《模拟电子技术基础及应用》常用半导体器件的结构、分类、特性、用途及参数-知识点训练卷2026版山东省电子技术类考纲百套卷第14卷

编写说明：《电子技术类考纲百套卷》依据山东省《电子技术类专业知识考试标准》编写，本套试卷共98份，分为三个部分，第一部分是知识点训练卷，每个考点1-4份试卷共60份，第二部分是常考题训练卷，考纲有七个知识模块，每个知识模块4份训练卷共28份，第三个部分是专业综合训练卷，参考历年电子技术类专业真题试卷，编写了10份。 本试卷是《电子技术类考纲百套卷》的第14卷，是第一部分知识点训练卷，按考纲中知识模块2.模拟电子技术基础及应用---1.常用半导体器件的结构、分类、特性、用途及参数的七点要求编写。其七点要求是： （1）了解 PN 结、半导体二极管结构及单向导电性、伏安特性和主要参数。 （2）了解发光二极管、稳压二极管等特殊二极管的工作特点、主要参数和基本应用。 （3）会使用万用表检测二极管。 （4）理解三极管的基本结构、电流放大作用、伏安特性和主要参数。 （5）会使用万用表检测三极管。 （6）了解单向晶闸管的结构和主要参数， 掌握其工作特性。 （7）会使用万用表检测单向晶闸管。 山东省《电子技术类考纲百套卷》 第14卷 模拟电子技术基础及应用 1.常用半导体器件的结构、分类、特性、用途及参数 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单项选择题（本大题共30小题，每题2分，共60分） 1.半导体中空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（ ） A.P型半导体 B.N型半导体 C.本征半导体 D.掺杂半导体 2.下列关于半导体二极管的说法，正确的是（ ） A. 二极管具有双向导电性 B. 二极管正向偏置时电阻很大 C. 二极管反向偏置时电阻很小 D. 二极管正向偏置时导电，反向偏置时不导电 3.二极管的伏安特性曲线中，反向击穿区对应的情况是（ ） A. 电压低，电流小 B. 电压高，电流小 C. 电压低，电流大 D. 电压高，电流大 4.下列硅二极管中质量最好的是( ). 正向电阻为1kΩ，反向电阻为100kΩ B.正向电阻为50kΩ,反向电阻为100kΩ C.正反向电阻均为无穷大 D.正向电阻为20kΩ，反向电阻为20kΩ 5.硅二极管的导通管压降约为（ ）。 A.0.7V B.0.3V C.0.5V D.0.2V 6. 关于半导体二极管，叙述正确的是（ ）。 A. 工作特性与温度无关 B. 反向饱和电流越大越好 C. 导通管压降与电流成正比 D. 正向电压超过死区电压时导通 7.构成半导体二极管的PN结的数目是（ ）。 A. 4 B.3 C.2 D.1 8.关于半导体，下列说法正确的是( ) A.N型半导体多数载流子是电子，所以它带负电 B.在硅或锗材料中掺入5价元素可形成P型半导体 C.半导体材料掺杂后依然呈电中性 D.把一块P型半导体和一块N型半导体放在一起就会形成PN结 9.用数字式万用表合适档位判别正常二极管的管脚极性，红、黑表笔分别接在二极管的两个管脚，若万用表显示“1.”，则以下说法正确的是( ) A.二极管正向电阻阻值为1kΩ B.红表笔所接管脚为二极管正极 C.二极管反向电阻阻值为1MΩ D.黑表笔所接管脚为二极管正极 10.下列器件中,（ ）不属于特殊二极管 A. 稳压管 B. 整流管 C. 发光管 D. 光电管 11.稳压二极管稳压，利用的是稳压二极管的（ ） A. 正向特性 B. 反向特性 C. 反向击穿特性 D. 遗传性 12.三极管的主要特征是具有（ ）作用 A. 电压放大 B. 单向导电 C. 电流放大 D. 电流与电压放大 13.要使发光二极管正常发光，其两端需外加（ ） A. 正向电压 B. 反向电压 C. 正、反向电压均可 D. 零偏置电压 14.如果二极管的正反向电阻都很大，说明 ( ) A. 内部短路 B. 内部断路 C. 正常 D. 无法确定 15. 二极管的正极电位是-20V，负极电位是-10V，则该二极管处于（ ） A. 反偏 B. 正偏 C. 不变 D. 断路 16.当环境温度升高时，二极管的反向电流将（ ） A.增大 B.减小 C.不变 D.不确定 17.用万用表的Rx100挡和Rx1K挡测量二极管的正向电阻阻值不一样，原因是 A.二极管性能不稳 B.二极管是大功率的 C.不同倍率测量 D.二极管是非线性器件 18.当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于（ ） A.很小电阻 B.很大电阻 C.短路 D.开路 19.晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是（ ） A.发射结正偏、集电结反偏 B.发射结正偏、集电结正偏 C.发射结反偏、集电结正偏 D.发射结反偏、集电结反偏 20.当硅二极管加上0.3V正向电压时，该二极管呈现 A.小阻值 B.大阻值 C.阻值为0 D.阻值为∞ 21如图所示电路 , 二极管的导通电压均为 0 . 7V , 当 V1 = 10V , V2 =5V 时 , 输出电压 V为( ) 。 A. 8 . 37V B. 3 . 87V C. 4 . 3V D. 9 . 3V 22.在如图的二极管伏安特性曲线中 , 表示锗二极管的曲线是（ ） A. a 和 c 组成 B. a 和 d 组成 C. b 和 c 组成 D. b 和 d 组成 23.型号为2CW系列的二极管是( ) A.普通管 B.整流管 C.开关管 D.稳压管 24.二极管的正向电阻( )反向电阻 。 A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 不确定 25.在P型半导体中( ) A.空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子 B.没有自由电子 C.自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子 D.没有空穴 26.在PN结中由于浓度的差异，空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这就是（ ） A．扩散运动 B．漂移运动 C．有序运动 D．同步运动 27. 如图所示 , 已知两只硅稳压管的 VZ1=5V , VZ2=7V , 正向压降均为0.7V , 则( ) A. 输出电压为5V B. 输出电压为7V C. 输出电压为12V D. 输出电压为20V 28.当外电场与内电场方向相同时，阻挡层（ ），电子不容易通过 Ａ. 变薄　　　 Ｂ. 消失　　　 Ｃ. 变厚 　　　　 Ｄ. 变为导流层 29. 在图中 , 若将V1接反，则( ) 。 A. V0不变 B. V0变为7.7V C. V0变为5.7V D. V0为 20V 30. 如图所示 , 晶体管基本连接方式是( ) 。 A. 共发射极接法 B. 共基极接法 C. 共集电极接法 D. 不好确定 二、简答题（本大题共3小题，每题10分，共30分） 1..简述二极管的伏安特性。 2.简述三极管处于放大状态的条件。 3.二极管和三极管的工作原理 三、分析计算题（本大题共1小题，共10分） 1.在放大电路中测得各三极管电位如图所示，试判断各管脚、类型及材料。 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $ 编写说明：2026版《电子技术类考纲百套卷》依据山东省《电子技术类专业知识考试标准》编写，本套试卷共98份，分为三个部分，第一部分是知识点训练卷，每个考点1-4份试卷共60份，第二部分是常考题训练卷，考纲有七个知识模块，每个知识模块4份训练卷共28份，第三个部分是专业综合训练卷，参考历年电子技术类专业真题试卷，编写了10份。 本试卷是《电子技术类考纲百套卷》的第14卷，是第一部分知识点训练卷，按考纲中知识模块2.模拟电子技术基础及应用---1.常用半导体器件的结构、分类、特性、用途及参数的七点要求编写。其七点要求是： （1）了解 PN 结、半导体二极管结构及单向导电性、伏安特性和主要参数。 （2）了解发光二极管、稳压二极管等特殊二极管的工作特点、主要参数和基本应用。 （3）会使用万用表检测二极管。 （4）理解三极管的基本结构、电流放大作用、伏安特性和主要参数。 （5）会使用万用表检测三极管。 （6）了解单向晶闸管的结构和主要参数， 掌握其工作特性。 （7）会使用万用表检测单向晶闸管。 2026版山东省《电子技术类考纲百套卷》 第14卷 模拟电子技术基础及应用 1.常用半导体器件的结构、分类、特性、用途及参数 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、单项选择题（本大题共30小题，每题2分，共60分） 1.半导体中空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（ ） A.P型半导体 B.N型半导体 C.本征半导体 D.掺杂半导体 【答案】C 2.下列关于半导体二极管的说法，正确的是（ ） A. 二极管具有双向导电性 B. 二极管正向偏置时电阻很大 C. 二极管反向偏置时电阻很小 D. 二极管正向偏置时导电，反向偏置时不导电 【答案】D 3.二极管的伏安特性曲线中，反向击穿区对应的情况是（ ） A. 电压低，电流小 B. 电压高，电流小 C. 电压低，电流大 D. 电压高，电流大 【答案】D 4.下列硅二极管中质量最好的是( ). 正向电阻为1kΩ，反向电阻为100kΩ B.正向电阻为50kΩ,反向电阻为100kΩ C.正反向电阻均为无穷大 D.正向电阻为20kΩ，反向电阻为20kΩ 【答案】A 5. 硅二极管的导通管压降约为（ ）。 A.0.7V B.0.3V C.0.5V D.0.2V 【答案A 6. 关于半导体二极管，叙述正确的是（ ）。 A. 工作特性与温度无关 B. 反向饱和电流越大越好 C. 导通管压降与电流成正比 D. 正向电压超过死区电压时导通 【答案】D 7.构成半导体二极管的PN结的数目是（ ）。 A. 4 B.3 C.2 D.1 【答案】D 7. PN结具有单向导电性，即电流只能是( ) A. 从发射区流向集电区 B. 从P区流向N区 C. 从N区流向P区 D. 从集电区流向发射区 【答案】B 8.关于半导体，下列说法正确的是( ) A.N型半导体多数载流子是电子，所以它带负电 B.在硅或锗材料中掺入5价元素可形成P型半导体 C.半导体材料掺杂后依然呈电中性 D.把一块P型半导体和一块N型半导体放在一起就会形成PN结 【答案】C 9.用数字式万用表合适档位判别正常二极管的管脚极性，红、黑表笔分别接在二极管的两个管脚，若万用表显示“1.”，则以下说法正确的是( ) A.二极管正向电阻阻值为1kΩ B.红表笔所接管脚为二极管正极 C.二极管反向电阻阻值为1MΩ D.黑表笔所接管脚为二极管正极 【答案】D 10.下列器件中,（ ）不属于特殊二极管 A. 稳压管 B. 整流管 C. 发光管 D. 光电管 【答案】B 11.稳压二极管稳压，利用的是稳压二极管的（ ） A. 正向特性 B. 反向特性 C. 反向击穿特性 D. 遗传性 【答案】C 12.三极管的主要特征是具有（ ）作用 A. 电压放大 B. 单向导电 C. 电流放大 D. 电流与电压放大 【答案】C 13.要使发光二极管正常发光，其两端需外加（ ） A. 正向电压 B. 反向电压 C. 正、反向电压均可 D. 零偏置电压 【答案】A 14.如果二极管的正反向电阻都很大，说明 ( ) A. 内部短路 B. 内部断路 C. 正常 D. 无法确定 【答案】B 15. 二极管的正极电位是-20V，负极电位是-10V，则该二极管处于（ ） A. 反偏 B. 正偏 C. 不变 D. 断路 【答案】A 16.当环境温度升高时，二极管的反向电流将（ ） A.增大 B.减小 C.不变 D.不确定 【答案】A 17.用万用表的Rx100挡和Rx1K挡测量二极管的正向电阻阻值不一样，原因是 A.二极管性能不稳 B.二极管是大功率的 C.不同倍率测量 D.二极管是非线性器件 【答案】D 18.当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于（ ） A.很小电阻 B.很大电阻 C.短路 D.开路 【答案】B 19.晶体三极管的截止条件，下列说法正确的是（ ） A.发射结正偏、集电结反偏 B.发射结正偏、集电结正偏 C.发射结反偏、集电结正偏 D.发射结反偏、集电结反偏 【答案】D 20.当硅二极管加上0.3V正向电压时，该二极管呈现 A.小阻值 B.大阻值 C.阻值为0 D.阻值为∞ 【答案】B 21如图所示电路 , 二极管的导通电压均为 0 . 7V , 当 V1 = 10V , V2 =5V 时 , 输出电压 V为( ) 。 A. 8 . 37V B. 3 . 87V C. 4 . 3V D. 9 . 3V 【答案】A 22.在如图的二极管伏安特性曲线中 , 表示锗二极管的曲线是（ ） A. a 和 c 组成 B. a 和 d 组成 C. b 和 c 组成 D. b 和 d 组成 【答案】C 23.型号为2CW系列的二极管是( ) A.普通管 B.整流管 C.开关管 D.稳压管 【答案】D 24.二极管的正向电阻( )反向电阻 。 A. 大于 B. 小于 C. 等于 D. 不确定 【答案】B 25.在P型半导体中( ) A.空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子 B.没有自由电子 C.自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子 D.没有空穴 【答案】A 26.在PN结中由于浓度的差异，空穴和电子都要从浓度高的地方向浓度低的地方运动，这就是（ ） A．扩散运动 B．漂移运动 C．有序运动 D．同步运动 【答案】A 27. 如图所示 , 已知两只硅稳压管的 VZ1=5V , VZ2=7V , 正向压降均为0.7V , 则( ) A. 输出电压为5V B. 输出电压为7V C. 输出电压为12V D. 输出电压为20V 【答案】C 28.当外电场与内电场方向相同时，阻挡层（ ），电子不容易通过 Ａ. 变薄　　　 Ｂ. 消失　　　 Ｃ. 变厚 　　　　 Ｄ. 变为导流层 【答案】C 29. 在图中 , 若将V1接反，则( ) 。 A. V0不变 B. V0变为7.7V C. V0变为5.7V D. V0为 20V 【答案】B 30. 如图所示 , 晶体管基本连接方式是( ) 。 A. 共发射极接法 B. 共基极接法 C. 共集电极接法 D. 不好确定 【答案】B 二、简答题（本大题共3小题，每题10分，共30分） 1.简述二极管的伏安特性。 【答案】1.正向特性 观察二极管的伏安特性曲线可以看出，当正向电压较小时,二极管呈现的电阻很大， 基本上处于截止状态,这个区域称为正向特性的“死区”,如图1.1.10所示。一般硅二极 管的“死区”电压约为0.5V,锗二极管约为0.2 V。 当正向电压超过“死区”电压后,二极管的电阻变得很小,二极管处于导通状态,电流 随电压按指数规律增长,即正向电压只要略微增加一点,电流就会增加很多。二极管导 通后两端电压降基本保持不变,硅二极管约为 0.7V,锗二极管约为0.3V。 2.反向特性 在电路中,若将二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,则二极管呈现很大的电阻,二极管中几乎没有电流流过,二极管处于截止状态。 反向截止区 二极管加反向电压时,仍然会有反向电流流过二极管,称为漏电流。小功率管的漏电流很小,在微安(μA)级,而且在很大范围内,基本不随反向电压的变化而变化,称为反向截止区。 反向击穿区 当加到二极管两端的反向电压超过某一规定数值时,反向电流突然急剧增大,这种现象称为反向击穿,反向击穿电压用U(BR)表示。实际应用时普通二极管应避免工作在反向击穿区,否则会因电流过大而损坏管子,使其失去单向导电性。 2.简述三极管处于放大状态的条件。 【答案】发射结正偏，集电结反偏。放大区当 ucr>1V 左右后，特性曲线是一组略有上升的平行直线，这部分区域称为放大区。在放大区三极管具有放大特性： ic受Ig控制。三极管工作在放大状态的条件是：发射结正偏，集电结反偏。 3.二极管和三极管的工作原理 【答案】二极管：主要利用PN结的 单向导电性质来工作。在正向偏压（正极连接P型半导体，负极连接N型半导体）下，二极管导通；在反向偏压下，二极管截止。 三极管：通过调节基极和发射极之间的电流（基极电流），来控制发射极和集电极之间的电流（集电极电流）。三极管可以放大信号，即小的基极电流能够控制大的集电极电流。 三、分析计算题（本大题共1小题，共10分） 1.在放大电路中测得各三极管电位如图所示，试判断各管脚、类型及材料。 【答案】 A：①为e；②为c；③为b；NPN；硅 B：①为c；②为b；③为e；PNP；锗 原创精品资源学科网独家享有版权，侵权必究！ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $