《电子技术基础》半导体器件的基础知识-知识点训练 2026版安徽省电子信息类专业 考纲百套卷 第36卷

编写说明：2026版安徽省《电子信息类考纲百套卷》 依据安徽省对口招生《电子与信息大类（电子信息类）专业理论考试纲要》编写。本套试卷由103份试卷共三个部分组成。第一部分是根据考纲的知识与技能要点，编写的71份知识点训练卷；第二部分针对三门课程，编写的22份常考题训练卷；第三部分参考安徽省历年电子信息类专业课考试真题，编写了10份专业综合训练卷。 本试卷是《电子信息类考纲百套卷》的第36卷，是知识点训练卷，按考纲中第二部分 电子技术基础概述的第一章半导体器件的基础知识编写。 其知识与技能要点是半导体二极管、半导体三极管和场效应管。 2026版安徽省《电子信息类考纲百套卷》第36卷 电子技术基础概述 （一）半导体器件的基础知识 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、填空题(每小题2分，共5小题；共10分） 1. 在常温下，硅二极管的死区电压约为______V，锗二极管约为______V。 【答案】0.5；0.1 【解析】死区电压是导通阈值，硅管较高（0.5V）；反向击穿电压是最大反向耐受极限。 2. 某整流二极管型号为1N4007，其最高反向工作电压VRM为______V，额定正向平均电流IF为______A。 【答案】1000；1 【解析】 1N4007是通用整流管，参数需识记：VRM=1000V，IF=1A。 3. 场效应管按结构可分为结型场效应管和______。 【答案】绝缘栅型场效应管 【解析】MOSFET分增强型（无原始沟道，VGS>VT才导通）和耗尽型（有原始沟道，VGS可控制沟道厚度）。 4. 二极管伏安特性曲线的正向导通区，动态电阻随电流增大而______（增大/减小）。 【答案】减小 【解析】正向导通后，电流增大时曲线斜率变陡（电阻减小），体现非线性特性。 5. 三极管输入特性曲线反映的是______与______之间的关系，当UCE≥1V时曲线基本重合。 【答案】IB；UBE 【解析】输入特性描述UBE对IB的影响，UCE≥1V后集电结反偏充分，曲线不再变化。 二、单项选择题（请在下列各题选项中选出最符合题意的一项，将代表该选项的字母填在下面相应的答题位置。每题2分，计15小题；共30分） 1. 某二极管型号为1N4007，其结构最可能是（ ） A. 点接触型 B. 面接触型 C. 肖特基二极管 D. 稳压二极管 【答案】B 【解析】1N4007是通用整流二极管，面接触结构适用于工频大电流整流，而点接触型（如2AP系列）用于高频检波。 2. 某放大电路输出信号与输入信号相位相反，三极管连接方式为（ ） A. 共基极 B. 共集电极 C. 共发射极 D. 共源极 【答案】C 【解析】共射放大电路具有电压反相放大特性，输入与输出相位差180°。 3. 场效应管作为电压放大器件，其核心控制关系是（ ） A. IC=βIB B. ID=gmUGS​ C. UCE=ICRC​ D. IE=(1+β)IB​ 【答案】B 【解析】跨导 gm=ΔID/ΔUGS体现栅源电压对漏极电流的控制能力，是电压放大基础。 4. N沟道结型场效应管的符号是（ ） A. 箭头指向栅极 B. 箭头背向栅极 C. 栅极与源极相连 D. 漏极带箭头 【答案】B 【解析】箭头指向为P沟道，背向为N沟道。 5. 某三极管 β=200，但实际电路放大倍数不稳定，原因是（ ） A. β值过大导致失真 B. β受温度影响显著 C. 基极电阻取值错误 D. 集电极电流过大 【答案】B 【解析】β值随温度升高而增大。 6. 某NPN三极管电路中，VBE = 0.7V, VCE = 0.3V。此时三极管工作于哪个区（ ） A. 放大区 B. 截止区 C. 饱和区 D. 反向击穿区 【答案】C 【解析】当VCE < VBE（如0.3V < 0.7V），集电结正偏，三极管工作在饱和区（非放大区）。 7. 若三极管的β = 100，基极电流IB从10μA变化到20μA，则集电极电流IC的变化量是多少（ ） A. 0.1mA B. 1mA C. 2mA D. 10mA 【答案】B 【解析】ΔIC =β×ΔIB = 100×(20μA - 10μA) = 100×10μA = 1000μA = 1mA。 8. 在开关电路中，二极管反向连接时灯泡不亮，但正向连接时灯泡微亮。最可能的原因是（ ） A. 二极管阈值电压过高 B. 二极管处于反向击穿 C. 电源电压低于阈值电压 D. 二极管内部短路 【答案】C 【解析】正向连接时灯泡微亮，说明电压可能低于阈值电压（硅管约0.6V），导致电流小。 9. 三极管的输出特性曲线中，当IB固定时，在放大区IC随VCE增加而（ ） A. 急剧增加 B. 轻微增加后恒定 C. 线性减少 D. 指数增加 【答案】B 【解析】在放大区，IC主要由IB决定，VCE增加时IC轻微增加（因Early效应），后基本恒定。 10. 某NPN三极管，IE = 5mA, IC = 4.95mA，则基极电流IB是多少（ ） A. 0.05mA B. 0.5mA C. 4.95mA D. 5mA 【答案】A 【解析】电流分配关系 IE = IB + IC，因此 IB = IE - IC = 5mA - 4.95mA = 0.05mA。 11. 在输入特性曲线测试中，当VCE从1V增加到10V时，曲线会轻微左移。这说明（ ） A. VBE 不变时 IB 增加 B. VBE 不变时 IB 减少 C. IB 不变时 VBE 增加 D. IB 不变时 VBE 减少 【答案】B 【解析】曲线左移表示相同VBE下IB减少，因为VCE增加使集电结反偏增强，吸引更多载流子，减少基极复合。 12. 图中，二极管的正向压降可以忽略，反向饱和电流0.1 mA, 反向击穿电压为5V,击穿后电压基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于（ ） A. 0.1 mA B. 2.5 mA C. 5mA D. 15 mA 【答案】B 【解析】二极管反向连接，反向电压为10V，大于反向击穿电压5V，因此二极管处于反向击穿状态。 反向击穿后，二极管两端电压为5V，电阻两端电压为10V - 5V = 5V。 根据欧姆定律，电流I=UR/R=2.5mA。 13. 在下图所示电路中，D1～D3为理想二极管，A、B、C白炽灯泡功率都相同，其中最亮的灯是（ ） A. b B. c C. a D. 一样亮 【答案】C 【解析】正半周期分析：D1和D2导通，D3截止。灯泡A和灯泡B串联，电流相等且为总电流的一半，灯泡C不亮；负半周期分析：D1和D2截止，D3导通。灯泡C单独接在电源上，电流为总电流，灯泡A和灯泡B不亮。平均亮度分析：灯泡C在负半周期有电流，正半周期无电流，平均电流为总电流的一半。灯泡A和灯泡B在正半周期有电流（且为总电流的一半），负半周期无电流，平均电流为总电流的四分之一。 14. 二极管电路如图所示， 判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo为（ ）(设二极管的导通压降0) A. 5.6V B. -4.3V C. -5V D. 6V 【答案】C 【解析】二极管正极（A点）电位为5V，负极（电位）为-5V，二极管两端电位差为5V-（-5V）=10V，大于导通压降（0V），因此二极管截止。由于二极管截止，B点电位由10V电源决定，为-5V。 15. 二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电 压Vo为（ ）(设二极管的导通压降为0.7V) A. 0V B. -0.7V C. -1.7V D. 1V 【答案】C 【解析】D1的阳极电压为+12V，阴极电压为A点电压，D1反偏截止；D2的阴极电压为A点电压，阳极电压为-12V，D2反偏截止。A点电压为：-9+0.7=-8.3V，输出电压V0=-8.3-（-9）=-1.7V。 三、双项选择题(每小题3分，共5小题；共15分） 1. 三极管输出特性曲线中，截止区的特征是（ ） A. IB=0，IC≈0 B. IB增大，IC成比例增大 C. IC仅由UCE决定 D. 工作在放大状态 【答案】AC 【解析】截止区IB=0时IC≈0（A），且IC受UCE影响（C）。 2. PN结单向导电性表现为（ ） A. 正向导通时电阻很大 B. 反向截止时电流极小 C. 正向电压需超过死区电压 D. 反向电压可无限增大 【答案】BC 【解析】PN结正向导通需超过死区电压（C），反向截止时电流极小（B）。 3. 某二极管在电路中正向导通，可能的工作状态是（ ） A. 承受正向电压且未超过导通电压 B. 承受正向电压且超过导通电压 C. 承受反向电压但未击穿 D. 承受反向电压且击穿 【答案】BD 【解析】二极管正向导通需电压超过导通电压，反向击穿时也可能导通（如稳压二极管）。 4. 场效应管与三极管均可用于放大电路，以下区别正确的是（ ） A. 场效应管噪声更低 B. 三极管更适用于高频电路 C. 场效应管功耗更大 D. 三极管温度稳定性更好 【答案】AB 【解析】场效应管噪声低，适合高频电路；三极管温度稳定性较差。 5. 二极管限幅电路中，若输入正弦波峰值为5V，二极管压降0.7V，则输出波形（ ） A. 正半周被削顶 B. 负半周被削顶 C. 正半周峰值5V D. 负半周峰值-5V 【答案】AD 【解析】正向导通时输出5V-0.7V=4.3V（A错误）；反向截止时输出-0.7V。 四、判断题(每小题2分，共10小题；共20分） 1. 共集电极放大电路的输入信号从基极输入，输出信号从发射极取出。（ ） 【答案】√ 【解析】共集电极接法（射极输出器）中，基极为输入端，发射极为输出端，集电极为公共端。 2. 三极管的直流电流放大系数（β）是指集电极电流与发射极电流的比值。（ ） 【答案】× 【解析】β = IC / IB（集电极电流与基极电流之比），而非与发射极电流的比值（IE = IC + IB）。 3. 增强型MOS管的栅源电压UGS=0时，漏源极之间不存在导电沟道。（ ） 【答案】√ 【解析】增强型MOS管在UGS=0时无导电沟道，需外加栅压（UGS>UT）才能形成沟道。 4. 结型场效应管（JFET）的符号中，栅极箭头指向沟道类型（P沟道或N沟道）。（ ） 【答案】√ 【解析】符号中栅极箭头指向为P型材料方向（箭头向内为N沟道，向外为P沟道）。 5. 场效应管的跨导（gm）反映了栅源电压对漏极电流的控制能力。（ ） 【答案】√ 【解析】跨导定义为gm = ΔID / ΔUGS，表征电压控制作用的强弱。 6. 硅PN结的正向导通压降约为0.7V，反向击穿后立即永久损坏。（ ） 【答案】× 【解析】反向击穿不必然永久损坏（如稳压管可控击穿）。 7. 锗二极管的反向饱和电流比硅二极管小。（ ） 【答案】× 【解析】锗管反向饱和电流（μA级）远大于硅管（nA级）。 8. 放大状态的三极管，发射结必须正偏，集电结必须反偏。（ ） 【答案】√ 【解析】放大区必要条件——发射结正偏、集电结反偏。 9. 集电极-发射极击穿电压 U(BR)CEO是输出特性曲线的拐点电压。（ ） 【答案】√ 【解析】U(BR)CEO 是基极开路时C-E极间击穿电压对应的拐点。 10. 三极管在放大区工作时，基极电流的微小变化能引起集电极电流的较大变化，这是放大作用的核心原理。（ ） 【答案】√ 【解析】三极管的放大作用依赖于工作在放大区，此时ΔIC =β×ΔIB（β为电流放大系数），实现电流放大。 五、简答题(共1小题；共5分） 简述PN结二极管的基本结构。并解释该结构如何实现单向导电性，并说明P区和N区的材料组成。 【答案】PN结二极管由P型半导体和N型半导体直接结合形成，P区富含空穴（掺杂三价元素如硼），N区富含电子（掺杂五价元素如磷）。在整流电路中，正向偏置（P接正、N接负）时，耗尽层变窄，电流通过；反向偏置时，耗尽层变宽，电流极小，从而实现单向导电。 六、计算题(每小题10分，共2小题；共20分） 1. 如图所示出各三极管的每个电极对地的电位。试判别各三极管处于何种工作状态（NPN 管为硅管，PNP管为锗管）。 【答案】分别是截止状态、饱和状态、放大状态 【解析】PNP锗管：VBE=0V ,，基极-发射极结未正偏，处于截止状态。 PNP锗管：VBE=0.7V>0.2V,VCE=0.3V基极-发射极结正偏但VCE较小，处于饱和状态。 PNP锗管：VBE=0.7V，VCE=5V>0，基极-发射极结正偏，集电极-发射极结反偏，处于放大状态。 2. 某锗三极管，μA，试求 【答案】0.5mA 【解析】μA=0.5mA 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $$ 编写说明：2026版安徽省《电子信息类考纲百套卷》 依据安徽省对口招生《电子与信息大类（电子信息类）专业理论考试纲要》编写。本套试卷由103份试卷共三个部分组成。第一部分是根据考纲的知识与技能要点，编写的71份知识点训练卷；第二部分针对三门课程，编写的22份常考题训练卷；第三部分参考安徽省历年电子信息类专业课考试真题，编写了10份专业综合训练卷。 本试卷是《电子信息类考纲百套卷》的第36卷，是知识点训练卷，按考纲中第二部分 电子技术基础概述的第一章半导体器件的基础知识编写。 其知识与技能要点是半导体二极管、半导体三极管和场效应管。 2026版安徽省《电子信息类考纲百套卷》第36卷 电子技术基础概述 （一）半导体器件的基础知识 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、填空题(每小题2分，共5小题；共10分） 1. 在常温下，硅二极管的死区电压约为______V，锗二极管约为______V。 2. 某整流二极管型号为1N4007，其最高反向工作电压VRM为______V，额定正向平均电流IF为______A。 3. 场效应管按结构可分为结型场效应管和______。 4. 二极管伏安特性曲线的正向导通区，动态电阻随电流增大而______（增大/减小）。 5. 三极管输入特性曲线反映的是______与______之间的关系，当UCE≥1V时曲线基本重合。 二、单项选择题（请在下列各题选项中选出最符合题意的一项，将代表该选项的字母填在下面相应的答题位置。每题2分，计15小题；共30分） 1. 某二极管型号为1N4007，其结构最可能是（ ） A. 点接触型 B. 面接触型 C. 肖特基二极管 D. 稳压二极管 2. 某放大电路输出信号与输入信号相位相反，三极管连接方式为（ ） A. 共基极 B. 共集电极 C. 共发射极 D. 共源极 3. 场效应管作为电压放大器件，其核心控制关系是（ ） A. IC=βIB B. ID=gmUGS​ C. UCE=ICRC​ D. IE=(1+β)IB​ 4. N沟道结型场效应管的符号是（ ） A. 箭头指向栅极 B. 箭头背向栅极 C. 栅极与源极相连 D. 漏极带箭头 5. 某三极管 β=200，但实际电路放大倍数不稳定，原因是（ ） A. β值过大导致失真 B. β受温度影响显著 C. 基极电阻取值错误 D. 集电极电流过大 6. 某NPN三极管电路中，VBE = 0.7V, VCE = 0.3V。此时三极管工作于哪个区（ ） A. 放大区 B. 截止区 C. 饱和区 D. 反向击穿区 7. 若三极管的β = 100，基极电流IB从10μA变化到20μA，则集电极电流IC的变化量是多少（ ） A. 0.1mA B. 1mA C. 2mA D. 10mA 8. 在开关电路中，二极管反向连接时灯泡不亮，但正向连接时灯泡微亮。最可能的原因是（ ） A. 二极管阈值电压过高 B. 二极管处于反向击穿 C. 电源电压低于阈值电压 D. 二极管内部短路 9. 三极管的输出特性曲线中，当IB固定时，在放大区IC随VCE增加而（ ） A. 急剧增加 B. 轻微增加后恒定 C. 线性减少 D. 指数增加 10. 某NPN三极管，IE = 5mA, IC = 4.95mA，则基极电流IB是多少（ ） A. 0.05mA B. 0.5mA C. 4.95mA D. 5mA 11. 在输入特性曲线测试中，当VCE从1V增加到10V时，曲线会轻微左移。这说明（ ） A. VBE 不变时 IB 增加 B. VBE 不变时 IB 减少 C. IB 不变时 VBE 增加 D. IB 不变时 VBE 减少 12. 图中，二极管的正向压降可以忽略，反向饱和电流0.1 mA, 反向击穿电压为5V,击穿后电压基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于（ ） A. 0.1 mA B. 2.5 mA C. 5mA D. 15 mA 13. 在下图所示电路中，D1～D3为理想二极管，A、B、C白炽灯泡功率都相同，其中最亮的灯是（ ） A. b B. c C. a D. 一样亮 14. 二极管电路如图所示， 判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电压Vo为（ ）(设二极管的导通压降0) A. 5.6V B. -4.3V C. -5V D. 6V 15. 二极管电路如图所示，判断图中二极管是导通还是截止后，可确定电路的输出电 压Vo为（ ）(设二极管的导通压降为0.7V) A. 0V B. -0.7V C. -1.7V D. 1V 三、双项选择题(每小题3分，共5小题；共15分） 1. 三极管输出特性曲线中，截止区的特征是（ ） A. IB=0，IC≈0 B. IB增大，IC成比例增大 C. IC仅由UCE决定 D. 工作在放大状态 2. PN结单向导电性表现为（ ） A. 正向导通时电阻很大 B. 反向截止时电流极小 C. 正向电压需超过死区电压 D. 反向电压可无限增大 3. 某二极管在电路中正向导通，可能的工作状态是（ ） A. 承受正向电压且未超过导通电压 B. 承受正向电压且超过导通电压 C. 承受反向电压但未击穿 D. 承受反向电压且击穿 4. 场效应管与三极管均可用于放大电路，以下区别正确的是（ ） A. 场效应管噪声更低 B. 三极管更适用于高频电路 C. 场效应管功耗更大 D. 三极管温度稳定性更好 5. 二极管限幅电路中，若输入正弦波峰值为5V，二极管压降0.7V，则输出波形（ ） A. 正半周被削顶 B. 负半周被削顶 C. 正半周峰值5V D. 负半周峰值-5V 四、判断题(每小题2分，共10小题；共20分） 1. 共集电极放大电路的输入信号从基极输入，输出信号从发射极取出。（ ） 2. 三极管的直流电流放大系数（β）是指集电极电流与发射极电流的比值。（ ） 3. 增强型MOS管的栅源电压UGS=0时，漏源极之间不存在导电沟道。（ ） 4. 结型场效应管（JFET）的符号中，栅极箭头指向沟道类型（P沟道或N沟道）。（ ） 5. 场效应管的跨导（gm）反映了栅源电压对漏极电流的控制能力。（ ） 6. 硅PN结的正向导通压降约为0.7V，反向击穿后立即永久损坏。（ ） 7. 锗二极管的反向饱和电流比硅二极管小。（ ） 8. 放大状态的三极管，发射结必须正偏，集电结必须反偏。（ ） 9. 集电极-发射极击穿电压 U(BR)CEO是输出特性曲线的拐点电压。（ ） 10. 三极管在放大区工作时，基极电流的微小变化能引起集电极电流的较大变化，这是放大作用的核心原理。（ ） 五、简答题(共1小题；共5分） 简述PN结二极管的基本结构。并解释该结构如何实现单向导电性，并说明P区和N区的材料组成。 六、计算题(每小题10分，共2小题；共20分） 1. 如图所示出各三极管的每个电极对地的电位。试判别各三极管处于何种工作状态（NPN 管为硅管，PNP管为锗管）。 2. 某锗三极管，μA，试求 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $$