 A．与最近的有12个 B．之间的最短距离为 C．该ZnO晶体的摩尔体积为 D．若坐标取向不变，将m点平移至原点，则n点位于晶胞xy面的面心 561．有关晶体的结构如下图所示。下列说法错误的是 A．在晶体中，每个晶胞平均占有4个 B．在金刚石晶体中，碳原子与碳碳键个数之比为 C．在晶体中，阴阳离子的总个数为 D．由E原子和F原子构成的气态团簇分子的分子式为EF或FE 562．晶体世界丰富多彩、复杂多样，各类晶体具有的不同结构特点，决定着它们具有不同的性质和用途。氢化铝钠是一种新型轻质储氢材料，其晶胞结构如图所示，为长方体。设阿伏加德罗常数的值为。下列说法错误的是 A．中中心原子的杂化方式为杂化 B．晶体中，与紧邻且等距的有4个 C．若的分数坐标为，则的分数坐标为 D．晶体的密度为 563．Cu3N具有良好的电学和光学性能，其晶胞结构沿体对角线 A．N3-的配位数为12 B．其中Cu+在晶胞中只有一种位置 C．可以用质谱仪测定该晶体结构 D．晶胞密度为 564．某种由Cu、Fe、S三种元素组成的物质具有如图中图1所示的晶胞结构，其中铁原子的投影位置如图2，铜原子全部位于楞和面上，设NA为阿伏加德罗常数的值，下列说法正确的是 A．该晶体的化学式为 B．该晶体中两个Fe原子之间的最近距离为a pm C．若1号S原子的分数坐标为，则2号Fe原子的分数坐标为 D．该晶体的密度为 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $ 高中化学二轮题库—晶体结构与性质（564道选择题）详解答案 基础版 1．A A．由晶胞图可知，晶胞中Ag位于体心，B位于顶点，C、N位于体对角线上，沿晶胞体对角线方向投影，体对角线上的原子投影到中心(重叠)，其余6个顶点原子分别投影到六元环的顶点上，其他体内的C、N原子都投影到对应顶点原子投影与体心的连线上，则投影图为，A错误； B．Ag位于体心，与周围4个N原子原键，价层电子对数为4，且与4个N原子形成正四面体，则Ag为杂化；由晶胞中成键情况知，共用顶点B原子的8个晶胞中，有4个晶胞中存在1个C原子与该B原子成键，即B原子的价层电子对数为4，为杂化，B正确； C．晶胞中Ag位于体心，与最近且距离相等的就是该晶胞上、下、左、右、前、后6个相邻的晶胞体心中的原子，为6个，C正确； D．B位于顶点，其个数为，Ag、C、N均位于晶胞内，个数分别为1、4、4，由晶胞密度可知晶胞参数a=，和B的最短距离为体对角线的一半，即，D正确； 故选A。 2．C A．氯化钠中的钠离子半径（Na+）比氯化铯中的铯离子半径（Cs+）小，离子键强度更大，因此熔点更高，解释正确，A正确； B．碘和四氯化碳均为非极性分子，符合“相似相溶”原理，解释正确，B正确； C．草酸氢钠溶液显酸性是因为草酸氢根（HC2O）的电离程度（释放H+）大于水解程度（生成OH⁻），解释错误，C错误； D．离子液体的导电性源于其内部可自由移动的阴、阳离子，解释正确，D正确； 故选C。 3．D A．中硼原子的价层电子数为4，孤电子对数为0，空间结构为正四面体形，A错误； B．根据晶胞中微粒的位置，计算得到晶胞中含有8个，=4个，根据化合价规则，可推知4个共显+8价，所以Fe显+2价，B错误； C．根据晶胞结构，和“●”距离最近且相等的“○”数目为8，C错误； D．金属铁的电负性小于非金属，中N为-3价，中H为-1价，电负性：，D正确； 故选D。 4．B A．As与N位于同一主族，且为第四周期元素，基态As原子的价电子排布式为，A项正确； B．由图可知，与B距离最近且相等的As原子有4个，B的配位数为4，B项错误； C．由图可知，与As原子距离最近的B原子有4个，As位于B原子所围成的正四面体体心，C项正确； D．B、As原子之间的最短距离为体对角线的，为，D项正确； 答案选B。 5．B 根据晶胞图可知，原子全部位于晶胞体心，数目为4个；原子有8个位于顶点，1个位于体心，原子数为，晶胞的化学式为：，据此分析解答。 A．在晶胞中，只有2种：顶点和体心，如果把顶点的分数坐标定为，则体心的分数坐标为，A正确； B．晶胞参数为，则该晶体的密度为，B错误； C．根据晶胞图，以体心为中心，则与最近且距离相等的刚好为体心内的4个，C正确； D．根据晶胞图，和之间的最短距离刚好为立方体空间对角线长度的，由晶胞参数为，作如图辅助线，可以得到底面对角线AB长度为：，则立方体空间对角线长度为：，最后得到和之间的最短距离DE为：，D正确； 故答案为：B。 6．C A．C10Cl8分子中存在极性键和非极性键，A正确； B．环形碳(C10)和环形碳()的碳结构不稳定，同一个碳原子上连两个碳碳双键，具有很高的反应活性，B正确； C．碳环型碳C10、晶体是由C10、分子构成的，属于分子晶体，C错误； D．C14H10转化为环形碳(C14)的过程为去氢反应，有机反应中去氢为氧化反应，D正确； 故选C。 7．C A．由晶胞结构可知，该二元化合物中不含，不属于过氧化物，A错误； B．由晶胞结构可知，棱上的有相同的空间取向，面上的有相同的空间取向，故该化合物中阴离子有2种不同的空间取向，B错误； C．根据图示可知，该晶胞中含有Na+的数目是8×+1=2，含有O原子数目是8×+4×=4，Na：O=2：4=1：2，以位于体心的Na+为研究对象，Na+周围含有6个，则周围含有6个，位于6个Na+形成的八面体空隙中，C正确； D．由晶胞结构可知，两个之间的最短距离为晶胞体对角线的一半，即apm，D错误； 故选C。 8．D A．由图，晶胞甲中●的配位数是12，▲的配位数是6，之比为，A项错误； B．晶胞乙中最近的之间的距离为面对角线的一半，即为，B项错误； C．化学式为，La是价，O是-2价，设有x个，则有个，根据正负化合价代数和为0可得，，，，C项错误； D．甲变成乙，产生氧空位，说明该过程消耗了离子，则反应中铁化合价降低，由三价铁降低为二价铁，反应（1）的离子方程式为，D项正确。 故选D。 9．D A．Cs+有8个位于顶点个数为：8×=1；I-有6个位于面心，个数为：6×=3，Pb2+有1个位于体心，则该晶胞的化学式：CsPbI3，故A正确； B．晶体中Pb2+与Cs+最短距离为体对角线的一半，即为，故B正确； C．晶胞质量为：，晶胞体积为：(a×10-10)3cm-3，则晶胞密度==，故C正确； D．半径大于K+，识别的能力：，故D错误； 答案选D。 10．C A．原子核外电子的能量是量子化的，电子跃迁时吸收或释放特定能量的光子，所以原子光谱是不连续的线状谱线，匹配正确，A正确； B．一般来说，离子晶体中离子键作用力强，熔沸点较高；分子晶体中分子间作用力较弱，熔沸点较低，AlF3是离子晶体，AlCl3是分子晶体，导致AlF3熔点远高于AlCl3，匹配正确，B正确； C．苯甲酸的酸性强于乙酸，是因为苯基的吸电子效应使得羧基中羟基的极性增强，更易电离出氢离子，而不是苯基推电子效应强于甲基，匹配不正确，C错误； D．离子液体中离子键作用力强，传统有机溶剂分子间是较弱的分子间作用力，所以离子液体作溶剂比传统有机溶剂难挥发，匹配正确，D正确； 故选C。 11．C 根据晶胞图可知，Si原子有4个位于体心，个数为4；Al原子有8个位于顶点，6个位于面心，个数为；Li原子有12个位于棱心，1个位于体心，个数为；据此信息解答。 A．根据分析，晶体的各原子个数比为，化简后得到化学式为，A正确； B．晶胞的边长为，则晶体的密度为，B正确； C．根据晶胞图，Al原子周围最近的Li原子位于相邻3个棱边的棱心，补全晶胞后每个顶点的Al原子被8个晶胞共用，每个棱心的Li原子被4个晶胞共用，则Al原子周围最近的Li原子个数为：，C错误； D．在晶胞中Si、Al原子之间的位置如图作辅助线并得到4AD=AC，，则Si、Al原子之间的最短距离为，D正确； 故答案为：C。 12．D A．通过A原子的对角面，则4个顶点位于长方形顶点，面心的位于长边的中点，棱中心的为于短边的中点，体心、体内的位于长方形内部，结构如图2所示，A正确； B．由图可知，相邻两个的最短距离为体对角线长度的四分之一，则为，B正确； C．晶胞中C点原子在xyz轴上的投影坐标分别为、、，则其分数坐标为，C正确； D．由晶胞结构图可知，部分位于形成正八面体空隙，还有部分在形成正八面体之外（如晶胞棱上的），D错误； 故答案选D。 13．C A．铜元素基态原子的核外电子排布式为。s轨道有1种空间运动状态，p轨道有3种空间运动状态，d轨道有3种空间运动状态。1s、2s、3s、4s共4种空间运动状态；2p、3p共6种空间运动状态；3d有5种空间运动状态，所以共有种空间运动状态，A正确； B．由晶胞结构可知，2个铜原子的最近距离为面对角线的一半。晶胞边长为apm，根据勾股定理，面对角线长度为，那么2个铜原子的最近距离为，B正确； C．以顶点的N原子为例，与之距离最近且相等的Cu原子位于面心，每个顶点的N原子被8个晶胞共用，每个面心的Cu原子被2个晶胞共用，所以N原子的配位数是6，C错误； D．根据均摊法，晶胞中N原子个数为，Cu原子个数为，则晶胞质量，晶胞体积，根据密度公式，可得该晶体密度，D正确； 故选C。 14．A A．晶胞中有8个正四面体空隙，晶胞中有4个氮原子和4个硼原子，B原子(黑球)位于N原子围成的正四面体空隙，填充率为50%，A错误； B．BN的晶胞如图所示：，BN晶胞中每个B原子连4个N原子，每个N原子连4个B原子，原子个数与共价键数之比为1：2，B正确； C．晶胞中N原子位于顶点和面心，B原子位于N原子围成的部分正四面空隙，该晶胞沿x、y、z方向投影均为，C正确； D．晶胞中B原子与N原子最近的距离为体对角线的，即，D正确； 故选A。 15．D A．由图可知，将晶胞切割成八个大小相等的小正方体，As位于小正方体的中心。由晶胞结构可判断微粒n的分数坐标是，A错误； B．根据均摊法可得晶胞中Li的个数为，Zn的个数为，Mn的个数为，As的个数为4，化简即可得中，，B错误； C．元素锂的焰色是紫红色，属于发射光谱，C错误； D．As原子与Zn原子之间的最短距离为晶胞体对角线的，设棱长为a，则，As原子与Zn原子之间的最短距离为，D正确； 故选D。 16．C A．由晶胞可知，Mg原子在晶胞内，距离Mg原子最近的Fe原子为4个，A错误； B．在晶胞中，Fe原子位于顶点和面心，晶胞中含有的Fe原子个数为：；Mg原子在晶胞内，其个数为8个，Mg：Fe=8：4=2：1，故铁镁合金的化学式为Mg2Fe，B错误； C．该合金的密度g·cm-3，C正确； D．晶胞中含有Mg原子数为8，若该晶体储氢时，H2分子在晶胞的体心和棱心(棱的中点)位置，则其中可储存H2分子数为：。48 g Mg的物质的量为n(Mg)==2 mol，则其储存的H2的物质的量为1 mol，在标准状况下，体积为22.4 L，D错误； 故合理选项是C。 17．C 由图可知，按均摊法，N原子数目为，B原子数目为2，C原子数目为，则N、B、 C原子数目之比为1:1:2，化学式为BC2N； A．该晶体具有类金刚石结构，金刚石是由碳原子通过共价键形成的共价晶体，具有硬度大、熔沸点高等性质，则该化合物为共价晶体，硬度大，A正确； B．如图所示：将晶胞平移，以b点的B为坐标原点：，则B原子距离最近且相等的1个B原子a位于面心，其余两个面心为C原子，根据晶胞结构可知，若面心上全部都是B，B原子距离最近且相等的B原子数为=12，但面心上的B只占了，因此B原子距离最近且相等的B原子数为4，B正确； C． 如图所示：以m点的C原子为研究对象，其形成2条键，两条键，则二者数目比为，C不正确； D． 晶胞的密度=晶体的密度，D正确； 答案选C。 18．B A．是平面三角形，是三角锥型，极性和分子空间构型有关联，故A不符合题意； B．由于F的电负性比Cl大，吸引电子的能力更强，三氟乙酸羧基中的O-H键的极性更大，更易电离出H+，酸性更强，酸性和分子间氢键没有关联，故B符合题意； C．是离子晶体，是分子晶体，离子晶体一般来说比分子及个体熔点高，熔点和晶体类型有关联，故C不符合题意； D．18-冠-6空腔的直径与K+的直径相当，12-冠-4空腔的直径小于K+的直径，所以识别K+的能力与冠醚空腔直径有关联，故D不符合题意； 答案选B。 19．C A．Ni与Mn原子均位于顶点，且个数相同，因此配位数也相同，A正确； B．O空位的形成有利于的传导，因为空位处动能大，离子移动快，B正确； C．La个数是1，Ni与Mn个数均为4×=0.5，O的个数为6×=3，晶体化学式为La2NiMnO6，C错误； D．晶体化学式为La2NiMnO6，考虑缺陷则是La2NiMnO5.7，设+3价La为x个，+4价La为y个，则x+y=2，3x+4y+2+3=5.7，解得x=1.6，y=0.4，+3价与+4价La原子个数比为4：1，D正确； 故选C。 20．D A．乙醇和二甲醚互为同分异构体，但由于乙醇中存在分子间氢键，而二甲醚中不存在，导致乙醇(78.3℃)的沸点高于二甲醚(-29.5℃)，即与氢键作用有关，A不合题意； B．AlF3是离子晶体，AlCl3是分子晶体，作用力：离子键＞范德华力，导致AlF3的熔点远高于AlCl3，则AlF3的熔点远高于AlCl3与晶体类型有关，B不合题意； C．电负性：F＞Cl，故PF3中共用电子对离P更远，排斥力更小，键角更小，且原子半径：F＜Cl，故PF3的键角小于PCl3，即与F、Cl的电负性差异有关，C不合题意； D．热分解温度：HBr为500℃，HI为300℃，稳定性HBr＞HI，是由于非金属性Br＞I，导致H-Br的键能比H-I的键能大，与分子间作用力无关，D符合题意； 故答案为：D。 21．D A．由甲可知砷化镓的化学式为GaAs，砷化镓中砷提供孤电子对，镓提供空轨道形成配位键，平均1个GaAs配位键的数目为1，则砷化镓中配位键的数目是，故A正确； B．由砷化镓晶胞结构可知，Ga和As的最近距离为晶胞体对角线的，Ga和As的最近距离是，故B正确； C．由砷化镓晶胞结构可知，c位于侧面的面心，沿体对角线a→b方向投影图如丙，则As的位置为7、9、11、13，故C正确； D．由乙晶胞结构可知，和Mn最近且等距离的As的数目为12，故D错误； 故选D。 22．B Y在地壳中含量最高，则Y为O元素，几种元素占据四个不同周期，其中只有X的原子序数小于O，所以X为H元素，基态W原子的核外电子恰好填满10个原子轨道，每个原子轨道中有两个自旋方向不同的电子，所以W核外共20个电子，为Ca元素；天然沸石的化学式为Ca[Z2R3O10] ▪3H2O，由于R的原子序数较大，所以R一定位于第三周期，若Z位于第二周期，则只能为F元素，此时该物质中R的化合价为+价，不合理，所以Z也位于第三周期，根据化合价分析，合理的结果为Z为+3价、R为+4价，所以Z为Al元素、R为Si元素。 A．电子层数越多半径越大，电子层数相同时，核电荷数越大，半径越小；简单离子半径：，故A正确； B．同一周期随着原子序数变大，第一电离能呈增大趋势，则第一电离能：，故B错误； C．非金属性：O>Si，非金属性越强，最简单氢化物越稳定，故C正确； D．W、Z的氯化物分别为CaCl2、AlCl3，CaCl2为离子晶体，AlCl3为分子晶体，离子晶体的熔点高于分子晶体，故D正确； 故选B。 23．C A．FeCl3可作净水剂是因为Fe3+水解生成Fe(OH)3胶体，胶体具有净水的作用，与氯化铁的氧化性无关，A错误； B．用于制造光导纤维的是二氧化硅不是单质硅，B错误； C．液晶分子可沿电场方向有序排列，故液晶可作电视显示屏，C正确； D．Ba2+属于重金属离子有毒，BaSO4为不溶于胃酸的沉淀，故可用作钡餐，D错误； 故答案选C。 24．B A．该晶胞中Zn原子的配位数是4，则ZnSe晶胞中Se原子的配位数也是4，A错误； B．该晶胞中a点坐标为(0，0，0)，b点坐标为B为( ，1，)，则a原子位于坐标原点，b原子在坐标轴正方向空间内，由图乙可知d原子也在坐标轴正方向空间内，且到x轴、y轴、z轴的距离分别为、、，即d原子的坐标为(，，)，B正确； C．面对角线的两个Zn原子距离最短，为nm，C错误； D．Zn、Se为同周期元素，根据非金属性越强，电负性越大，非金属性：Zn<Se，电负性：Zn<Se，D错误； 故选B。 25．C A．由俯视图可知，一个钙离子形成键结合3个氯离子，同样一个氯离子形成键结合3个钙离子，则该二维晶体的化学式为CaCl，A错误； B．结合侧视图可知，Ca－Cl－Ca构成的为非平面六边形，其Ca－Cl－Ca的键角不是60°，B错误； C．由A分析可知，Can+、Cl-周围最近的离子数均为3，故配位数均为3，C正确； D．钙在氯气中燃烧生成氯化钙CaCl2，由A分析可知，不能得到该晶体，D错误； 故选C。 26．C A．组成元素中O、Al、Si、Pb均位于元素周期表的p区，但Fe位于d区，A错误； B．已知Si(s)和SiO2(s)均为原子晶体，且键长为：Si-Si键＞Si-O键，通常键长越短键能越大，即键能：Si-O键＞Si-Si键，键能越大，熔化需要的能量越高，其熔点越高，即二氧化硅的熔点高于晶体硅的熔点，B错误； C．已知Al是13号元素，其核外电子排布式为：1s22s22p33s23p1，故基态铝原子核外电子占据7各原子轨道，即有7种不同的空间运动状态，C正确； D．由原子手恒可知，Fe3Ox中x=4，设Fe3Ox中Fe(II)为a个，则有2a+3(3-a)=8，即得a=1，即设Fe3Ox中Fe(II)与Fe(III)的个数比为1：2，D错误； 故答案为：C。 27．D A．三聚氰胺中原子间的化学键只有共价键，其晶体的构成粒子为分子，晶体类型为分子晶体，A项正确； B．1个三聚氰胺分子中含6个N—Hσ键、9个碳氮σ键，1个三聚氰胺分子中15个σ键，1mol该分子中存在15molσ键，B项正确； C．该分子中存在N—H极性键和碳氮极性键，所有化学键均为极性键，C项正确； D．N原子的价电子排布式为2s22p3，该分子中—NH2中N原子采取sp3杂化，六元环上的N原子采取sp2杂化，六元环上的每个N原子通过2个杂化轨道与2个碳原子形成碳氮σ键、每个N上剩余的1个杂化轨道容纳1对孤电子对，六元环上的N原子未参与杂化的p轨道上的1个电子形成大π键，孤电子对不形成大π键，D项错误； 答案选D。 28．B A．当1 mol 完全转化为时，转移电子数为2×()mol，A错误； B．根据结构，体对角线的一维空间上会出现“ ”的排布规律，B正确； C．当完全转化为时，Li+、Zn2+转化为LiZn合金，生成1molLiZn转移3mol电子，每转移6 mol电子，生成2mol LiZn(合金相)，C错误； D．若的晶胞参数为a nm，将晶胞切三刀分为8个小立方体，则E在左后上立方体体心，则EF间的距离为nm=nm，D错误； 故选B。 29．B A．AlF3为离子晶体，其他三个为分子晶体，A正确； B．每个Al与周围的三个Cl共用一对电子，与另一个Cl形成配位键，故1molAl2Cl6中所含配位键数目为2NA，B错误； C．每个Al与周围的三个Cl共用一对电子，与另一个Cl形成配位键，均满足8电子结构，C正确； D．AlCl3熔点高于AlBr3原因是Cl的电负性大于Br，具有一定离子晶体特征，D正确； 故选B。 30．CD A．根据晶胞的结构可知氢化铝锂中含有离子键、Al和H形成的共价键以及中含有的配位键，A正确； B．价层电子对数为4+=4，且没有孤电子对，为正四面体结构，B正确； C．由方程式3LiAlH4=Li3AlH6+2Al+3H2↑可知，当氢化铝锂释放1mol氢气时，有的被还原，C错误； D．该晶胞的密度为，D错误； 故选CD。 31. D A．由晶胞图知，白球位于体心，晶胞中数目为1，黑球位于顶角、棱心、体内，六方晶胞上下表面中一个角60°， 一个角为120°，晶胞中数目为，结合题意知，白球为Sm、黑球为Co，该物质化学式为，A正确； B．体心原子位于晶胞的中心，其分数坐标为，B正确； C．每个晶胞中含有1个“”，晶胞底面为菱形，晶胞体积为，则晶体密度为，C正确； D．原子Q的分数坐标为，由体心原子向上底面作垂线，垂足为上底面面心，连接该面心与原子Q、体心与原子Q可得直角三角形，则原子Q到体心的距离，D错误； 故选D。 32.D A．根据题给晶胞结构，由均摊法可知，每个晶胞中含有个，含有个F-，故该铋氟化物的化学式为，故A正确； B．将晶胞均分为8个小立方体，由晶胞中MNPQ点的截面图可知，晶胞体内的8个F-位于8个小立方体的体心，以M为原点建立坐标系，令N的原子分数坐标为，与Q、M均在同一条棱上的F-的原子分数坐标为，则T的原子分数坐标为， S的原子分数坐标为，所以粒子S、T之间的距离为，故B正确； C．由A项分析可知，每个晶胞中有4个Bi3+、12个F-，晶胞体积为，则晶体密度为=，故C正确； D．以晶胞体心处铋离子为分析对象，距离其最近且等距的氟离子位于晶胞体内，为将晶胞均分为8个小立方体后，每个小立方体的体心的F-，即有8个，故D错误； 故答案为：D。 34．C 从图中可以看出，S2-位于晶胞的顶点和面心，Cd2+位于晶胞的体内。若把晶胞分为8个小立方体，则2号Cd2+位于右后下小立方体的体心，3号Cd2+位于左后上小立方体的体心。晶胞中，含S2-的数目为=4，含Cd2+的数目为4。 【详解】A．在晶胞中，我们选择2号Cd2+为研究对象，Cd2+位于4个S2-构成的小立方体的体心，则Cd2+的配位数为4，晶胞中Cd2+、S2-的个数比为1:1，则S的配位数也为4，A正确； B．3号Cd2+位于左后上小立方体的体心，1号原子的坐标为(0,0,0)，则3号原子的坐标为，B正确； C．2号Cd2+位于右后下小立方体的体心，3号Cd2+位于左后上小立方体的体心，二者位于与前后面平行的平面内，2号原子与3号原子的核间距为=，C错误； D．设NA为阿伏加德罗常数的值，该晶体的密度为=，D正确； 故选C。 35．B A．由题干晶胞结构可知，图甲中M点的原子坐标为，则N点的原子坐标为，A正确； B．由题干晶胞结构可知，Ce4+或Y3+在顶点和面心上，而O2-在体内面心和顶点形成的8个四面体上，故图乙中表示O2-的相对位置的是3，B错误； C．由题干晶胞示意图可知，CeO2晶胞中Ce4+与最近O2-的核间距为体对角线的，为apm，设晶胞的边长为x，则有=apm，解得CeO2晶胞参数即x为，C正确； D．由题干晶胞可知，一个晶胞含有Ce4+和Y3+的个数为：=4，O2-的个数为8，化学式中y=4，且该晶胞中O2-的填充率为=83.3%，D正确； 故答案为：B。 36．C A．Se电负性小于O，CdSe中离子键成分少于CdO，离子键百分数小，A正确； B．由晶胞可知，距离Cd原子最近且等距离的Se共有4个，则Cd原子配位数为4，B正确； C．由晶胞可知，原子形成的正四面体空隙中只有填入了原子，C错误； D．晶胞中Cd原子数，Se原子数为4，晶胞质量，体积，密度，D正确； 故选C。 37．B 晶胞中Na+个数为8，Se2−个数为，据此分析； A．晶胞中由构成的四面体“空穴”有8个，填充在8个四面体体心，填充率为，A错误； B．由晶胞结构可知，每个Na+周围紧邻且等距离的Se2−有4个，每个Se2−周围紧邻且等距离的Na+有8个，配位数是指一个离子周围紧邻的异号离子的数目，所以Na+的配位数为4，B正确； C．由晶胞结构可知，位于晶胞的顶点和面心，顶点和面心的距离最近。根据立体几何知识，面对角线长度为nm，2个Se2−最近距离为面对角线长度的一半，为，C错误； D．根据均摊法，晶胞中Na+个数为8，Se2−个数为，则晶胞质量，晶胞体积， 晶体密度，D错误； 故选B。 38．C A．根据化学式NiAs及晶胞中含有两个As可知，该晶胞中含有两个Ni原子，再结合题图乙得出晶胞的结构为，则As原子的配位数为6，故A正确； B．根据晶胞结构可知另一个As原子的坐标为，故B正确； C．结合晶胞的结构，可得，则Ni、As之间的最短距离为，故C错误； D．1个晶胞中有2个NiAs，一个晶胞的体积，得出，故D正确； 故答案为C。 39．D X元素原子中电子只有一种自旋状态,则X为H；Z元素是地壳中含量最高的元素，则Z为O；M元素基态原子核外电子总数是最外层电子数的3倍，则M为P；Y与M位于同一主族，则Y为N；Q元素基态原子只有一个不成对电子，且与M位于同一周期，则Q为Cl；R元素基态原子最外层只有一个电子，其次外层内的所有轨道的电子均成对，则R为Cu。 A．根据同周期从左到右电负性逐渐增大，同主族从上到下电负性逐渐减小，因此电负性：O＞N＞H，A正确； B．为，为，与杂化类型相同，且孤电子对相同时，中心原子电负性越大，键角越大，故键角：，B正确； C．为，为，它们的空间结构均为V形，C正确； D．Q和R形成晶胞为晶胞，该晶胞的质量为：，体积为：，故该晶体的密度为，D错误； 故选D。 40．D A．根据晶胞图可知，O原子有8个位于晶胞的上下棱心、有12个位于晶胞的面心，则O原子个数为：；Cu原子有8个位于晶胞的顶点、有1个位于晶胞的体心，则Cu原子个数为：；RE或Ce原子有8个位于晶胞的棱心、有2个位于晶胞的体心，则RE或Ce原子个数为：，则电子型铜氧化物化学式可表示为，A错误； B．对M原子与N原子作如图的辅助线，则M原子与N原子之间的距离为：，解得，B错误； C．电子型铜氧化物的密度为，C错误； D．该晶胞的四个立面相同，则图甲沿x轴或沿y轴的投影均能得到图乙，D正确； 故答案为：D。 41．B 晶胞中含有的个数为个，○的个数为8个，故表示，○表示，据此分析； A．由分析可知，表示，A正确； B．面心的最近的4个位于晶胞内部，则的配位数为8，B错误； C．与的最小间距为体对角线的，为，C正确； D．晶体中有4个，晶胞的质量为，体积为a3×10-30cm3，则晶体的密度为晶体的密度为，D正确； 故选B。 42．B A．由原子a的分数坐标和晶胞结构可知原子b的分数坐标为，A项正确； B．将晶胞从上下两面对角线方向切开得到的切面图为，B项错误； C．据晶胞中原子a、c的位置可知，a，c两个铜原子间的距离为晶胞面对角线的，即，C项正确； D．晶体中与最近且等距离的有4个，则与最近且等距离的有4个，D项正确； 答案选B。 43．C A．晶胞中碳原子分别位于顶点、面上和内部，数目为。金刚石晶胞中，由碳原子构成的四面体空隙中填充的原子为晶胞顶点和面心的碳原子。金刚石晶胞中该空隙填充的原子有4个，晶胞中由碳原子构成的四面体空隙中填充的原子占晶胞中原子数目的，A正确； B．若将晶胞均分为8个小立方体，图乙中2号位置对应的是位于晶胞中上层小立方体体心的碳原子的投影，对应的原子分数坐标为和，B正确； C．图乙中4、6号为晶胞下层体内碳原子沿面对角线的投影，3号为前面和左侧面的面心碳原子的投影，7号为后面和右侧面的面心碳原子的投影，C错误； D．图乙中的长度对应图甲中晶胞的面对角线长度，晶胞的边长为，则晶胞的体积为，每个金刚石晶胞含有碳原子数为8个，故金刚石晶体的密度为，D正确； 故答案选：C。 44．D A．图2中Fe原子分布在顶点和上下边，Mg原子分布在位置，则为MPQN截面图，故A正确； B．如图所示，晶胞中有8个Mg原子，Fe原子位于顶点、面心，晶胞中Fe原子数目，储氢后H原子以正八面体的配位模式有序分布在Fe原子的周围，则H原子数目为4×6=24个，储氢后晶体的化学式为Mg2FeH6，故B正确； C．储氢后H原子以正八面体的配位模式分布在Fe原子周围，若以Mg原子为坐标原点，H原子位于与镁原子相连的3个面的面心，与Mg最邻近的H有12个，故C正确； D．已知H原子构成正八面体、铁原子位于正八面体的体心，晶胞参数为a，H原子与Fe原子之间的最短距离为晶胞参数的，即H原子与Fe原子之间距离为，则两个H原子之间的最短距离为，故D错误； 故答案为D。 45．D A．的原子序数为，其基态原子核外电子排布式为，属于第四周期第族，位于元素周期表的区，A正确； B．由晶胞示意图可知，一个晶胞中含有个数为，个数为，含有为，个数为，苯环个数为，则该晶胞的化学式为，则，B正确； C．晶胞中每个原子均参与形成配位键，由晶胞图可知：，周围形成的配位键数目为；，周围形成的配位键数目为，则的配位数之比为，C正确； D．根据该晶胞的化学式为，其密度是：，D错误； 故选D。 46．B A．根据晶体结构图，晶体中O和H通过共价键和氢键形成12元环，故A正确； B．根据均摊原则，晶胞中水分子个数为 ，每个水分子与周围4个水分子形成氢键，平均每个水分子形成2个氢键，所以平均每个晶胞中含有8个氢键，故B错误； C．根据氧原子沿z轴方向的投影，可知b、c连线垂直于x y平面，则b、c的x轴、y轴坐标相同，c、d的z轴坐标相差，可知b离晶胞上表面的距离为，则b处氧原子的分数坐标为，故C正确； D．晶胞中水分子个数为4，该冰晶体的密度为 ，故D正确； 选B。 47．C A．一般来说，金属的第一电离能小于非金属，O是非金属性，第一电离能大于Ti和Ba，Ti位于第四周期 IVB 族，有4个电子层，Ba位于第六周期 IIA 族，有6个电子层，半径最大，第一电离能最小，则第一电离能：，A正确； B．由图可知，与O间的最短距离为面对角线的，为，B正确； C．以位于顶点的为研究对象，与紧邻的O位于相邻的3个面心，数目为3×8×=12个，C错误； D．由晶胞结构可知，和的最近距离为晶胞体对角线的，处于各顶角位置时，处于体心位置，D正确； 故选C。 48．D A．图1中K+周围的F-个数是K+的配位数，故K+的配位数为12，A正确； B．图1晶胞中含有1个K+、3个F-和1个Mg2+，原子的总质量为，晶胞的体积为，因此晶体的密度为，B正确； C．图1晶胞若以Mg2+作晶胞的顶点，则F-位于晶胞的棱心，C正确； D．图2中根据电荷守恒分析，在垂直的棱心处的4个K+只能被2个Eu2+取代，有两个空位，因此图2所表示物质的化学式为K2EuMg4F12，D错误； 故选D 49．A A．由晶胞结构可知，若位于顶点的镁原子的坐标为(1，0，0)，则位于小立方体体对角线上的1号硫原子和2号硫原子的坐标分别为和，故A正确； B．由晶胞结构可知，若以硫原子为顶点，构成的立方晶胞中硫原子的位置位于顶点和面心，所以距离硫原子最近的硫原子数目为12，故B错误； C．由晶胞结构可知，晶胞中二氧化碳的排列方式共有4种，分别是顶点上有1种、面心上有3种，故C错误； D．由图可知，六水硫酸亚铁中，具有空轨道的亚铁离子与水分子中具有孤对电子对的氧原子形成配位键，水分子的氢原子与硫酸根离子中的氧原子形成氢键，则水分子与阴、阳离子之间的作用力不同，故D错误； 答案选A。 50．D A．V是23号元素，基态V原子核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d34s2，含有电子的轨道数为13，原子核外电子的空间运动状态有13种，A正确； B．该晶胞中Cs原子位于顶点，由于晶胞参数为，且，晶体中与原子距离最近的原子有6个，位置为，B正确； C．该晶胞中Cs原子的个数为=1，V原子的个数为=3，Sb原子的个数为=5，该晶体的化学式为，C正确； D．该晶胞中Cs原子的个数为1，V原子的个数为3，Sb原子的个数为5，若该含钒超导材料的摩尔质量为，晶胞的体积为，则该晶体密度为，D错误； 故选D。 51．C A．一个晶胞中Ni个数为，As位于内部，有2个，故A正确； B．Ni、As配位数比为1：1，则Ni的配位数为6，故B正确； C．如图可知，该三棱柱底面为正三角形，晶胞底面夹角为60°和120°，(i)和(ii)两个Ni之间的距离为底边对角线长度，根据几何关系，(i)和(ii)两个Ni之间的距离为，故C错误； D．一个晶胞中Ni个数为，As有2个，则晶胞质量为，晶胞体积为，则晶胞密度为，故D正确； 故答案为C。 52．D A．由低温相可推得：晶胞中有4个，2个，1个，所以该物质的化学式为，A正确； B．低温相时，每个连有2个，1个，1个四面体空隙，配位数为3，B正确； C．低温相晶体中一共有8个四面体空隙，占据了3个，因此占据了37.5%的四面体空隙，C正确； D．高温相中2个，1个在四面体空隙中的位置不确定，但是比例是确定的，D错误； 故选D。 53．D A．晶胞A中Cu的个数是，O的个数是4，晶胞B中含有Cu的个数是，含有Fe的个数是4，O的个数是4，则整个晶胞中含有Cu：，Fe：，，则铁酸铜的化学式为，A错误； B．基态铁原子(Fe)的电子排布为 [Ar] 3d64s2，其价电子数为 8。基态铜原子(Cu)的电子排布为 [Ar] 3d104s1，其价电子数为11。因此，基态铁原子的价电子数比基态铜原子少，B错误； C．由晶胞结构可知，填充在围成的四面体空隙中，被周围的6个围成了正八面体，C错误； D．与距离最近且相等的的数目为6，分别位于上下、前后、左右，D正确； 故选D。 54．D A．由题干晶胞结构图可知，一个晶胞中含黑球个数为：=4，含有白球为8，故图中黑色球代表的是S2-，A错误；     B．由A项分析可知，S2-位于顶点和面心，以顶点硫离子为例，与其距离最近的硫离子位于面心，故距离S2-最近的S2-有12个，B错误； C．由题干晶胞结构图可知，S2-与Cu+的最近距离为体对角线的，即为，C错误； D．由A项分析可知，一个晶胞的质量为：g，晶胞参数为apm，一个晶胞的体积为：V=(a×10-10)3cm3，故晶胞的密度为，D正确； 故答案为：D。 55．C 在该晶胞中，8个Ga原子位于晶胞的顶点，6个Ga原子位于晶胞的面心，则Ga原子数为；4个As原子位于晶胞的体心，个数为4，则Ga原子和As原子数之比为，据此数据解答。 A．根据晶胞图可知，Ga原子的配位数为4，A错误； B．根据晶胞图可知，位于晶胞内的4个As原子围成的是正四面体结构，B错误； C．根据晶胞图，当原子的分数坐标为，原子的分数坐标为时，参照p和r的坐标数据，可得到q原子的分数坐标为，C正确； D．根据分析，每个晶胞含4个Ga和4个As，立方晶胞边长为，则晶体密度为，D错误； 故答案为：C。 56．C A．空间结构为正四面体形，的空间结构为三角锥形，A错误； B．根据图1，位于顶点和面心，晶胞中含有=4个，根据化学式[Mg(NH3)6](BH4)2，可知晶胞中有8个，晶体中由围成的正四面体空隙有8个，占用率为，B错误； C．、间存在离子键，和中存在共价键和配位键，C正确； D．晶体的密度为，D错误； 故选C。 57．D A．由晶胞结构可知，1个晶胞中，8个位于晶胞顶点，6个位于晶胞面心，则含有个数为，A正确； B．根据装置图可知，a极为负极，b极为正极，故放电时，a极电势比b极电势低，B正确； C．在放电时，正极反应为，C正确； D．充放电过程中正极材料立方晶胞内未标出因放电产生的0价原子，即充电时，从正极材料中脱出，不是晶胞中的被和替换，故充电时，每转移极质量减小，D错误； 故答案为：D。 58．D A．由图，晶胞体心原子距离最近的原子数有4个，O的配位数为4，A正确； B．与的最近距离为体对角线的，即，B正确； C．由m点的分数坐标为可知，n点在xyz轴投影坐标分别为、、，分数坐标为，C正确；   D．据“均摊法”，晶胞中含个O、4个Cu，则晶体密度为，D错误； 故选D。 59．D A．由晶胞结构可知，位于构成的正四面体空隙中，A错误； B．d点离子的分数坐标为，B错误； C．晶胞中含的个数为，含的个数为4，晶胞中含有4个，则晶胞密度为，C错误； D．晶胞中b点和d点的距离为晶胞面对角线长度的一半，为，D正确； 　故选D。 60．D A．在周期表中，同族元素位于同一分区，钴位于区，故铱位于区，A错误； B．观察晶胞图，灰球位于顶点和体内，黑球位于面上和体内，1个晶胞含2个灰球、4个黑球，所以，灰球代表铱离子，黑球代表氧离子，氧离子的配位数为3，铱离子的配位数为6，B错误； C．由B选项可知，灰球代表铱离子，位于顶点和体内，C错误； D．1个晶胞含2个，晶体密度，D正确； 故选D。 61．A A．观察晶胞可知，镓位于晶胞的顶点和面心，锑位于晶胞的体内，1个晶胞含个镓、4个锑，化学式为，故A正确； B．体对角线上镓原子与成键原子相切，镓原子半径为，故B错误； C．镓的配位数和锑的配位数相等，都为4，故C错误； D．1mol晶胞的体积，故D错误； 故答案为A。 62．C A．由图可知，Mg2+位于晶胞的体心，位于面心，位于六个构成的八面体空隙中，A正确； B．由图可知，因为是面心立方最密堆积方式，面对角线是半径的4倍，即，解得，B正确； C．根据图示，MgO晶胞中的个数为，的个数为，则晶体的密度为，C错误； D．MnO也属于NaCl型晶体结构，根据晶胞的结构，晶胞的棱长是，解得，D正确。 故选C。 63．D 该晶胞为立方晶胞，若按面对角线对晶胞进行垂直切割，所得的截面图为长方形，Ni2+在晶胞中位于棱心和体心，则在截面图中，截面图的中心为Ni2+，故选D 真题演练 64.D　[反应2LiH+C+N2Li2CN2+H2中，LiH中H元素由-1价升高到0价，C元素由0价升高到+4价，N元素由0价降低到-3价，还原剂是LiH和C，A正确；Li+位于晶胞中的面上，晶胞中含有的Li+个数为8×=4，B正确；以位于体心的为标准，与它最近且距离相等的Li+有8个，C正确；的中心原子C原子的价层电子对数为2+×(4+2-3×2)=2，C原子为sp杂化，或与CO2互为等电子体，可知为直线形分子，D错误。] 65.C　 24K金的质量分数为100%，则18K金的质量分数为×100%=75%，Ⅰ中Au和Cu原子个 数比为1∶1，则Au的质量分数为×100%≈75%，A正确；Ⅱ中Au处于立方体的八个顶角，则Au的配位数为12，B正确；设Ⅲ的晶胞参数为a，Au-Cu的核间距为a，Au-Au的最小核间距也为 a，最小核间距Au-Cu=Au-Au，C错误；Ⅰ中，Au处于内部，Cu处于晶胞的八个顶角，其原子个数比为1∶1，Ⅱ中，Au处于立方体的八个顶角，Cu 处于面心，其原子个数比为(8×)∶(6×)=1∶3，Ⅲ中，Au处于立方体的面心，Cu处于顶角，其原子个数比为(6×)∶(8×)=3∶1，D正确。] 66.D　 由题干配合物[MA2L2]的分子结构示意图可知，中心原子M周围形成了4个配位键，故中心原子M的配位数是4，A正确；由题干图示晶胞结构可知，晶胞中配合物分子的数目为8×+2×=2，B正确；该晶体为由分子组成的分子晶体，故晶体中相邻分子间存在范德华力，C正确。 67.D　 活泼金属的电负性小于活泼非金属，Mg的电负性小于Cl，A正确；金属晶体包括金属单质及合金，B正确；由图甲知，该晶体结构中存在层状结构，层与层之间存在范德华力，C正确；由图乙中结构可知，每个Mg2+与周围6个Cl-最近且距离相等，Mg2+的配位数为6，D错误 68.B　 由均摊法得，结构1中含有Co的数目为4+4×=4.5，含有S的数目为1+12×=4，Co与S的原子个数比为9∶8，因此结构1的化学式为Co9S8，故A正确；由图可知，晶胞2中S与S的最短距离为面对角线的，晶胞边长为a，即S与S的最短距离为a，故B错误；如图：，以图中的Li为例，与其最近的S共4个，故C正确；如图，当两个晶胞2放在一起时，图中灰框截取的部分就是晶胞3，晶胞2和晶胞3表示同一晶体，故D正确。 模拟预测 69.D　 由晶胞的结构可知Pb的个数为8×=1，Cs的个数为1，F的个数为12×=3，化学式为CsPbF3，故B正确；Pb化合价为+2价，K化合价为+1价，在Pb位点掺杂K，阳离子所带电荷减少，使得F位点会出现空缺，故C正确；随掺杂K含量的增加，若F位点空缺过多，可迁移的F-变少，离子传输效率降低，故D错误。 70.C　 Ni为第28号元素，位于元素周期表的第Ⅷ族，为d区元素，A错误；由结构图可知NiO晶体中每个O2-周围与它距离相等且最近的O2-有12个，B错误；NiO晶体中与一个Ni2+距离相等且最近的O2-构成的空间几何形状为正八面体，D错误。 71.C　 电负性：Cl>Br>I，电负性差值越大，离子键的百分数越大，A正确；左侧图中有四个重复单元，每个单元内含2个铬原子，卤素原子数目为8×+2=6，则n=3；右侧图中1个单元含有1个铬原子，氧原子数目为2×+2=3，m=3，B正确；CrXn中X的化合价为-1价，生成1 mol X—X转移2 mol电子，C错误；CrXn阳离子相同，阴离子半径越小，离子键越强，熔点越高，D正确。 71.D　 γ-AgI中I-的数目为6×+8×=4，结合化学式，含有4个AgI，α-AgI中I-的数目为1+8×=2， 结合化学式，含有2个AgI，晶胞的质量之比为2∶1，A正确；两者结构不同，可用X射 线衍射实验区分γ-AgI和α-AgI晶体，B正确；γ-AgI晶胞中，晶胞顶角和面心位置的I-距离最近，因此与I-等距离且最近的I-有12个，α-AgI中晶胞体心和顶角位置的I-距离最近，因此与I-等距离且最近的I-个数为8个，γ-AgI与α-AgI中与I-等距离且最近的I-个数比为3∶2，C正确；支管a中Ag电极为阳极，银失去电子生成银离子，因支管a中AgI质量不变，则Ag+通过AgI固体离子导体移向支管b，然后在b得到电子生成银，故导电离子为Ag+，D错误。 72.C　 由晶胞结构图可知，一个晶胞中，O的个数为8×+1=2，Cu的个数为4，则化学式为Cu2O，故A错误；由晶胞结构图可知，O2-的配位数为4，又阴、阳离子的配位数之比与其个数成反比，故阳离子的配位数为2，故B错误；由A项分析知，一个晶胞中含有2个Cu2O，该物质的密度为 g·cm-3=g·cm-3，故C正确；当电子位于同一能级的不同轨道时，优先单独占据一个轨道且自旋方向相同，该轨道表示式违反了洪特规则，故D错误 74.C　 FeS2的电子式为，存在离子键、非极性共价键，A正确；中S的价层电子对数为4，孤电子对数为1，则其空间结构为三角锥形，B正确；SO2有还原性，可以使酸性高锰酸钾溶液褪色，C错误；晶胞中Fe2+位于所形成的正八面体的体心，该正八面体的边为两个面心相连，其距离为nm，D正确 75.C　 晶胞中Ga与周围等距且最近的As形成的空间结构为正四面体结构，所以 Ga的配位数为4，A错误；该晶胞沿z轴方向的平面投影为，B错误；该晶胞中，每个As形成3个共价键和1个配位键，则该晶胞中普通共价键有12个，配位键有4个，共价键总数为16个，所以晶体中配位键占共价键总数的25%，C正确；晶胞中砷原子与镓原子间的最短距离为体对角线长的，即a pm，D错误 75.B .中中心原子Al价层电子对数为4+×(4-4×1)=4，杂化轨道数为4，Al的杂化方式为sp3杂化，A正确；观察体心的，可以看出与紧邻且等距的Na+有8个，B项错误；Na+个数为6×+4×=4，Na+个数与个数相等，晶胞质量为 g，晶胞体积为×2a×10-7 cm-3=2a3×10-21 cm-3，则晶胞密度为 g·cm-3，C正确；若NaAlH4晶胞上下面心处的Na+被Li+取代，晶胞中Li+个数为2×=1，得到的晶体的化学式为Na3Li，D正确 77．B A．中形成4个键，无孤电子对，为杂化，A正确； B．晶体中，C原子与C原子的最短距离为晶胞面对角线长度的，即，B错误； C．晶体中，与每个C原子距离最近且相等的原子有4个，与每个Si原子距离最近且相等的原子有4个，即二者配位数均为4，C正确； D．晶体中，C原子个数为4，Si原子个数为，根据晶胞密度计算公式： ，D正确； 答案选B。 78．C A．As原子在顶点处和面心，以一个位于顶点的As原子观察，一个晶胞中与该As原子等距离且最近的As原子位于面心，共有3个As原子，因此每个As原子周围等距离且最近的As原子有个，故A正确； B．IIIA-VA族化合物在光电领域具有重要应用，砷化镓晶胞具有空间网状结构，与金刚石晶胞相似，因此晶体类型为共价晶体，故B正确； C．Ga位于晶胞内，Ga原子间的最短距离为面对角线的，晶胞边长为apm，则晶胞中Ga和Ga之间的最短距离为，故C错误； D．根据晶胞的结构，As原子在顶点处和面心，个数为：，Ga在体心，个数为4，所以1个晶胞中含有4个GaAs，则晶体密度为，故D正确； 故答案选C。 79．C A．根据分析可知，晶体中Pb与S个数比为1：1，A正确； B．Pb在面心和顶点，Pb为面心立方最密堆积，所以晶胞中与Pb最近且等距离的Pb有12个，B正确； C．S与S之间的最短距离为面对角线的一半，所以S原子之间的最短距离为，C错误； D．晶胞的密度为g⋅cm−3，D正确； 故选C。 80．D A．根据晶胞中各原子位置可知晶胞中N含有1个，Fe有4个，故该氮化铁的化学式为Fe4N，A正确； B．由图知，该晶胞中距离铁原子最近且距离相等的铁原子数目为12，B正确； C．若以N原子为晶胞的八个顶角，则铁原子的位置为棱心和体心，C正确； D．晶胞中两个铁原子的最短间距为晶胞棱长的倍，则其距离为，D错误； 故选D。 81．A A．根据“均摊法”， 晶胞中白色球、黑色球的个数分别为、，则晶胞中阴、阳离子的个数都为4，A正确； B．两个距离最近的同种离子的核间距为晶胞面对角线长度的一半，所以晶体中两个距离最近的同种离子的核间距为，B错误； C．由晶胞的结构可知，阴、阳离子的配位数都是6，C错误； D．在这个晶胞中阴、阳离子的个数都为4，阴、阳离子的配位数都为6，符合NaCl的晶胞特点，CsCl晶体的晶胞为，D错误； 故选A。 82．B A．晶胞中Cl原子位于面心， Cs与Cl之间的最短距离小于 Pb与 Cl之间的最短距离，面心到顶角的距离大于面心到体心的距离，因此Pb位于顶点处，A正确； B．中 Pb的价层电子对为5，不是sp3杂化，B错误； C．在CsCl晶胞中，Cs位于体心，与其最近的Cl有8个，在晶胞中Cs也位于体心，与其最近的Cl原子有6个，因此晶胞中一个 Cs周围与其最近的 Cl的个数： ，C正确； D．晶胞中，含有一个Cs原子，一个Pb原子和3个Cl原子，晶胞的质量为g，晶胞的体积为c3×10-30cm3，晶体的密度为 ，D正确； 答案选B。 83．A A．由晶胞结构图可知，距离最近且等距的数为6，故A正确； B．1号原子的分数坐标为，2号原子的分数坐标为，结合坐标系，可以判断3号原子的分数坐标为，故B错误； C．6个围成的空隙为正八面体，填充在围成的正八面体中心，故C错误； D．根据晶胞的结构图，晶胞中含有的个数为=4，个数为=4，即含有4个MnS，晶体的密度==，故D错误； 答案选A。 84．D A．根据晶胞的组成，可算出晶胞中个数为个数为和个数为，所以当计取1时，x、y分别为2和4，A正确； B．图甲中箭头所指的B单元中离标★的位置距离最远的锰离子(或)如图所示，原子分数坐标为，B正确； C．晶胞的“化学式”为，根据一个晶胞含8个，其晶体的密度表达式为，C正确； D．图A中位于体心的计与的距离为，D错误； 故选D。 85．D A．根据晶胞示意图可知，1个晶胞中含有4个Cu，Cl个数为，Cu和Cl的个数比为，故该晶胞为，A正确； B．D与C的连线处于晶胞体对角线上，且DC长度等于体对角线长度的，D在底面投影处于面对角线AC上，则D到底面(即坐标系xOy面)的距离等于晶胞棱长的，即参数，D到左侧平面(即坐标系yOz面)的距离等于晶胞棱长的，即参数，D到前平面(即坐标系yOz面)的距离等于晶胞棱长的，即参数，故D的坐标参数为，B正确； C．和一个Cu直接相邻且距离相等的Cl有4个，所以晶胞中Cu的配位数是4，由于晶胞中Cu和Cl微粒数之比为，所以Cl的配位数也为4，C正确； D．晶胞中C，D两原子核间距为298pm，则晶胞体对角线长度为，晶胞体对角线长度等于晶胞棱长的倍，晶胞质量，晶体密度为，D错误； 故选D。 86．C A．根据均摊法可知，晶胞中白球和黑球的数目均为4，故化学式为CuBr，且溴化亚铜为离子晶体，A项错误； B．由图可知，晶胞平移后，溴位于晶胞顶角，其周围最近且距离相等的溴位于面心，有12个，B项错误； C．晶胞的质量为，设晶胞参数为a cm，则晶体的密度为，，Cu与Br之间的最短距离为体对角线长的，即Cu与Br之间的最短距离为，C项正确； D．该晶胞沿z轴方向上的投影图为，D项错误； 答案选C。 87．B A．第IB和IIB族为ds区，Ag与Cu位于同一族，属于第IB族，所以属于ds区，A错误； B．由图2可知，填充在晶胞平分切割成的8个小立方体的体心且交错分布在其中4个小立方体的体心，则填充在构成的正四面体空隙中，B正确； B．由图1可知，与等距离且最近的有12个，C错误； D．由图1可知，晶胞中两个最近的之间的距离为面对角线的，即，D错误； 故选B。 88．B A．硼元素的原子序数为5，价电子排布式为2s22p3，轨道表示式为，故A正确； B．磷原子的电子层数大于硼原子，原子半径大于硼原子，则晶胞中黑球代表磷原子、白球代表硼原子，由晶胞结构可知，晶胞中位于体内的硼原子与4个磷原子距离最近，则硼原子的配位数为4，由化学式可知，磷原子的配位数也为4，故B错误； C．磷原子的电子层数大于硼原子，原子半径大于硼原子，则晶胞中黑球代表磷原子、白球代表硼原子，由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点和面心的磷原子个数为8×+6×=4，位于体内的硼原子个数为4，故C正确； D．磷原子的电子层数大于硼原子，原子半径大于硼原子，则晶胞中黑球代表磷原子、白球代表硼原子，由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点和面心的磷原子个数为8×+6×=4，位于体内的硼原子个数为4，设晶体的密度为dg/cm3，由晶胞的质量公式可得：=(10—10 a)3d，解得d=，故D正确； 故选B。 89．C A．图1中以顶点K+为例，晶胞中与之距离最近且相等的F-位于3个面的面心，顶点在8个晶胞中，面上原子被2个晶胞共有，所以周围紧邻且距离相等的共有个，距离为面对角线的，故A项错误； B．图1晶胞若以Mg2+作为晶胞的顶点，则K+位于晶胞的体心，故B项错误； C．图2中根据电荷守恒分析，在垂直的棱心处的4个K+只能被2个Eu2+取代，有两个空位，K+数目为个，Eu2+数目为个，Mg2+数目为个，F-数目为个，因此图2所表示物质的化学式为K2EuMg4F12，故C项正确； D．由晶胞可知，K+数目为个，Eu2+数目为个，Mg2+数目为个，F-数目为个，则晶胞的总质量为：，晶胞的体积为：，因此晶体的密度为：，故D项错误； 故本题选C。 90．D A．N、B为p区元素，Ca为s区元素，故A项正确； B．由均推法可知，晶胞中Ca的数目为，N的数目为，B的数目为，则该含钙化合物的化学式为，故B项正确； C．图丙中，Ca位于正方体顶点，N位于正方体中心，故Ca与N的距离为正方形对角线的一半：，故C项正确； D．的摩尔质量为，阿伏加德罗常数的值是，晶胞体积为，则晶体的密度，故D项错误； 故本题选D。 91．A A．晶胞中个数为，个数为，晶体的密度，A错误； B．因金属只有正价，则中氢元素显价，B正确； C．若晶胞上下面心处的被取代，晶胞中个数为，个数为，个数为得到的晶体的化学式为，C正确； D．中中心原子Al的价层电子对数为，中心原子Al的杂化方式为杂化，D正确； 故选A。 92．B A．由题可知，普鲁士蓝中含有K+，所以是离子化合物，构成的晶体均为离子晶体，A正确； B．其晶胞由8个如图所示的小立方体构成(K+未标出)，晶胞参数为2apm；根据“均摊法”，晶胞中含个Fe2+、个Fe3+、个CN-，结合化合价可知，还存在4个K+，则晶体密度为，B错误； C．晶体与非晶体的最可靠的科学方法是X射线衍射法，C正确； D．普鲁士蓝中含有K+，则含有离子键；存在碳氮等共价键，铁离子、亚铁离子和氰根间存在配位键，D正确； 故选B。 93．D A．C处S原子坐标为，A错误； B．该晶胞中，Cu原子个数为，In原子个数为，S原子都在晶胞内，S原子个数为8，晶体的化学式为，故中的，B错误； C．晶体中，每个D处Cu原子周围紧邻且距离相等的Cu原子共有4个，C错误； D．该晶胞的体积为，晶体的密度，D正确； 故选D。 94．D A．Ⅰ型立体结构中Co位于顶点和体心，原子数是4×+1；O位于晶胞内，原子数是4；Ⅱ型小立方体中Co位于顶点，原子数是4×；O位于晶胞内，原子数是4；Al位于晶胞内，原子数是4；该立方晶胞由4个Ⅰ型和4个Ⅱ型小立方体构成，所以1个晶胞含有Co原子数是8、O原子数是32、Al原子数是16，钴蓝晶体中三种原子个数比N(Co)：N(Al)：N(O)=8：16：32= 1:2:4，故A正确； B．由图可知，原子间最短的距离为面对角线的一半，则该距离为：，故B正确； C．根据晶胞中Ⅰ型立体结构、Ⅱ型小立方体关系，图2中Ⅰ型小立方体位于图2中上层ac对角线的位置、下层f位置，故分别是a、c、f，故C正确； D．由A分析可知，图2所示晶胞质量为，晶胞体积为，所以密度为，故D错误； 故答案选D。 95．B A．由晶胞图知，以位于体心的S原子为研究对象，S原子周围距离最近的Hg原子有4个，则S的配位数是4，A正确； B．由A原子的分数坐标为(0，0，0)，结合投影图知，晶胞中B原子分数坐标为，B错误； C．由晶胞图可知，含S原子=4×1=4个，Hg原子位于8个顶角和6个面心，共含Hg原子数=6×+8×=4，故该晶体的密度是ρ= ，C正确； D．由晶胞结构可知，相邻两个Hg的最短距离面对角线的一半，为nm，D正确； 故选B。 96．B A．在胆矾示意图中，存在配位键、共价键和离子键等化学键，虽然也存在氢键，但氢键不属于化学键，故A错误； B．电负性与得电子能力大小成正比，与非金属性一致，可知从大到小的顺序为，故B正确； C．胆矾中铜的配位数为4，铜晶胞中铜的配位数为12，不相同，故C错误； D．铜晶胞的密度，故D错误； 答案选B。 97.D A．在晶胞中，Fe原子位于顶点和面心，个数为：8×+6×=4，Mg原子在晶胞内，个数为8，Mg：Fe=4：8=1：2，铁镁合金的化学式为Mg2Fe，A错误； B．由题干晶胞示意图可知，Fe原子与最近的Mg原子的距离是晶胞的体对角线的，即，B错误； C．晶胞中Mg原子为8，若该晶体储氢时，H2填充在Fe原子组成的八面体空隙中心位置，相当于H2分子位于体心和棱心上，则H2为1+12×=4，96gMg物质的量为4mol，储存的H2物质的量为2mol，在标准状况下，体积为2mol×22.4L/mol=44.8L，C错误；b D．由A项分析可知，晶胞质量为，晶胞体积为（d×10-7）3cm3，该合金的密度ρ===，D正确； 故答案为：D。 98．D A．题图a晶胞中含有的Au原子的数目为，Cu原子的数目为，则题图a中晶胞的化学式为Cu3Au，根据，可得，A错误； B．题图b晶胞中含有的Au原子的数目为，Cu原子的数目为，原子个数之比为，则题图b晶胞的化学式为CuAu，B错误； C．题图a中与Cu距离最近且相等的Au的数目为4，题图b中与Cu距离最近且相等的Au的数目为8，C错误； D．题图b晶体的密度，D正确； 故答案为：D。 99．C A．由题图可知，晶胞中含个Ti，A正确； B．由题给钛晶体为密堆积和晶胞图可知，钛原子的配位数为12，B正确； C．由题图可知，晶胞内的Ti原子不位于体心，则沿z轴的投影图应为，C错误； D．晶胞中四个相邻的Ti形成正四面体，为正四面体顶点到底面的距离，可得如图：，由几何关系可算得：，D正确； 故选C。 100．D A．一个周围等距离且最近的有4个，所以的配位数为4，故A正确； B．根据1号原子的坐标为和3号原子的坐标为，可知2号原子的坐标为，故B正确； C．与之间最近的距离为晶胞体对角线的四分之一，故为，故C正确； D．晶胞中位于顶点和面心，个数为：，位于体内有4个，所以晶体的密度为，故D错误； 故选：D。 101．C A．原子1的分数坐标是，原子4则位于晶胞的右前上方的体内，分数坐标为，故A错误； B．由图1可知，体内的为N，N周围相连的Ga原子有4个，配位数为4，故B错误； C．原子2分数坐标为，原子5的分数坐标为，即2和5原子的距离为体对角线的，故两者的距离为，故C正确； D．Ga位于N原子形成的四面体空隙中，故D错误。 答案选C。 102．D A．S为16号元素，基态原子的价电子排布为，核外未成对电子数为2，A错误； B．由P原子的分数坐标为，结合投影图知，晶胞中M原子的分数坐标为，B错误； C．由晶胞图知，位于顶点和面心，共有个，S位于晶胞体内，共有4个，则晶体密度为，C错误； D．由晶胞图知，S与之间的最短距离为体对角线的四分之一，即为，D正确； 故答案：D。 103．D A．由晶胞结构可知，晶胞中位于体内的锌原子个数为4，位于顶点和面心的硒原子个数为8×+6×=4，设晶体的密度为dg/cm3，由晶胞的质量公式可得：=(10—10 a)3d，解得d=，故A正确； B．由晶胞结构可知，晶胞中与锌原子距离最近的硒原子个数为4，则锌原子的配位数为4，由硒化锌的化学式为ZnSe可知，硒原子的配位数也为4，故B正确； C．由位于顶点的A、C的分数坐标为、可知，晶胞的边长为1，则位于体对角线处B的分数坐标为，故C正确； D．若把图I所示的晶胞切分为八个小正方体，距离最近的两个锌原子在同一层对角相邻的两个小正方体的中心，其距离为晶胞每个面对角线的，则最近的两个锌原子的距离为，故D错误； 故选D。 104．D A．中，C原子孤电子对数，连接原子数为3，价层电子对数为3，的空间结构为平面三角形，A正确； B．该晶体中，与之间的作用力为离子键，为平面结构，存在大π键，B正确； C．，则，方解石的化学式为CaCO3，C正确； D．晶胞的质量，晶胞体积，晶体密度，D错误； 故选：D。 105．D 在晶胞中，含Fe2+的数目为=4，含的数目为=4，则硫化物的化学式为FeS2。 A．晶胞中，体心Fe2+周围距离最近且相等的(上下左右前后的面心)有6个，则Fe2+的配位数为6，A正确； B．由分析可知，硫化物的化学式为FeS2，则在中，(+2)+(-x)=0，，B正确； C．在晶胞中，ed间的距离为pm，df间的距离为pm，则ef的距离为pm=，C正确； D．该晶体的密度为=，D不正确； 故选D。 106．B A．顶点上的与3个面心上的最近，顶点上的被八个晶胞共用，每个晶胞有三个面心上的与顶点上的最近，面心上的被两个晶胞共用，所以与最近的为有3×8÷2=12个，故A正确； B．若以为顶点重新取晶胞，根据晶胞均摊锌一个晶胞中个数8×1/8=1个，若位于晶胞的面心和体心个数为6×1/2+1=4，和个数比不是1：1，故B错误； C．晶胞内部下方的两个距离最近，是晶胞下表面对角线的1/2，根据晶胞均摊计算可得，该晶胞含有8×1/8+6×1/2=4个，晶胞的边长为，晶胞下表面对角线为，下方的两个距离最近，故C正确； D．a点的坐标为，b点在一个顶点三个面心上构成的四面体中心，的b点在x轴的1/4处，在y轴的3/4处，z轴的3/4处，b的分数坐标为，故D正确； 故选：B。 107．C A．元素非金属性越强，电负性越大，N的电负性大于B，故A错误； B．由均推法可知，晶胞中Ca的数目为，N的数目为，B的数目为，则该含钙化合物的化学式为，故B错误； C．的摩尔质量为M，阿伏加德罗常数的值是，晶胞体积为，则晶体的密度，故C正确； D．图丙中，Ca位于正方形顶点，N位于正方形中心，故Ca与N的距离为正方形对角线的一半：，故D错误； 故选C。 108．D A．As为33号元素，原子核外有33个电子，核外电子排布式为，因此有3个未成对电子，A正确； B．根据均摊法，晶胞中Ga原子的个数为4，As原子的个数为，所以化学式为GaAs，B正确； C．砷化镓晶胞中与镓原子最近的As原子个数是4个，则配位数为4，C正确； D．假设晶胞参数为apm，由晶胞结构可知，晶胞中x与y原子的最近距离为体对角线的，则最近距离为，晶胞中As和Ga的原子个数均是4个，则砷化镓的密度则，代入可得距离为，D错误； 故选D。 109．C A．Zn的原子序数为30，基态Zn原子的核外电子排布式为[Ar]3d104s2，A正确； B．由图甲可知Se位于晶胞的顶点和面心上，故晶体中每个Se周围紧邻且距离相等(即最近)的Se共有12个，B正确； C．根据晶胞结构示意图和俯视图可知，若将该晶胞均分为8个小立方体，则d点位于晶胞的右下后方小立方体的体心，结合a点的坐标可知，d点的坐标为()，C错误； D．根据图乙可知，晶体中相邻两个Zn原子间的最短距离为面对角线长度的一半，即，D正确； 答案选C。 110．A A．金属铜为面心立方最密堆积，1号原子处于晶体对角的两个顶角，分数坐标为，A正确； B．2号原子处于晶体的面中心，不是棱中心，B错误； C．1、2号原子的距离为面对角线的一半，即，C错误； D．晶胞所含铜原子数为4，晶体密度=，D错误； 答案选A。 111．C A．根据均摊法可知，晶胞中白球和黑球的数目均为4，故化学式为CuBr，且溴化亚铜为离子晶体，A项错误； B．由图可知，晶胞平移后，溴位于晶胞顶角，其周围最近且距离相等的溴位于面心，有12个，B项错误； C．晶胞的质量为，设晶胞参数为a cm，则晶体的密度为，，Cu与Br之间的最短距离为体对角线长的，即Cu与Br之间的最短距离为，C项正确； D．该晶胞沿z轴方向上的投影图为，D项错误； 答案选C。 112.D \根据晶胞结构图可知，晶胞中Ti4+位于正方体中心，故每个晶胞中Ti4+个数为1个，Ba2+位于正方体8个顶点，故每个晶胞Ba2+个数为，O2-位于6个面心，每个晶胞中O2-个数为，故钡钛矿每个晶胞中Ba2+、Ti4+、O2-个数比为1∶1∶3，化学式可简写为BaTiO3，其摩尔质量M=233g/mol，晶体的密度为g/cm3，体积V=cm3，其晶胞边长为，据此解答。 A．O2-位于6个面心正好可围成正八面体，Ti4+位于体心，则Ti4+位于O2-围成的正八面体的中心，A正确； B．Ba2+位于正方体8个顶点，O2-位于6个面心，一个Ba2+周围等距的O2-共计个，B正确； C．O2-位于正方体6个面的面心，故两个O2-的最短距离为，即，C正确； D．Ba2+位于正方体顶点，Ti4+位于体心，则Ba2+与Ti4+的最短距离为，即=，D错误； 故选D。 113．D A．根据均摊法可知每个晶胞中含Au原子个数为，A错误； B．以面心原子为观察对象，距离其最近且等距的Au原子位于顶点和面心，共12个，则Au原子的配位数为12，B错误； C．立方晶胞中，位于面对角线上的3个原子相切，2个原子的最近距离为，C错误； D．由晶胞的结构可知Au位于顶点和面心，个数为，晶胞的质量为，体积为a3×10-21cm3，晶胞密度为：，D正确； 故选：D。 114．D A．据图分析，O2-的配位数为4，根据CeO2的化学式可知Ce4+的配位数为8，故A错误； B．由晶胞结构示意图可知，CeO2晶胞中两个Ce4+间的最小距离应为面对角线的二分之一，由此可得晶胞参数为apm，Ce4+与O2-的最小核间距离为晶胞体对角线长的，即为pm，B错误； C．根据晶胞中N点的位置可以看出，N点原子的分数坐标为(，，)，C错误； D．氧化铈(CeO2)晶胞中掺杂Y2O3，Y3+占据原来Ce4+的位置，未掺杂之前，每个晶胞中有4个Ce，8个O，若掺杂Y2O3后得到n(CeO2)：n(Y2O3)=3：1的晶体，每个晶胞中Ce和Y共4个时，分别含有2.4个Ce4+和1.6个Y3+，则含有2.4×2+0.8×3=7.2个O2-，则此晶体中O2-的空缺率为×100%=10%，D正确； 选D 115．B A．根据磷化硼的晶胞结构图可知，每个B原子与4个P原子形成4个共价键，故晶胞结构中，硼原子的配位数为4，A项正确； B．磷化硼是一种半导体材料，其晶体的微观空间里没有分子，不是分子晶体，而是共价晶体，B项错误； C．晶胞中P原子和B原子之间最短的距离为体对角线长度的，而体对角线长度等于晶胞棱长的倍，则P原子与B原子的最短距离为nm，C项正确； D．根据磷化硼的晶胞结构图可知，该晶胞中B原子位于立方体内，个数为4，P原子位于顶点和面心，个数为8×+6×=4，则磷化硼的化学式为BP，晶胞质量为g，晶胞体积为(a×10-7)3cm3，晶胞密度g·cm-3，D项正确； 答案选B。 116．D A．与Ga原子直接连接的As原子有4个，这四个As原子构成的几何形状为正四面体形，A正确； B．在GaAs晶体中，砷原子提供孤对电子，镓原子提供空轨道，两者形成配位键，1个GaAs中配位键数目为l，则1 molGaAs中配位键的数目是NA，B正确； C．由砷化镓晶胞结构可知：Ga和As的最近距离为晶胞体对角线长度的，假设晶胞边长为L，则晶胞体对角线为L，若Ga-As键的键长为a pm，则=a pm，所以晶胞边长为L=，C正确； D．由图乙可知：掺杂Mn之后，1个晶胞中Mn的数目为：l×+l×=，含有的As的数目是4个，故稀磁性半导体材料中，Mn、As的原子个数比为：4=5：32。D错误； 故合理选项是D。 117．B A．由均摊法得，结构1中含有Co的数目为，含有S的数目为，Co与S的原子个数比为9：8，因此结构1的化学式为Co9S8，故A正确； B．由图可知，晶胞2中S与S的最短距离为面对角线的，晶胞边长为a，即S与S的最短距离为：，故B错误； C．如图：，以图中的Li为例，与其最近的S共4个，故C正确； D．如图，当2个晶胞2放在一起时，图中红框截取的部分就是晶胞3，晶胞2和晶胞3表示同一晶体，故D正确； 故选B。 118．D A．根据理想晶胞图，与距离最近且相等的O2-数为8，的配位数为8，故A正确； B．根据均摊原则，理想晶胞中含有个数为 、O2-个数为8，若理想晶胞边长为，则晶体密度为，故B正确； C．中和个数分别为x和8-x，则4x+3(8-x)=30，x=6，和个数比为，故C正确； D．根据Ce元素守恒8~，生成1mol提供1molO原子，氧化为，每氧化标准状况下气体，需要0.5molO原子，所以生成0.5mol，故D错误； 选D。 119．D A．由图2可知，4个距离最近的钾离子形成的结构棱形，则图1晶胞不是一个立方体，故A错误； B．由图可知，晶胞中位于顶点的钾离子个数为8×=1，位于体内的碳原子个数为8，则负极材料的组成为KC8，故B错误； C．由晶胞结构和图2可知，则晶体中与钾离子紧邻的碳原子的数目为12，故C错误； D．晶胞底面棱长为d、碳碳键长为a，由图可知，棱形的夹角为60º、面对角线为4a，则d=4a×=a，故D正确； 故选D。 120 ．C A．Mn的原子序数为25，为四周期VIIB族元素，位于元素周期表d区，A错误； B．图1晶胞参数为a pm，晶胞中Zn个数为，As个数为4，Li个数为，晶胞的密度为，B错误； C．图2晶胞中Mn和Zn原子的个数分别为、4-，则图2晶体中和原子个数最简比为，C正确； D．图1中A位于体心，若图1中A分数坐标为，B位于体对角线，则B的分数坐标为，D错误； 故答案为：C。 121．C A．由晶胞的结构可知，灰色圆球为O，O原子的个数为，白色圆球为Cu，Cu原子的个数为4，由图可知Cu2O晶胞中Cu的配位数为2，A项正确； B．由晶胞的结构可知d点为Cu，Cu与距离最近的O将体对角线分为4份，由此可知，d的原子坐标为，B项正确； C．根据题干信息可知，[Cu(NH3)4]2+为平面正方形结构，则Cu2+采用的是sp2杂化，C项错误； D．晶胞的体积为Vcm3，由晶胞的质量公式可得：，解得，晶胞中铜原子和氧原子的体积之和为，则晶胞中原子的空间利用率为，D项正确； 答案选C。 122．D A．砷化镓是一种重要的半导体材料，熔点为，熔沸点较高，为共价晶体，A错误； B．由图可知，该晶胞中Ga原子位于顶角和面心，Ga的原子个数为，As位于体内，个数为4，化学式为GaAs，则距离砷原子最近的砷原子数等同于距离镓原子最近的镓原子数，镓原子位于顶角和面心，距离镓原子最近的镓原子数为12，距离砷原子最近的砷原子数为12，故B错误； C．体对角线上的2个Ga原子、2个As原子共线，且Ga、As原子之间的距离最短，该晶胞的体对角线长度为，则Ga原子与As原子的最短距离为，C错误； D．由图可知，面心上的Ga原子与上下两层体内的As等距且最近，形成的空间构型为正四面体，D正确； 答案选D。 123 ．D 根据晶胞结构图可知，晶胞中Ti4+位于正方体中心，故每个晶胞中Ti4+个数为1个，Ba2+位于正方体8个顶点，故每个晶胞Ba2+个数为，O2-位于6个面心，每个晶胞中O2-个数为，故钡钛矿每个晶胞中Ba2+、Ti4+、O2-个数比为1∶1∶3，化学式为BaTiO3，其摩尔质量M=233g/mol，晶体的密度为g/cm3，体积V=cm3，其晶胞棱长为，据此解答。 【解析】A．位于6个面心正好可围成正八面体，位于体心，则位于围成的正八面体的中心，A正确； B．位于正方体8个顶点，位于6个面心，一个周围等距的O2-共计个，B正确； C．位于正方体6个面的面心，故两个的最短距离为，即，C正确； D．位于顶点处的分数坐标为，则晶胞的参数为1，位于面心的原子的分数坐标为，D错误； 故选D。 124．D A．的价层电子排布式为，位于元素周期表的p区，故A正确； B．基态原子核外电子排布式为，电子的空间运动状态数=电子所占原子轨道数，所以基态原子核外有18种不同空间运动状态的电子，故B正确； C．设该晶胞的边长为，该晶胞中，位于晶胞内部的原子个数为4，位于晶胞顶点和面心的原子个数为，则，则晶胞边长为，与之间的最短距离为体对角线的四分之一，故为，故C正确； D．A原子坐标为，由B原子的投影图可知，B原子坐标为，故D错误； 故选D。 125．D A．As为33号元素，原子核外有33个电子，核外电子排布式为，因此有3个未成对电子，A正确； B．根据均摊法，晶胞中Ga原子的个数为4，As原子的个数为，所以化学式为GaAs，B正确； C．砷化镓晶胞中与镓原子最近的As原子个数是4个，则配位数为4，C正确； D．假设晶胞参数为apm，由晶胞结构可知，晶胞中x与y原子的最近距离为体对角线的，则最近距离为，晶胞中As和Ga的原子个数均是4个，则砷化镓的密度则，代入可得距离为，D错误； 故选D。 126．（C A．该晶胞含有4个单元和4个单元，单元化学式为，单元化学式为，1个晶胞中含有24个、32个，最简式为，A正确； B．单元沿轴的投影图为，B正确； C．由立方晶胞结构可知，A、B两种单元的边长相等，中微粒的原子分数坐标为，则中微粒（位于单元体心）的原子分数坐标为，C错误； D．单元的边长为，相邻间的最近距离为单元面对角线的一半，即，D正确； 答案选C。 128．D A．位于第四周期ⅤA族，属于区元素，A正确； B．图甲中，原子与周围四个Ga相连，四个Ga构成正四面体结构，As位于原子构成的正四面体空隙中，B正确； C．图甲中，若的键长为，等于晶胞体对角线的四分之一，则晶胞边长为，C正确； D．稀磁性半导体材料中，有4个位于体内，一个位于顶点，一个位于面心，个数为：，、的原子个数比为，D错误； 故选：D。 128．D A．已知该晶体是一种稀磁半导体晶体，不属于金属晶体，A项错误； B．a处原子的分数坐标为，B项错误； C．该晶胞结构中，有个，有个，有个，化学式为，C项错误； D．与Zn距离最近且等距的As原子有4个，分别位于原子所在的侧平面的2条棱上的最近的As原子和该侧平面所属的2个晶胞体内最近的As原子，D项正确； 答案选D。 129．D A．由图可知，最左/右侧两端，La替代了Bi，Bi在正方体体心，是六面体结构，A正确； B．由均摊法可知，Ti的数目为，Bi的数目为，La的数目为，该晶体的化学式为，B正确； C．该晶胞在平面的投影，棱上为Ti、Bi、La，投在四个角，La、Bi、Ti，投在面心，，C正确； D．若p点平移至晶胞体心，平移后Ti位于晶胞棱上和体内，位置如图，D错误； 故选D。 130．D A．根据均摊法可知，F位于棱上、O位于面上、La位于棱上和体内，故该晶胞中含有F的个数为，含O的个数为，含La的个数为，因此该物质的化学式为LaOF，O为-2价，F为-1价，故La的化合价为+3价，A正确； B．每个O周围距离相等且最近的有两个在棱上，因为面上的O被两个晶胞共用，故O周围距离相等且最近的还有两个在体内，共4个，B正确； C．通过X射线衍射实验图谱能知道晶胞中各离子的位置坐标，根据离子的坐标，可以计算该晶体中离子间的距离，C正确； D．若顶点位置是F，则La位于面上，O位于棱上和体心位置，D错误； 答案选D。 131．C A．原子1的分数坐标是，原子4则位于晶胞的右前上方的体内，分数坐标为，故A错误； B．由图1可知，体内的为N，N周围相连的Ga原子有4个，配位数为4，故B错误； C．原子2分数坐标为，原子5的分数坐标为，即2和5原子的距离为体对角线的，故两者的距离为，故C正确； D．Ga位于N原子形成的四面体空隙中，故D错误。 答案选C。 132．B 根据图中信息可知，该硫锰矿的晶胞结构为，每个晶胞中S原子数为4，Mn原子数为4，以此解题。 【解析】A．锰是25号元素，其价电子排布式为，A正确； B．结合分析可知，晶体中S的配位数是4，B错误； C．结合分析可知，位于晶胞的顶角和面心，C正确； D．结合分析可知，两个硫原子之间的距离为面对角线的一半，若晶体密度为，则最近的两个硫原子之间的距离为，D正确； 故选B。 133．B A．由图可知，原子M为坐标原点，原子N为上层的晶胞正四面体的中心，在x轴上位移为，在y轴上位移为，在z轴上位移为，则原子N的坐标为(,,)，故A正确； B．如果沿晶胞面对角线方向上的投影如图2，则球6为原子C，球11为与原子M相接的Te原子，球7为上层的另一个Te原子，球8为原子N即Te原子，球9为左侧面心的Cd原子，球10为右侧面心的Cd原子，则代表Te原子的位置有7、8、11；故B错误； C．另作图（如下），则A为6号原子，AB的长度即是6号原子与11号原子的距离，C为B原子在底面的投影，落在面对角线处，BC的长度即为晶胞边长的，即为apm，CD的距离为面对角线的，即为，AD的长度为面对角线的一半，即为，根据勾股定理，AC的长度的平方为=，AB的长度为=，；故C正确； D．位于晶胞的顶点和面心位置，距离最近的原子有12个，故D正确； 答案选B。 134．D A．根据题中晶胞结构可知，H2被吸收后时与Ni结合，而Ni为金属元素，只能为正价，因此H2中氢元素的化合价降低，即H2被还原，故A正确； B．由题干晶胞示意图可知，一个晶胞中Ni的个数为8×+6×=4，每个Ni原子周围有6个H，因此H有24个，Mg都在体内，因此Mg有8个，晶体的化学式为Mg2NiH6，故B正确； C．由题干晶胞示意图可知，Mg均处于晶胞的体内，则如图所示，，取一个Mg观察可知，与之最近的有4个，但是由于方向问题，中只有朝向Mg的与之距离才是最近，因此每个中只有三个H与Mg最近，因此共有12个与之紧邻的H，故C正确； D．由图像可知，晶胞中最近的Mg和Ni分别位于晶胞内和顶点上，即，因此距离为体对角线的四分之一，即apm，故D错误； 故答案选D。 135．D A．位于面上的Ni原子个数=，位于顶点和体心的Mn原子个数=，位于棱上和面心的Ga原子个数=，则该物质的化学式为，A正确； B．由晶胞结构图可知，与最邻近且距离相等的原子数是8，B正确； C．该晶体是由Ni、Mn和Ga构成的合金，与金属钠一样都含有金属键，C正确； D．该晶胞中，设底面边长为apm，高为bpm，，，，则该晶胞的体积为，D错误； 故选D。 136．B A．根据“均摊法”，晶胞中含个Zr、8个O，则立方氧化锆的化学式为ZrO2，A错误； B．以底面面心Zr为例，上下层各有4个O，故每个Zr原子周围有8个O原子，B正确； C．结合A分析可知，晶体密度为，C错误； D．由图可知，相邻两个氧原子之间的最短距离为晶胞参数的一半，为，D错误； 故选B。 137．D A．锌元素的原子序数为30，价电子排布式为3d104s2，位于元素周期表的ds区，故A正确； B．由晶胞结构可知，晶胞中位于体内的锌原子个数为4，位于顶点和面心的硒原子个数为8×+6×=4，则晶体的化学式为ZnSe，故B正确； C．由晶胞结构可知，晶胞中位于体内的锌原子周围距离最近的硒原子个数为4，由晶体的化学式为ZnSe可知，硒原子的配位数为4，故C正确； D．由A点原子坐标为、B点坐标为可知，晶胞的边长为1，则位于体对角线处的C点原子的坐标为，故D错误； 故选D。 138．C A．该晶胞中，含Li+个数为8，含O2-个数为=4，则氧化物的化学式为Li2O，A正确； B．从图中可以看出，O原子之间的最短距离为面对角线长度的一半，即为×466.5pm，B正确； C．在晶胞中，Li+与邻近的4个O2-构成正四面体，则与Li距离最近且相等的O有4个，C不正确； D．若p原子的分数坐标为(，，)，则q原子在x、y、z轴上的分数坐标分别为、、，从而得出q原子的分数坐标为(，，)，D正确； 故选C。 139．D A．由图可知，负极材料为LiC6，其摩尔质量为79g/mol，A错误； B．由图可知，1个碳和其他3个碳形成3个单键，故其杂化方式为，B错误； C．根据图示1,2,3三个C原子之间的夹角为120°，则这三个碳距离4号锂之间的距离是相等的，根据该负极材料的结构可知，Li的配位数为12，C错误； D．由图一知， C中除中心2个C处于体心，其他每个C都在面心，每个面2个，共4个面，所以处于面心的C总共8个，所以一个晶胞中的碳数C=2+8×=6，而Li+处于立方体的8个顶点，所以一个晶胞中的Li+数为=1，因此晶胞中锂离子和碳原子的个数之比为 1：6，D正确； 故选D。 140．B 由图可知，①为O，②为N，③为Al，④为F，⑤为Cl，⑥为S。 A．由图可知，虚线箭头方向为同主族元素，同族元素随核电荷的递增，元素单质还原性增强，故A正确； B．由分析可知，②为N，①为O，④为F，第一电离能：F>N>O，即④>②>①，故B错误； C．由分析可知，⑤为Cl，⑥为S，非金属：Cl>S，非金属性越强最简单气态氢化物越稳定，因此稳定性：HCl>H2S，故C正确； D．黑球有8个在顶点，6个在面心，个数为：，白球有12个在棱上，9个在体内，个数为，则晶胞的质量为：，晶胞体积为：，晶胞密度为：，故D正确； 故选B。 141．C A．LiMn2O4是一种常用的正极材料，则充电时，LiMn2O4为阳极，LiMn2O4电极发生电极反应LiMn2O4−xe－＝Li1−xMn2O4＋xLi＋，故A正确； B．放电时，LiMn2O4电极为正极，电势高于负极电势，充电放电时，LiMn2O4电极为阳极，电势高于阴极的电势，故B正确； C．根据A的结构分析小黑球有个，氧离子有4个，B的结构分析小黑球有，氧离子有4个，三角形有4个，整个晶胞中小黑球有 ，氧离子有32个，三角形有16个，它们之比8:16:32=1:2:4，因此整个晶胞中“●”表示的微粒是Li，故C错误； D．根据LiMn2O4−xe－＝Li1−xMn2O4＋xLi＋，每个晶胞的组成为Li8Mn16O32，所以每个LiMn2O4晶胞转化为Li1−xMn2O4时转移8x个电子，故D正确。 综上所述，答案为C。 142．D A．晶体中距离D处Cu原子最近的S原子有4个，故A错误； B．基态In原子的电子自旋量子数的代数和为或，故B错误； C．x、y以apm为1个单位，z以2apm为1个单位，则C处原子坐标为，故C错误； D．晶胞中Cu有8个位于顶点，4个位于面心，1个位于体内，则Cu的个数为4，In有4个位于棱上，6个位于面心，则In的个数为4，8个S位于晶胞内，则晶体的密度为g/cm，故D正确； 故选：D。 143．C A．Fe为26号元素，基态Fe原子的核外电子排布式为[Ar]3d64s2，故A错误； B．由晶胞结构可知坐标为(，1，)的原子是Z原子，即Fe原子，故B错误； C．Se原子X与Se原子Y，沿x轴方向的距离为，沿y轴方向的距离为，沿z轴方向的距离为，两点间的距离为 nm，故C正确； D．Li原子有8位于顶点，1个位于体心，个数为：，Fe有8个位于面上，个数为，Se原子8个位于棱上，2个位于体内，个数为：，晶胞的质量为：g，晶胞体积为：×10-21 cm3，密度为： g·cm-3，故D错误； 故选：C。 144．B A．的配位数为4，A错误； B． 体对角线长度为，与的最短距离为体对角线的，即最短距离为 nm，B正确； C．体系达平衡后，，C错误； D．反应的平衡常数，要使反应正向进行，则，所以需满足，D错误； 故答案选B。 145.B A．K4[Fe(CN)6]中心离子Fe2+、配体为CN-，故配位数是6，选项A正确； B．基态铁原子的价电子排布式为：3d64s2，基态Fe2+的电子排布式为：3d6，Fe3+的电子排布式为：3d5，根据洪特规则可知，Fe2+有4个未成对电子，Fe3+有5个未成对电子，基态Fe2+与Fe3+离子中未成对的电子数之比为4：5，选项B不正确； C．在(CN) 2分子中存在两个C≡N，采用sp杂化形成两个σ键，剩余的没有参与成键的电子形成π键，分子结构为直线形，选项C正确； D．根据晶胞可知，以体心中的F为研究对象，则最近且等距离的C位于面心，故Fe3C晶体中与Fe最近且等距的C的个数为6，选项D正确； 答案选B。 146．C A．由晶胞图可知，A原子位于体内，其数目为8，B原子位于顶点和面心，其数目为，则A表示Li，B表示O，B周围最近的A的数目为8，则其配位数为8，A选项正确。 B．由晶胞图可知，若晶胞中M的坐标为(0，0，0)，则P的坐标为(，，)，B选项正确。 C．A处于B围成的正四面体空隙中，故C选项错误。 D．晶胞中A与B的最短距离为体对角线的1/4，由于晶胞的边长为apm，所以A与B的最短距离为，D选项正确。 故选C。 147．C A．由图乙和丙可知，Al的堆积方式为面心立方堆积，对应图甲中的黑球，则甲图体心处的小三角应是小白球，A正确； B．Al为面心立方堆积，配位数为12，B正确； C．由图丙可知，一个Al晶胞中含有4个Al原子，由图丁可知晶胞参数与Al半径的关系为，则cm，晶胞质量为，晶胞体积为，则晶胞密度为，C错误； D．中含有离子键、配位键，D正确； 故选C。 148．D A．A原子在晶胞内，1个晶胞含有A原子8个，B原子在顶点和晶胞中心，B原子数为，C原子在楞上、面上，C原子数，A是I、B是Hg、C是Ag，A正确； B．A是I、B是Hg、C是Ag，距离Hg最近的Ag有8个，B正确； C．据n的原子分数坐标为(，，)，则m原子在x轴的坐标为、y轴坐标为，z轴坐标为，所以m原子的分数坐标为(，，)，C正确； D．设NA为阿伏加德罗常数的值，Ag2HgI4的摩尔质量为Mg•mol-1，该晶体的密度为×1030g•cm-3，D错误； 选D。 149．D A．根据BH中B显＋3价，氢显-1价可以判断电负性H>B，A正确； B．由晶胞结构可知，晶胞II的密度大于晶胞I，压强越大，晶体中离子间的距离越小，密度越大，则在较大压强下的晶型是晶胞II，B正确； C．BH中存在配位键，B提供空轨道，C正确； D．晶胞I为长方体，不是正方体，Li+与周围的4个BH的距离不相等，D错误； 故选D。 150．D A．由甲可知砷化镓的化学式为GaAs，砷化镓中砷提供孤电子对，镓提供空轨道形成配位键，平均1个GaAs配位键的数目为1，则砷化镓中配位键的数目是，故A正确； B．由砷化镓晶胞结构可知，Ga和As的最近距离为晶胞体对角线的，Ga和As的最近距离是，故B正确； C．由砷化镓晶胞结构可知，c位于侧面的面心，沿体对角线a→b方向投影图如丙，则As的位置为7、9、11、13，故C正确； D．由乙晶胞结构可知，和Mn最近且等距离的As的数目为12，故D错误； 故选D。 151．C A．结构单元中，B′数目为，A原子数目为1，数目为，存在2.5%的氧原子缺陷，故含有=2.925个O，设+3价A为a个，+4价A为b个，3a+4b+×(3+2)=2.925×2，a+b=1，解得a=0.65，b=0.35，+3价A与+4价A的原子个数比为13：7，故A正确； B．由图可知，晶体中与B′原子距离最近的原子构成了正八面体，故B正确； C．晶胞是构成晶体的最基本的几何单元，可以前后左右上下平移得到相同结构并能与其无隙并置；图示并非完整晶胞，为部分，故完整晶胞中A原子数目为8，故C错误； D．晶胞质量为，晶胞体积为(a×10-10)3cm3，该晶体的密度，故D正确； 故选C。 152．C A．石墨晶体中，层与层之间的作用力为分子间作用力，从石墨中剥离石墨烯需要破坏分子间作用力，故A错误； B．石墨中的碳原子采取sp2杂化，每个sp2杂化轨道含s轨道与p轨道，故B错误； C．石墨晶体中的层与层之间存在分子间作用力，层内碳原子间存在共价键，故石墨属于混合晶体，故C正确； D．每个C原子为3个环共有，则石墨烯中平均每个六元碳环含有碳原子数为，故D错误； 答案选C。 153．C A．为第80号元素，位于周期表的ds区，为第32号元素，位于周期表的p区，为第51号元素，位于周期表的p区，A错误； B．晶胞结构中Hg原子位于棱和面心上，每个晶胞中含Hg原子个，晶胞结构中Ge原子位于晶胞顶角、面心、体心，每个晶胞中含Ge原子=4，则粒子个数比 Hg:Ge=1:1，B错误； C．有晶胞的结构可知，体心中的Ge原子位于其周围4个Sb原子形成的四面体空隙中，C正确； D．新物质X为潜在的拓扑绝缘体材料，为绝缘体，不能导电，D错误； 故选C。 154．D 前四周期元素M、Q、W、X、Y、Z原子序数依次增大。W是元素周期表中电负性最大的元素，W是F元素；M的单质常用作保护气，M是N元素；则Q是O元素； X与Y形成化合物的化学式为YX且其焰色试验为紫色(透过蓝色钴玻璃)，X是Cl、Y是K元素； Z的原子序数为28，Z是Ni元素。Q和Y形成的一种化合物甲的晶胞在xy平面、xz平面、yz平面上的投影图如图所示。W、Y、Z三种元素组成的化合物乙的晶体结构如图乙所示 A. OF2中O原子价电子对数为4，有2个孤电子对，NF3中N原子价电子对数为4，有1个孤电子对，孤电子对越多对价电子对排斥作用越大，所以键角，故A错误； B. Cl所在周期，第一电离能最大的元素是Ar，故B错误； C. 简单氢化物沸点：，故C错误； D. 根据图示，化合物甲的晶胞中，8个顶点和体心各有1个K，与z轴平行的4条棱上各有2个O、晶胞内有2个O，根据均摊原则，1个晶胞中含有2个K、4个O，所以化学式为KO2，故D正确； 选D。 155．B 根据晶胞的结构图可知，在氯化钠晶胞中含有钠离子数为，氯离子数为，设晶胞边长为a，由，可得，所以，所以和的核间距=，B项正确； 答案选B。 156．A A．电池放电时的正极反应为，选项A错误； B．由于嵌入或脱嵌晶胞的棱心和体心，所以总数为，当脱嵌一个时，被氧化为，所以当正极材料中时，有3个脱嵌出去，因此脱嵌率为75%，选项B正确； C．该晶体的晶胞参数为，选项C正确； D．和单元处于对角线的位置上，中Q原子在小体心右上前方，因此分数坐标应该为，选项D正确； 答案选A。 157．C A．和生成的反应方程式为，是熵减反应，故A错误； B．和O2反应方程式为，O元素化合价从0到-2，所以完全转化成红色粉末和时转移的电子数为，故B错误； C．根据的晶胞结构示意图，一个晶胞中含有4个，物质的量为，恰好切成个如图所示的晶胞，故C正确； D．是可逆反应，无法全部转化，所以上述工艺中无法将硫全部转化成硫酸，故D错误； 故答案选C。 158．D A．已知Cr是24号元素，根据洪特规则及特例可知，基态铬原子价层电子排布式为3d54s1，A错误； B．由题干晶胞示意图可知，Cr原子位于N原子构成的八面体空隙中，B错误； C．由题干晶胞示意图可知，距离体心的Cr原子最近的Cr原子位于棱心，共有12个，C错误； D．由题干晶胞示意图可知，N原子位于顶点和面心，个数为8×+6×=4，Cr原子位于棱心和体心，个数为12×+1=4，晶胞质量为g，晶胞体积为（a×10-7）3cm3，根据ρ=可得，dg⋅cm-3=，则a=，D正确； 故答案为：D。 159．B CaF2中钙离子和氟离子是1：2，根据晶胞分析，X原子有4个，Y原子有8个，因此X代表Ca2+离子，Y代表F-离子，据此分析。 A．由分析可知，CaF2晶体由离子组成，属于离子晶体，A正确； B．根据密度 ，B错误； C．质谱法用于测量元素的质核比，即质量数，40Ca 和42Ca质量数不同，可以用质谱法区分，C正确； 与 F-的最小核间距为体对角线的四分之一，即，D正确； 故选 160．D A．从题干信息可知，构成晶体的微粒为、、，则该晶体为离子晶体，A正确； B．在晶胞结构中，位于晶胞顶角、面心及A型小晶格体心，共个，位于晶胞B型小晶格体内，共个，位于晶胞A型小晶格及B型小晶格体内，共，在晶胞中、、个数比为8:16:32=1:2:4，化学式为，B正确； C．在B型小晶格内与等距且最近的有3个，在晶体中，每个参与形成4个B型小晶格，故距离等距且最近的数为12，C正确； D．在A型小晶格或B型小晶格内，与之间最近的距离是体对角线的，故，D错误； 答案选D。 161．D A．原子核外电子数为53，处于第五周期VIA 族，I-最外层电子排布式为 ，A正确；                                                  B．α-AgI晶体中碘离子为体心立方堆积，Ag＋主要分布在由I-构成的四面体、八面体等空隙中，B正确； C．每个晶胞中含碘离子的个数为 ，依据化学式 AgI可知，银离子个数也为2个，晶胞的物质的量，晶胞体积，则a-AgI晶体的摩尔体积，C正确；    D．由题意可知，在电场作用下，Ag＋不需要克服太大阻力即可发生迁移，因此α-AgI晶体是优良的离子导体，因此α-AgI晶体属于电解质，D不正确； 故选D。 162．C A．根据结构图，O2-位于晶胞的顶角和体心，1个晶胞中共有O2-：个，A错误； B．氧化亚铜晶胞中体心到顶点距离最近，晶胞中2个O2-最近距离为等于nm，B错误； C．B原子位于晶胞的体对角线上，以A原子为起点，B原子位于体对角线的处，由A、C原子坐标可知B原子坐标的x=y=z=，故B原子坐标为()，C正确； D．1个氧化亚铜晶胞含2个Cu2O，1 cm=107 nm，氧化亚铜晶体密度为，D错误； 故选C。 163．D A．晶体中距离最近且相等的有4个，配位数为4，A正确； B．晶胞中，离子的个数为8×+6×=4，，B正确； C．由图可知，B的原子分数坐标为，C正确； D．设晶胞参数为a nm，晶胞的密度为，a=，Ca2+与 F-的最小核间距为体对角线的四分之一，即，D错误； 故选D。 164．D A．由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点的钡离子个数为8×=1、位于体心的钛离子个数为1、位于面心的氧离子个数为6×=3，则晶胞的化学式为BaTiO3，故A正确； B．由晶胞结构可知，晶胞中位于体心的钛离子与位于面心的氧离子距离最近，则钛离子的配位数为6，故B正确； C．由晶胞结构可知，晶胞中钛离子位于氧离子的八面体空隙中，故C正确； D．设晶体的密度为dg/cm3，由晶胞的质量公式可得：=(10-10a)3d，解得d=，故D错误； 故选D。 165．C A．该化合物有超导性质，晶体的类型为离子晶体，存在离子键，故A正确； B．以体心上的S原子为例，S原子位于H构成的八面体空隙中，如图，故B正确； C．晶胞中S的配位数为6，H的配位数为2，S与H的配位数之比为，故C错误； D．基态S原子核外电子排布式为，共16个电子，不同自旋状态的电子数分别为9、7，即不同自旋状态的电子比为，故D正确； 答案选C。 166．B A．Se位于第4周期第Ⅵ族,位于周期表P区，A正确; B．锂离子电子排布式1S2,最外层电子位于S轨道，球形，B错误； C．根据晶胞结构以及均摊法计算出：Se2-位于顶点及面心，Li+位于体心，则距Li+最近的Se2-位于顶点及3个面心，共4个，C正确； D． Li+位于体对角线处，且与顶点处Se2-距离最近，二者距离为，D正确; 故答案选B。 167．A A．由图可知，离等距离且最近的F-位于棱心，即K+的配位数为12，故A错误； B．由均摊法可知，一个晶胞中Mg2+个数为8×=1，F-个数为12×=3，K+个数为1，所以氟化钾镁晶体的化学式为，故B正确； C．距最近且等距的个数为6，6个F-构成正八面体，在构成的正八面体的体心，故C正确； D．由图可知，位于顶点，位于棱心，所以若位于晶胞的体心，则位于晶胞的面心，故D正确； 故答案为：A。 168．D A．镓元素、砷元素的原子序数分别为4s23p2、4s23p3，均处于元素周期表p区，故A正确； B．由晶胞结构可知，砷化镓晶胞中距离Ga原子最近且等距离的As原子数是4个，且4个As原子构成正四面体结构，所以Ga位于As原子构成的正四面体空隙中，故B正确； C．由晶胞结构可知，砷化镓晶胞中Ga-As的键长为晶胞体对角线长度的，则晶胞边长为，故C正确； D．由晶胞结构可知，稀磁性半导体材料中位于顶点和面心的锰原子个数为1×+1×=，位于体内的砷原子个数为4，则锰、砷的原子个数比为5：32，故D错误； 故选D。 169．D A．由晶胞结构可知，晶胞中位于体内的锌原子个数为4，位于顶点和面心的硒原子个数为8×+6×=4，设晶体的密度为dg/cm3，由晶胞的质量公式可得：=(10—10 a)3d，解得d=，故A正确； B．由晶胞结构可知，晶胞中与锌原子距离最近的硒原子个数为4，则锌原子的配位数为4，由硒化锌的化学式为ZnSe可知，硒原子的配位数也为4，故B正确； C．由位于顶点的A、C的分数坐标为、可知，晶胞的边长为1，则位于体对角线处B的分数坐标为，故C正确； D．若把图I所示的晶胞切分为八个小正方体，距离最近的两个锌原子在同一层对角相邻的两个小正方体的中心，其距离为晶胞每个面对角线的，则最近的两个锌原子的距离为，故D错误； 故选D。 170．D A．干冰晶体通过分子间作用力结合，属于分子晶体，A正确； B．由AB的连线投影图可知，旋转120°后，可与旋转前重合，B正确； C．以顶点的分子为对象，分子周围最近的分子位于与之相邻的3个面的面心，顶点的分子被8个晶胞共用，则分子周围有个紧邻分子，C正确； D．根据均摊法，分子位于顶点和面心，每个晶胞含有分子个数是，则晶胞质量是，晶胞体积为a3×10-21cm3，则晶胞密度为，D错误； 故选D。 171．D A．图1中与6个水分子形成配位键，图2中距离最近且相等的共6个，故配位数是6，故A正确； B．由晶胞结构图可知，相邻两个的最短距离为面对角线的一半，为nm，故B正确； C．由晶胞结构图可知，一个晶胞中有个，个，即一个晶胞中有4个，则晶胞的密度为，故C正确； D．氢键不是化学键，故D错误； 故选D。 172．D A．N、I、Pb分别为VA、VIIA、IVA族元素，均属于p区元素，故A正确； B．结合坐标轴及C原子位置可知C的原子分数坐标为 (1，，)，故B正确； C．若沿Z轴向xy平面投影，则其投影图如图2所示，中心为面心和体心的投影重叠，故C正确； D．A有8个在顶点，个数为：；B位于体心个数为1；C位于面心，个数为：；结合化学式可知C代表碘离子，A为(CH3NH3)+，晶胞质量为 g，晶胞体积(a×10－10)3 cm3，该晶体的密度为，D项错误。 故答案选D。 173．B A．由图可知，晶体中左侧底角的钾离子为例，在xy平面有4个、在xz平面由4个，故每个周围距离最近且相等的共有8个，故A错误； B．每个晶胞中含有=2个K+，=2个，则该叠氮化物的密度为=，故B正确； C．测定晶体结构的方法是X射线衍射法，故C错误； D．与结构相似，均为离子晶体，钠离子半径小于钾离子半径，离子键键能更大，的晶格能大于的晶格能，故的熔点大于的熔点，故D错误； 故选B。 174．B A．由图甲可知，该晶胞中位于6个面心的K+形成正八面体结构，F-位于正八面空隙中，A正确，不符合题意； B．由图甲可知，晶体中K+与F-的最近距离为，与K+最近且等距离的F−有6个，B错误，符合题意； C．由图甲可知，MNQP切面即晶胞的对角线切面，该切面还有9个离子，分别是4个顶点和2个面心的K+，2个棱心和1个体心的F-，图乙正确，C正确，不符合题意； D．由图甲可知，该晶胞中，K+个数为：，F-个数为：，故单个晶胞质量m=，密度为，D正确，不符合题意； 本题选B。 175．D A．砷化镓是一种重要的半导体材料，熔点为，熔沸点较高，为共价晶体，A错误； B．由图可知，该晶胞中Ga原子位于顶角和面心，Ga的原子个数为，As位于体内，个数为4，化学式为GaAs，则距离砷原子最近的砷原子数等同于距离镓原子最近的镓原子数，镓原子位于顶角和面心，距离镓原子最近的镓原子数为12，距离砷原子最近的砷原子数为12，故B错误； C．体对角线上的2个Ga原子、2个As原子共线，且Ga、As原子之间的距离最短，该晶胞的体对角线长度为，则Ga原子与As原子的最短距离为，C错误； D．由图可知，面心上的Ga原子与上下两层体内的As等距且最近，形成的空间构型为正四面体，D正确； 答案选D。 176．B A．晶胞中位于顶点、面上和体内的Cu原子个数=8×+4×+1=4，位于面上、棱上的In原子个数=6×+4×=4，位于体内的Te原子个数=8×1=8，则Cu、In、Te的原子个数比为4:4:8=1:1:2，晶体的化学式为CuInTe2，故A正确； B． In原子位于面上、棱上，均有4个Te与之相连，配位数为4，故B错误； C．由晶胞结构可知，In原子形成的四面体空隙有8个，形成的八面体空隙也有8个，则四面体空隙的占有率为=50%，故C正确； D． 由位于顶点A点和体心B点原子的分数坐标分别为(0,0,0)、可知，晶胞边长为1，则位于体对角线处，面对角线处的C原子的分数坐标分别为，故D正确； 故选B。 177．D A．Ag+位于晶胞内，可知，Ag+周围距离最近且相等的个数是4，故A错误； B．根据晶胞结构可知，图中微粒1的分数坐标是，微粒2的分数坐标是(，，)，故B错误； C．铜(29Cu)元素，银(47Ag)元素位于元素周期表的第ⅠB族，属于ds区，故C错误； D．根据晶胞结构可知，相邻Ag+之间的最短距离是面对角线的一半，晶胞边长为apm，则面对角线为，因此相邻Ag+之间的最短距离是a pm，故D正确； 故选：D。 178．B A．第IB和IIB族为ds区，Ag与Cu位于同一族，属于第IB族，所以属于ds区，A错误； B．由图2可知，填充在晶胞平分切割成的8个小立方体的体心且交错分布在其中4个小立方体的体心，则填充在构成的正四面体空隙中，B正确； B．由图1可知，与等距离且最近的有12个，C错误； D．由图1可知，晶胞中两个最近的之间的距离为面对角线的，即，D错误； 故选B。 179．D A．磷化硼(BP)结构与氮化硼相似，均为原子晶体，N原子半径小，B-N键键长短，键能大，故BN熔点高，A错误； B．根据图1可以看出晶体中P周围距离最近且相等的P有4个，B错误； C．若图中①处磷原子坐标为(0，0，0)，将晶胞均分为8个小立方体，则②处的B原子在前左下角小立方体体心的位置，坐标为，C错误； D．磷化硼晶胞中顶点和面心全部为P原子，在y轴方向的投影落在顶点和棱心；4个小立方体体心位置为B原子，在y轴方向的投影均匀落在内部，在y轴方向的投影图为图2，D正确； 故选D。 180．B A．ZnS和ZnO均为离子晶体，离子半径，A正确； B．由均摊法可知，一个晶胞含有两个和两个，空间利用率为，B错误； C．由晶胞结构可知，离等距且最近的数为4，这4个构成正四面体，位于正四面体的体心，C正确； D．与之间间隔，每个均连接4个，所以最近且等距的有个，D正确； 故选：B。 181．C 在K2S晶胞中，K+分别位于8个小立方体的体心，与周围的4个S2-相连，则K+周围距离最近的S2-有4个。晶胞中所含K+的数目为8，所含S2-的数目为=4。 A．反应产物中，K2S为离子化合物，CO2、N2为共价化合物，其中CO2是由极性键形成的非极性分子，N2是由非极性键形成的非极性分子，所以有两种非极性分子，A正确； B．CO2的结构式为O=C=O，N2的结构式为N≡N，分子中都含有2个π键，则1mol CO2和1mol N2含有的π键数目之比为2:2=1:1，B正确； C．K2S晶体中，K+周围距离最近的S2-有4个，则S2-周围最近的K+有8个，C错误； D．若K2S晶体的晶胞边长为a nm，则该晶体的密度为=g·cm-3，D正确； 故选C。 182．D A．该晶体是合金，属于金属晶体，A错误； B．由均推原理知，该晶胞中的K个数为，Sb的个数为，故K和Sb原子数之比为3：1，该合金的组成可表示为 K3Sb，B错误； C．根据晶胞的结构可知，与每个Sb原子距离最近的Sb原子有12个，C错误； D．一个晶胞中含有4个“K3Sb”，晶胞质量为，晶胞的密度为，D正确； 故选D。 183．B A．由的晶胞结构可知，其中含黑色大球的个数为，黑色小球的个数为，则黑色大球为，黑色小球为，距最近且等距的有2个，则的配位数为2，故A正确； B．的熔点为1090℃，远高于的192℃，由于F的电负性最大，其吸引电子的能力最强，因此，可以判断铝氟之间的化学键为离子键，铝氯之间的化学键为共价键，二者不相同，故B错误； C．由的空间结构结合相关元素的原子结构可知，Al的价层电子对数是4，与其周围的4个氯原子形成四面体结构，因此，二聚体中Al的杂化轨道类型为，故C正确； D．若晶胞参数为a pm，则晶胞的体积为，有1个，有4个，，则其晶体密度，故D正确； 故答案选B。 184．C A．由24K金的质量分数为100%，则18K金的质量分数为：   ，I中Au和Cu原子个数比值为1:1，则Au的质量分数为：   ，A正确； B．Ⅱ中Au处于立方体的八个顶点，Au的配位数指距离最近的Cu，Cu处于面心处，类似于二氧化碳晶胞结构，二氧化碳分子周围距离最近的二氧化碳有12个，则Au的配位数为12，B正确； C． 设Ⅲ的晶胞参数为a，的核间距为，的最小核间距也为 ，最小核间距，C错误； D． I中，处于内部，处于晶胞的八个顶点，其原子个数比为1:1；Ⅱ中，处于立方体的八个顶点， 处于面心，其原子个数比为：；Ⅲ中，处于立方体的面心，处于顶点，其原子个数比为；D正确； 故选C。 185．B A．由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点和面心的硼原子个数为8×+6×=4，故A正确； B．由晶胞结构可知，晶胞中位于的硼原子顶点与位于面心的硼原子距离最近，最近距离为面对角线的，则离硼原子最近的硼原子有12个，最近距离为，故B错误； C．由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点和面心的硼原子个数为8×+6×=4，位于体内的砷原子个数为4，设晶体的密度为dg/cm3，由晶胞的质量公式可得：=(10—7a)3d，解得d=，故C正确； D．由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点的4个硼原子处于矩形AA'C'C的顶点、位于面心的2个硼原子处于矩形上下边的处，位于体内的2个砷原子处于矩形的面上，则晶胞中各原子在矩形AA'C'C的位置为，故D正确； 故选B。 186．D A．由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点、面上和体心的铁原子个数为8×+4×+1=4，位于楞上和面上的铜原子个数为4×+6×=4，位于体内的硫原子个数为4，则晶体的化学式为CuFeS2，故A错误； B．由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点的铁原子与位于面上的铁原子的距离最近，距离为底面对角线的，则晶胞中两个铁原子之间的最近距离为apm，故B错误； C．晶胞中位于体对角线上的硫原子的分数坐标为，则处于面上的2号铁原子的分数坐标为，故C错误； D．设晶体的密度为dg/cm3，由晶胞的质量公式可得：=(a×10—10)2×2a×10—10×d，解得d=，故D正确； 故选D。 187．D A．由图甲可知，硼氢化钠α型的立方晶体中离最近的有12个，故A正确； B．α型的立方晶体中Na+在体心和棱心位置，在面心和顶点，围成正八面体空隙，填充在围成的正八面体的空隙中，故B正确；C．若A点的坐标为，B点位于左侧面的上方面心位置，结合坐标系，B点坐标为，故C正确； D．B到底面左侧棱心的距离为pm，A到底面左侧棱心的距离为apm，这两段距离与A与B的距离构成直角三角形，A与B的距离为=，故D错误。 答案选D。 188．A A．根据图示可知金属铋的原子堆积方式是六方最密堆积，A错误； B．铋位于氮的下方，同属VA族元素，同主族元素从上到下第一电离能逐渐减小，所以铋的第一电离能小于氮，B正确； C．在配合物中，由于(NH4)+的化合价为+1且有3个(NH4)+，因此内界中Bi的化合价应为+3，C正确； D．铋位于第六周期第VA族，其价电子排布式为，D正确； 故选A。 189．C A．由图甲晶胞结构及a点分数坐标可知，4个As位于Zn原子形成的四面体空隙中，则b位于朝向外最近的右上角的四面体空隙中，其分数坐标为()，A项正确； B．由图乙晶胞可知，4个Mn原子位于顶点，1个Mn原子位于面心，平均下来属于1个晶胞的原子数为个，因图甲晶胞中含4个Zn，故LiZnqMnpAs中，则q=0.75，B项正确； C．Zn原子与Mn原子的半径不相等，故其形成的四面体不是正四面体，C项错误； D．图甲晶胞的质量，晶胞的体积，则晶体的密度，则阿伏加德罗常数，D项正确。 故选C。 190．A A ．距离In原子最近的原子数为4，配位数为4，A错误； B．晶胞中位于顶点、体心、面心的Cu原子个数=8×+1×1+4×=4，位于面心、棱上的In原子个数=6×+4×=4，位于体内的Te原子个数=8×1=8，Cu、In、Te的原子个数比=4:4:8=1:1:2，因此晶体化学式为CuInTe2，B正确； C．C点位于面对角线的、、体对角线的处，因此C点原子的分数坐标为(,,)，C正确； D．D原子在底面的投影点与A、D构成直角三角形，斜边AD的长d=，D正确； 故选A。 191．B A．该晶胞中Zn原子的配位数是4，则ZnSe晶胞中Se原子的配位数也是4，A错误； B．该晶胞中a点坐标为(0，0，0)，b点坐标为B为( ，1，)，则a原子位于坐标原点，b原子在坐标轴正方向空间内，由图乙可知d原子也在坐标轴正方向空间内，且到x轴、y轴、z轴的距离分别为、、，即d原子的坐标为(，，)，B正确； C．面对角线的两个Zn原子距离最短，为nm，C错误； D．Zn、Se为同周期元素，根据非金属性越强，电负性越大，非金属性：Zn<Se，电负性：Zn<Se，D错误； 故选B。 192．D A．根据题中晶胞结构可知，H2被吸收后时与Ni结合，而Ni为金属元素，只能为正价，因此H2中氢元素的化合价降低，即H2被还原，故A正确； B．由题干晶胞示意图可知，一个晶胞中Ni的个数为8×+6×=4，每个Ni原子周围有6个H，因此H有24个，Mg都在体内，因此Mg有8个，晶体的化学式为Mg2NiH6，故B正确； C．由题干晶胞示意图可知，Mg均处于晶胞的体内，则如图所示，，取一个Mg观察可知，与之最近的有4个，但是由于方向问题，中只有朝向Mg的与之距离才是最近，因此每个中只有三个H与Mg最近，因此共有12个与之紧邻的H，故C正确； D．由图像可知，晶胞中最近的Mg和Ni分别位于晶胞内和顶点上，即，因此距离为体对角线的四分之一，即apm，故D错误； 故答案选D。 193．C。 194．C A.氮化铬的晶胞结构中，N位于顶点和面心，利用均摊法总共4个，Cr位于体心和棱上，总共4个，故该晶体的化学式为，故A正确； B.A为坐标原点，故B的原子坐标为，故B正确； C.原子位于N原子构成的八面体空隙中，故C错误； D.依据密度为d，可算出晶胞参数为：，故D正确； 故选C。 195．：A Co原子位于结构单元的体心，每个结构单元含有1个Co原子，由图可知，若该结构单元重复排列，则其相邻结构单元的原子会与该结构单元中的Ba、La原子重叠，所以该结构单元不是该晶体的晶胞，该晶体的晶胞应是由8个如图所示结构单元组成的，所以该晶体的一个完整晶胞中含有8个Co原子，A项错误。由图可知，以任一顶点的La原子为例，距离其最近的Ba原子位于该La原子所在棱的另一个顶点，一个La原子被六条棱共用，晶体中与La原子距离最近的Ba原子的数目为6，B项正确。该结构单元中含有的La原子数为，原子数为，真实晶体中存在的0原子缺陷，所以含有的O原子数为，为+3价，Ba为+2价，O为-2价，设该结构单元中+3价Co的个数为x，价Co的个数为y，则根据化合物中各元素的化合价的代数和为0可得，根据原子守恒可得，联立解得、，所以+3价Co与+4价Co的原子个数比为4：1，C 项正确。由图可知，若忽略氧原子缺陷，6个氧原子构成正八面体，La和Ba都处于O原子构成的正八面体空隙的中心，D项正确。 196．C 根据晶胞结构可知，As原子位于晶胞内部，1个晶胞中含有2个As原子，Ni原子位于晶胞的顶点和棱上，1个晶胞中含有2个Ni原子，所以该化合物的化学式为NiAs，A项正确。根据晶胞结构可知，上方As原子分数坐标为，B项正确。根据晶胞结构可知，每个As原子周围有六个Ni原子，且晶胞中原子个数比为1:1，故Ni原子的配位数为6，C项错误。底面是两个全等三角形组成的平行四边形，面积为，晶胞体积为，故该晶胞的密度为，D项正确。 197．C 该晶体是一种稀磁半导体晶体，不属于金属晶体，A项错误。a处Z原子的分数坐标为，B项错误。由均推法计算，晶胞中Ba位于顶点和体心，Ba原子个数为，位于面上，Zn原子个数为，As位于棱上和体内，As原子个数为4，则该晶体的化学式为，C项正确。与Zn距离最近且等距的As原子有4个，D项错误。 198．D A.锌原子堆积方式为六方最密堆积，属于密堆积，由晶胞结构可知，晶体中与一个Zn原子最近且等距的Zn原子有12个，A正确； B.由晶胞结构可知，碘分子的排列有2种不同的取向，在顶点和面心的I2取向不同，一个晶胞中有个分子，B正确； C.由晶胞结构可知，金刚石晶胞的体对角线等于C原子半径的8倍，金刚石晶胞中C原子的半径为cpm，则体对角线的长度为8cpm，C正确； D.由晶胞结构可知，Na晶胞体对角线的等于Na原子的半径，Na晶胞是边长为anm的立方体，则Na的原子半径可以表示为，D错误；故选D。 199．A A.假设金刚石和碳化硅的物质的量均为1mol，金刚石中每个碳原子连接四根共价键，但每根共价键被两个环共用，因此每个碳原子实际连接根共价键，可知1mol金刚石中含有2molC-C键；1molSiC中有1mol碳原子和1mol硅原子，每个原子通过共价键连接到其他原子，形成Si-C键。由于每个共价键是两个原子共有的，因此每个原子独占的键数是总键数的一半，即2mol，由于碳原子和硅原子的数量相等，因此总共有4molSi-C键；可知物质的量相同的金刚石和碳化硅，共价键个数之比为1∶2，故A错误； B.晶体中1个硅原子形成4个共价键，Si和Si-O键个数比为1∶4，故B正确； C.石墨烯中1个六元环平均含有个碳，则碳原子和六元环个数比为2∶1，故C正确； D.晶体为分子晶体，其堆积属于分子密堆积，故D正确； 200．C A.晶胞中的个数为，A错误； B.若晶胞中A的分数坐标为，B为右上顶点，分数坐标为，B错误；C.硫代硫酸根离子可看作中的一个O原子被S原子替代的产物，的中心硫原子的杂化方式与的中心硫原子的杂化方式相同为，C正确；D.的摩尔质量是，，其密度应为：，D错误；故选C。 201．D A.的核外价电子排布为3d104s2，位于元素周期表的ds区，A正确； B.由图可知，每个Zn周围距离最近的As原子个数为4，Zn的配位数为4，B正确； C.a点（As原子）的原子分数坐标为（，，），由晶胞结构可知，b点原子分数坐标为（，，），C正确； 202．B 掺杂镧和锶的比例不同，该材料的超导效果不同，A错误；根据均摊法，Cu位于8个顶角和体心，其个数为，O有16个在棱上，4个在面上，2个在体内，其个数为和Sr有8个在棱上，2个在体内，两者共有个，则LSCO的化学式可表示为，B正确；根据逐级电离能大小关系，Cu的第一电离能小于Cu的第二电离能，C错误；由体心Cu可看出Cu填充在由O形成的八面体空隙中，但c轴方向上之间距离大于a轴和b轴方向上之间距离，则由O形成的不是正八面体空隙，D错误。 203．B 由晶胞沿体对角线投影及结构高度对称可知该晶胞为立方体晶胞，位于晶胞的顶点（8个）和面心（6个），所以平均每个晶胞含有的该微粒数为4，若将晶胞平均分割成8个小立方体，则K位于8个小立方体的体心，即平均每个晶胞含有8个K，所以X的化学式是，A正确；晶胞中K与最短距离为晶胞体对角线长的，即，B错误；若以顶点为例，距离其最近且相等的位于面心位置，有12个，C正确；X晶体的密度，D正确。 204．C 由晶胞图知，S的配位数是4，A项错误；由A原子的分数坐标为（0，0，0），结合投影图知，晶胞中B原子分数坐标为，B项错误；由晶胞图可知，S的个数为，Hg的个数为，故该晶体的密度，C项正确；相邻两个Hg的最短距离为面对角线长度的一半，即，D项错误。 205．D 由配合物的分子结构可知，中心原子M形成了4个配位键，故中心原子M的配位数是4，A项正确；由晶胞结构可知，晶胞中配合物分子位于晶胞顶点和上下面面心，数目为，B项正确；该晶体为配合物分子组成的分子晶体，晶体中相邻分子间存在范德华力，C项正确，D项错误。 206．B A.根据题意，导电时发生迁移，化合价不变，则Ti和La的价态不变，A项正确； B.根据“均摊法”，1个晶胞中含Ti：8×=1个，含O：12×=3个，含La或Li或空位共：1个，若x=，则La和空位共，，结合正负化合价代数和为0，，解得、，与空位数目不相等，B项错误； C.由立方晶胞的结构可知，与体心最邻近的O原子数为12，即位于棱心的12个O原子，C项正确； D.导电时向阴极移动方向，即与电流方向相同，则空位移动方向与电流方向相反，D项正确；答案选B。 207．D 合金储氢的过程中形成了金属氢化物，为化学变化，A项错误；铁镁合金中存在金属键，不存在离子键，B项错误；以题给晶胞图中上方面心处Fe为研究对象，与其最近且距离相等的Mg有8个（上下两个晶胞各4个），故Fe的配位数为8，C项错误；晶胞中Fe与Mg的最短距离为晶胞体对角线长度的，即，D项正确。 209．B 210．D 基态的电子排布式为[Ar]，其中、能级的所有轨道均有电子，每个s能级有1个原子轨道，每个p能级有3个原子轨道，d能级有5个原子轨道，因此电子共占据14个原子轨道，A错误；的中心原子N的成键电子对数为3，孤电子对数为，空间构型为平面三角形，B错误；晶胞中的N原子的上、下、前、后、左、右均存在最近且等距的Fe原子，因此N原子位于6个Fe原子构成的正八面体空隙中，C错误；该晶胞中，Fe位于棱心，N位于顶点，根据均推法，每个晶胞有个Fe原子和个N原子，因此晶胞中被占据的体积为，晶胞的一条棱长为N原子半径的2倍与Fe原子半径的2倍之和，则晶胞的总体积为，空间利用率为，D正确。 211．C 该晶体中含有等离子，所以该晶体为离子晶体，A错误； 根据晶胞结构可知，晶胞中含有的个数为的个数为，的个数为，所以的个数比为1:1:6，根据化合物中各元素正、负化合价的代数和为零可知，M的化合价为+1，B错误； 根据晶胞结构，由B项计算可知，每个晶胞平均含有M的数目是0.5，而M的离子位于立方体的体心，所以每两个晶胞中，一个有，而另一个无，所以空缺率为50%，C正确； 由B项分析可知，晶体的化学式可表示为，且M为+1价，D错误。 212．C Ce为面心立方堆积，则晶胞中原子数与正四面体空隙数之比为1：2，若O原子填充在Ce立方晶格所有的正四面体空陌中，所得晶胞中Ce与O原子个数比为1：2，该Ce的氧化物的化学式为，A正确；将该立方体均分为8个小立方体，O原子位于每个小立方体的体心，O原子为简单立方堆积，则O原子周围等距且最近的O原子有6个，B正确；用均推法计算可知晶胞中Ce原子有个，O原子有8个，失去一个氧原子后晶体化学式为，为保证晶体呈电中性，有2个Ce原子的化合价从+4价降低至+3价，该物质中与的个数比为，C错误；顶点原子与面心原子的距离为晶胞面对角线长的一半，结合题图可知，若顶点位置原子位于体心时，则面心原子位于棱心，D正确。 213．A 由题图可知位于晶胞的顶点（8个）和面心（6个），所以平均每个晶胞含有个，而Mg位于晶胞的内部，有8个，所以该晶体的化学式为，A正确；由题图可知，Mg周围距离最近且相等的Ni有4个，则晶胞中与1个Mg配位的Ni有4个，B错误；晶胞中最近的2个Ni之间的距离为面对角线长度的一半，即为，C错误；镁镍合金中Mg、Ni通过金属键结合，D错误。 214．D A.晶体硼硬度与金刚石相近，金刚石是共价晶体，所以晶体硼也属于共价晶体，A正确； B.离子中中心原子B的价层电子对数为4，采取杂化，所以H-B-H键角为，B正确； C.在中B原子为杂化，其中，1个B原子与3个H原子形成3个共价键，N提供孤电子对，B提供空轨道形成1个配位键，C正确； D.观察图甲，由均摊法，晶胞中所含B原子个数为6，Mg原子个数为=3，则硼化镁的化学式为，D错误； 故选D。 215．D A.由图知，在NaCl晶体中，距最近的有6个、6个形成正八面体，A正确； B.在晶体中，位于顶点和面心，每个晶胞平均占有数目为，B正确； C.由图知，在晶体中，每个周围等距且紧邻的有12个，C正确； D.该气态团簇分子的分子含有4个E和4个F原子，则该态团簇分子的分子式为或，D错误； 216．C 1个水分子中含有2个O—H键，则18g冰（即）中含O—H键数目为，A正确；28g晶体硅中含有1mol原子，由题图乙可知，1个硅原子与其他4个硅原子形成4个共价键，每个Si—Si键被2个硅原子所共用，故晶体硅中每个硅原子形成的共价键数目为，则1mol晶体硅中含有Si—Si键数目为，B正确；1个晶胞结构单元含有个二氧化碳分子，44g干冰（即）中晶胞结构单元数为，C错误；石墨烯中每个碳原子与3个碳原子形成共价键，每个C—C键为2个碳原子所共用，所以每个碳原子实际形成的C—C键数目为1.5，则12g石墨烯（即）中含C—C键数目为，D正确。 217．B 基态As原子的价电子排布式为，空间运动状态数等于原子轨道数，N层电子共4种空间运动状态，A正确；该晶胞中As的配位数为6，B错误；根据均摊法，一个晶胞中有个Ta原子，有个As原子，该晶体的化学式为TaAs，C正确；m（晶胞）=，，则，D正确。 218．D Ni是28号元素，基态原子核外电子排布式为，可知其位于第四周期第Ⅷ族，故A正确；NaCl晶体中离子的配位数均为6，与NaCl晶胞结构相似，则NiO晶体中的配位数均为6，故B正确；平面NiO基本结构单元为，每个结构单元含1个“NiO”，每个结构单元质量为，的半径为，则结构单元的面积为，则该“单分子层”面积密度为，故C正确；NiO与NaCl晶胞结构相似：，NiO晶胞中最近的有12个，故D错误。 219．C b点原子分数坐标为,A正确;由图可知,晶体中每个周围距离最近的As原子共有4个,B正确,1个晶胞中有4个原子与原子之间的最短距离为晶胞面对角线长度的一半,设晶胞参数为,则,晶胞面对角线长度,则As原子与As原子之间的最短距离,C错误;1个的体积为,1个晶胞中有4个个的体积之和为,晶胞体积为,则晶胞中的空间利用率,D正确。 220．D A.由晶胞结构可知，晶胞中位于体内的镉原子个数为6，位于顶点和面心的砷原子的个数为8×+6×=4，则镉与砷原子个数比为3：2，故A正确； B.由晶胞结构可知，两个镉原子间最短距离为边长的，则最短距离为apm×=0.5apm，故B正确； C.由位于体对角线处①号位的坐标为(，，)可知，晶胞的边长为1，则位于右侧面的面心上的③号位原子坐标参数为(，1，)，故C正确； D.由晶胞结构可知，晶胞中位于体内的镉原子个数为6，位于顶点和面心的砷原子的个数为8×+6×=4，设晶体的密度为dg/cm3，由晶胞的质量公式可得：=(10—10a)3d，解得d=，故D错误；故选D。 221．A 每个晶胞中含有4个Fe和8个Mg。晶胞中Fe原子形成的八面体空隙在晶胞的棱心和体心上，所以晶胞中Fe原子形成的八面体空隙的数目为，即每个晶胞中含有4个分子，故氢气储满后晶体的化学式为，A正确； 该镁铁合金中的元素均为金属元素，所以该镁铁合金中Mg、Fe通过金属键结合，B错误； 氢气储满后，分子和分子之间的最近距离为面对角线(pm)的二分之一，即pm，C错误； 该镁铁合金中，与1个Mg配位的Fe有4个，与1个Fe配位的Mg有8个，D错误。 222．C A.B代表化学式中和的数量比为1:3，则晶胞中有3个，A正确； B.A为顶点，C为面心，因此粒子A与粒子C之间最近距离为，B正确； C.晶胞的质量为：g，密度为：，则a为，C错误； D.若沿z轴向xy平面投影，则其投影图如图2所示，中心为面心和体心的投影重叠，D正确；故选C。 223．D A.由图可知Zn：4、Se：，硒化锌的化学式为，故A正确； B.据图可知，Se的配位数为4，则距离距离最近且相等的有4个，故B正确； C.结合解析A可知晶胞的密度为，故C正确； D.b原子的坐标为，d原子的坐标为，则bd之间的距离为，故D； 224．C A.与石墨相比，黑砷晶体中的As最外层有5个电子，因此黑砷晶体更易结合，故A错误； B.石墨中C原子为杂化，As原子的杂化方式为，故B正确； C.是分子晶体，黑砷晶体类似于石墨，石墨晶体中既有共价键，又有金属键，还有范德华力，为混合晶体，所以同压下黑砷晶体的沸点更高，故C错误； D.每个As原子与周围三个As原子结合形成共价键，因此As原子与键的个数比为，故D正确。 综上所述，答案为C。 225．D 该氧化物的化学式为，A项错误； 晶胞中的配位数为6，B项错误； 根据晶体类型推测，（分子晶体）熔点低于（离子晶体），C项错误； 晶胞棱长，两个间的最短距离为，D项正确； 故选D 226．C 根据图示结构结合几何关系可知，与O原子最近且等距离的O原子有12个，C项错误。 227．C 纯金为24K，则18K金中金的质量分数为75%，Ⅰ中Au位于体心，个数为1，Cu位于顶点，个数为，则Au的质量分数为，为18K金，A正确；Ⅱ中Au位于顶点，个数为，Cu位于面心，个数为，晶体化学式为，1个Cu周围有4个Au，则1个Au周围有12个Cu，Au的配位数是12，B正确；Ⅲ中和的最小核间距均为面对角线长度的，故最小核间距，C错误；结合上述分析可知，Ⅰ中Au、Cu原子个数比为1:1，Ⅱ中Au、Cu原子个数比为1:3，Ⅲ中Au位于面心，个数为，Cu位于顶点，个数为，Au、Cu原子个数比为3:1，D正确 228．D A．铜元素的原子序数为29，其基态原子的价层电子排布为3d104s1，基态Cu+的价层电子排布为3d10； B．同主族元素，从上到下非金属性依次减弱，其简单气态氢化物稳定性依次减弱； C．硫元素化合价升高，铜、氧元素化合价均降低； D．晶胞中位于顶点和面心的黑球个数为864，位于体内的白球个数为8。 A．铜元素的原子序数为29，其基态原子的价层电子排布为3d104s1，基态Cu+的价层电子排布为3d10，则Cu+转化为基态Cu时，得到的电子填充在4s轨道上，故A错误； B．同主族元素，从上到下非金属性依次减弱，其简单气态氢化物稳定性依次减弱，则硫元素的简单气态氢化物稳定性小于氧元素，故B错误； C．反应生成2mol铜时，转移电子6mol，则生成1mol单质铜时，转移电子的数目为3NA，故C错误； D．晶胞中位于顶点和面心的黑球个数为864，位于体内的白球个数为8，由化学式Cu2O可知，黑球表示的是O2﹣，白球表示的是Cu+，故D正确； 故选：D。 229．B A．白锡的配位数为8，灰锡的配位数为4； B．晶体的体积大小未知，无法比较两种晶体的密度大小； C．一个白锡晶胞中含有的锡原子数为81＝2，一个灰锡晶胞中含有的锡原子数为864＝8，则白锡和灰锡的密度之比为：； D．最近的两个锡原子间距为体对角线的。 A．白锡的配位数为8，灰锡的配位数为4，因此白锡与灰锡晶体的配位数之比为2：1，故A正确； B．晶体的体积大小未知，无法比较两种晶体的密度大小，故B错误； C．一个白锡晶胞中含有的锡原子数为81＝2，一个灰锡晶胞中含有的锡原子数为864＝8，则白锡和灰锡的密度之比为：，故C正确； D．最近的两个锡原子间距为体对角线的，即为anm，故D正确； 故选：B。 230．B A．晶胞中8个X在顶点位置，上下两个面的面心各有2个Y，四个竖立面的面心各有1个Y，体心有一个Y，所以，X的个数为8，Y个数为81＝5； B．一个晶胞最多可以存储9个氢原子，即4.5个氢分子，0.1mol晶体可以存储0.45mol氢气； C．晶胞中四面体空隙吸附6个氢原子后，其质量为，晶胞体积为9.0×10﹣23 cm3，其密度为0.11 g•cm﹣3。 D．由俯视图可知，距离顶点的X原子最近的Y原子位于两个正三角形中心，以位于钝角顶点的X为例，该晶胞中有2个Y距离X最近，相邻的两个晶胞的上层中还各有2个Y，合计6个Y，围成正六边形。若以锐角顶点X为例，上层内以其为共用顶点的6个正三角形中心各有1个Y，围成正六边形。 A．晶胞中8个X在顶点位置，四个竖立面的面心各有1个Y，上下两个面的面心各有2个Y，体心有一个Y，所以，X的个数为8，Y个数为81＝5，故化学式为XY5，故A正确； B．一个晶胞最多可以存储9个氢原子，即4.5个氢分子，0.1mol晶体可以存储0.45mol氢气，标准状态下应为10.08 L，故B错误； C．晶胞中四面体空隙吸附6个氢原子后，其质量为，晶胞体积为9.0×10﹣23 cm3，其密度为0.11 g•cm﹣3，故C正确； D．由俯视图可知，距离顶点的X原子最近的Y原子位于两个正三角形中心，以位于钝角顶点的X为例，该晶胞中有2个Y距离X最近，相邻的两个晶胞的上层中还各有2个Y，合计6个Y，围成正六边形。若以锐角顶点X为例，上层内以其为共用顶点的6个正三角形中心各有1个Y，围成正六边形，故D正确； 故选：B。 目前，大规模电解制氮技术均以纯水为原料。由于淡水资源危机和氢能需求量大，海水直接电解制氮成为新的研究热点。然而海水直接电解工艺主要受限于催化剂活性低、稳定性差。 鉴于液态金属具有熔解分散其他金属的特性，2024年5月天津大学海洋科学和技术学院开发出了以液态金属Ga为基质，以金属Co和Pt为活性中心的Gn—CoPt液态合金催化剂，并用于海水直接电解制氢。结果表明，液态金属Ga增强了Co、Pt原子的分散性、迁移性和协同性，显著提升了海水直接电解制氮的催化活性。图为镓基液态金属促进Co、Pt双金属协同催化海水直接电解制氢原理示意图。据此回答下列问题。 231.B A．根据分摊原则，一个晶胞里含有Ga：、N：； B．氧化镓晶体结构中镓（灰球）连6个氧，配位数为6，氧（黑球）连4个镓； C．N原子连接4个Ga原子，且处于4个Ga原子构成的四面体空隙中； D．结构乙是由3个结构甲无缝拼接后，并沿棱往下平移个单位得到的。 A．一个晶胞里含有Ga：、N：，一个晶胞含有2个Ga，2个N，1mol氮化镓晶胞中含有4NA个原子，故A正确； B．氧化镓晶体结构中镓（灰球）连6个氧，配位数为6，氧（黑球）连4个镓，配位数为4，故B错误； C．N原子连接4个Ga原子，且处于4个Ga原子构成的四面体空隙中，故可理解N原子位于Ga原子构成的四面体空隙中，故C正确； D．结构乙是由3个结构甲无缝拼接后，并沿棱往下平移个单位得到的，故D正确； 故选：B。 232．D A．Bi4（TiO4）3铁电材料掺杂La后变为Bi2La2（TiO4）3，可知最左或最右的Bi被La取代，Bi位于正方体的体心，正方体为六面体，Bi填充在Ti形成的六面体空隙中； B．Bi位于棱上和体内，个数为，Ti位于棱上、顶点和体内，个数为883＝6，La位于棱上和体内，个数为82＝4，Ti：Bi：La＝6：4：4＝3：2：2，根据Bi4（TiO4）3可知，该晶体的化学式为Bi2La2（TiO4）3； C．该晶胞在xy平面进行投影时，棱上的Ti、Bi、La投影在四个角，体内的La、Ti、Bi投影在面心； D．若p点La平移至晶胞体心，相当于该晶胞中右侧顶点的Ti沿z轴向左移至如图标红色的La原子位置，。 A．Bi4（TiO4）3铁电材料掺杂La后变为Bi2La2（TiO4）3，可知最左或最右的Bi被La取代，Bi位于正方体的体心，正方体为六面体，Bi填充在Ti形成的六面体空隙中，故A正确； B．Bi位于棱上和体内，个数为，Ti位于棱上、顶点和体内，个数为883＝6，La位于棱上和体内，个数为82＝4，Ti：Bi：La＝6：4：4＝3：2：2，根据Bi4（TiO4）3可知，该晶体的化学式为Bi2La2（TiO4）3，故B正确； C．该晶胞在xy平面进行投影时，棱上的Ti、Bi、La投影在四个角，体内的La、Ti、Bi投影在面心，即该晶胞在xy平面的投影为，故C正确； D．若p点La平移至晶胞体心，相当于该晶胞中右侧顶点的Ti沿z轴向左移至如图标红色的La原子位置，，即La位于晶胞顶点，故D错误； 故选：D。 233．D A．由a正方体单元的图可知，体心处的Fe2+位于O2﹣形成的正四面体空隙中； B．由b正方体单元的图可知，Fe3+周围等距最近的O2﹣有6个； C．该锂电池放电时，正极得电子发生还原反应； D．由a、b单元可知，O原子个数为4×8＝32，正极材料为LiFe6O8，可知含有4个Li+，若该正极材料中n（Fe2+）：n（Fe3+）＝3：5，则含有24＝9个Fe2+，15个Fe3+，即有3个Li+脱嵌。 A．由a正方体单元的图可知，体心处的Fe2+位于O2﹣形成的正四面体空隙中，故A正确； B．由b正方体单元的图可知，Fe3+周围等距最近的O2﹣有6个，故B正确； C．该锂电池放电时，正极得电子发生还原反应，该电极的反应为：该锂电池的正极反应为Li1﹣xFe6O8+xe﹣+xLi+＝LiFe6O8，故C正确； D．由a、b单元可知，O原子个数为4×8＝32，正极材料为LiFe6O8，可知含有4个Li+，若该正极材料中n（Fe2+）：n（Fe3+）＝3：5，则含有24＝9个Fe2+，15个Fe3+，即有3个Li+脱嵌，脱嵌率为100%＝75%，故D错误； 故选：D。 234．B A．Hg在元素周期表中位于第六周期第ⅡB族； B．Hg2+位于S2﹣构成的正四面体中心； C．在1个HgS晶胞中，含有4个Hg2+和4个S2﹣，则该晶胞的边长，而在该晶胞中S2﹣之间的最短距离是顶点到面心的距离； D．若c的原子坐标为（1，1，1），说明a为坐标原点。 A．Hg在元素周期表中位于第六周期第ⅡB族，属于ds区，故A错误； B．Hg2+位于S2﹣构成的正四面体中心，故B正确； C．晶胞中含有4个Hg2+和4个S2﹣，则该晶胞的边长，而在该晶胞中S2﹣之间的最短距离是顶点到面心的距离，故距离为，故C错误； D．若c的原子坐标为（1，1，1），说明a为坐标原点，则b的原子坐标为，故D错误； 故选：B。 235．B A．根据均摊法可知晶胞中含Cr个，含S； B．由晶胞的结构可知，Cr原子的配位数为4； C．该晶胞的体积为； D．基态Cr原子的电子排布式为1s22s22p63s23p63d54s1，未成对电子数为6，S为16号元素，为主族元素，价电子即为最外层电子，即S的价电子数为6。 A．根据均摊法可知晶胞中含Cr：个，含S：，故该化合物的化学式为CrS，故A正确； B．由晶胞的结构可知，Cr原子的配位数为4，故B错误； C．该晶胞的体积为，则晶胞的密度为，故C正确； D．基态Cr原子的电子排布式为1s22s22p63s23p63d54s1，未成对电子数为6，S为16号元素，为主族元素，价电子即为最外层电子，即S的价电子数为6，故基态Cr原子的未成对电子个数等于硫原子的价电子数，故D正确； 故选：B。 236．B A．元素Ni为28号元素，位于第四周期第Ⅷ族； B．据均摊法，Ni原子占据晶胞的顶点和面心，晶胞中含个Ni，Mg2+处于八个小立方体的体心，数目为8个； C．结合B分析，晶胞中含4个Mg2NiH4，则晶体密度为； D．Mg2+位于Ni原子形成的四面体空隙。 A．元素Ni位于第四周期第Ⅷ族，位于周期表d区，故A错误； B．Ni原子占据晶胞的顶点和面心，晶胞中含个Ni，Mg2+处于八个小立方体的体心，数目为8个，则该金属氢化物的化学式为Mg2NiH4，故B正确； C．晶胞中含4个Mg2NiH4，则晶体密度为，故C错误； D．Mg2+位于Ni原子形成的四面体空隙，故D错误； 故选：B。 237．A A．Li位于元素周期表的s区，O位于p区； B．晶胞中O2﹣位于顶点和面心； C．有4个与Li+最近且相等的O2﹣，有8个与O2﹣最近且相等的Li+； D．Li+和O2﹣的最近距离为体对角线的。 A．Li位于元素周期表的s区，O位于p区，故A错误； B．晶胞中O2﹣位于顶点和面心，共有个，每个晶胞中含有4个O2﹣，故B正确； C．有4个与Li+最近且相等的O2﹣，有8个与O2﹣最近且相等的Li+，故Li+和O2﹣的配位数之比为1：2，故C正确； D．Li+和O2﹣的最近距离为体对角线的，距离为，故D正确； 故选：A。 238．D A．根据将晶胞切割成八个大小相等的小正方体，As位于小正方体的中心，进行分析； B．根据晶胞中微粒m和p的坐标，计算a和b的比例，进行分析； C．根据锂元素的焰色反应，进行分析； D．根据晶胞结构和密度，计算微粒Zn与微粒As之间的最短距离，进行分析。 A．将晶胞切割成八个大小相等的小正方体，As位于小正方体的中心，由晶胞结构可判断微粒n的分数坐标是，故A错误； B．按均摊法计算，顶点属于晶胞的八分之一，面上属于二分之一，体心属于1，晶胞中Li的个数为，Zn的个数为，Mn的个数为，As的个数为4，可得LiZnaMnbAs中a＝0.75，b＝0.25，故B错误； C．元素Li的焰色是紫红色，属于发射光谱，故C错误； D．As原子与Zn原子之间的最短距离为晶胞体对角线的，设棱长为a，则，As原子与Zn原子之间的最短距离为，故D正确； 故选：D。 239．C A．1个CH3中含有7个σ键； B．I﹣位于晶胞面心，则与I﹣最近距离的I﹣数为8； C．该晶体是由阳离子和阴离子相互作用而形成的晶体，属于离子晶体； D．该晶胞中含有1个CH3，3个I﹣，1个Pb2+，相对分子质量为620，代入公式ρ可得晶胞的密度。 A．1个CH3中含有7个σ键，则1mol CH3中含有7NA个σ键，故A正确； B．I﹣位于晶胞面心，则与I﹣最近距离的I﹣数为8，故B正确； C．该晶体是由阳离子和阴离子相互作用而形成的晶体，属于离子晶体，故C错误； D．该晶胞中含有1个CH3，3个I﹣，1个Pb2+，相对分子质量为620，则晶胞的密度为ρ，故D正确； 故选：C。 240．B A．Zn是第30号元素，核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s2，原子轨道数目与核外电子空间运动状态相等； B．晶胞ZnS中从图像上可知，硫离子的配位数为4； C．根据ZnS结构，在体对角线上，两个顶点为S2﹣，靠近其中一个S2﹣是Zn2+； D．由均摊法可知，LixZnyS中Li+和Zn2+共有7个，S2﹣有84，由化合价代数和为零可知，Li+和Zn2+的个数比为6：1，化学式为Li6ZnS4，即Li1.5Zn0.25S，充电过程中该电极为阴极，得电子。 A．原子轨道数目与核外电子空间运动状态相等，Zn是第30号元素，核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s2，s、p、d轨道分别有1、3、5，共15种空间运动状态，故A正确； B．晶胞ZnS中从图像上可知，硫离子的配位数为4，晶胞Li2S中从图像上可知，硫离子的配位数为8，故B错误； C．根据ZnS结构，在体对角线上，两个顶点为S2﹣，靠近其中一个S2﹣是Zn2+，故在ZnS体对角线的一维空间上会出现“”的排布规律，故C正确； D．LixZnyS中Li+和Zn2+共有7个，S2﹣有84，由化合价代数和为零可知，Li+和Zn2+的个数比为6：1，化学式为Li6ZnS4，即Li1.5Zn0.25S，充电过程中该电极为阴极，得电子，电极反应式为4ZnS+6Li++6e﹣＝3Zn+4Li1.5Zn0.25S，故D正确； 故选：B。 241．D A．CeO2晶胞中，距离Ce4+最近且等距的Ce4+在同层、上下层各4个； B．CeO2晶胞中两个Ce4+间的最小距离为面对角线的二分之一，由此可得晶胞参数为，Ce4+与O2﹣的最小核间距离为晶胞体对角线长的四分之一； C．M点原子的分数坐标为（0，0，0），根据晶胞中N点的位置可以看出，N点原子在xyz轴上投影坐标分别为、、； D．氧化铈（CeO2）晶胞中掺杂Y2O3，Y3+占据原来Ce4+的位置，未掺杂之前，每个晶胞中有个Ce，8个O，若掺杂Y2O3后得到n（CeO2）：n（Y2O3）＝3：1的晶体，每个晶胞中Ce和Y共4个时，分别含有2.4个Ce4+和1.6个Y3+，则含有2.4×2+0.8×3＝7.2个O2﹣。 A．CeO2晶胞中，距离Ce4+最近且等距的Ce4+在同层、上下层各4个，则数目为12，故A错误； B．CeO2晶胞中两个Ce4+间的最小距离为面对角线的二分之一，由此可得晶胞参数为，Ce4+与O2﹣的最小核间距离为晶胞体对角线长的四分之一，即为，故B错误； C．M点原子的分数坐标为（0，0，0），N点原子在xyz轴上投影坐标分别为、、，分数坐标为（，，），故C错误； D．氧化铈（CeO2）晶胞中掺杂Y2O3，Y3+占据原来Ce4+的位置，未掺杂之前，每个晶胞中有个Ce，8个O，若掺杂Y2O3后得到n（CeO2）：n（Y2O3）＝3：1的晶体，每个晶胞中Ce和Y共4个时，分别含有2.4个Ce4+和1.6个Y3+，则含有2.4×2+0.8×3＝7.2个O2﹣，则此晶体中O2﹣的空缺率为10%，故D正确； 故选：D。 242．D A．根据As为33号元素，原子核外有33个电子，核外电子排布式为[Ar]3d104s24p3，进行分析； B．根据按均摊法计算，顶点属于晶胞的八分之一，面上属于二分之一，体心属于1进行分析； C．根据砷化镓晶胞中与镓原子最近的As原子个数是4个，进行分析； D．根据晶胞中x与y原子的最近距离为体对角线的，则最近距离为，晶胞中As和Ga的原子个数均是4个，进行分析。 A．As原子核外有33个电子，核外电子排布式为[Ar]3d104s24p3，因此基态As原子有3个未成对电子，故A正确； B．按均摊法计算，顶点属于晶胞的八分之一，面上属于二分之一，体心属于1，晶胞中Ga原子的个数为4，As原子的个数为，所以化学式为GaAs，故B正确； C．砷化镓晶胞中与镓原子最近的As原子个数是4个，则配位数为4，故C正确； D．假设晶胞参数为apm，由晶胞结构可知，晶胞中x与y原子的最近距离为体对角线的，则最近距离为，晶胞中As和Ga的原子个数均是4个，则砷化镓的密度则，代入可得距离为，故D错误； 故选：D。 243．D A．根据均摊法，该立方体中含有Fe3+的数目为4，Fe2+的数目为4，CN﹣的数目为123，图立方体是其晶胞的，则晶胞中含有Fe3+的数目为8＝4，Fe2+的数目为8＝4，CN﹣的数目为3×8＝24，根据化合物中各元素的代数和为0可知，K+的数目为4； B．晶体中与每个Fe3+距离最近且等距离的CN﹣位于其上下左右前后； C．晶胞的质量为g，晶胞的体积中（2a×10﹣7cm）3＝8a3×10﹣21cm3，代入公式ρ可得晶胞的密度； D．若K+位于每一个立方体的中心位置，则K+的数目为8，不满足题意。 A．根据均摊法，该立方体中含有Fe3+的数目为4，Fe2+的数目为4，CN﹣的数目为123，图立方体是其晶胞的，则晶胞中含有Fe3+的数目为8＝4，Fe2+的数目为8＝4，CN﹣的数目为3×8＝24，根据化合物中各元素的代数和为0可知，K+的数目为4，则该晶体的化学式为KFe2（CN）6，故A正确； B．晶体中与每个Fe3+距离最近且等距离的CN﹣位于其上下左右前后，共有6个，故B正确； C．晶胞的质量为g，晶胞的体积中（2a×10﹣7cm）3＝8a3×10﹣21cm3，则晶胞的密度为ρ，故C正确； D．若K+位于每一个立方体的中心位置，则K+的数目为8，不满足题意，故D错误； 故选：D。 244．D A．均摊法计算晶胞中各原子数目，进而确定化学式； B．β型转化为α型时，Ag+和Hg2+混合分布，晶体结构的混乱度增大； C．空位有利于离子迁移； D．空位出现在Ag+和Hg2+的位置，且I﹣的半径较大。 A．α型晶胞中，I﹣的数目为4，Ag+的数目为862，Hg2+的数目为861，α型化学式为Ag2HgI4，β型晶胞中，I﹣的数目为4，Ag+的数目为822，Hg2+的数目为41，β型化学式也是Ag2HgI4，故A正确； B．由图可知，β型转化为α型时，Ag+和Hg2+混合分布，晶体结构的混乱度增大，则△S＞0，故B正确； C．高温时，β型转为具有空位的α型，更有利于离子的迁移，导电性增加，故C正确； D．由图可知，空位出现在Ag+和Hg2+的位置，主要为Ag+和Hg2+迁移，且I﹣的半径较大，在半径较小的空位中难以迁移，故D错误； 故选：D。 245．D A．根据晶胞结构中N—Hg—N键角为180°，Br﹣位于小立方体的顶点，两个小立方体共用面中心的Hg2+，NH3分子的中心原子位于小立方体的体心，进行分析； B．根据小立方体的边长为apm，NH3分子的中心原子位于小立方体的体心，进行分析； C．根据按均摊法计算，顶点属于晶胞的八分之一，面上属于二分之一，体心属于1进行分析； D．根据晶胞的体积为2a3×10﹣30cm3，每个晶胞中有1个Hg（NH3）2Br2，质量为，结合密度计算式进行分析。 A．晶胞结构中N—Hg—N键角为180°，每个晶胞由两个小立方体构成，Br﹣位于小立方体的顶点，两个小立方体共用面中心的Hg2+，NH3分子的中心原子位于小立方体的体心，图示正确，故A正确； B．NH3分子的中心原子位于小立方体的体心，根据晶胞结构图，N—Hg—N中Hg—N的键长为，故B正确； C．按均摊法计算，顶点属于晶胞的八分之一，面上属于二分之一，体心属于1，1个晶胞中含有Br﹣个数为，其质量应为，故C正确； D．晶胞的体积为2a3×10﹣30cm3，每个晶胞中有1个HgBr2+2NH3＝Hg（NH3）2Br2，质量为，晶体M的密度为，故D错误； 故选：D。 246．C A．根据氮化硼（BN）的晶体结构和导电性进行分析； B．根据共价键和配位键的特点进行分析； C．根据晶体结构中原子的配位数进行分析； D．根据按均摊法计算，顶点属于晶胞的八分之一，面上属于二分之一，体心属于1，晶体密度和阿伏加德罗常数的计算方法进行分析。 A．h﹣BN晶体结构类似于石墨晶体，故h﹣BN晶体中层内存在大π键，但由于氮原子具有较强的电负性，能有效地将电子约束在氮原子周围，使其不能有效流动，故而h﹣BN晶体不导电，故A正确； B．B原子的价电子数为3，且杂化类型为sp3杂化，其中与3个N原子形成3个共价键，另外一条杂化轨道无电子，为空轨道，与N原子形成配位键，氮化硼晶体中“一般共价键”与配位键的数目之比为3：1，故B正确； C．以w﹣BN晶体结构中上面面心的B为中心，周围有6个距离相等且最近的N，故B的配位数为6，故C错误； D．按均摊法计算，顶点属于晶胞的八分之一，面上属于二分之一，体心属于1，一个w﹣BN晶胞中含有N个数为3，B的个数为，则一个晶胞的质量为，根据晶胞参数可知，一个晶胞的体积为，故w﹣BN晶体的密度可表示为，故D正确； 故选：C。 247．D A．根据均摊法，该晶胞中含有的Zn2+数目为4，S2﹣的数目为864，Zn2+的配位数为4，则S2﹣的配位数也是4； B．由晶胞的结构可知，晶胞中m原子分数坐标为（，，）； C．相邻两个Zn2+的最短距离为面对角线的一半； D．晶胞的质量为gg，晶胞的体积为a3×10﹣21cm3，代入公式ρ＝可得晶胞的密度。 A．根据均摊法，该晶胞中含有的Zn2+数目为4，S2﹣的数目为864，Zn2+的配位数为4，则S2﹣的配位数也是4，故A正确； B．由晶胞的结构可知，晶胞中m原子分数坐标为（，，），故B正确； C．相邻两个Zn2+的最短距离为面对角线的一半，为nm，故C正确； D．晶胞的质量为gg，晶胞的体积为a3×10﹣21cm3，则晶胞的密度ρg•cm﹣3，故D错误； 故选：D。 228．B 配合物配体是和，A项正确；该配合物的中心离子是，B项错误；配合物的内界和外界的的数目之比是2:1， C项正确；外界的在水中可完全电离出来，内界的基本不电离，D项正确。 229．B A.由该配合物的性质可知该配合物无外界离子，故A正确； B.该配合物的配位数为6，Pt采取杂化，故B错误； C.该配合物中与Pt之间形成配位键，N原子周围不再存在孤电子对，而中中心N原含有1对孤电子对，孤电子对对成键电子对产生排斥使键角变小，故C正确； D.根据化合物中各元素化合价代数和为零，可知该物质中Pt价态为+4价，故D正确； 故选：B。 230．D A.配合物的的配体为，配位数为2，故A正确；B.一个CO中有一个σ键，配合物中有四个配位键，则1mol配合物中共有8molσ键，故B正确；C.配合物中氨气中N原子存在孤电子，配体为，故C正确； D.加入足量的溶液，外界离子与反应形成AgCl沉淀，内界配位离子与不能反应，配合物反应生成2molAgCl沉淀，故D错误；故选：D。 231．D 该配合物中配位体是Cl和，配位数是6，A错误；加入足量溶液，外界离子与反应，配合物内配位离子不与反应，B错误；中心离子是，配离子是，C错误；配位键属于σ键，1mol该配合物中含有键，D正确。 232．C C.该配合物中含有6个配位键即6个σ键，C、N形成三键，5个中有5个σ键，N、O形成三键，含1个σ键，故共有12个σ键，故1mol配合物中σ键数目为12，故C错误 233．C 中有8个配位键，故中含0.8mol配位键，A正确；配合物中的配离子是，配体，提供孤电子对，中心离子是，提供空轨道形成配位键，B正确；根据电离方程式可知，向含1mol该配合物的溶液中滴加溶液，滴定结束后生成2 mol AgCl沉淀，C错误；与存在离子键，NO分子内和内存在极性共价键，与形成配位键，D正确。 234．B 该配合物分子中的O原子最外层均满足8电子稳定结构，A项正确；N的电负性小于O，故N给出孤电子对能力强于O，形成的配位键稳定性：O—Cr<N—Cr，B项错误；该配合物分子结构对称性很强，属于非极性分子，而蛋氨酸含有羧基、氨基两个亲水基，且属于极性分子，故该配合物溶解度小于蛋氨酸，C项正确；该配合物分子含有的σ键与π键个数比为60:3=20:1，D项正确。 235．B 电负性H<C<N，A正确；N原子是杂化，该配合物是立体结构，B错误；Pt位于元素周期表d区，C正确；由图知Pt的配位数是4，D正确。 236．C “加入液无沉淀产生”说明该配合物的水溶液中不存在游离的氯离子，“以强碱处理也没有放出”说明也是配体，所以该配合物的化学式为。A项， 该配合物中中心离子所带电荷数为4，其配位数为6，错误；B项，该 配合物的配位数为6，应是八面体结构，错误；C项，由分析可知，和分子均与形成配位键，形成的配合物为，正确；D项，用强碱处理该配合物没有放出， 说明也是配体，错误。 237．B 氨气为碱性气体，碱性物质与反应：，实质为和外界离子氢离子反应，所以不具有很强的碱性，A项错误；配合物中，为中心离子，为配体，配位数为6，中，为中心离子，为配体，配位数为6，中，为中心离子，为配体，配位数为6，B项正确；和为共价化合物，为离子化合物，C项错误；3种配合物中Pt的化合价都为+4，D项错误。 238．A A.配合物a中含1种配体，A错误； B.由图可知，Cd与S和N原子形成了4个配位键，即配位数为4，B正确； C.配位原子N的杂化为，S的杂化方式，杂化方式相同，C正确； D.配合物a中N的电负性大，能通过氢键形成聚集体，故形成超分子结构可借助氢键作用，D正确； 故选A。 239．D A.配合物1中，中氧原子提供孤对电子，提供空轨道形成配位键；配合物1右侧N、O分别提供一对孤电子，与形成配位键，则配合物1中含有2种配体，A正确；B.由配合物2的结构可知，N形成2个键，一个配位键，故采取杂化，B正确；C.转变过程中，配合物1中断裂2个与形成的配位键，配合物2中，中的O与形成2个配位键，涉及配位键的断裂和形成，C正确；D.配合物1、2中Co都为+2价，Co的化合价没有发生变化，D错误；故选D。 240．B 由题给配合物的化学式可知,Cr的化合价为+3,A正确;配合物中C原子的杂化方式为和,B错误;水是共价化合物,C正确;Cr的核外电子排布式为或,D正确。 241．B 242．B A.Cl形成2个单键，价层电子对数为4，杂化方式为杂化，故A正确； B.CO中C的电负性小于O，电负性越小越易提供电子对，故C提供孤电子对，故B错误； C.该配合物中，提供空轨道，CO、、提供孤电子对与其形成配位键，故C正确； D.由结构简式可知中心离子的配位数为4，故D正确； 故选：B。 243．D A.由1mol配合物与作用生成1molAgCl沉淀，故该配合物外界有1mol，即配合物为，配离子为，因Co显+3价，所以中m-1=2，故m=3，又因为配离子为八面体，则n=6-2=4，选项A正确；B.该配离子的立体结构是正八面体，正八面体六个顶点的位置是对称等同的，选取其中一个取代，剩余位置有两种，所以二元取代产物也就是两种，选项B正确；C.有1mol中键为有1molN-H，共有3×4=12mol（共有4mol），Co形成配位键6mol，共有键12+6=18mol，选项C正确；D.该配合物中电子已饱和，分子之间不能形成氢键，选项D错误；答案选D。 244．D 苯分子中有12个键，其中有6个键，A项正确； 观察结构，配合物中的铜元素显+1价，价电子排布式为，不含有未成对电子，不属于顺磁性物质，B项正确； 苯中碳的未杂化的轨道形成6中心6电子的大键，C项正确； 氢键不属于化学键，D项错误。 245．C A.配合物中饱和碳原子的杂化方式为，键中的碳原子杂化方式为，故A正确； B.如图的结构中N原子形成3个σ键，还有1对孤电子对，带1个负电荷的O形成1个σ键，还有孤电子对，所以N、O原子提供孤电子对作为配位原子与形成配位键，故B正确； C.键角1的碳原子是杂化，键角2的碳原子是杂化，中心原子杂化轨道越多，形成的键角越小，故键角1>键角2，故C错误； D.根据图中结构可知，1mol该配合物中通过螯合作用形成的配位键有6mol，故D正确； 故答案为C。 246．C A.根据洪特规则的特例可知，Cu(II)的价层电子排布式3，A错误；B.配合物A中存在的作用力类型有共价键、配位键、氢键，B错误；C.配合物B中Cu(II)的配位原子构成6配位的八面体结构，C正确；D.配合物实现颜色的转变的原因是发生了配位构型的转变，四方平面转变为八面体，D错误；故选C。 247.D　 反应2LiH+C+N2Li2CN2+H2中，LiH中H元素由-1价升高到0价，C元素由0价升高到+4价，N元素由0价降低到-3价，还原剂是LiH和C，A正确；Li+位于晶胞中的面上，晶胞中含有的Li+个数为8×=4，B正确；以位于体心的为标准，与它最近且距离相等的Li+有8个，C正确；的中心原子C原子的价层电子对数为2+×(4+2-3×2)=2，C原子为sp杂化，或与CO2互为等电子体，可知为直线形分子，D错误。 248.C 　24K金的质量分数为100%，则18K金的质量分数为×100%=75%，Ⅰ中Au和Cu原子个数比为1∶1，则Au的质量分数为×100%≈75%，A正确；Ⅱ中Au处于立方体的八个顶角，则Au的配位数为12，B正确；设Ⅲ的晶胞参数为a，Au-Cu的核间距为a，Au-Au的最小核间距也为 a，最小核间距Au-Cu=Au-Au，C错误；Ⅰ中，Au处于内部，Cu处于晶胞的八个顶角，其原子个数比为1∶1，Ⅱ中，Au处于立方体的八个顶角，Cu 处于面心，其原子个数比为(8×)∶(6×)=1∶3，Ⅲ中，Au处于立方体的面心，Cu处于顶角，其原子个数比为(6×)∶(8×)=3∶1，D正确。 249.B 　由均摊法得，结构1中含有Co的数目为4+4×=4.5，含有S的数目为1+12×=4，Co与S的原子个数比为9∶8，因此结构1的化学式为Co9S8，故A正确；由图可知，晶胞2中S与S的最短距离为面对角线的，晶胞边长为a，即S与S的最短距离为a，故B错误；如图：，以图中的Li为例，与其最近的S共4个，故C正确；如图，当两个晶胞2放在一起时，图中灰框截取的部分就是晶胞3，晶胞2和晶胞3表示同一晶体，故D正确。 250.B　 根据题意，导电时Li+发生迁移，化合价不变，则Ti和La的价态不变，A项正确；根据“均摊法”，1个晶胞中含Ti：8×=1个，含O：12×=3个，含La或Li或空位共1个，若x=，则La和空位共，n(La)+n(空位)=，结合正负化合价代数和为0，(+1)×+(+3)×n(La)+(+4)×1+(-2)×3=0，解得n(La)=、n(空位)=，Li+与空位的数目不相等，B项错误；由立方晶胞的结构可知，与体心最邻近的O原子数为12，即位于棱心的12个O原子，C项正确；导电时Li+向阴极方向移动，即与电流方向相同，则空位移动方向与电流方向相反，D项正确。 251.D　 根据题给立方晶胞及晶胞中M、N、P、Q点的截面图可知，若将晶胞均分为8个小立方体，晶胞体内的8个F-位于8个小立方体的体心，由均摊法可知，每个晶胞中含有铋离子个数为1+12×=4个，含有氟离子个数为8+8×+6×=12个，故该铋氟化物的化学式为BiF3，A正确；以M点为原点建立坐标系，令N点的原子分数坐标为(0，0，1)，Q点的原子分数坐标为(1，1，0)，则T点的原子分数坐标为(1，，)，S点的原子分数坐标为(，，)，所以粒子S、T之间的距离为×a pm=a pm，B正确；由A项分析可知，每个晶胞中有4个B、12个F-，晶胞体积为(a pm)3=a3×10-30 cm3，则晶体密度为ρ== g·cm-3，C正确；以晶胞体心处Bi3+为分析对象，距离Bi3+最近且等距的F-位于8个小立方体的体心，即有8个F-，D错误。 252.D　 由晶胞的结构可知Pb的个数为8×=1，Cs的个数为1，F的个数为12×=3，化学式为CsPbF3，故B正确；Pb化合价为+2价，K化合价为+1价，在Pb位点掺杂K，阳离子所带电荷减少，使得F位点会出现空缺，故C正确；随掺杂K含量的增加，若F位点空缺过多，可迁移的F-变少，离子传输效率降低，故D错误 253.C　 Ni为第28号元素，位于元素周期表的第Ⅷ族，为d区元素，A错误；由结构图可知NiO晶体中每个O2-周围与它距离相等且最近的O2-有12个，B错误；NiO晶体中与一个Ni2+距离相等且最近的O2-构成的空间几何形状为正八面体，D错误 254.C　 电负性：Cl>Br>I，电负性差值越大，离子键的百分数越大，A正确；左侧图中有四个重复单元，每个单元内含2个铬原子，卤素原子数目为8×+2=6，则n=3；右侧图中1个单元含有1个铬原子，氧原子数目为2×+2=3，m=3，B正确；CrXn中X的化合价为-1价，生成1 mol X—X转移2 mol电子，C错误；CrXn阳离子相同，阴离子半径越小，离子键越强，熔点越高，D正确 255.D　 γ-AgI中I-的数目为6×+8×=4，结合化学式，含有4个AgI，α-AgI中I-的数目为1+8×=2，结合化学式，含有2个AgI，晶胞的质量之比为2∶1，A正确；两者结构不同，可用X射线衍射实验区分γ-AgI和α-AgI晶体，B正确；γ-AgI晶胞中，晶胞顶角和面心位置的I-距离最近，因此与I-等距离且最近的I-有12个，α-AgI中晶胞体心和顶角位置的I-距离最近，因此与I-等距离且最近的I-个数为8个，γ-AgI与α-AgI中与I-等距离且最近的I-个数比为3∶2，C正确；支管a中Ag电极为阳极，银失去电子生成银离子，因支管a中AgI质量不变，则Ag+通过AgI固体离子导体移向支管b，然后在b得到电子生成银，故导电离子为Ag+，D错误。 256.D　 由晶胞结构可知，晶胞中位于体内的镉原子个数为6，位于顶角和面心的砷原子的个数为8×+6×=4，则镉与砷原子个数比为3∶2，故A正确；由晶胞结构可知，两个镉原子间最短距离为边长的，则最短距离为a pm×=0.5a pm，故B正确；由位于体对角线处①号位的坐标为(，，)可知，位于右侧面面心上的③号位原子坐标参数为(，1，)，故C正确；由晶胞结构可知，晶胞中位于体内的镉原子个数为6，位于顶角和面心的砷原子的个数为8×+6×=4，设晶体的密度为d g·cm-3，由晶胞的质量公式可得：=(10-10×a)3d，解得d=，故D错误。 257.C 　钒是23号元素，基态V原子的电子排布式为1s22s22p63s23p63d34s2，电子占据7个能级，A项错误；由图可知，V原子个数为8×+1=2，O原子个数为4×+2=4，V和O原子个数比为2∶4=1∶2，化学式为VO2，B项错误，C项正确；晶胞质量为 g，根据密度公式计算晶胞参数：d=，a=×107 nm，D项错误 258.C 　晶胞中Ga与周围等距且最近的As形成的空间结构为正四面体结构，所以 Ga的配位数为4，A错误；该晶胞沿z轴方向的平面投影为，B错误；该晶胞中，每个As形成3个共价键和1个配位键，则该晶胞中普通共价键有12个，配位键有4个，共价键总数为16个，所以晶体中配位键占共价键总数的25%，C正确；晶胞中砷原子与镓原子间的最短距离为体对角线长的，即a pm，D错误 259.B　 中中心原子Al价层电子对数为4+×(4-4×1)=4，杂化轨道数为4，Al的杂化方式为sp3杂化，A正确；观察体心的，可以看出与紧邻且等距的Na+有8个，B项错误；Na+个数为6×+4×=4，Na+个数与个数相等，晶胞质量为 g，晶胞体积为×2a×10-7 cm-3=2a3×10-21 cm-3，则晶胞密度为 g·cm-3，C正确；若NaAlH4晶胞上下面心处的Na+被Li+取代，晶胞中Li+个数为2×=1，得到的晶体的化学式为Na3Li，D正确 260.D　 A.由题干晶胞示意图可知,该晶胞中Li+位于棱心上,B位于体心上,S2-位于顶角,A错误;B.同一周期从左往右元素电负性依次增大,同一主族从上往下元素电负性依次减小,故电负性:F>S>B>Li,B错误;C.由A项分析可知,该晶胞中Li+位于棱心上,B位于体心上,S2-位于顶角,则Li+周围距离最近且相等的S2-的个数为2,C错误;D.由A项分析可知,该晶胞中Li+位于棱心上,B位于体心上,S2-位于顶角,故一个晶胞中含有Li+的数目为12×=3,S2-的数目为:8×=1,B的数目为1,若晶胞参数为a pm,则晶体密度为 g/cm3,D正确。 261.C　 A.由晶胞图可知,A原子位于体内,其数目为8,B原子位于顶角和面心,其数目为8×=4,则A表示Li,B表示O,B周围最近的A的数目为8,则其配位数为8,A选项正确。B.由晶胞图可知,若晶胞中M的坐标为(0,0,0),则P的坐标为(,,),B选项正确。C.A处于B围成的正四面体空隙中,故C选项错误。D.晶胞中A与B的最短距离为体对角线的1/4,由于晶胞的边长为a pm,所以A与B的最短距离为 cm,D选项正确。 262.D　 A.Ca位于顶角,个数为8×=1,Cr位于体内,个数为1,O位于面上,个数为6×=3,化学式为CaCrO3,故A说法正确;B.根据晶胞图可知,C位于面心,因此C的坐标为(0,0.5,0.5),故B说法正确;C.钙和氧最近的距离是面对角线的一半,面对角线长为2a nm,即晶胞边长为a nm,晶胞的体积为(a×10-7)3 cm3,根据A选项分析,晶胞的质量为×(40+52+16×3) g,则晶胞密度为 g/cm3,阿伏加德罗常数NA= mol-1,故C说法正确;D.以顶角Ca为标准,离Ca最近的氧原子在面心,共有12个,故D说法错误。 263.D　 A.位于面上的Ni原子个数=8×=4,位于顶角和体心的Mn原子个数=8×+1=2,位于棱上和面心的Ga原子个数=4×=2,则该物质的化学式为Ni2MnGa,A正确;B.由晶胞结构图可知,与Ga最邻近且距离相等的Ni原子数是8,B正确;C.该晶体是由Ni、Mn和Ga构成的合金,与金属钠一样都含有金属键,C正确;D.该晶胞中,设底面边长为a pm,高为b pm,a=(130×2+150×2) pm,a= pm,b=(130×2+150×2) pm,则该晶胞的体积为()2×(130×2+150×2) pm3,D错误。 264.B　 由题意可知若将晶胞分为8个小立方体,则SiA和SiB位于同一层处于对位的小立方体的体心,SiA和SiB与各自相近的顶点间的距离为对角线的,即两原子的距离为对角线的一半,所以选B。 265.BC　 A.由图1可知晶胞面对角线切面上的离子数目有10个:6个小黑球,4个小白球,A错误;B.由均摊法可知,图2中O2-全在内部,个数为7,Ge4+的个数为:8×=4,Ce4+与O2-的数目之比为4∶7,B正确;C.理想晶胞中,O2-位于Ce4+构成的小四面体的中心,配位数为4,C正确;D.晶胞参数为a nm,故理想晶胞的体积V=a3×10-21 cm3,D错误。 266.D　 A.根据晶胞可知,晶胞中Ca位于体心,共1个,O位于棱心,共3个,Ti位于顶点,共1个,该晶胞中Ca、Ti、O三种原子个数比为1∶1∶3,故A正确;B.以左侧顶角的Ti4+为例,晶胞中与Ti4+配位的O2-每个轴上各有2个,则共为6个,故B正确;C.CaTiO3的摩尔质量为136 g/mol,故1个晶胞的质量为 g,晶胞体积为a3×10-21 cm3,两者相除可得密度为×1021 g/cm3,故C正确;D.若选择Ca2+作为晶胞原点画出晶胞,则晶胞中的O2-位于面心的位置,故D错误。 267.AD　 A.晶体中距离D处Cu原子最近的S原子有4个,故A正确;B.基态In原子的电子自旋量子数的代数和为+,故B错误;C.x、y以a pm为1个单位,z以2a pm为1个单位,则C处原子坐标为(0.75,0.25,),故C错误;D.晶胞中Cu有8个位于顶角,4个位于面心,1个位于体内,则Cu的个数为4,In有4个位于棱上,6个位于面心,则In的个数为4,8个S位于晶胞内,则晶体的密度为 g/cm3,故D正确 268.B　 A.根据晶体结构俯视图判断,该晶胞底面为菱形,该菱形中邻边存在60°和120°两种角度。结合均摊法可知,晶胞中Cs位于晶胞顶角,共4×=1个,V位于面心和体心,共4×+1=3个,Sb位于棱心和体内,共2×+4=5个,则晶体中粒子个数比Cs∶V∶Sb=1∶3∶5,则晶体的化学式为CsV3Sb5,故A正确;B.以顶角的Cs为观察对象,与Cs原子距离最近的Sb1原子位于棱心,Cs原子的上方晶胞中也有1个棱心Sb1,共2个,故B错误;C.基态V2+的核外电子排布为[Ar]3d3,占据的最高能层为第三层,符号是M,故C正确;D.该晶胞的质量为 g,晶胞的体积为×x2×y×10-21 cm-3,晶胞的密度为 g·cm-3,故D正确。] 269.D　[A.根据B中B显+3价,氢显-1价可以判断电负性H>B,A正确;B.由晶胞结构可知,晶胞Ⅱ的密度大于晶胞Ⅰ,压强越大,晶体中离子间的距离越小,密度越大,则在较大压强下的晶型是晶胞Ⅱ,B正确;C.B中存在配位键,B提供空轨道,C正确;D.晶胞Ⅰ为长方体,不是正方体,Li+与周围的4个B的距离不相等,D错误。 270.BD　 A.由甲可知砷化镓的化学式为GaAs,砷化镓中砷提供孤电子对,镓提供空轨道形成配位键,平均1个GaAs配位键的数目为1,则1 mol砷化镓中配位键的数目是NA,故A正确;B.由砷化镓晶胞结构可知,Ga和As的最近距离为晶胞体对角线的,Ga和As的最近距离是x pm,故B错误;C.由砷化镓晶胞结构可知,c位于侧面的面心,沿体对角线a→b方向投影图如丙,则As的位置为7、9、11、13,故C正确;D.由乙晶胞结构可知,和Mn最近且等距离的As的数目为4,故D错误。 271.A　 自范性是晶体的性质，碳玻璃为非晶态，所以没有自范性，A错误；碳玻璃和C60均是由碳元素形成的不同的单质，所以互为同素异形体，B正确；金刚石与碳玻璃的结构有差异则化学性质也有差异，D正确 272.B　 A.[Cr(NH3)3(H2O)2Cl]2＋中Cr3＋具有空轨道，N、O、Cl具有孤电子对，能够形成配位键，其中心离子的配位数为6，故A正确；B.加入足量AgNO3溶液，配合物[TiCl(H2O)5]Cl2·H2O中外界离子Cl－离子与Ag＋反应，内界中配位离子Cl－不与Ag＋反应，故B错误；C.超分子是两种或两种以上的分子通过分子间相互作用形成的分子聚集体，包括离子，故C正确；D.人体细胞和细胞器的双分子膜体现了超分子的自组装的特征，故D正确 273.D　 S的价电子排布式为3s23p4，故S位于元素周期表p区，A正确；该晶胞中含有2个S、6个H，H、S原子个数比为3∶1，故该物质的化学式为H3S，B正确；S位于H构成的八面体空隙中，如图所示，C正确；由于该晶体是一种新型超导材料，说明是由阴、阳离子构成，故该晶体属于离子晶体，D错误。] 274.C　 A项中固态Ar为分子晶体；B项中H2SO4为分子晶体、石墨是混合型晶体；D项中玻璃是非晶体 275.D　 由均摊法可知该结构单元中O原子数＝1＋12×＝4，A正确；由题图可知，Ni和Mg间的最短距离为晶胞面对角线的一半，即＝a，B正确；由题图可知，晶胞中Ni原子所处的环境不同，并非每个O原子周围都有3个等距且最近的Ni原子，C正确；1个晶胞中Li的个数＝1×＝，Mg的个数＝2×＋1×＝，Ni的个数＝7×＋3×＝，O的个数＝4，故该物质的化学式为Li0.5Mg1.125Ni2.375O4，D错误。] 276.C　 每个Si原子占有O原子个数为4×＝2；该晶体是共价晶体，不存在分子；原硅酸(H4SiO4)的结构可表示为，两个原硅酸分子可发生分子间脱水生成二聚原硅酸：，二聚原硅酸电离出6个H＋后，形成带6个负电荷的二聚原硅酸根离子；在SiO2晶体中，由Si、O构成的最小单元环中共有12个原子。] 277.A　 A.根据其结构可知，该配离子中的N和O可与水分子中的H形成氢键，而水分子中的O也可与配离子中的H形成氢键，A错误；B.根据配离子的结构可知，铜离子的配位数为4，B正确；C.根据铜原子的电子排布式可知，基态Cu原子的价电子排布式是3d104s1，C正确；D.根据同一周期，主族元素的电负性从左到右逐渐增大，同一主族，元素的电负性从上到下呈现减小的趋势，非金属元素电负性大小排列顺序可知，该配离子中非金属元素的电负性大小顺序为O>N>C>H，D正确 278.D　 每个水分子与周围邻近的四个水分子间通过氢键作用形成冰晶体，故A错误；冰晶体虽然具有空间网状结构，但分子之间是氢键，所以是分子晶体，故B错误；由于氢键有方向性，分子之间的空隙较大，当晶体熔化时，氢键被破坏，水分子之间的空隙减小，故C错误；每个水分子向外伸出4个氢键与另外4个水分子形成四面体，根据均摊法，1 mol冰晶体中最多含有2 mol氢键，故D正确 279.C　 如题图所示，霰石晶体结构图的方框中，钙离子的个数为4，碳原子的个数为4，氧原子的个数为8＋8×＝12，则霰石晶体结构图的方框中含有4个钙离子、4个碳酸根离子，A正确；如题图所示，方解石晶体结构图的平行六面体中含有2个碳酸根离子，该结构中还含有2个钙离子，B正确；霰石和方解石的组成成分都是碳酸钙，但它们的晶体结构不同，且转化过程中发生了化学键的断裂和生成，则霰石转化成方解石是化学变化，C错误；霰石和方解石的组成成分都是碳酸钙，化学性质相同，但它们的晶体结构不同，物理性质有差异，D正确。 280.C　 A.由图甲晶胞结构及a点分数坐标可知，4个As位于Zn原子形成的四面体空隙中，则b位于朝向外最近的右上角的四面体空隙中，其分数坐标为(，，)，A项正确；B.由图乙晶胞可知，4个Mn原子位于顶角，1个Mn原子位于面心，平均下来属于1个晶胞的原子数为4×＋1×＝1个，因图甲晶胞中含4个Zn，故LiZnqMnpAs中p＝＝0.25，则q＝0.75，B项正确；C.Zn原子与Mn原子的半径不相等，故其形成的四面体不是正四面体，C项错误；D.图甲晶胞的质量m＝＝ g，晶胞的体积V＝c3 pm3＝c3×10－30 cm3，则晶体的密度d＝＝，则阿伏加德罗常数NA＝ mol－1，D项正确。 281.D　 根据该晶体晶胞(图b)可知，每个晶胞中含有的原子数目为Ni：×8＝4　Mn：×8＋1＝2　Ga：×4＋×2＝2，所以化学式为Ni2MnGa，A正确；如图所示，，标记为A的Ga原子，晶胞中与它最邻近的Ni原子是标记为1、2、3、4的四个原子，晶胞向上延伸，应该还有四个，B正确；该物质为合金，因此含有的化学键为金属键，与金属钠相同，C正确；如图，晶体结构图a中立方体边长l＝2[r(Mn)＋r(Ga)]，晶胞b是沿图中线所示切割形成(Ga原子与Mn原子位置相同)，则晶胞上底面边长为l，所以晶胞体积V＝[×2×(130＋150)]2×2×(130＋150) pm3，D错误。 282.D　 根据晶胞结构图，可知该晶胞沿z轴方向的投影为，A正确；，分析图中箭头所指的O2－，其周围紧邻的Bi3＋有4个，B正确；N位于晶胞结构的体心，故其坐标为(，，)，C正确；根据晶胞结构可知，每个晶胞含有2个Bi2SeO2，故其密度为×1030 g·cm－3，D错误。 283.C　 根据投影可知Po晶体采用简单立方堆积，棱上的两个原子相切，所以若原子半径为r，则晶胞边长为2r，C错误 284.D　 原子1的坐标为(，，)，则坐标系为，原子2在晶胞底面的中心，原子2的坐标为(，，0)；原子3在坐标系z轴所在棱的一半，原子3的坐标为(0，0，) 285.C　 由晶胞结构可知磷原子的配位数为4，A错误；a原子的坐标为(，，)，B错误；根据均摊法，一个晶胞中含有P的个数为×8＋×6＝4，含有B的个数为4，设晶胞边长为x，则x＝ cm＝×1010 pm，C正确；电负性：P>B，D错误 286.C　 A.由图A可知，汞钡铜氧晶体的晶胞中含8×＝1个Hg，2个Ba，4×＝1个Cu，8×＋4×＝4个O，掺杂Ca2＋后，晶胞中含8×＝1个Hg，2个Ba，8×＝2个Cu，8×＋8×＝6个O，1个Ca2＋，所以掺杂后晶体密度增大不是因为晶胞中增加了1个Ca2＋，故A错误；B.由汞钡铜氧晶体的晶胞可知，Hg位于晶胞的顶角，则一个晶胞中含8×＝1个Hg，Cu位于晶胞的棱上，则一个晶胞中含4×＝1个Cu，汞钡铜氧晶体中的Hg和Cu个数比为1∶1，故B错误；C.图A晶胞中两个Ba位于同一轴上，若一个Ba的分数坐标为(，，)，则另一个Ba的分数坐标为(，，)，故C正确；D.图B晶胞中Ca周围距离最近的Hg数目为8，Hg周围距离最近的Ca的数目也为8，则图B晶胞中Ca周围距离最近的Hg数目和Hg周围距离最近的Ca的数目相同，故D错误。] 287.C　 范德华力是分子之间普遍存在的一种相互作用力，它的本质是正负电荷间的相互吸引，它使得许多物质能以一定的凝聚态存在，则铜碘杂化团簇分子是分子间通过范德华力聚集在一起的，A项正确；根据CaF2晶体的晶胞图示可知，标记为X的F－的分数坐标为(，，)，B项正确；氢原子为单电子体系，核外只有1个电子，电子云图中的黑点不是指大多数电子在原子核附近运动，C项错误；面心立方最密堆积，空间利用率为×100%≈74%，D项正确 288.C　 晶胞中V原子位于顶角和体心，数目为1＋8×＝2；O原子位于上下面上和体内，数目为2＋4×＝4，二者原子数目之比为1∶2，故氧化物的化学式为VO2，故A正确；晶胞V原子位于顶角和体心，符合体心立方的堆积方式，故B正确；体心V原子的配位数为6，O原子的配位数为3，所以V原子的配位数与O原子的配位数之比为2∶1，故C错误；m＝ g，V＝a3 pm3＝(a×10－10)3 cm3，ρ＝＝ g·cm－3，故D正确 289.C　 A.根据该晶胞的结构得到该物质含有氢个数为12×＋6×＝6，硫个数为8×＋1＝2，其化学式为H3S，故A错误；B.同素异形体是同种元素形成的不同单质，则H3S和H2S不互为同素异形体，故B错误；C.图中M原子的原子分数坐标为(0，0，0)，则N原子在右后侧面的棱心上，其原子分数坐标为(1，1，)，故C正确；D.以顶点硫原子分析，与S原子最近且等距离的S原子数在体心，则有8个，故D错误 290.A　 配合物[Fe(NO)(H2O)n]SO4的中心离子的最外层电子数与配体提供的电子总数之和为26,因为中心离子Fe2+的最外层有14个电子(3s23p63d6),配体为NO和H2O,每个配体只提供一对电子,因此,14+2+2n=26,所以n=5。A项,由分析可知,n=5,故该配合物的化学式为[Fe(NO)(H2O)5]SO4,A正确;B项,该配合物所含的非金属元素中,H位于元素周期表s区,N、O、S均位于p区,B不正确;C项,[Fe(NO)(H2O)5]SO4属于配合物,其内界[Fe(NO)(H2O)5]2+较稳定,不与Ba(OH)2发生反应,但是其外界中的硫酸根离子可以与Ba(OH)2反应,因此,1 mol该配合物与足量Ba(OH)2溶液反应只能生成1 mol硫酸钡沉淀,C不正确;D项,该配合物中阳离子为[Fe(NO)(H2O)5]2+,中心离子的配位数为6,但是由于有两种不同的配体,因此其空间结构不可能是正八面体结构,D不正确。 291. A　 A.该配离子中的N和O可与水分子中的H形成氢键,而水分子中的O也可与配离子中的H形成氢键,A 错误;B.根据配离子的结构可知,铜离子的配位数为4,B正确;C.基态Cu原子的价层电子排布式是3d104s1,C正确;D.同一周期,从左到右,主族元素的电负性逐渐增大,同一主族,从上到下,元素的电负性逐渐减小,该配离子中非金属元素的电负性:O>N>C>H,D正确 292.A　 A.钴元素的原子序数为27,Co2+离子的价层电子排布式为3d7,故A错误;B.由乙二胺四乙酸合钴的结构可知,化合物中含有杂化轨道类型为sp3的单键碳原子和杂化轨道类型为sp2的双 键碳原子,故B正确;C.由乙二胺四乙酸合钴的结构可知,具有空轨道的Co2+离子与具有孤对电子的氮原子和氧原子形成配位键,故C正确;D.由乙二胺四乙酸合钴的结构可知,具有空轨道的Co2+离子与具有孤对电子的2个氮原子和4个氧原子形成6个配位键,则1 mol配合物形成的配位键有6 mol,故D正确 293.C　 A.由题图可知,每个晶胞中含有8个[BH4]-和8×=4个[Fe(NH3)6]n+,根据电荷守恒可知n=2,A正确;B.由图可知,晶胞中[Fe(NH3)6]n+和[BH4]-的配位数分别为8和4,B正确;C.由题干晶胞图可知,晶胞中距离最近的2个[Fe(NH3)6]n+之间的距离为面对角线的一半,为a pm,C错误;D.[BH4]-的中心原子价层电子对数为4,故中心原子杂化方式为sp3杂化,D正确 294.C　 A.[Cu(H2O)4]2+中有4个配位键,4个配体中有8个σ键数;[CuCl4]2-只有4个配位键,所以等物质的量的[Cu(H2O)4]2+和[CuCl4]2-中σ键数之比为12∶4=3∶1,A正确;B.往绿色溶液中加入少量ZnCl2固体,溶液变蓝色,表明加入ZnCl2固体后,[CuCl4]2-被抢夺了Cl-而转化为[Cu(H2O)4]2+,而Zn2+则形成了配离子[ZnCl4]2-,所以稳定性[ZnCl4]2->[CuCl4]2-,B正确;C.往绿色溶液中加水稀释,导致Cl-浓度下降,平衡逆向移动,[CuCl4]2-转化为[Cu(H2O)4]2+,溶液变蓝,C错误; D.无水CuSO4固体中,Cu2+与S通过离子键结合,D正确 295.C　 A.反应物中,碳原子最外层的四个电子中有3个用于形成σ键,有1个参与形成大π键,没有孤电子对,碳原子的杂化方式为sp2,氮原子最外层的五个电子中有2个用于形成σ键,有1个参与形成大π键,孤电子对数为1,氮原子的杂化方式为sp2,氧原子最外层的六个电子中有2个用于形成σ键,孤电子对数为2,氧原子的杂化方式为sp3,A错误,故A不符合题意;B.(CH3CH2)2AlCl与AlCl3的晶体都是分子晶体,(CH3CH2)2AlCl比AlCl3的相对分子质量小,因此(CH3CH2)2AlCl晶体中的范德华力较小,熔点较低,B错误,故B不符合题意;C.产物中Al原子形成了5个共价键,其中铝与氮原子通过配位键相结合,氮原子提供孤对电子,铝原子提供空轨道,C正确,故C符合题意;D.产物属于共价化合物,只含有共价键,D错误,故D不符合题意。 296.D　 A.Ni(CO)4中心原子采取sp3杂化,分子结构为正四面体构型,故A正确;B.由结构可知Ni(CO)4为非极性分子,根据相似相溶原理,Ni(CO)4难溶于水易溶于有机溶剂,故B正确;C.Ni(CO)4受热分解配位键断裂生成Ni和CO,故C正确;D.Fe(CO)5空气中加热最终生成Fe2O3,故D错误。 297.B　 A.BF3中心原子价层电子对数为3+(3-3×1)=3,B(3+1-4×1)=4,二者中心硼原子杂化方式不同,故A正确;B.1个H3BO3参与6个氢键的形成,每个氢键形成于两个硼酸分子之间,则1 mol H3BO3晶体中含有6 mol×=3 mol氢键,故B错误;C.H3BO3是一元弱酸,在水溶液中电离产生H+使溶液呈酸性,电离方程式为H3BO3+H2OB(OH+H+,故C正确;D.NH3中N原子为sp3杂化,N原子上有一对孤电子对,BF3中B原子为sp2杂化,杂化轨道与F原子形成3个共价键,故有一个2p空轨道,与NH3形成配位键,BF3·NH3结构式为,故D正确。] 298.B　 A.反应中HCHO反应生成了HOCH2CN,在CO两端分别连上了—H和—CN,发生了加成反应,故A正确;B.HCHO中心原子C的价层电子对数=3+=3,H2O中心原子O的价层电子对数=2+=4,不相同,故B错误;C.配合物向生成更稳定的配合物转化,所以CN-和H2O与Zn2+的配位能力CN-<H2O,故C正确;D.配位键属于σ键,三键中含有1个σ键和2个π键,Zn2+与CN-生成的配离子[Zn(CN)4]2-中,σ键和π键的数目之比=(4+4)∶(4×2)=1∶1,故D正确 299.A　 A.Na3[Ag(S2O3)2]晶体中所含的作用力含有离子键、配位键、共价键,A错误;B.等电子体是指价电子数和原子数相同的分子、离子或原子团;S2是等电子体,结构相似,相当于S中O被一个S原子替换,B正确;C.反应中溴化银转化为[Ag(S2O3)2]3+、[Ag(S2O3)2]3+转化Ag2S,故该过程中与Ag+结合能力:S2->S2>Br-,C正确; D.SO2分子中S含有孤电子对,副产物SO2的键角小于120°的原因是SO2分子中S的孤电子对对成键电子对的排斥作用使键角变小,D正确 300.D　 A.a~b段:Cu(OH)2(s)Cu2+(aq)+2OH-(aq),随pH升高,c(OH-)增大,平衡逆向移动,上层清液中Cu元素的含量减小,选项A正确;B.b~c段:Cu(OH)2+4NH3·H2O[Cu(NH3)4]2++2OH-+4H2O,随着c(OH-)增大,N与OH-结合生成NH3·H2O,c(NH3·H2O)增大,发生上述反应,使上层清液中铜元素的含量增大,选项B正确;C.c~d段:随pH升高,使Cu(OH)2+4NH3·H2O[Cu(NH3)4]2++2OH-+4H2O平衡逆向移动,再次出现Cu(OH)2沉淀,选项C正确;D.d点以后,随pH升高,可能发生Cu(OH)2+2OH-[Cu(OH)4]2-,则上层清液中铜元素含量可能上升,选项D错误 301.D　 A.H2O2的结构:,正负电荷中心不能重合,为极性分子,故A错误; B.电负性:N<O,NH3分子中的氮原子更容易给出孤电子对,所以NH3、H2O与Co3+形成配离子的稳定 性:NH3>H2O,故B错误;C.[Co(NH3)6]Cl3中含有NH3与Co3+形成6个配位键,6个的NH3中有6×3=18个N—H,所以1 mol [Co(NH3)6]Cl3含有σ键的数目为(18+6)=24NA,故C错误;D.根据结构图可知,若[Co(NH3)6]3+中两个NH3被Cl-替代,可能取代的邻近的或者相对位置的两个NH3,得到的[Co(NH3)4Cl2]+有2种结构,故D正确。 302．A ①金属晶体中存在金属阳离子和自由电子，存在金属键，不存在离子键，正确；②共价晶体、金属晶体中都存在化学键，分子晶体中不一定存在化学键，如稀有气体，错误；③共价晶体的硬度一般比分子晶体的大，分子晶体的熔点不一定比金属晶体的低，正确；④固态能导电的不一定是金属晶体，如石墨等，错误；⑤共价晶体由原子构成，金属晶体由金属阳离子和自由电子构成，错误；⑥不同金属晶体中金属键的强弱差别较大，导致其熔点相差较大，熔点最低的是汞，正确。 303．C 晶体有固定的熔点，非晶体没有固定的熔点，A项错误；晶体有自范性且构成晶体的微粒在三维空间呈周期性有序排列，B项错误；非晶体无自范性且构成非晶体的微粒排列相对无序，C项正确；的存在形态有晶态和非晶态，即可能是非晶体，D项错误。 304．C A稀有气体没有化学键，B.熔点：锂<钠<钾<铷<铯 D炭黑杂质多，不属于晶体 305．D A.结构相似的共价晶体，原子半径越小，则共价键的键长越短，键能越大，晶体的硬度和熔沸点越高，A正确； B.某无色晶体能溶于水，则应不是金属晶体，质硬而脆，熔点为801℃，熔沸点较高，应不是分子晶体，熔化状态下能导电，应为离子晶体，B正确； C.易溶于，根据“相似相溶”原理推测应具有分子结构，液态时不导电，说明不是离子晶体或金属晶体，水溶液能导电，则应为分子晶体，C正确； D.金属晶体不一定有较高的熔点，如金属晶体Hg，常温下为液体，熔点较低，D错误； 故选D。 306． C A Ne为分子晶体，B HCl为分子晶体，D石墨为混合晶体 307．A A.晶体的规则几何外形是自发形成的，有些固体尽管有规则的几何外形，但由于不是自发形成的，不属于晶体，所以晶体具有自范性，非晶体没有自范性，故A正确:B.晶体研碎后并没有改变晶体的结构排列，仍为晶体，故B错误;C.将玻璃加工成规则的固体，玻璃仍然不是晶体，属于玻璃态物质，故C错误;D.有些固体尽管有规则的几何外形，但由于不是自发形成的，所以不属于晶体，故D错误;故选:A。 308．C A.从图中可知，晶体原子排列有序，非晶体原子排列无序，从晶体二氧化硅到非晶体二氧化硅是熵增过程，A正确； B.晶体中原子规则排列故晶体二氧化硅具有自范性，非晶体中原子排列无序故非晶体二氧化硅不具有自范性，B正确； C.晶体具有物理性质各向异性的特点，C错误； D.晶体的衍射图谱有明锐的衍射峰，故a表示的是晶态的衍射图谱，D正确； 故答案选C。 309．D ①金属晶体能导电，离子晶体在熔融状态下也能导电，正确；②部分金属晶体的熔沸点很高，如钨，但有的很低，如汞，有的离子晶体的熔、沸点很高如MgO，有的很低，如离子液体，错误；③在晶体中只要有阴离子就一定有阳离子，但有阳离子不一定有阴离子，如金属晶体，正确；④位于晶胞的顶点，位于面心，每个和12个相紧邻，正确；⑤一般共价晶体熔点高于离子晶体，离子晶体高于分子晶体。金刚石和SiC是共价晶体，原子间以共价键结合，碳原子半径比硅原子半径小，所以金刚石熔点高于SiC； NaF和NaCl都是离子晶体，半径比半径小，所以NaF熔点比NaCl高；和都是分子晶体，水分子间有氢键，熔点比高，所以金刚石、SiC、 NaF、NaCl、、晶体的依次降低，正确；⑥分子的稳定性和分子间作用力无关，和分子内的共价键强弱有关，错误；⑦晶体中每个硅原子与四个氧原子以共价键相结合，错误；⑧晶体状态能导电的可以是金属晶体，也可以是石墨，石墨属于混合型晶体，错误；故正确的是①③④⑤，选D。 310．A 由于溴化铝熔点低,熔融态不导电,说明在固态中无带电荷的微粒,且微粒之间的作用力比较弱,所以其晶体属于分子晶体,故合理选项是A。 311．D ③金属晶体含金属阳离子，④共价键的强弱决定分子稳定性，⑥氢氧化钠含有共价键⑦碘单质熔点大于汞 312．D 原子晶体的硬度通常都比分子晶体大；分子晶体熔融态或晶体时不导电，但有的溶于水能导电，如等；干冰属于分子晶体。 313．D 　根据均摊法，晶胞中有12×＋1＝4个Co，有8×＋6×＝4个O，则化学式为CoO，故A正确；基态Co原子的价层电子排布式为3d74s2，有3个未成对电子，故B正确；1 mol晶胞中含有4 mol CoO，该氧化物的摩尔体积为cm3·mol－1，故D错误。 314．B 　由图可知，①处原子位于后侧面的面心，原子分数坐标为(，1，)，故A错误；由图可知，Ni和Mg间的最短距离为面对角线长的一半，则面对角线长度为2a pm，晶体结构单元边长为a pm，晶体结构单元体积为(a×10－10)3cm3，晶体密度ρ＝＝＝ g·cm－3，故B正确；该晶体由金属与氧元素组成，且Mg、Li都为活泼金属，有可能是离子晶体，故C错误；晶体结构单元中Li的个数为1×＝0.5，Mg的个数为2×＋1×＝1.125，Ni的个数为7×＋3×＝2.375，O的个数为4，因此该物质的化学式为Li0.5Mg1.125Ni2.375O4，故D错误。 315．　B 　结合均摊法可知，晶胞中Cs位于晶胞顶角，共4×＋4×＝1个，V位于面心和体心，共4×＋1＝3个，Sb位于棱心和体内，共2×＋2×＋4＝5个，则晶体中粒子个数比Cs∶V∶Sb＝1∶3∶5，则晶体的化学式为CsV3Sb5，故A正确；以顶角的Cs为观察对象，与Cs原子距离最近的Sb1原子位于棱心上，Cs原子的上方晶胞中也有1个棱心Sb1，共2个，故B错误；基态V2＋的价层电子排布式为3d3，最高能层符号为M，故C正确；该晶胞的质量为 g，晶胞的体积为×x2×y×10－21cm3，晶体的密度为 g·cm－3，故D正确。 316．C 由图可知，每个晶胞中含有2个I原子， Ca 原子的数目为×4＋×4＝1，因此该物质的化学式是CaI2，A正确；碘化钙是离子晶体，熔融状态和水溶液中均可导电，B正确；氟化钙和碘化钙均为离子晶体，阳离子相同，氟离子半径比碘离子半径小，因此氟化钙中阴、阳离子间作用力较强，熔、沸点较高，C错误；s区中的H是非金属元素，D正确。 316．　B 　金刚石、晶体硅都为共价晶体，熔点高低由共价键键能大小决定，A不符合题意；HI、HCl均为分子晶体，影响沸点高低的因素为分子间作用力，与共价键强弱无关，B符合题意；氮气分子中共价键键能较大，所以化学性质很稳定，C不符合题意；乙炔分子中含有 π键，π键键能较弱、较活泼，易发生加成反应，D不符合题意。 317．B 　氯化铵属于离子化合物，以离子晶体形式存在，A 错误；单质碘属于分子晶体，以分子晶体形式存在，B正确；金刚石、单质硅属于共价晶体，以共价晶体形式存在，C、D错误。 318．A 　金刚石为共价晶体，晶体中含有非极性共价键C—C键，该物质的熔、沸点很高，A正确；H2O2等含有非极性键，属于化合物，B错误；H2、O2等单质中含有非极性键，不属于有机物，C错误；离子化合物中一定含有离子键，也可能含有非极性共价键，如Na2O2，D错误。 319．A AlCl3的熔点较低，因此为分子晶体，A 错误；单质 M 的熔点高，可能是共价晶体，B 正确；SiCl4的熔点低，因此为分子晶体，C正确；SiC中C—Si 键比金刚石中C—C键键长长，键能小，因此SiC 的熔点比金刚石低，D正确。 320．B 　NH3是由极性键构成的极性分子，BF3是平面三角形分子，是由极性键构成的非极性分子，A错误；金刚石的一个晶胞中含有的碳原子数为8，则1个立方氮化硼晶胞中应该含有4个N和4个B原子，B正确；NH4BF4中NH中含有氮氢配位键，BF 中含有硼氟配位键，则1 mol NH4BF4含有配位键的数目为 2NA，C错误；立方氮化硼和半导体材料氮化铝的结构均类似于金刚石，均是共价晶体，硼原子半径小于铝原子半径，所以立方氮化硼的熔点大于氮化铝，D错误。 321．D SiC中的Si和C以共价键结合形成空间网状结构，SiC属于共价晶体，故选D。 322．C 含阳离子的晶体不一定含阴离子，如金属晶体中含金属阳离子和自由电子，A错误； 氯化钠是由阴、阳离子间通过静电引力和斥力作用而成的离子晶体，B错误；二氧化硅是具有立体网状结构，由共价键结合而成的共价晶体，C正确；干冰内有共价键，分子间既存在范德华力，不存在氢键，D错误。故选C。 323．B 金刚石、晶体硅、金刚砂(碳化硅)同属共价晶体，键长：C—C<C—Si<Si—Si，键能：C—C>C—Si>Si—Si，熔沸点：金刚石>金刚砂>晶体硅，A错误；NaF、NaCl、NaBr均为离子晶体，离子半径F-<Cl-<Br-，离子晶体中离子键作用力逐渐减弱，熔、沸点高低顺序应为NaF>NaCl>NaBr，B正确；邻羟基苯甲酸可以形成分子内氢键，使熔沸点偏低，而对羟基苯甲酸可以形成分子间氢键，使熔沸点偏高，故对羟基苯甲酸的沸点比邻羟基苯甲酸的高，C错误；生铁为铁合金，熔点要低于纯铁，D错误。故选B。 324．B CO为极性分子，N2为非极性分子，CO分子间作用力大于N2，故CO沸点高于N2，A正确；NH和NH3中心原子均为sp3杂化，其孤电子对数分别为0、1，孤电子对与成键电子对之间的斥力大于成键电子对之间的斥力，键角：NH>NH3，B错误；金属性：Mg>Al，则离子键百分数：MgO>Al2O3，C正确；非金属性C>Si，非金属性越强，形成的气态氢化物越稳定，D正确。故选B。 325．D 每个水分子与周围邻近的四个水分子间通过氢键作用形成冰晶体，A错误；冰晶体虽然具有空间网状结构，但分子之间是氢键，所以是分子晶体，B错误；由于氢键有方向性，分子之间的空隙较大，当晶体熔化时，氢键被破坏，水分子之间的空隙减小，C错误；每个水分子向外伸出4个氢键与另外四个水分子形成四面体，根据均摊法lmol冰晶体中最多含有2mol氢键，D正确。故选D。 326．D 、都是硫的单质，二者互为同素异形体，A错误；中硫原子的价层电子对数为，杂化轨道类型为，中硫原子的价层电子对数为，杂化轨道类型为，杂化轨道类型不相同，B错误；和是大气圈中的主要含硫物质，而水圈中主要含硫物质可溶性硫酸盐，大气圈与水圈中主要含硫物质的类别不相同，C错误；根据晶胞图可知，其中黑球有个，灰球有8个，则灰球代表、黑球代表S，则以上平面硫原子为例，距离最近的Cu有该晶胞中的4个与上层晶胞中的4个，故其配位数为8，D正确。故选D。 327．D 中N的价电子对数是4，为杂化，A正确；由图可知，1个位于体内，位于面心，个数为6×=3个，位于顶点，个数为8×=1，根据甲胺铅碘的化学式(CH3NH3)PbI3可知，面心的代表，顶点的代表，B正确；1个晶胞中含有1个(CH3NH3)PbI3，则晶胞的质量为，晶胞的体积为，则晶胞的体积为g·cm-3，C正确；位于晶胞的顶点，与其距离最近的位于3个面的面心，顶点被8个晶胞共用，面心被两个晶胞共用，则的配位数为个，D错误。故选D。 328．C 中心原子价层电子对数为3+=4，中心原子价层电子对数为4+=4，和中心N原子均为sp3杂化，中心N原子含有1个孤电子对，而没有，孤电子对和成键电子对的斥力大于成键电子之间的斥力，故键角小于，A错误；固体加热至得分子，由分子可知其为共价化合物，B错误；BeO晶胞中O2-位于顶点和面心，Be2+位于晶胞内部，以位于面心的O2-为研究对象，与其距离最近且相等的Be2+有4个，2个Be2+位于相邻的晶胞中，BeO晶胞中配位数为4，C正确；气态主要以二聚体( )形式存在，单键和配位键都是键，则中含有6个键，气体含键，D错误。故选C。 329．D 基态铜原子的价层电子排布式为，A正确；晶胞中距离Au最近的且距离相等的Cu有8个，故Au的配位数为8，B正确；晶胞中Cu位于立方体的顶点，Au位于立方体的体心，一个晶胞中含有Cu数目为，含有Au数目为1，Au的质量分数为，C正确；设晶胞参数为a，的最小核间距为a，的最小核间距为 ，最小核间距>，D不正确。故选D。 330．A 由均摊法可知，NaCl晶胞中有4个Na+，4个Cl-，故NA个NaCl晶胞中有4mol NaCl，质量为4mol×58.5 g·mol-1=234g，A正确；NaCl、CsCl和干冰的晶胞结构都是立方体，NaCl、CsCl属于离子晶体，干冰属于分子晶体，它们的物理性质不相似，B错误；根据晶胞“无隙并置”的特点，干冰晶体中每个CO2分子周围等距且紧邻的CO2分子数是12个，C错误；60gSiO2物质的量为1mol，每个硅以单键和四个氧形成共价键，60g含有4NA个Si-O共价键，D错误。故选A。 331．B 基态Cr原子的价层电子排布式为3d54s1，A错误；由晶胞图可知，Ca在晶胞的顶点，数目为，Cr在体心，数目是1个，O原子在晶胞的面心，数目为，故密度为，B正确；与Ca配位的O位于晶胞面对角线的中点，距离Ca相等的共有12个，C错误；18O和16O互为同位素，形成的化合物在化学性质上无差异，D错误。故选B。 332．B 由晶胞结构可知，1个晶胞中Fe个数为，个数为，Cl个数为，，该物质化学式为，A正确；FeCl2与均为离子晶体，离子体积大于，与比与之间的离子键作用弱，熔点低于，B错误；存在空轨道，有孤电子对，和之间可形成配位键，与之间可形成离子键，C正确；1个晶胞中，Fe个数为，个数为，Cl个数为，晶胞的密度为g·cm-3，D正确。故选B。 333．D 图1中O2-位于Ce4+构成的小四面体的中心，每个Ce4+能形成8个小四面体，因此Ce4+的配位数为8，A正确；图1中O2-位于Ce4+构成的小四面体的中心，即O2-填充在Ce4+构成的四面体空隙中，B正确；根据均摊法，图2中Ce4+个数为，O2-和空位的总数为8，当Ce4+和O2-个数比为2:3时，有6个O2-和2个空位，空位率为，C正确；根据均摊法，图1中Ce4+个数为，O2-个数为8，则晶胞密度为g·cm-3g·cm-3，D错误。故选D。 334．B 原子核外电子空间运动状态个数等于轨道数，V的原子序数为23，基态V原子核外电子排布为，空间运动状态有13种，A正确；由晶胞结构可知，V的配位数为6，则O的配位数为3，V距离最近的O有6个，O距离最近的V有3个，B错误；V原子有8个位于顶点，4个位于棱心，2个在体内，个数为4；O原子有4个位于面上、6个位于体内，个数为8；V:O=1:2，该氧化物化学式为，C正确； 晶胞的质量为，晶胞体积为；晶体的密度为，D正确。故选B。 335．B 据“均摊法”，晶胞中，的个数为，的个数为8，则晶胞中与O的个数比为，A错误；以底面面心的Ce为例，上、下层各有4个氧原子与之最近，故与距离最近的个数为，B正确；与的最近距离为体对角线的四分之一，为，C错误；1个晶胞体积为，含有4个和8个O，则该晶体的摩尔体积为，D错误。故选B。 336．B 在元素周期表中位于第六周期第族，属于区，A错误；由图可知，位于构成的正四面体中心，B正确；在1个晶胞中，含有4个和4个，则该晶胞的边长，而在该晶胞中之间的最短距离是顶点到面心的距离，故距离为，C错误；若c的原子坐标为，说明a为坐标原点，则b的原子坐标为，D错误。故选B。 337．D 已知原子分数坐标为1时记为0，P在X轴的坐标分数为，在Y轴的坐标分数为1，则记为0，Z轴坐标分数为，故P的原子分数坐标为，A正确；根据均摊法，的个数是，的个数是，则晶胞的化学式为，B正确；与Q距离相等且最近的分别位于上下两个晶胞的面上，与Q距离相等且最近的共有8个，C正确；一个晶胞含有两个，则晶胞的质量为=，晶胞的体积为，则该晶体的密度是g·cm-3，D错误。故选D。 338．C 根据“均摊法”，晶胞中含4个Zr、个O，则立方氧化锆的化学式为，A正确；根据体心的氧原子可知晶胞中O的配位数分别为4，依据化学式可知的配位数为8，B正确；晶胞中含4个Zr、8个O，则晶体密度为，C错误；若p处坐标为，则q处的坐标参数为，D正确。故选C。 339．C 晶胞中Cu的个数为1＋8×＋4×=4，Se在晶胞内部，个数为8个，Ga或In的个数为6×＋4×=4个，Cu∶Ga(In)∶Se=1∶1∶2，该晶体的化学式为，A正确；由晶胞结构图可知，C点原子的分数坐标是，B正确；由中心Cu原子可知，距离原子最近且等距的原子有4个，C错误；若晶胞中与原子数相同，则晶胞中有4个Cu，2个Ga，2个In，8个Se，晶胞的质量为g=，晶胞的体积为a2c×10-30cm3，则晶体密度为g·cm-3，D正确。故选C。 340．D 白球位于顶点和体心，个数为，黑球两个在体内，4个在面上，个数为，二者个数比为1∶2，则小黑球代表，A正确；由图可知，位于6个所构成的八面体空隙中，B正确；该晶体的密度，C正确；由晶胞结构可知，晶胞沿z轴方向的投影，顶点白球投影到正方形顶点，体心白球投影为正方形面心，上下面的黑球垂直重合，投影到正方形一条对角线上，体内黑球投影到另一条面对角线上，则晶胞沿z轴的投影图为，D错误。选D。 341．D A的分数坐标为， A为坐标原点，则B的分数坐标为，A错误； 由图示晶胞可知，晶胞中相邻的两个之间的距离为面对角线的一半，则两个之间的距离为anm，B错误；面对角线为2anm，则晶胞边长为，根据均摊法可知，晶胞中S2-数为4、Hg2+数为，d= 阿伏加德罗常数=，C错误； 从上往下看晶胞，得到正方形，四个顶点和对角线交点有Hg2+，四个小正方形的中心有S2—，即图2是晶胞的俯视图，D正确。故选D 342．D 取晶胞的面对角线和边形成的横切面如图： ，面对角线的长度比边长长，则相距最近的两个Cs+与它们最近的Cl-之间夹角的小于90°。选D。 343．D 同主族从下到上，同周期从左到右，元素的氢化物稳定性增强，氢化物的稳定性：HF>H2O>SiH4，A正确；SiF4、H2O、SO、SiO2中心原子均为sp3杂化，B正确；由氟化钙晶胞可知每个晶胞中含有4个Ca2＋，8个F-，CaF2的晶体密度为，C正确；CaF2晶体中Ca2＋和Ca2＋之间的最近距离与F-和F-之间的最近距离之比为，D错误。故选D。 344．C As原子在顶点和面心，一个晶胞中与顶点As原子等距离且最近的As原子位于面心，共有3个As原子，每个As原子周围等距离且最近的As原子有个，A正确；砷化镓晶胞与金刚石晶胞相似，晶体类型为共价晶体，B正确；Ga原子间的最短距离为面对角线的，晶胞边长为apm，则晶胞中Ga和Ga之间的最短距离为，C错误；根据晶胞的结构，As原子在顶点和面心，个数为：，Ga在体心，个数为4，1个晶胞中含有4个GaAs，则晶体密度为 ，故D正确。故选C。 345．C 一般来说，金属的第一电离能小于非金属，O是非金属性，第一电离能大于Ti和Ba，Ti位于第四周期 IVB 族，有4个电子层，Ba位于第六周期 IIA 族，有6个电子层，半径最大，第一电离能最小，则第一电离能：，A正确；由图可知，与O间的最短距离为面对角线的，为，B正确；以位于顶点的为研究对象，与紧邻的O位于相邻的3个面心，数目为3×8×=12个，C错误；由晶胞结构可知，和的最近距离为晶胞体对角线的，处于各顶角位置时，处于体心位置，D正确。故选C。 346．B 区分不同晶体的最可靠的科学方法是X射线衍射法；通过晶体的X射线衍射实验可以区分晶体与晶体，A正确；、晶体中，的配位数分别为6、8，B错误；CaF2、均为离子晶体，离子半径大于、Cl-大于F-，离子电荷数小于，则CaF2晶体中晶格能更大，CaF2熔点更高，C正确；晶胞中，a点坐标参数为，由图，b点F-在xyz轴上投影坐标分别为、、，坐标为，D正确。故选B。 347．D 由图示晶胞可知，K位于顶点，O位于面心，与最近且距离相等的的数目为12，A错误；1个晶胞中含有个原子，B错误；面对角线上和最近距离为，C错误；根据均摊法可知，1个晶胞含1个，，D正确。故选D。 348．D 在周期表中，同族元素位于同一分区，钴位于区，故铱位于区，A错误；由晶胞图可知，灰球位于顶点和体内，黑球位于面上和体内，1个晶胞含2个灰球、4个黑球，故灰球代表铱离子，黑球代表O2-，O2-的配位数为3，铱离子的配位数为6，B错误；灰球代表铱离子，位于顶点和体内，C错误；1个晶胞含2个，晶体密度，D正确。故选D。 349．B 每个Pb原子周围距离最近的S原子数均为6，Pb的配位数为6，A正确；  由PbS晶胞图示可知，该晶胞中白球为个、黑球为个，有4个Pb和4个S，晶体密度为，B错误；该晶体摩尔体积为：，C正确；S原子位于Pb原子构成的八面体中心、Pb原子位于S原子构成的八面体中心，D正确。故选B。 350．D 由晶胞结构可知，晶胞中含有 、、CN-，根据合化合价代数和为0可知含有K+0.5个，则化学式可以表示为，A正确；以位于顶点的为研究对象，与距离最近且等距离的有6个，分别位于的上下左右前后，B正确；晶体的密度表达式是g·cm-3=g·cm-3，C正确；若K+位于每一个立方体的中心位置，则K+的数目为8，不满足题意，D错误。故选D。 351．C 由均摊法可知，一个晶胞中含有Sn的个数：，Au的个数：，Sc的个数为4，则晶胞的化学式为SnAuSc，A正确；以体心的Au为研究对象，其等距且最近的Au原子位于12个棱心上，B正确；一个晶胞含有4个SnAuSc，摩尔体积(每摩尔晶胞的体积)，C错误；此晶体属于金属材料，微粒间作用力为金属键，D正确。故选C。 352．C 1个图示晶胞中，的个数为，A正确； 可看作是中的1个O原子被S原子取代的产物，1号S原子的价层电子对数为，无孤电子对，的空间结构为四面体形，B正确；中的中心S原子的价层电子对数为4，无孤电子对，不能作配位原子，C错误；1个晶胞中，的个数为4，的个数为4，晶胞体积为，则晶胞密度为，D正确。故选C。 353．D 由晶胞示意图可知，的空间结构为直线形，的价层电子对数=与中心原子结合数目+中心原子孤对电子对数，中心原子的孤对电子数为，则价层电子对数为3，空间结构为V形，A错误；由晶胞示意图可知的空间结构为平面四边形，与的模型不同，B错误；根据、，晶胞中的价态为、而CsAuCl3中的Au显价，不能写成，C错误； 晶胞中的个数为，的个数为，的个数为，比例关系为，D正确。故选D。 354．C 图1中以顶点K+为例，晶胞中与之距离最近且相等的F-位于3个面的面心，顶点在8个晶胞中，面上原子被2个晶胞共有，所以周围紧邻且距离相等的F-共有=12个，距离为面对角线的，A正确；图1中，若以作晶胞的顶角，则位于晶胞的体心，B正确；图2中根据电荷守恒分析，在垂直的棱心处的4个K+只能被2个Eu2+取代，有两个空位，均摊法计算，K+数目为=1个，空位数目为个，与空位的数目比为，C错误；图2中，由晶胞可知，K+数目为=1个，Eu2+数目为=0.5个，Mg2+数目为2个，F-数目为=6个，该晶体密度为 ，D正确。故选C。 355．D 1个CeO2晶胞中，小球个数为8，大球个数为=4，故小求为O，大球为Ce，面心的Ce原子在本晶胞中有4个O原子与它距离最近且相等，另一晶胞也有4个O原子与它距离最近且相等，则Ce的配位数为8，按CeO2的组成，O的配位数为4，所以Ce和O的配位数之比为8:4=2:1，A正确；CeO2的晶体中，含有8个O原子，Ce原子的个数为4，密度为=g·cm-3，B正确；CeO2-x晶胞中，含有Ce原子个数为=4，O原子个数为7，则2-x=，x=0.25，设CeO2-x中，Ce(Ⅲ)的个数为n，则Ce(Ⅳ)的个数为(1-n)，依据化合物中元素化合价的代数和为0，可得出3n+4(1-n)+(2-0.25)×(-2)=0，n=0.5，1-n=0.5，Ce(Ⅲ)与Ce(Ⅳ)的数目之比为1:1，C正确； Ce位于元素周期表中第六周期ⅢB族，价层电子排布式为4f15d16s2，D不正确。故选D。 356．D 由图示晶胞可知，S2-周围的Li+在此晶胞中有4个，上层晶胞还有4个，故S2-的配位数为8，A正确；B点位于右下方内侧小立方体的体心，B点的原子分数坐标为，B正确；设a为晶胞边长，，得，C正确；S2-位于晶胞的面心、顶角，Li+位于晶胞的内部，Li2S晶胞沿y轴投影的俯视图为，D错误。故选D。 357．D 硫化钠和硒化钠都是离子晶体，硫离子的离子半径小于硒离子，则硫化钠晶体中离子键强于硒化钠晶体，熔点高于硒化钠晶体，A错误；由晶胞结构可知，晶胞中每个周围距离最近的Na+数目为8，B错误；由晶胞中顶点的原子坐标为(0，0，0)和(1，1，1)可知，位于体对角线处离子a的分数坐标参数为，C错误；由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点的与位于面心的的距离最近，由晶胞参数可知，最近距离为，D正确。故选D。 358．C 以a为中心，距离最近且等距的为面中心的，一个晶胞有3个，四周有8个晶胞，每一个原子为两个晶胞共有，晶体中距离最近且等距的有3×8×=12个，A错误；由图1晶胞结构图可知z为，由图2晶胞的俯视图可知x为，y为，b点离子的分数坐标为，B错误；一个晶胞中有4个Zn2+，个，质量为，体积为，密度为，C正确；晶胞中点离子和点离子的距离为面对角线的一半，为，D错误。故选C。 359．B 的原子序数为25，其基态原子的核外电子排布式为，基态Mn的价电子排布式为，A正确；据投影图可知，硫锰矿晶胞结构如图，晶体中的配位数是4，B错误；硫锰矿晶胞中位于面心和顶角，C正确；据均摊法计算可知，晶胞中硫原子有4个，锰原子有，设晶胞棱长为a cm，，a=，最近两个硫原子之间的距离为面对角线的一半，即，D正确。故选B。 360．D 由晶胞结构可知，位于构成的正四面体空隙中，A错误；d点离子的分数坐标为，B错误；晶胞中含的个数为，含的个数为4，晶胞中含有4个，则晶胞密度为，C错误；晶胞中b点和d点的距离为晶胞面对角线长度的一半，为，D正确； 　故选D 361．B A．该物质属于分子晶体，A项错误； B．共价单键为σ键，共价双键中一个σ键和一个是π键，共价三键中一个σ键和两个是π键，所以该物质分子中σ键和π键的个数比为9∶3，B项正确； C．一般，同种非金属元素形成非极性共价键，不同种元素形成极性共价键。物质分子中含有极性共价键，C项错误； D．氢原子没有达到8电子稳定结构，只需要2电子稳定结构，D项错误； 362．C A．金刚石是1个中心C原子连接4个C原子，二氧化硅是1个中心原子连接4个O原子，均为正四面体，A项正确； B．金刚石中，1个C原子与另外4个C原子形成4个键，这个C原子对每个单键的贡献只有，所以原子形成的键为，而晶体中1个原子分别与4个O原子形成4个键，则晶体中键为，B项正确； C．干冰熔化时只破坏分子间作用力，共价键不会断裂，C项错误； D．共价晶体的构成微粒是原子不是分子，D项正确。 故选：C。 363．D A．冰晶胞内水分子间以氢键结合，氢键不是化学键，故A错误； B．由冰晶胞的结构可知，根据均摊法计算，每个冰晶胞平均含有4+8×+6×=8个水分子，故B错误； C．水分子间的氢键具有方向性和饱和性，但氢键不是化学键，故C错误； D．冰熔化为液态水时只是破坏了一部分氢键，液态水中仍在氢键，故D正确。 故答案为D。 364．C A．超分子是由两个或两个以上分子通过分子间作用力（非共价键）形成的分子聚集体，A正确； B．金属晶体中含有金属阳离子和自由电子，存在的是金属键而不是离子键，B正确； C．晶体的重要特征是各向异性，即在不同的方向上表现出不相同的物理性质，C错误； D．晶胞是晶体结构中基本的重复单元，一般采用的晶胞形状为平行六面体，D正确； 故选C。 365．D A．C原子最外层为L层，没有d轨道接受水分子中的孤电子对，不能发生类似的水解反应，A错误； B．中间体()可看做硅的一个空d轨道和水分子中氧原子的孤电子对形成配位键，为杂化，B错误； C．C的电负性比Si的大，与为分子晶体，为共价晶体没有关系，C错误； D．Si的原子半径比C的大，Si原子之间难以可以形成p-pπ，D正确； 故选D。 366．D A．该物质为单质，A错误；     B． 该物质的分子是由18个碳原子构成的环碳，高物质由C18分子构成，不属于聚合物，B错误； C． 由B知，该晶体属于分子晶体，不存在空间网状结构，C错误； D． 该环碳与石墨均是由碳元素组成、但结构不同的单质，与石墨互为同素异形体，D正确； 答案选D。 367．D A． 从图中看出晶体由二氧化碳分子构成，固态属于分子晶体，故A错误； B． 甲烷是正四面体构型，键角为109.5°，二氧化碳为直线形分子，键角为180°，键角小于键角，故B错误； C． 分子中含有极性共价键，但分子为正四面体，结构对称，是非极性分子，故C错误； D． 干冰为面心立方堆积，干冰中每个分子周围紧邻12个分子，故D正确； 故选D。 368．D A. 在SiO2晶体中，1个硅原子和4个氧原子形成4个共价键，A不正确；B. 晶体中分子间作用力越大，其熔、沸点和硬度越高，但是与分子的稳定性没有关系，稳定性只与分子内的化学键的强度有关，B不正确；C. 虽然HI 的相对分子质量大于HF，但是，由于HF分子之间可以形成氢键，所以HF 的沸点高于HI，C不正确；D. 金刚石为网状结构，由共价键形成的碳原子环中，最小环上有6个碳原子，D正确。本题选D。 点睛：分子晶体在发生物理变化时只破坏分子间作用力，不破坏化学键，只有发生化学变化时才会破坏化学键，稳定性属于化学性质。氢键是一种特殊的分子间作用力，它比范德华力强得多，故氢键对物质性质的影响大于范德华力。 369．B A、结构中每个硼原子由5个三角形共有，每个三角形含有个硼原子，每个硼分子含有×20=12个硼原子，A正确； B、晶体硼不是原子晶体，属于分子晶体，因此不是空间网状结构，B错误； C、晶体硼中每个面都是等边三角形，键角是60°，C正确； D、硼分子中每个硼硼单键由2个三角形共有，每个三角形含有个硼硼单键，每个硼分子含有×20=30个硼硼单键，D正确； 答案选B。 370．B A.从给出的晶体结构图中可以看出，在氯化钠晶体中每个Cl-周围同时吸引6个Na+，在氯化铯晶体中每个Cl-周围同时吸引8个Cs+，故A不选； B.氯化钠、氯化铯和二氧化碳的晶体中虽然都有立方的晶胞结构，但它们不是同一类型的晶体，NaCl和CsCl是离子晶体，CO2晶体是分子晶体，所以物理性质不相似，故B选； C.二氧化碳晶体是分子晶体，分子间存在着分子间作用力，在分子内部存在着碳原子和氧原子间的共价键，故C不选； D.在二氧化硅晶体中，每个Si都和4个O形成4个Si-O共价单键，故D不选。 故选B。 371．D A、金刚石是正四面体形成的空间网状结构，最小的环上有6个碳原子，故A说法正确； B、根据氯化钠晶胞的结构，距离Na＋最近的Na＋有12个，上层有4个，同层有4个，下层有4个，故B说法正确； C、根据干冰晶胞结构，每个CO2分子周围有12个CO2分子紧邻，故C说法正确； D、金属铜属于面心立方最密堆积结构，金属镁属于六方最密堆积结构，故D说法错误。 答案选D。 372．B A．每个水分子形成4个氢键，每个氢键为2个水分子共用，平均每个水分子形成2个氢键，则1 mol 冰中拥有2 mol氢键，A正确； B．大多数分子晶体中既有范德华力，又有共价键，稀有气体的晶体是由原子通过分子间作用力构成得到分子晶体，故稀有气体的晶体中只有范德华力，B错误； C．干冰晶胞如图，CO2分子分布在晶胞的八个顶点和六个面心上，所以每个CO2分子周围距离(即小立方体的面对角线长度)相等且最近的CO2分子共有12个，C正确； D．晶体硅、SiC属于原子晶体，熔化需要破坏共价键，共价键越牢固原子晶体熔点越高，晶体硅中Si- Si不如碳化硅中Si-C键牢固，因此晶体熔点：晶体硅＜SiC，D正确； 答案选B。 373．B A．由NaCl晶胞结构知，Na+周围最近的Cl-有6个，分别位于Na+的上下左右前后，形成正八面体结构，A正确； B．分子中不涉及原子共用的问题，故该分子中含有4个E原子和4个F原子，分子式为：E4F4或F4E4，B错误； C．以顶点CO2分子作为参考点，相邻三个面面心上CO2分子离其最近，考虑晶胞无隙并置原理，一个顶点周围共有8个晶胞，每个晶胞中各有3个CO2分子离顶点CO2最近，又考虑面心共用，故离顶点CO2最近的CO2分子有：个，C正确； D．碘分子内部两个碘原子之间为非极性共价键，碘分子之间为范德华力，D正确； 故答案选B。 374．A A．碳酸钠溶液显碱性，能用于去除油污，A正确； B．“氧化”时反应的离子方程式：Cu+H2O2+2H+=Cu2++2H2O，B错误； C．由实验可知，操作1为过滤，操作2为蒸发浓缩、冷却结晶，C错误； D．由晶胞图可知，1个Cu2O晶胞中含4个铜原子，2个氧原子，D错误； 答案选A。 375．B 根据晶胞的结构特点，其顶点原子占、棱上的原子占，面心原子占，晶胞内占1。根据题意，晶胞中，Ba原子的个数为1，Ti原子的个数为=1，O原子的个数为，根据名称“钛酸钡”可知钛原子与氧原子形成酸根，所以其化学式为，故选B。 376．D 气态团簇分子与晶胞不同，改气态团簇分子中有多少原子，就是其分子式中原子的个数，观察气态团簇分子可知，分子中有8个R原子、6个Q原子和1个T原子，故该分子的化学式为R8Q6T，答案选D。 377．D A．Mo为第五周期第ⅥB族元素，属于元素周期表中的d区元素，A正确； B．与Mo距离最近且等距离的Mo的数目为12，B正确； C．由均摊法可知，Mo的个数为8×+6×=4，P的个数为1+4×=2，该物质的化学式为，C正确； D．由图可知，P原子位于Mo原子形成的八面体空隙中，D错误； 故选D。 378．C A．蔗糖为二糖或双糖，1分子蔗糖水解产物为1分子葡萄糖和1分子果糖，A错误； B．醛基与新制Cu(OH)2悬浊液反应需在碱性环境中，故检验蔗糖是否水解的方法是：取上述反应后的溶液，冷却后加入NaOH溶液中和作为催化剂的H2SO4后再加入少量新制Cu(OH)2，加热，若有红色沉淀生成，则蔗糖已水解，B错误； C．新制Cu(OH)2悬浊液反应需在碱性环境中，即配制新制Cu(OH)2悬浊液时需碱过量，故可以用如下方法配制新制Cu(OH)2：在试管中加入2mL 10%NaOH溶液，滴加5滴2%CuSO4溶液，C正确； D．由晶胞图可知黑球为4个，白球为：个，故图中黑球代表Cu+，白球代表O2-，故有Cu2O晶胞中，距离每个Cu+最近的O2-有2个，D错误； 故答案为：C。 379．C A．晶胞中共有8×+6×=4个铁原子，8个镁原子，故铁镁合金的化学式为Mg2Fe，故A正确； B．构成该晶体的元素均为金属元素，所以存在的化学键类型为金属键，故B正确； C．根据晶胞结构示意图可知，距离Mg原子最近且相等的Fe原子有4个，即Mg的配位数为4，而该晶体的化学式为Mg2Fe，所以Fe的配位数为8，故C错误； D．一个晶胞中含有4个“Mg2Fe”，该晶胞的质量为×104g＝g，故D正确。 答案选C。 380．C 在这个正二十面体中，12个B之间的B-B键有：12 × 5 = 60，但每个B-B键由2个B共有，所以：60 /2 = 30；晶体硼的基本结构单元是由二十个等边三角形和一定数目的顶角组成的正二十面体，每个顶角均有一个硼原子。20个等边三角形理论上讲有20*3 = 60个B，而实际每个B由5个三角形共顶点，所以：60* 1 / 5 = 12；故选C。 381．C A．由晶胞结构可知，晶胞中位于体心的X的个数为1，位于顶点的Y的个数为8×=1，则晶胞的化学式为XY，故A错误； B．由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点和体心的X的个数为4×+1=，位于顶点的Y的个数为4×=，则晶胞的化学式为X3Y，故B错误； C．由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点的X的个数为8×=1，位于面心的Y的个数为6×=3，位于体心的Z的个数为1，则晶胞的化学式为XY3Z，故C正确； D．由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点的X的个数为8×=1，位于棱上的Y的个数为12×=3，位于体心的Z的个数为1，则晶胞的化学式为XY3Z，故D错误； 故选C。 382．D A．由晶胞结构可知，晶胞中位于顶点和面心的C60个数为8×+6×=4，位于棱上、体心和体内的钾原子的个数为12×+1+8=12，则该材料的化学式为K3C60，故A错误； B．由晶胞结构可知，位于顶点的C60与位于面心的C60距离最近，则一个晶胞中有3个位于面心的C60与顶点C60等距且最近，顶点C60可以形成8个晶胞，每个面心C60为2个晶胞共有，所以C60周围等距且最近的C60的个数为=12，故B错误； C．棱上K原子处在顶点和面心的C60构成的八面体空隙中，故C错误； D．由晶胞结构可知，C60与C60的最短距离是面对角线的，根据集合关系可知，该距离为apm，故D正确； 故选D。 383．B 晶体与非晶体最本质的区别是组成物质的粒子在微观空间是否有序排列，x射线衍射可以看到微观结构，而有些晶体的熔沸点较低，硬度较小，如Na等金属晶体，有些晶体不能导电，所以不能通过测固体的熔点、看固体是否易被压缩、比较固体的导热性来判断，故答案选B。 384．C A．液晶是介于液态和晶态之间的一种特殊的聚集状态，A正确； B．液晶是液态晶体的简称，具有液体的流动性，，B正确； C．液晶是介于液态和晶态之间的一种特殊的聚集状态，C错误； D．液晶是液态晶体的简称，具有晶体的各向异性，D正确； 故选：C。 385．B 观察题图知，I中微粒呈周期性有序排列，Ⅱ中微粒排列相对无序，故I为晶体，Ⅱ为非晶体。 【详解】A．两种物质中I为晶体，Ⅱ为非晶体，I在一定条件下会自动形成有规则几何外形的晶体，Ⅱ为非晶体，无此特点，A错误； B．I为晶体具有各向异性，B正确； C．Ⅱ为非晶体，非晶体没有固定的熔沸点，C错误； D．I为晶体，Ⅱ为非晶体，D错误； 案选B。 386．D ①构成物质的微粒中，晶体中微粒呈周期性有序排列，有自范性，非晶体中微粒排列相对无序，无自范性，故①正确； ②金属晶体的构成微粒为金属阳离子与自由电子，含有金属阳离子的晶体不一定是离子晶体，故②错误； ③原子晶体中共价键可决定晶体的熔、沸点，但分子晶体中共价键不决定晶体的熔、沸点，故③错误； ④离子所带电荷越多、离子半径越小，晶格能越大，MgO的晶格能远比NaCl大，这是因为前者离子所带的电荷数多，离子半径小，故④正确； ⑤晶胞是晶体结构的基本单元，晶体内部的微粒按一定规律作周期性重复排列，故⑤正确； ⑥干冰晶体中，一个CO2分子周围有12个CO2分子紧邻，NaCl晶体中阴、阳离子的配位数都为6，但CsCl晶体中阴、阳离子的配位数都为8，故⑥错误； ②③⑥错误，故答案为D。 387．B A．液晶分子中沿分子长轴方向有序排列，从而表现出类似晶体的各向异性，故A正确； B．等离子体是由阳离子和电子和电中性粒子组成的整体上呈中性的物质聚集体，故B错误； C．纯物质有固定的熔点，但其晶体颗粒尺寸在纳米量级时也可能发生变化，溶点可能下降，故C正确； D．超分子内部的多个分子间一般通过非共价键或分子间作用力结合成聚集体，故D正确。 综上所述，答案为B。 388．C A．由青蒿素的结构式推知，其分子式是，A项正确； B．有机特征官能团可通过红外光谱证实，B项正确； C．青蒿素转化为双青蒿素中，发生还原反应，C项错误； D．通过晶体的X射线衍射实验可获得衍射图，经过计算可以从衍射图中获得晶体有关信息，如了解键角、键长等，从而了解空间结构，D项正确； 故答案选C。 389．C A．晶体与非晶体的根本区别在于其内部粒子在空间上是否按一定规律做周期性重复排列，不是在于是否具有规则的几何外形，A错误； B．红外光谱是反映有机物分子中含有的化学键或官能团的信息，而不是用于鉴别晶体和非晶体，B错误； C．SiO2属于共价晶体，Si原子与4个O原子形成4个共价键，因此其中Si采取sp3杂化与4个O相连，形成与Si原子相连的4个O原子形成正四面体结构单元，C正确； D．Na2O、SiO2中既有共价键成分又有离子键成分，前者离子键的百分数大于50%，偏向于离子键，对应晶体偏向于离子晶体；后者离子键的百分数小于50%，偏向于共价键，对应晶体偏向于共价晶体，D错误； 故合理选项是C。 390．B A．X射线衍射可以区分晶体和非晶体，普通玻璃属于非晶体，水晶属于晶体，故可以区别普通玻璃和水晶，与所述的化学知识有关联，故A不符合题意； B．碳酸氢钠受热分解生成二氧化碳使得糕点疏松，不是可与碱反应，与所述的化学知识没有关联，故B符合题意； C．碘单质易升华而氯化钠不升华，可以加热法分离和NaCl，与所述的化学知识有关联，故C不符合题意； D．Al与NaOH溶液反应产生，生成气体膨胀可以疏通厨卫管道，与所述的化学知识有关联，故D不符合题意； 故选B。 391．D A．由题干晶胞示意图可知，该晶胞中位于棱心上，位于体心上，S2-位于顶点，A错误； B．同一周期从左往右元素电负性依次增大，同一主族从上往下元素电负性依次减小，故电负性：，B错误； C．由A项分析可知，该晶胞中位于棱心上，位于体心上，S2-位于顶点，则周围距离最近且相等的的个数为2，C错误； D．由A项分析可知，该晶胞中位于棱心上，位于体心上，S2-位于顶点，故一个晶胞中含有Li+的数目为：，S2-的数目为：=1，的数目为1，若晶胞参数为，则晶体密度为=，D正确； 故答案为：D。 392．D A．液晶是介于液态和晶态之间的物质状态，既具有液体的流动性、粘度等，又具有晶体的某些物理性质，如导热性等表现出类似晶体的各向异性，故A正确； B．MgO中离子键的百分数为50%，不是纯粹的离子键，也不是纯粹的共价晶体，是离子晶体和共价晶体之间的过渡晶体，故B正确； C．在此六棱柱晶胞中取，位于顶角有12个小球，位于面心的有2个小球，位于内部的有3个小球，则属于此晶胞的小球有个；6个大球位于棱上，4个大球位于内部，则属于此晶胞的大球有个。则锌离子与氧离子的个数比为1∶1，故C正确； D．等离子体是由电子、阳离子和电中性粒子组成的整体上呈电中性的物质聚集体。因此等离子体的基本构成粒子不是阴、阳离子，故D错误； 答案选D。 393．D A．液晶并不是指液体和晶体的混合物，是一种特殊的物质，液晶像液体一样可以流动，又具有晶体各向异性的特性，选项A错误； B．有一些晶体，晶体内可能同时存在着若干种不同的作用力，具有若干种晶体的结构和性质，这类晶体称为混合型晶体，混合型晶体不是混合物，选项B错误； C．石英是SiO2，由其结构可知最小环中有12个原子，选项C错误； D．大多数离子液体含有体积很大的阴阳离子，呈液态，难挥发，因此离子液体可做溶剂，选项D正确； 答案选D。 394．D ①晶体中粒子呈周期性有序排列，有自范性；而非晶体中原子排列相对无序，无自范性，故①正确； ②含有金属阳离子的晶体不一定是离子晶体，如金属晶体中含有金属阳离子，故②错误； ③共价键可决定原子晶体的熔、沸点，分子间作用力决定分子晶体的熔、沸点，故③错误； ④MgO和NaCl两种晶体中， MgO中离子半径小、离子所带电荷多，晶格能较大，所以其熔点比较高，故④错误； ⑤晶胞是晶体结构的基本单元,晶体内部的微粒按一定规律作周期性重复排列，故⑤正确; ⑥受热分解生成和，破坏了Na+和之间的离子键，也破坏了中的共价键，故⑥正确； ⑦干冰晶体中，一个分子周围有12个分子紧邻，故⑦正确； 错误的是②③④，选D。 395．D A．离子晶体在固态时不导电，在水溶液里或熔融后可以导电，但并非所有的离子晶体都易溶于水，如，A错误； B．易溶于水的也不一定是离子晶体，如。在水溶液里能导电的化合物不一定是离子晶体，如，B错误； C．不能根据熔点高低判断晶体类型，C错误； D．判断一种晶体是否为离子晶体的方法大多看它在固态时不导电，熔融状态下能导电，D正确； 故答案选D。 396．C A．根据“C3N4晶体很可能具有比金刚石更大的硬度”可知C3N4晶体与金刚石结构类似，原子间通过共价键形成共价晶体，故A错误； B．氮原子的半径比碳原子的半径小，所以C－N键的键长比C－C键的键长短，故B错误； C．氮原子的半径比碳原子的半径小，所以C－N键的键长比C－C键的键长短，故C正确； D．C3N4晶体中，原子间通过共价键相结合，故D错误； 故选C。 397．B A．钠为金属最外层1个电子易失去，形成钠离子，氯最外层为7个电子易得到1个，形成氯离子，所以NaCl中化学键为离子键，其属于离子晶体，A正确； B．氢最外层1个电子，氧最外层6个电子，二者通过共用电子对形成共价键，所以H2O中化学键为共价键，其属于分子晶体，B错误； C．硅最外层4个电子，氧最外层为6个电子，二者通过共用电子对形成共价键，形成空间网状结构的SiO2，SiO2中化学键为共价键，其属于共价晶体，C正确； D．金属钠是由金属钠离子和自由电子所形成化学键为金属键，其属于金属晶体，D正确； 故选B。 398．D A．由题表中所给熔、沸点数据可知，的熔、沸点最低，应为分子晶体，A正确； B．单质B的熔、沸点最高，可能为共价晶体,B正确； C．的沸点是，则时，呈气态，C正确； D．属于易溶的离子晶体，水溶液能导电，D错误； 故答案选D。 399．C A．汽车尾气催化转化器可将CO转化为不能减少的排放，A错误； B．锡比铅活泼，两者形成原电池，锡做负极，加速锡的腐蚀，B错误； C．石墨烯可导电，具有金属晶体的性质，原子间形成共价键，具有共价晶体的性质，石墨烯属于混合型晶体，C正确； D．聚氯乙烯塑料中加入增塑剂会释放有毒物质，不可用于制作不粘锅的耐热涂层，D错误； 故答案选C。 400．C A．晶格能可以衡量离子键的强弱，与离子晶体的物理性质如熔沸点有关，故A错误； B．金属晶体的熔点有的很低有的很高，如汞常温下为液态，而原子晶体的熔点通常很高，故B错误； C．只含有共价键的晶体可能为分子晶体，如二氧化碳晶体，不一定具有较高的熔、沸点及硬度，故C正确； D．半径：Ba2+>Mg2+，则晶格能：，故D错误； 故选：C。 401．B A．晶体和非晶体的本质区别是组成晶体的粒子在三维空间里是否呈现周期性的有序排列，不管固体的颗粒大小，只要有组成粒子在三维空间里呈现周期性的有序排列就属于晶体，选项A错误； B．晶体的自范性是指，在适宜的条件下，晶体能够自发地呈现封闭的、规则的多面体外形，选项B正确； C．晶体和非晶体的本质区别在其内部粒子在空间上是否按一定规律做周期性重复排列，选项C错误； D．熔融态的SiO2冷却过快会生成玛瑙，反之则生成水晶，选项D错误； 答案选B。 402．A A．由表格中的信息可知，SiCl4熔点为-70℃，沸点57.6℃，故常温的时候为液体，选项A正确； B．单质M的熔沸点均大于离子晶体的，因此单质M可能是共价晶体，不可能是分子晶体，选项B错误： C．离子晶体的熔沸点跟离子键强度有关，离子键的强度与离子所带电荷数有关，的熔沸点高于的，选项C错误： D．从表中数据可知，的熔沸点均高于的，说明的离子键强度大于的，选项D错误； 答案选A。 403．A 试题分析：合金是不同种金属在熔化状态下形成的一种熔合物，要求每种物质的沸点都应低于熔点，才能熔合。A、Cu的熔点是1083℃，高于Na的沸点，Cu未全部溶化时Na已成气体了，错误；B、Fe与Cu沸点都应低于熔点，正确； C、Cu与Al沸点都应低于熔点，正确；D、Al与Na,Al的熔点低于Na的沸点，正确，答案选A。 考点：考查物质熔沸点性质的应用 404．D A．圆形容器中结出的冰虽然呈圆形，但不是自发形成的，并未体现晶体的自范性，A不正确； B．石英玻璃是混合物，不属于晶体，B不正确； C．甲烷的晶胞是正四面体，最小晶胞可以堆叠成为平行六面体，但平行六面体不是甲烷晶体的最小单元，C不正确； D．液晶是兼有晶体和液体部分性质的中间体，是由固态向液态转化过程中存在的取向有序流体，所以可表现出类似晶体的各相异性，D正确； 故选D。 405．A A．碳化硅晶体属于原子晶体，故A错误；     B．该晶体中只存在极性键(C-Si)，故B正确； C．C的非金属性大于Si，所以该晶体中Si的化合价为，故C正确；     D．该晶体中，每个C原子与4个Si原子形成4个σ键，C原子无孤电子对，C的杂化类型为，故D正确； 选A。 406．D ①晶体中粒子呈周期性有序排列，有自范性；而非晶体中原子排列相对无序，无自范性，故①正确； ②含有金属阳离子的晶体不一定是离子晶体，如金属晶体中含有金属阳离子，故②错误； ③共价键可决定原子晶体的熔、沸点，分子间作用力决定分子晶体的熔、沸点，故③错误； ④MgO和NaCl两种晶体中， MgO中离子半径小、离子所带电荷多，晶格能较大，所以其熔点比较高，故④错误； ⑤晶胞是晶体结构的基本单元,晶体内部的微粒按一定规律作周期性重复排列，故⑤正确; ⑥受热分解生成和，破坏了Na+和之间的离子键，也破坏了中的共价键，故⑥正确； ⑦干冰晶体中，一个分子周围有12个分子紧邻，故⑦正确； 错误的是②③④，选D。 407．D A．利用均摊法计算； B．由图可知，面心的Ce4+连接4个O2﹣； C．将晶胞分为8个小立方体，N位于左后上方的小立方体的体心； D．由图可知，每个O2﹣周围与它最近且等距的O2﹣位于其上下前后左右。 A．利用均摊法计算可知晶胞中Ce4+有4个，故A错误； B．由图可知，面心的Ce4+连接4个O2﹣，面心原子为2个晶胞共有，故Ce4+配位数为8，故B错误； C．将晶胞分为8个小立方体，N位于左后上方的小立方体的体心，M的坐标为（0，0，0），则N的坐标为（，，），故C错误； D．由图可知，每个O2﹣周围与它最近且等距的O2﹣位于其上下前后左右，共有6个，故D正确； 故选：D。 408．C 由图可知，PCl5晶体的晶胞结构与氯化铯晶体的晶胞结构相似，存在、两种离子，两种离子分别为四面体和八面体结构。 【解答】解：A．PCl5在晶体里以、存在，属于离子晶体，故A错误； B．晶胞体心上微粒为，故B错误； C．晶胞顶点上微粒是，其价层电子对数＝，故空间构型为正八面体，故C正确； D．晶胞中存在的化学键类型除了有极性共价键，还有离子键，故D错误； 故选：C。 409．D A．上图所示的四种物质中只有冰是分子晶体，熔点最低的是冰； B．每个Cu晶胞中平均含有铜原子个数为； C．在NaH晶体中，距离Na+最近且等距的Na+位于面心处，其个数为12个； D．根据晶胞结构可知，晶体中与每个Ba2+紧邻且等距离的O2﹣有12个。 A．上图所示的四种物质中只有冰是分子晶体，熔点最低的是冰，故A正确； B．每个Cu晶胞中平均含有铜原子个数为，故B正确； C．在NaH晶体中，距离Na+最近且等距的Na+位于面心处，其个数为12个，故C正确； D．根据晶胞结构可知，晶体中与每个Ba2+紧邻且等距离的O2﹣有12个，故D错误， 故选：D。 410．C ①因s、p能级的电子云形状不同，所以s﹣s 键与p﹣pσ键的电子云形状不同； ②各原子容易形成两个电子或者8个电子的稳定结构 ③三种分子中分别含C﹣C、C＝C、C≡C键； ④非金属原子常以共用电子对形成化学键，为共价键； ⑤1个分子中含有6个C﹣C键、10个C﹣H键、1个C＝O键、2个C﹣Se键； ⑥原子总数和价电子总数相同的分子或离子称为等电子体，人们发现等电子体的空间结构相同。 ①s能级电子云是球形，p能级电子云是哑铃型，所以s﹣s 键与s﹣pσ键的电子云对称性不同，故①错误； ②N原子最外层有5个电子，有三个末成对电子，1个N原子最多只能与3个H原子结合形成NH3分子，是由共价键的饱和性决定的，故②正确； ③三种分子中分别含C﹣C、C＝C、C≡C键，则C﹣C的键长、键能均不相同，故③错误； ④非金属原子常以共用电子对形成化学键，两个非金属元素的原子之间形成的化学键都是共价键，故④正确； ⑤1个分子中含有6个C﹣C键、10个C﹣H键、1个C＝O键、2个C﹣Se键，共19个σ键，故⑤错误； ⑥SO2与O3中都含有3个原子，价电子总数都为18，互为等电子体，空间结构均为V形，故⑥正确； 综上所述，认识错误的有①③⑤，共3个， 故选：C。 411．D A．基态Ag原子核外电子排布式为[Kr]4d105s1，基态Ag原子转化为Ag+失去最外层电子； B．若N点原子分数坐标为，则M点为O点，P点在x、y、z轴上的投影分别是0、0、； C．M、N之间的距离为底面对角线长度的； D．该晶胞中F原子个数为16×+4＝12、Cs原子个数为8×+2＝4、Ag原子个数为4×+8×＝4，所以Ag、Cs、F原子个数之比为4：4：12＝1：1：3，其化学式为CsAgF3，晶胞体积为（apm）2×（cpm）＝a2cpm3，晶体密度为＝。 A．基态Ag原子核外电子排布式为[Kr]4d105s1，基态Ag原子失去5s能级上的1个电子转化为Ag+，故A错误； B．若N点原子分数坐标为，则M点为O点，P点在x、y、z轴上的投影分别是0、0、，则P点原子分数坐标为（0，0，），故B错误； C．M、N之间的距离为底面对角线长度的，为×apm＝a×10﹣10cm，故C错误； D．该晶胞中F原子个数为16×+4＝12、Cs原子个数为8×+2＝4、Ag原子个数为4×+8×＝4，所以Ag、Cs、F原子个数之比为4：4：12＝1：1：3，其化学式为CsAgF3，晶胞体积为（apm）2×（cpm）＝a2cpm3，晶体密度为＝＝g•pm﹣3＝g•pm﹣3，故D正确； 故选：D。 412．D A．由晶胞图可知，距F﹣最近且等距的Ca2+位于顶点和相邻的三个面心； B．由晶胞图可知，与面心上的Ca2+距离最近且等距的4个F﹣位于体内； C．基态氟原子核外电子排布式为1s22s22p5； D．基态氟原子价层电子排布式为2s22p5，有1个未成对电子。 A．由晶胞图可知，距F﹣最近且等距的Ca2+位于顶点和相邻的三个面心，即F﹣位于Ca2+构成的四面体空隙，故A正确； B．由晶胞图可知，与面心上的Ca2+距离最近且等距的4个F﹣位于体内，面上的原子为2个晶胞共有，故每个Ca2+周围距离最近且等距的F﹣有8个，故B正确； C．基态氟原子核外电子排布式为1s22s22p5，其中s能级有一种伸展方向，p能级有三种伸展方向，共4种，故C正确； D．基态氟原子价层电子排布式为2s22p5，有1个未成对电子，故基态F原子的电子自旋量子数的代数和为或﹣，故D错误； 故选：D。 41$