《电子技术基础》半导体器件的基础知识-知识点训练 2026版安徽省电子信息类专业 考纲百套卷 第39卷

编写说明：2026版安徽省《电子信息类考纲百套卷》 依据安徽省对口招生《电子与信息大类（电子信息类）专业理论考试纲要》编写。本套试卷由103份试卷共三个部分组成。第一部分是根据考纲的知识与技能要点，编写的71份知识点训练卷；第二部分针对三门课程，编写的22份常考题训练卷；第三部分参考安徽省历年电子信息类专业课考试真题，编写了10份专业综合训练卷。 本试卷是《电子信息类考纲百套卷》的第39卷，是知识点训练卷，按考纲中第二部分 电子技术基础概述的第一章半导体器件的基础知识编写。 其知识与技能要点是半导体二极管、半导体三极管和场效应管。 2026版安徽省《电子信息类考纲百套卷》第39卷 电子技术基础概述 （一）半导体器件的基础知识 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、填空题(每小题2分，共5小题；共10分） 1. 三极管工作在放大区时，发射结______偏置，集电结______偏置。 2. 场效应管（FET）与半导体三极管（BJT）的性能区别之一在于输入阻抗：FET的输入阻抗较______，而BJT的输入阻抗较______，这使得FET更适用于高阻抗信号源。 3. 某N沟道MOSFET的夹断电压VP=−4V，当VGS=0V 时，该管工作在______区；若 VGS=−2V，则其导电沟道会______（填“变宽”或“变窄”）。 4. 三极管输出特性曲线中，水平部分表示__________区，曲线陡升部分左侧为饱和区，IB=0对应的曲线与横轴间的区域为__________区。 5. 设计放大电路时，若希望三极管工作点远离饱和区，应适当__________（增大/减小）RC或__________（增大/减小）基极偏置电阻。 二、单项选择题（请在下列各题选项中选出最符合题意的一项，将代表该选项的字母填在下面相应的答题位置。每题2分，计15小题；共30分） 1. 二极管的基本结构由（ ） A. 两个N型半导体拼接而成 B. 一个P型和一个N型半导体结合而成 C. 金属与半导体直接接触而成 D. 三层交替掺杂的半导体构成 2. 选择整流二极管时，关键参数是（ ） A. 最大反向工作电压 URM 和反向饱和电流 IR​ B. 正向压降 UF和结电容 Cj​ C. 反向恢复时间 trr 和开关速度 D. 耗散功率 PD和热阻 3. 某三极管 IC=2mA, IB=20μA，则其直流放大系数 β 为（ ） A. 50 B. 100 C. 200 D. 0.01 4. 二极管反向恢复时间影响（ ） A. 整流效率 B. 高频开关特性 C. 最大反向耐压 D. 正向导通压降 5. 三极管共集电极电路（射极跟随器）的特点是（ ） A. 电压增益≈1，输入阻抗低，输出阻抗高 B. 电压增益≈1，输入阻抗高，输出阻抗低 C. 电流增益<1，输入阻抗高 D. 电压增益>100，输出阻抗低 6. 已知某三极管 β=120，若需获得 IC=6mA，则 IB 应为（ ） A. 0.05mA B. 0.5mA C. 5μA D. 50μA 7. 在共射放大电路中，若三极管基极电阻 Rb开路，则三极管工作在（ ） A. 放大区 B. 饱和区 C. 截止区 D. 反向击穿区 8. 某三极管输出特性曲线中，当 IB从20μA增至40μA时，IC 从1mA增至2.1mA（UCE 恒定），则其 β值为（ ） A. 50 B. 55 C. 100 D. 105 9. 二极管反向击穿后仍能正常工作的是（ ） A. 整流二极管 B. 稳压二极管 C. 发光二极管 D. 肖特基二极管 10. 测得三极管三个电极电位为：①脚2.1V，②脚5V，③脚1.4V，则②脚是（ ） A. 基极 B. 集电极 C. 发射极 D. 无法判断 11. 二极管伏安特性中正向导通后的特征是（ ） A. 电流与电压成反比 B. 电压微小变化引起电流急剧变化 C. 电阻恒定 D. 电流饱和 12. 设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图中电路的输出电压Vo为（ ） A. 0.7V B. 1.4V C. 5V D. 7V 13. 设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图中电路的输出电压Vo为（ ） A. 0.7V B. 1.4V C. 5V D. 7V 14. 在同一测试电路中，分别测得A、B和C三个二极管电流如下表所示。二极管的性能最好的是（ ） A. a) B. b) C. c） D. 不确定 管号 加0.5V正向电压时的电流 加反向电压时的电流 a) 0.5mA 1μA b) 5mA 0.1μA c) 2mA 5μA 15. 二极管的双向限幅电路如右图所示。设vi为幅值大于直流电源VC1(=－VC2)值的正弦波，二极管为理想器件。则可画出vo的波形为（ ） A. a) B. b) C. c) D. d) 三、双项选择题(每小题3分，共5小题；共15分） 1. 场效应管的结构、分类与符号，以下正确的是（ ） A. 结型场效应管分为N沟道和P沟道 B. 绝缘栅型场效应管分为增强型和耗尽型 C. 符号中箭头方向表示漏极电流方向 D. 符号中栅极与源极间无箭头 2. 场效应管的电压放大作用体现在（ ） A. 栅源电压控制漏极电流 B. 漏极电流变化量远大于栅源电压变化量 C. 放大倍数由跨导（gm）决定 D. 场效应管无电压放大能力 3. 关于三极管放大作用的描述，正确的是（ ） A. 电压放大是三极管的固有特性 B. 电流放大是三极管的核心作用 C. 功率放大与电流放大无关 D. 基极电流变化可控制集电极电流变化 4. 二极管伏安特性曲线的关键特征是（ ） A. 正向电阻小，反向电阻大 B. 反向击穿后电流骤增 C. 正向电压与电流呈线性 D. 反向电流随电压增大而显著增加 5. 电路中二极管处于正向导通状态，可能的现象是（ ） A. 多用电表测得电阻较小 B. 多用电表测得电阻较大 C. 电路中电流较大 D. 电路中电流极小 四、判断题(每小题2分，共10小题；共20分） 1. 三极管的共基极连接方式中，输入信号加在发射极-基极间，输出信号取自集电极-基极间，具有电流放大能力。（ ） 2. 本征半导体在绝对零度（0K）时表现为绝缘体，但室温下因本征激发会产生自由电子和空穴对。（ ） 3. 三极管的穿透电流 ICEO 是指基极开路时，集-射极间的反向电流，其值越小说明温度稳定性越好。（ ） 4. 耗尽型MOSFET的 VGS=0 时已存在导电沟道，因此适合用于常闭型开关电路设计。（ ） 5. 三极管的三种连接方式（共射、共基、共集）中，共集电极电路的输入阻抗最高，输出阻抗最低，适用于功率放大。（ ） 6. 发光二极管（LED）工作在反向偏置状态时才能发光。（ ） 7. 在交流电路中，二极管可视为理想开关，无导通压降。（ ） 8. 三极管的β值越大，其放大能力一定越强。（ ） 9. 温度升高会导致输出特性曲线上移。（ ） 10. 当三极管的β值很高时，即使IB很小，也能实现大电流放大，因此在任何工作区都能用于信号放大电路。（ ） 五、简答题(共1小题；共5分） 描述二极管的伏安特性曲线，包括正向导通区、反向饱和区和击穿区。 六、计算题(每小题10分，共2小题；共20分） 1. 图中，指出管的名称并说明两图有何错误。 2. 二极管电路如题图所示。试判断图中各二极管是导通还是截止，井求出A、O两端间的电压UAO（设二极管的正向电压降和反向电流均可忽略）。 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $$ 编写说明：2026版安徽省《电子信息类考纲百套卷》 依据安徽省对口招生《电子与信息大类（电子信息类）专业理论考试纲要》编写。本套试卷由103份试卷共三个部分组成。第一部分是根据考纲的知识与技能要点，编写的71份知识点训练卷；第二部分针对三门课程，编写的22份常考题训练卷；第三部分参考安徽省历年电子信息类专业课考试真题，编写了10份专业综合训练卷。 本试卷是《电子信息类考纲百套卷》的第39卷，是知识点训练卷，按考纲中第二部分 电子技术基础概述的第一章半导体器件的基础知识编写。 其知识与技能要点是半导体二极管、半导体三极管和场效应管。 2026版安徽省《电子信息类考纲百套卷》第39卷 电子技术基础概述 （一）半导体器件的基础知识 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、填空题(每小题2分，共5小题；共10分） 1. 三极管工作在放大区时，发射结______偏置，集电结______偏置。 【答案】正；反 【解析】放大区条件：发射结正偏、集电结反偏。 2. 场效应管（FET）与半导体三极管（BJT）的性能区别之一在于输入阻抗：FET的输入阻抗较______，而BJT的输入阻抗较______，这使得FET更适用于高阻抗信号源。 【答案】高；低 【解析】场效应管与半导体三极管的性能区别考点。FET输入阻抗高（兆欧级），BJT输入阻抗低（千欧级），因FET栅极几乎不取电流。这决定了FET在微弱信号放大（如麦克风电路）中的优势。 3. 某N沟道MOSFET的夹断电压VP=−4V，当VGS=0V 时，该管工作在______区；若 VGS=−2V，则其导电沟道会______（填“变宽”或“变窄”）。 【答案】可变电阻区（或欧姆区）；变窄 【解析】耗尽型JFET在 VGS=0V时导通（可变电阻区），VGS越负沟道越窄（如 VGS=−2V>VP=−4V，未夹断）。维修中若 VGS设置错误，会导致导通不良。 4. 三极管输出特性曲线中，水平部分表示__________区，曲线陡升部分左侧为饱和区，IB=0对应的曲线与横轴间的区域为__________区。 【答案】放大；截止 【解析】输出特性曲线分三个区域：放大区（水平线，Ic受Ib控制）、饱和区（曲线陡升，Uce小）、截止区（Ib=0以下区域）。 5. 设计放大电路时，若希望三极管工作点远离饱和区，应适当__________（增大/减小）RC或__________（增大/减小）基极偏置电阻。 【答案】减小；增大 【解析】减小 RC可降低饱和压降；增大基极电阻可减小 IB，从而降低 IC，避免进入饱和区。 二、单项选择题（请在下列各题选项中选出最符合题意的一项，将代表该选项的字母填在下面相应的答题位置。每题2分，计15小题；共30分） 1. 二极管的基本结构由（ ） A. 两个N型半导体拼接而成 B. 一个P型和一个N型半导体结合而成 C. 金属与半导体直接接触而成 D. 三层交替掺杂的半导体构成 【答案】B 【解析】PN结是二极管核心结构。 2. 选择整流二极管时，关键参数是（ ） A. 最大反向工作电压 URM 和反向饱和电流 IR​ B. 正向压降 UF和结电容 Cj​ C. 反向恢复时间 trr 和开关速度 D. 耗散功率 PD和热阻 【答案】A 【解析】整流需耐压和低漏电流。 3. 某三极管 IC=2mA, IB=20μA，则其直流放大系数 β 为（ ） A. 50 B. 100 C. 200 D. 0.01 【答案】B 【解析】β=IC/IB=2mA/20μA=100。 4. 二极管反向恢复时间影响（ ） A. 整流效率 B. 高频开关特性 C. 最大反向耐压 D. 正向导通压降 【答案】B 【解析】反向恢复时间 trr 决定二极管在高频开关状态下的响应速度。 5. 三极管共集电极电路（射极跟随器）的特点是（ ） A. 电压增益≈1，输入阻抗低，输出阻抗高 B. 电压增益≈1，输入阻抗高，输出阻抗低 C. 电流增益<1，输入阻抗高 D. 电压增益>100，输出阻抗低 【答案】B 【解析】射极跟随器电压增益≈1，输入阻抗高（Ri≈βRE），输出阻抗低（Ro≈rbe/β​）。 6. 已知某三极管 β=120，若需获得 IC=6mA，则 IB 应为（ ） A. 0.05mA B. 0.5mA C. 5μA D. 50μA 【答案】D 【解析】由 IB=IC/β=6mA/120=0.05mA=50μA。 7. 在共射放大电路中，若三极管基极电阻 Rb开路，则三极管工作在（ ） A. 放大区 B. 饱和区 C. 截止区 D. 反向击穿区 【答案】C 【解析】Rb开路导致 IB=0，此时 IC≈ICEO极小，三极管截止。 8. 某三极管输出特性曲线中，当 IB从20μA增至40μA时，IC 从1mA增至2.1mA（UCE 恒定），则其 β值为（ ） A. 50 B. 55 C. 100 D. 105 【答案】B 【解析】ΔIB=40μA−20μA=20μA ΔIC=2.1mA−1mA=1.1mA β=ΔIC/ΔIB=1100μA/20μA=55。 9. 二极管反向击穿后仍能正常工作的是（ ） A. 整流二极管 B. 稳压二极管 C. 发光二极管 D. 肖特基二极管 【答案】B 【解析】稳压二极管利用反向击穿区稳定电压，其他类型二极管反向击穿后可能损坏。 10. 测得三极管三个电极电位为：①脚2.1V，②脚5V，③脚1.4V，则②脚是（ ） A. 基极 B. 集电极 C. 发射极 D. 无法判断 【答案】B 【解析】放大状态中，NPN管满足 VC>VB>VE（本题②脚5V最高为集电极），且 VB−VE=0.7V（硅管）。 11. 二极管伏安特性中正向导通后的特征是（ ） A. 电流与电压成反比 B. 电压微小变化引起电流急剧变化 C. 电阻恒定 D. 电流饱和 【答案】B 【解析】正向导通后二极管呈低阻态，电压稍有增加电流即指数级增长（如硅管压降0.7V）。 12. 设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图中电路的输出电压Vo为（ ） A. 0.7V B. 1.4V C. 5V D. 7V 【答案】B 【解析】电路中Dz1和Dz2串联，Dz1反向连接，Dz2正向连接。 Dz1反向击穿，稳定电压为5V。 Dz2正向导通，压降为0.7V。 因此，输出电压Vo为Dz1的正向压降加上Dz2的正向压降，即：Vo=0.7+0.7=1.4V。 13. 设硅稳压管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，可求出图中电路的输出电压Vo为（ ） A. 0.7V B. 1.4V C. 5V D. 7V 【答案】C 【解析】电路中Dz1和Dz2串联，Dz1反向连接，Dz2反向连接。 Dz1反向击穿，稳定电压为5V。 Dz2反向击穿，稳定电压为8V。 由于Dz1和Dz2串联，电流从左向右流过，Dz1的稳定电压为5V，Dz2的稳定电压为8V，但Dz1的稳定电压小于Dz2的稳定电压， 因此Dz1优先击穿，Dz2未击穿，输出电压Vo为Dz1的稳定电压，即： Vo=5V。 14. 在同一测试电路中，分别测得A、B和C三个二极管电流如下表所示。二极管的性能最好的是（ ） A. a) B. b) C. c） D. 不确定 管号 加0.5V正向电压时的电流 加反向电压时的电流 a) 0.5mA 1μA b) 5mA 0.1μA c) 2mA 5μA 【答案】B 【解析】正向电流分析： 管号b）正向电流最大（5mA），正向导通能力最强。  管号c）正向电流次之（2mA）。  管号a）正向电流最小（0.5mA）。 反向电流分析：  管号b）反向电流最小（0.1μA），反向截止能力最强。  管号a）反向电流适中（1μA）。  管号c）反向电流最大（5μA），反向截止能力最差。 15. 二极管的双向限幅电路如右图所示。设vi为幅值大于直流电源VC1(=－VC2)值的正弦波，二极管为理想器件。则可画出vo的波形为（ ） A. a) B. b) C. c) D. d) 【答案】B 【解析】当Vc2≤Vi≤Vc1时，vo=Vi；当Vi>Vc1时，vo=Vc1；当Vi<Vc1时，vo=Vc2。 三、双项选择题(每小题3分，共5小题；共15分） 1. 场效应管的结构、分类与符号，以下正确的是（ ） A. 结型场效应管分为N沟道和P沟道 B. 绝缘栅型场效应管分为增强型和耗尽型 C. 符号中箭头方向表示漏极电流方向 D. 符号中栅极与源极间无箭头 【答案】AB 【解析】结型场效应管分N/P沟道，绝缘栅型分增强型和耗尽型；符号中箭头方向表示源极到漏极的载流子运动方向。 2. 场效应管的电压放大作用体现在（ ） A. 栅源电压控制漏极电流 B. 漏极电流变化量远大于栅源电压变化量 C. 放大倍数由跨导（gm）决定 D. 场效应管无电压放大能力 【答案】AC 【解析】场效应管通过栅源电压控制漏极电流，放大能力由跨导决定。 3. 关于三极管放大作用的描述，正确的是（ ） A. 电压放大是三极管的固有特性 B. 电流放大是三极管的核心作用 C. 功率放大与电流放大无关 D. 基极电流变化可控制集电极电流变化 【答案】BD 【解析】三极管通过基极电流控制集电极电流实现电流放大（B、D正确）；电压放大需通过外部电阻实现，非固有特性（A错误）；功率放大是电流与电压共同作用的结果（C错误）。 4. 二极管伏安特性曲线的关键特征是（ ） A. 正向电阻小，反向电阻大 B. 反向击穿后电流骤增 C. 正向电压与电流呈线性 D. 反向电流随电压增大而显著增加 【答案】AB 【解析】二极管正向导通时电阻小，反向截止时电阻大（A正确）；反向击穿后电流剧增（B正确）；正向特性为非线性（C错误）；反向电流极小且几乎不随电压变化（D错误）。 5. 电路中二极管处于正向导通状态，可能的现象是（ ） A. 多用电表测得电阻较小 B. 多用电表测得电阻较大 C. 电路中电流较大 D. 电路中电流极小 【答案】AC 【解析】正向导通时电阻小（A正确），电流较大（C正确）；反向截止时电阻大、电流小（B、D错误）。 四、判断题(每小题2分，共10小题；共20分） 1. 三极管的共基极连接方式中，输入信号加在发射极-基极间，输出信号取自集电极-基极间，具有电流放大能力。（ ） 【答案】× 【解析】共基极电路输入在射-基间，输出在集-基间，但电流放大系数 α≈1（IC≤IE），实际无电流放大能力，常用于电压放大和高频电路。 2. 本征半导体在绝对零度（0K）时表现为绝缘体，但室温下因本征激发会产生自由电子和空穴对。（ ） 【答案】√ 【解析】0K时所有电子被共价键束缚，无载流子；室温下热运动打破部分共价键，形成电子-空穴对，产生微弱导电性。 3. 三极管的穿透电流 ICEO 是指基极开路时，集-射极间的反向电流，其值越小说明温度稳定性越好。（ ） 【答案】√ 【解析】ICEO=(1+β)ICBO，由少子漂移形成，温度升高时显著增大。 4. 耗尽型MOSFET的 VGS=0 时已存在导电沟道，因此适合用于常闭型开关电路设计。（ ） 【答案】× 【解析】耗尽型 VGS=0 时沟道已存在（常开型），增强型 VGS>VTH后才形成沟道（常闭型）。 5. 三极管的三种连接方式（共射、共基、共集）中，共集电极电路的输入阻抗最高，输出阻抗最低，适用于功率放大。（ ） 【答案】√ 【解析】共集电路（射极跟随器）电压增益 Av≈1，但因深度电压负反馈，输入阻抗高（Ri≈(1+β)RE），输出阻抗低（Ro≈0），适合阻抗匹配和功率输出。 6. 发光二极管（LED）工作在反向偏置状态时才能发光。（ ） 【答案】× 【解析】LED正向偏置时发光，反向偏置截止。 7. 在交流电路中，二极管可视为理想开关，无导通压降。（ ） 【答案】× 【解析】实际二极管有导通压降（硅管0.7V），非理想开关。 8. 三极管的β值越大，其放大能力一定越强。（ ） 【答案】× 【解析】β过大易导致热稳定性差，并非越大越好。 9. 温度升高会导致输出特性曲线上移。（ ） 【答案】√ 【解析】温度升高使 ICBO增大，曲线整体上移。 10. 当三极管的β值很高时，即使IB很小，也能实现大电流放大，因此在任何工作区都能用于信号放大电路。（ ） 【答案】√ 【解析】高β值仅在放大区有效（ΔIC =β×ΔIB）；在截止区或饱和区，放大作用失效。 五、简答题(共1小题；共5分） 描述二极管的伏安特性曲线，包括正向导通区、反向饱和区和击穿区。 【答案】伏安特性曲线： 正向导通区：电压超阈值（硅管约0.7V）后，电流指数增长。 反向饱和区：小反向电流（约μA级），基本恒定。 击穿区：反向电压超V_BR时，电流剧增（齐纳或雪崩击穿）。 六、计算题(每小题10分，共2小题；共20分） 1. 图中，指出管的名称并说明两图有何错误。 【解析】①是N沟道结型场效晶体管，是P沟道结型场效晶体管；②图（a）栅极电位接反，图（b）漏极电压极性接反。 2. 二极管电路如题图所示。试判断图中各二极管是导通还是截止，井求出A、O两端间的电压UAO（设二极管的正向电压降和反向电流均可忽略）。 【答案】D1截止，D2截止，D3截止，UAO=－12V。 【解析】分析D1状态：D1的阴极接6V电源正极，阳极接A点。由于A点电位为-12V，低于6V，D1截止。  分析D2状态：D2的阴极接6V电源正极，阳极接A点。由于A点电位为-12V，低于6V，D2截止。  分析D3状态：D3的阴极接3V电源正极，阳极接A点。由于A点电位为-12V，低于3V，D3截止。  确定A点电位：A点通过3kΩ电阻接12V电源负极，因此A点电位为-12V。  计算UAO：UAO = UA - UO = -12V - 0V = -12V。 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $$