《电子技术基础》半导体器件的基础知识-知识点训练 2026版安徽省电子信息类专业 考纲百套卷 第35卷

编写说明：2026版安徽省《电子信息类考纲百套卷》 依据安徽省对口招生《电子与信息大类（电子信息类）专业理论考试纲要》编写。本套试卷由103份试卷共三个部分组成。第一部分是根据考纲的知识与技能要点，编写的71份知识点训练卷；第二部分针对三门课程，编写的22份常考题训练卷；第三部分参考安徽省历年电子信息类专业课考试真题，编写了10份专业综合训练卷。 本试卷是《电子信息类考纲百套卷》的第35卷，是知识点训练卷，按考纲中第二部分 电子技术基础概述的第一章半导体器件的基础知识编写。 其知识与技能要点是半导体二极管、半导体三极管和场效应管。 2026版安徽省《电子信息类考纲百套卷》第35卷 电子技术基础概述 （一）半导体器件的基础知识 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、填空题(每小题2分，共5小题；共10分） 1. 当半导体材料掺入五价元素后，多数载流子为______，这种半导体称为______型半导体。 【答案】自由电子；N 【解析】五价杂质提供多余电子，形成电子型（N型）半导体，多数载流子是自由电子。 2. 二极管的核心结构是______结，其正向导通时P区接电源______极。 【答案】PN；正 【解析】二极管由PN结构成，正向导通需P区电位高于N区（正偏压）。 3. 三极管的三种基本连接方式分别是共发射极、共集电极和______。 【答案】共基极 【解析】三极管连接方式考点。 4. 当PN结加正向电压时，耗尽层变______，内建电场被______，形成较大正向电流。 【答案】窄；削弱 【解析】正向偏置时外电场抵消内建电场，耗尽层变窄，扩散运动增强形成电流。 5. 某硅二极管在正向电压为0.7V时导通，若将其替换为锗二极管，在相同电路条件下，导通电压将变为______V左右。 【答案】0.3 【解析】锗管正向导通电压典型值为0.2~0.3V，远低于硅管的0.6~0.7V。 二、单项选择题（请在下列各题选项中选出最符合题意的一项，将代表该选项的字母填在下面相应的答题位置。每题2分，计15小题；共30分） 1. 关于半导体的导电机理，下列说法正确的是（ ） A. 纯净半导体靠自由电子导电 B. P型半导体中多子是空穴，由三价杂质原子提供 C. N型半导体的少子是自由电子 D. 温度升高时，本征半导体电阻率增大 【答案】B 【解析】P型半导体掺入三价元素（如硼），形成空穴多子；A错在本征半导体靠电子-空穴对导电；C错在N型少子是空穴；D错在温度升高导致本征激发增强，电阻率下降。 2. 三极管符号中箭头方向表示（ ） A. 集电极电流方向 B. 发射结正向偏置时电流方向 C. 基极控制电流方向 D. 电子流动方向 【答案】B 【解析】箭头位于发射极，指向为PN结正偏时电流方向（P→N），NPN管箭头向外，PNP向内。 3. 增强型NMOS管的开启条件为（ ） A. UGS=0时存在导电沟道 B. UGS>UT（正值） C. UGS<UT（负值） D. UDS>0 即可导通 【答案】B 【解析】增强型NMOS需 UGS>UT（正值阈值电压）才能形成N型沟道，耗尽型才存在原始沟道。 4. 三极管的反向饱和电流 ICBO增大可能导致（ ） A. 工作稳定性提高 B. 温度漂移加剧 C. 击穿电压升高 D. 开关速度加快 【答案】B 【解析】ICBO对温度敏感，影响稳定性。 5. 设计高频放大电路时，应选择（ ） A. 结型场效应管 B. 绝缘栅型场效应管 C. 开关二极管 D. 大功率三极管 【答案】A 【解析】JFET噪声低，适合高频。 6. 二极管伏安特性实验中，若将锗管误接为硅管电路，会导致（ ） A. 死区电压从0.7V降至0.3V B. 反向饱和电流显著增大 C. 相同正向电流下压降增大 D. 温度稳定性提升 【答案】B 【解析】锗管反向饱和电流（μA级）远大于硅管（nA级），误用会导致反向电流过大。 7. 用万用表欧姆档检测二极管极性，两次测量结果分别为200Ω和∞，说明（ ） A. 二极管正常，红表笔接阳极为200Ω B. 二极管击穿短路 C. 二极管正常，黑表笔接阳极为200Ω D. 二极管内部断路 【答案】C 【解析】二极管正向导通时阻值小（黑表笔接内部电池正极，故接阳极管导通）。 8. 三极管实现放大的核心条件是（ ） A. 发射结正偏、集电结反偏 B. 发射结反偏、集电结正偏 C. 两个PN结均正偏 D. 两个PN结均反偏 【答案】A 【解析】放大状态必要条件——发射结正偏（提供载流子），集电结反偏（收集载流子）。 9. 在二极管整流电路中，若二极管处于反向偏置状态，以下描述正确的是（ ） A. 耗尽层变窄，电流较大 B. 耗尽层变宽，电流很小 C. 耗尽层变窄，电阻很小 D. 耗尽层变宽，电阻很小 【答案】B 【解析】PN结反向偏置时，耗尽层变宽，导致电阻很大，电流很小（通常为微安级），体现单向导电性。 10. 设计一个LED驱动电路时，工程师需确保二极管正向导通。若硅二极管两端电压为0.2V，则二极管工作状态是（ ） A. 完全导通，电流较大 B. 截止状态，电流接近零 C. 反向击穿状态，电流突增 D. 部分导通，电流较小 【答案】B 【解析】硅二极管的阈值电压约0.6-0.7V。当电压为0.2V（低于阈值），二极管处于截止区，电流接近零。 11. 在共射极放大电路中，若三极管工作在放大区，输入信号电压增加1mV，输出信号电压变化主要由哪个参数决定（ ） A. 集电极-发射极电压（VCE） B. 基极电流（IB） C. 电流放大系数（β） D. 发射结电压（VBE） 【答案】C 【解析】三极管的放大作用体现为输出电流IC =β×IB，输出电压变化由β和IB共同决定，但β是关键放大参数。 12. 当PN结外加正向电压时，扩散电流（ ）漂移电流，耗尽层（ ）。 A. 大于；变窄 B. 小于；变窄 C. 大于；变宽 D. 小于；变宽 【答案】A 【解析】当PN结外加正向电压时，正向电压降低耗尽层电场强度，多数载流子在外部电场驱动下加速扩散，导致扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄 。 13. 在下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是（ ） A. I=2mA B. I<2mA C. I>2mA D.不能确定 【答案】C 【解析】当电源电压为5V时，电流为1mA，电阻R和二极管D串联。设二极管正向压降为UD，电阻R上的电压为UR。 电源电压调整到10V后，二极管的正向压降UD会随电流增加而略有增大，但变化不大。  由于二极管的非线性特性，当电源电压加倍时，实际电流会大于原来的两倍（即大于2mA）。 如图所示，请回答14-15题。 14. 如上图所示电路中电源V=5V不变。当温度为20℃时测得二极管的电压UD=0.7V。当温度上生到为40OC时,则UD的大小将是（ ） A. 仍等于0.7V B. 大于0.7V C. 小于0.7V D. 不确定 【答案】C 【解析】二极管电压与温度的关系：二极管的正向电压UD随温度升高而减小。  电路分析：温度升高时，二极管正向电阻减小，总电流增大，电阻R上的电压UR增大。  电压分配：总电压V = 5V不变，UR增大，因此UD = V - UR减小。  结论：当温度从20℃上升到40℃时，UD小于0.7V。 15. 设图电路中保持V=5V不变，当温度为20℃时测得二极管的电流I=2mA。当温度上升 到40℃时，则I的大小将是（ ） A. I=2mA B. I<2mA C. I>2mA D. 不确定 【答案】C 【解析】二极管的正向电压降Vf随温度升高而降低。  当温度从20°C上升到40°C时，Vf减小，导致电阻R上的电压UR = V - Vf增大。  根据欧姆定律，电流I = UR / R，UR增大，I增大。 三、双项选择题(每小题3分，共5小题；共15分） 1. 关于半导体特性，下列描述正确的是（ ） A. 纯净半导体中掺入三价元素，形成P型半导体，多子为空穴 B. N型半导体的导电性能主要由自由电子决定，且带负电 C. 温度升高时，本征半导体的载流子浓度显著增加，导电性增强 D. PN结内建电场方向由N区指向P区，是扩散运动与漂移运动动态平衡的结果 【答案】AC 【解析】B错误——N型半导体整体电中性；D错误——内建电场方向由N区指向P区，但扩散运动（P→N）与漂移运动（N→P）平衡时电场方向应为N→P。 2. 二极管参数与应用场景匹配的是（ ） A. 最大整流电流 IF —— 限制二极管在整流电路中的平均电流 B. 反向击穿电压 VBR  —— 稳压二极管正常工作的电压参考值 C. 反向恢复时间 trr​ —— 开关电路中影响二极管关断速度的关键参数 D. 结电容 Cj​ —— 高频电路中导致信号失真的主要因素 【答案】AC 【解析】B错误——稳压管利用反向击穿区，但 VBR是击穿临界值，非工作值；D错误——结电容影响高频响应，但失真主要因非线性特性引起。 3. 三极管共发射极、共基极、共集电极连接方式的特点是（ ） A. 共发射极电路兼具电压和电流放大能力，输入输出相位相同 B. 共基极电路电流增益小于1，高频特性好，适用于射频放大 C. 共集电极电路电压增益≈1，输出阻抗低，常用于阻抗匹配 D. 共发射极电路的输出阻抗远高于共集电极电路 【答案】BC 【解析】AD错误——共发射极电路输入输出相位相反，输出阻抗适中（千欧级），共集电极输出阻抗最低（数十欧）。 4. 关于三极管放大作用的条件，正确的是（ ） A. 发射结正偏，集电结正偏 B. 发射结正偏，集电结反偏 C. 集电结正偏，发射结反偏 D. 工作在饱和区 【答案】BD 【解析】三极管放大需发射结正偏、集电结反偏（B），且工作在放大区（D）。 5. 三极管输入特性曲线中，当UCE增大时，曲线会（ ） A. 右移 B. 左移 C. 变得陡峭 D. 基本不变 【答案】AD 【解析】UCE增大时，输入特性曲线右移（A），但UCE≥1V后曲线基本重合（D）。 四、判断题(每小题2分，共10小题；共20分） 1. 半导体是指导电能力介于导体和绝缘体之间，且导电性能不受温度、光照影响的材料。（ ） 【答案】× 【解析】半导体导电性能受温度、光照等外界条件显著影响（如热敏性、光敏性），这是其重要特性。 2. 二极管的基本结构是由一个PN结构成的双极性器件。（ ） 【答案】√ 【解析】二极管核心是PN结，具有单向导电性，属于双端器件（阳极和阴极）。 3. 二极管反向击穿电压（UR）是允许长期通过的最大反向电流值。（ ） 【答案】× 【解析】反向击穿电压是击穿临界电压值，而最大反向电流是允许长期通过的反向电流（IR），二者参数意义不同。 4. 场效应管是电流控制器件，而三极管是电压控制器件。（ ） 【答案】× 【解析】场效应管（FET）是电压控制器件（栅极电压控制漏极电流），三极管（BJT）是电流控制器件（基极电流控制集电极电流）。 5. 三极管按结构可分为NPN型和PNP型，其内部均包含两个PN结。（ ） 【答案】√ 【解析】无论是NPN还是PNP型三极管，均由发射结（BE结）和集电结（BC结）两个PN结构成。 6. PN结加正向电压时，空间电荷区变宽，电流极小。（ ） 【答案】× 【解析】正向电压使空间电荷区变窄，扩散电流增大。 7. 二极管的正向伏安特性曲线中，死区电压范围内电流近似为零。（ ） 【答案】√ 【解析】死区电压内不足以克服势垒，电流近似为零。 8. 三极管的放大作用是指将小电流转换为大电流。（ ） 【答案】√ 【解析】放大本质是基极电流 IB 控制集电极电流 IC。 9. 输入特性曲线描述的是 IB与 UCE 之间的关系。（ ） 【答案】× 【解析】输入特性描述 IB 与 UBE的关系（UCE 为参变量）。 10. 输出特性曲线中，饱和区的特点是 IC不受 IB控制。（ ） 【答案】√ 【解析】饱和区 UCE 过小，IC 受外电路限制，与 IB非线性。 五、简答题(共1小题；共5分） 什么是半导体？解释为什么硅是常用的半导体材料，并简述其在电子器件中的两个关键特性。 【答案】半导体是导电性介于导体和绝缘体之间的材料，其电阻率可通过温度、光照或掺杂进行调控。硅是常用半导体材料，因为它具有稳定的晶体结构和适中的带隙（约1.1eV），易于掺杂形成P型或N型半导体，从而用于制造二极管、三极管等器件。两个关键特性：一是热敏性（电阻随温度升高而降低），二是光敏性（在光照下产生电子-空穴对）。 六、计算题(每小题10分，共2小题；共20分） 1. 如图所示出各三极管的每个电极对地的电位。试判别各三极管处于何种工作状态（NPN管为硅管，PNP管为锗管）。 【答案】（a）是放大状态；（b）是截止状态；（c）是饱和状态。 【解析】（a）NPN硅管：VBE=2.5V>0.7V ,VCE=-5V<0，基极-发射极结正偏，集电极-发射极结反偏，处于放大状态。 （b）NPN硅管：VBE=-2.3V<0 ,基极-发射极结反偏，处于截止状态。 （c）NPN硅管：VBE=-0.2V<0，VCE=1.3V，基极-发射极结反偏但VCE较小，处于饱和状态。 2. 已知某三极管的μA时，mA，当40μA时，38mA，求该三极管的β值为多少？ 【答案】50 【解析】解： = 50 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $$ 编写说明：2026版安徽省《电子信息类考纲百套卷》 依据安徽省对口招生《电子与信息大类（电子信息类）专业理论考试纲要》编写。本套试卷由103份试卷共三个部分组成。第一部分是根据考纲的知识与技能要点，编写的71份知识点训练卷；第二部分针对三门课程，编写的22份常考题训练卷；第三部分参考安徽省历年电子信息类专业课考试真题，编写了10份专业综合训练卷。 本试卷是《电子信息类考纲百套卷》的第35卷，是知识点训练卷，按考纲中第二部分 电子技术基础概述的第一章半导体器件的基础知识编写。 其知识与技能要点是半导体二极管、半导体三极管和场效应管。 2026版安徽省《电子信息类考纲百套卷》第35卷 电子技术基础概述 （一）半导体器件的基础知识 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、填空题(每小题2分，共5小题；共10分） 1. 当半导体材料掺入五价元素后，多数载流子为______，这种半导体称为______型半导体。 2. 二极管的核心结构是______结，其正向导通时P区接电源______极。 3. 三极管的三种基本连接方式分别是共发射极、共集电极和______。 4. 当PN结加正向电压时，耗尽层变______，内建电场被______，形成较大正向电流。 5. 某硅二极管在正向电压为0.7V时导通，若将其替换为锗二极管，在相同电路条件下，导通电压将变为______V左右。 二、单项选择题（请在下列各题选项中选出最符合题意的一项，将代表该选项的字母填在下面相应的答题位置。每题2分，计15小题；共30分） 1. 关于半导体的导电机理，下列说法正确的是（ ） A. 纯净半导体靠自由电子导电 B. P型半导体中多子是空穴，由三价杂质原子提供 C. N型半导体的少子是自由电子 D. 温度升高时，本征半导体电阻率增大 2. 三极管符号中箭头方向表示（ ） A. 集电极电流方向 B. 发射结正向偏置时电流方向 C. 基极控制电流方向 D. 电子流动方向 3. 增强型NMOS管的开启条件为（ ） A. UGS=0时存在导电沟道 B. UGS>UT（正值） C. UGS<UT（负值） D. UDS>0 即可导通 4. 三极管的反向饱和电流 ICBO增大可能导致（ ） A. 工作稳定性提高 B. 温度漂移加剧 C. 击穿电压升高 D. 开关速度加快 5. 设计高频放大电路时，应选择（ ） A. 结型场效应管 B. 绝缘栅型场效应管 C. 开关二极管 D. 大功率三极管 6. 二极管伏安特性实验中，若将锗管误接为硅管电路，会导致（ ） A. 死区电压从0.7V降至0.3V B. 反向饱和电流显著增大 C. 相同正向电流下压降增大 D. 温度稳定性提升 7. 用万用表欧姆档检测二极管极性，两次测量结果分别为200Ω和∞，说明（ ） A. 二极管正常，红表笔接阳极为200Ω B. 二极管击穿短路 C. 二极管正常，黑表笔接阳极为200Ω D. 二极管内部断路 8. 三极管实现放大的核心条件是（ ） A. 发射结正偏、集电结反偏 B. 发射结反偏、集电结正偏 C. 两个PN结均正偏 D. 两个PN结均反偏 9. 在二极管整流电路中，若二极管处于反向偏置状态，以下描述正确的是（ ） A. 耗尽层变窄，电流较大 B. 耗尽层变宽，电流很小 C. 耗尽层变窄，电阻很小 D. 耗尽层变宽，电阻很小 10. 设计一个LED驱动电路时，工程师需确保二极管正向导通。若硅二极管两端电压为0.2V，则二极管工作状态是（ ） A. 完全导通，电流较大 B. 截止状态，电流接近零 C. 反向击穿状态，电流突增 D. 部分导通，电流较小 11. 在共射极放大电路中，若三极管工作在放大区，输入信号电压增加1mV，输出信号电压变化主要由哪个参数决定（ ） A. 集电极-发射极电压（VCE） B. 基极电流（IB） C. 电流放大系数（β） D. 发射结电压（VBE） 12. 当PN结外加正向电压时，扩散电流（ ）漂移电流，耗尽层（ ）。 A. 大于；变窄 B. 小于；变窄 C. 大于；变宽 D. 小于；变宽 13. 在下图所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是（ ） A. I=2mA B. I<2mA C. I>2mA D.不能确定 如图所示，请回答14-15题。 14. 如上图所示电路中电源V=5V不变。当温度为20℃时测得二极管的电压UD=0.7V。当温度上生到为40OC时,则UD的大小将是（ ） A. 仍等于0.7V B. 大于0.7V C. 小于0.7V D. 不确定 15. 设图电路中保持V=5V不变，当温度为20℃时测得二极管的电流I=2mA。当温度上升 到40℃时，则I的大小将是（ ） A. I=2mA B. I<2mA C. I>2mA D. 不确定 三、双项选择题(每小题3分，共5小题；共15分） 1. 关于半导体特性，下列描述正确的是（ ） A. 纯净半导体中掺入三价元素，形成P型半导体，多子为空穴 B. N型半导体的导电性能主要由自由电子决定，且带负电 C. 温度升高时，本征半导体的载流子浓度显著增加，导电性增强 D. PN结内建电场方向由N区指向P区，是扩散运动与漂移运动动态平衡的结果 2. 二极管参数与应用场景匹配的是（ ） A. 最大整流电流 IF —— 限制二极管在整流电路中的平均电流 B. 反向击穿电压 VBR  —— 稳压二极管正常工作的电压参考值 C. 反向恢复时间 trr​ —— 开关电路中影响二极管关断速度的关键参数 D. 结电容 Cj​ —— 高频电路中导致信号失真的主要因素 3. 三极管共发射极、共基极、共集电极连接方式的特点是（ ） A. 共发射极电路兼具电压和电流放大能力，输入输出相位相同 B. 共基极电路电流增益小于1，高频特性好，适用于射频放大 C. 共集电极电路电压增益≈1，输出阻抗低，常用于阻抗匹配 D. 共发射极电路的输出阻抗远高于共集电极电路 4. 关于三极管放大作用的条件，正确的是（ ） A. 发射结正偏，集电结正偏 B. 发射结正偏，集电结反偏 C. 集电结正偏，发射结反偏 D. 工作在饱和区 5. 三极管输入特性曲线中，当UCE增大时，曲线会（ ） A. 右移 B. 左移 C. 变得陡峭 D. 基本不变 四、判断题(每小题2分，共10小题；共20分） 1. 半导体是指导电能力介于导体和绝缘体之间，且导电性能不受温度、光照影响的材料。（ ） 2. 二极管的基本结构是由一个PN结构成的双极性器件。（ ） 3. 二极管反向击穿电压（UR）是允许长期通过的最大反向电流值。（ ） 4. 场效应管是电流控制器件，而三极管是电压控制器件。（ ） 5. 三极管按结构可分为NPN型和PNP型，其内部均包含两个PN结。（ ） 6. PN结加正向电压时，空间电荷区变宽，电流极小。（ ） 7. 二极管的正向伏安特性曲线中，死区电压范围内电流近似为零。（ ） 8. 三极管的放大作用是指将小电流转换为大电流。（ ） 9. 输入特性曲线描述的是 IB与 UCE 之间的关系。（ ） 10. 输出特性曲线中，饱和区的特点是 IC不受 IB控制。（ ） 五、简答题(共1小题；共5分） 什么是半导体？解释为什么硅是常用的半导体材料，并简述其在电子器件中的两个关键特性。 六、计算题(每小题10分，共2小题；共20分） 1. 如图所示出各三极管的每个电极对地的电位。试判别各三极管处于何种工作状态（NPN管为硅管，PNP管为锗管）。 2. 已知某三极管的μA时，mA，当40μA时，38mA，求该三极管的β值为多少？ 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $$