《电子技术基础》半导体器件的基础知识-知识点训练 2026版安徽省电子信息类专业 考纲百套卷 第37卷

编写说明：2026版安徽省《电子信息类考纲百套卷》 依据安徽省对口招生《电子与信息大类（电子信息类）专业理论考试纲要》编写。本套试卷由103份试卷共三个部分组成。第一部分是根据考纲的知识与技能要点，编写的71份知识点训练卷；第二部分针对三门课程，编写的22份常考题训练卷；第三部分参考安徽省历年电子信息类专业课考试真题，编写了10份专业综合训练卷。 本试卷是《电子信息类考纲百套卷》的第37卷，是知识点训练卷，按考纲中第二部分 电子技术基础概述的第一章半导体器件的基础知识编写。 其知识与技能要点是半导体二极管、半导体三极管和场效应管。 2026版安徽省《电子信息类考纲百套卷》第37卷 电子技术基础概述 （一）半导体器件的基础知识 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、填空题(每小题2分，共5小题；共10分） 1. 在开关电源设计中，若需快速通断高频信号，应选用______二极管（填“整流”或“开关”），因其______时间极短。 2. 场效应管（FET）是______控制器件，通过栅源电压UGS调节漏极电流；而三极管（BJT）是______控制器件。 3. N沟道JFET的电路符号中，箭头方向指向______（填“栅极”或“沟道”），该方向表示______载流子的运动方向。 4. 在三极管输出特性曲线中，放大区的特点是IC主要受______控制，几乎与______无关。 5. 当温度升高时，三极管的反向饱和电流ICBO将______，导致输出特性曲线______（上移/下移）。 二、单项选择题（请在下列各题选项中选出最符合题意的一项，将代表该选项的字母填在下面相应的答题位置。每题2分，计15小题；共30分） 1. 二极管反向恢复时间 trr 直接影响其在电路中的（ ） A. 最大整流电流 B. 开关速度 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 2. 三极管参数 ICBO 增大时，会导致（ ） A. 电流放大系数β升高 B. 热稳定性变差 C. 截止频率提高 D. 饱和压降降低 3. 比较场效应管与三极管，场效应管的突出优势是（ ） A. 电流放大能力强 B. 输入电阻极高 C. 输出功率大 D. 频率响应快 4. 增强型MOSFET工作在放大区时（ ） A. UGS<Uth B. UGS>Uth 且 UDS>UGS−Uth​ C. UDS=0 D. 栅源间需正向偏置 5. 场效应管作为电子开关的优势是（ ） A. 驱动电流大 B. 导通电阻低 C. 输入阻抗高，驱动功率小 D. 耐压值高 6. 某三极管β = 80，IE = 8.1mA，则IB和IC的值各是多少（ ） A. IB = 0.1mA, IC = 8.0mA B. IB = 0.2mA, IC = 7.9mA C. IB = 0.1mA, IC = 8.1mA D. IB = 0.2mA, IC = 8.0mA 7. 在太阳能电池中，PN结在光照下产生电流，但无光照时仅单向导电。这体现了PN结的什么特性（ ） A. 仅单向导电性 B. 可变电阻特性 C. 光生伏特效应 D. 双向导电性 8. 某放大电路中，测得IB = 50μA, IC = 5mA。若β = 100，则发射极电流IE和电路工作状态是（ ） A. IE = 5.05mA, 工作在放大区 B. IE= 4.95mA, 工作在饱和区 C. IE= 5mA, 工作在截止区 D. IE = 5.05mA, 工作在饱和区 9. 当二极管两端正向电压从0V逐渐增大时，电流变化的特点是（ ） A. 电压超过死区电压后电流指数级增长 B. 电流随电压线性增大 C. 电压超过0.7V后电流骤降 D. 始终无电流通过 10. 用万用表电阻档检测PN结正向电阻时，正确的操作及现象是（ ） A. 红表笔接P区，黑表笔接N区，阻值很小 B. 黑表笔接P区，红表笔接N区，阻值很大 C. 红表笔接P区，黑表笔接N区，阻值很大 D. 黑表笔接P区，红表笔接N区，阻值很小 11. 在共集电极放大电路中，输入信号和输出信号分别作用于（ ） A. 基极-发射极，集电极-发射极 B. 基极-发射极，发射极-地 C. 基极-集电极，发射极-地 D. 发射极-基极，集电极-地 12. 下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= （ ） A．0V B．3V C．10V D．1.5V 13. 三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是（ ） 14. 在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值UZ=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为（ ） A. 6V B. 4.6V C. 5.3V D. 1.4V 15. 在如图所示的二极管电路中， 二极管Ｄ1导通；Ｄ2截止。设二极管正向压降为0V，则ＵAB为（ ）V。 A. ０ B. 12 C. 15 D. 27 三、双项选择题(每小题3分，共5小题；共15分） 1.  二极管的基本结构由（ ）组成 A. 一个PN结和两个电极 B. 两个PN结和三个电极 C. P型半导体与N型半导体交界处形成的PN结 D. 本征半导体与杂质半导体组合 2. 二极管的主要参数包括（ ） A. 最大正向电流（IF） B. 导通电压（UD） C. 反向饱和电流（IR） D. 最高反向工作电压（VRM） 3. 结型场效应管正常工作时，栅源电压应满足（ ） A. N沟道管需加正向电压 B. N沟道管需加反向电压 C. P沟道管需加正向电压 D. P沟道管需加反向电压 4. PN结单向导电性的应用场景有（ ） A. 手机充电器整流 B. 发光二极管发光 C. 三极管电流放大 D. 电容滤波 5. PN结在反向偏置时，流过的电流主要是（ ） A. 扩散电流 B. 漂移电流 C. 饱和电流 D. 穿透电流 四、判断题(每小题2分，共10小题；共20分） 1. 三极管的集电结正偏、发射结反偏时，处于放大状态。（ ） 2. 耗尽型MOS管在UGS=0时已存在导电沟道，可正常导通。（ ） 3. 场效应管放大电路中，输入信号控制的是栅极的多子浓度。（ ） 4. 三极管的穿透电流ICEO随温度升高而减小。（ ） 5. 场效应管放大作用的核心是栅源电压对漏极电流的控制，无需输入电流。（ ） 6. 当PN结外加反向电压时，扩散电流大于漂移电流。（ ） 7. 稳压二极管正常工作时必须处于反向击穿区。（ ） 8. 共发射极放大电路中，输出信号与输入信号相位相同。（ ） 9. 放大区的 IC主要由 UCE决定。（ ） 10. 在NPN三极管的输出特性曲线中，当VCE增大时，集电极电流IC持续增加，不受基极电流IB影响。（ ） 五、简答题(共1小题；共5分） 比较FET和BJT在输入阻抗、噪声性能和开关速度方面的主要区别，并解释为何FET更适合高输入阻抗场景。 六、计算题(每小题10分，共2小题；共20分） 1. 使用万用表判断三极管的管脚，管脚如图所示测得结果如下： 红表笔接管脚 黑表笔接管脚 测得结果 红表笔接管脚 黑表笔接管脚 测得结果 ① ② 很大 ② ① 约14kΩ ① ③ 很大 ③ ① 约15kΩ 请确定该三极管的基极是哪个？该管的类型是什么？ 2. 二极管电路如题图所示。试判断图中各二极管是导通还是截止，井求出A、O两端间的电压UAO（设二极管的正向电压降和反向电流均可忽略）。 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $$ 编写说明：2026版安徽省《电子信息类考纲百套卷》 依据安徽省对口招生《电子与信息大类（电子信息类）专业理论考试纲要》编写。本套试卷由103份试卷共三个部分组成。第一部分是根据考纲的知识与技能要点，编写的71份知识点训练卷；第二部分针对三门课程，编写的22份常考题训练卷；第三部分参考安徽省历年电子信息类专业课考试真题，编写了10份专业综合训练卷。 本试卷是《电子信息类考纲百套卷》的第37卷，是知识点训练卷，按考纲中第二部分 电子技术基础概述的第一章半导体器件的基础知识编写。 其知识与技能要点是半导体二极管、半导体三极管和场效应管。 2026版安徽省《电子信息类考纲百套卷》第37卷 电子技术基础概述 （一）半导体器件的基础知识 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 班级 姓名 学号 成绩 一、填空题(每小题2分，共5小题；共10分） 1. 在开关电源设计中，若需快速通断高频信号，应选用______二极管（填“整流”或“开关”），因其______时间极短。 【答案】开关；反向恢复 【解析】开关二极管反向恢复时间（trr）短，适用于高频电路。 2. 场效应管（FET）是______控制器件，通过栅源电压UGS调节漏极电流；而三极管（BJT）是______控制器件。 【答案】电压；电流 【解析】 FET靠栅源电压UGS控制导电沟道，BJT靠基极电流IB控制集电极电流。 3. N沟道JFET的电路符号中，箭头方向指向______（填“栅极”或“沟道”），该方向表示______载流子的运动方向。 【答案】沟道；电子 【解析】N沟道JFET箭头指向沟道内部，表示电子流方向（电流方向相反）。 4. 在三极管输出特性曲线中，放大区的特点是IC主要受______控制，几乎与______无关。 【答案】IB；UCE 【解析】放大区IC=β·IB，受控于IB，与UCE无关，曲线近似水平。 5. 当温度升高时，三极管的反向饱和电流ICBO将______，导致输出特性曲线______（上移/下移）。 【答案】增大；上移 【解析】温度升高加剧少子运动，ICBO增大，导致整个输出特性曲线上移。 二、单项选择题（请在下列各题选项中选出最符合题意的一项，将代表该选项的字母填在下面相应的答题位置。每题2分，计15小题；共30分） 1. 二极管反向恢复时间 trr 直接影响其在电路中的（ ） A. 最大整流电流 B. 开关速度 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 【答案】B 【解析】trr是二极管从导通到截止的延迟时间，决定开关电路的最高工作频率。 2. 三极管参数 ICBO 增大时，会导致（ ） A. 电流放大系数β升高 B. 热稳定性变差 C. 截止频率提高 D. 饱和压降降低 【答案】B 【解析】ICBO 是集电结反向饱和电流，对温度敏感，其增大会引起 ICEO=(1+β)ICBO 剧增，造成热失控。 3. 比较场效应管与三极管，场效应管的突出优势是（ ） A. 电流放大能力强 B. 输入电阻极高 C. 输出功率大 D. 频率响应快 【答案】B 【解析】FET输入电阻可达 109∼1015Ω，适合高阻抗信号源；三极管输入电阻仅千欧级。 4. 增强型MOSFET工作在放大区时（ ） A. UGS<Uth B. UGS>Uth 且 UDS>UGS−Uth​ C. UDS=0 D. 栅源间需正向偏置 【答案】B 【解析】饱和区放大条件。 5. 场效应管作为电子开关的优势是（ ） A. 驱动电流大 B. 导通电阻低 C. 输入阻抗高，驱动功率小 D. 耐压值高 【答案】C 【解析】栅极几乎无电流，功耗低。 6. 某三极管β = 80，IE = 8.1mA，则IB和IC的值各是多少（ ） A. IB = 0.1mA, IC = 8.0mA B. IB = 0.2mA, IC = 7.9mA C. IB = 0.1mA, IC = 8.1mA D. IB = 0.2mA, IC = 8.0mA 【答案】A 【解析】综合电流关系：IE = IB + IC 且 IC =β×IB。设 IB = x，则 IC = 80x，IE = x + 80x = 81x = 8.1mA，解得 x = 0.1mA, IC = 8.0mA。 7. 在太阳能电池中，PN结在光照下产生电流，但无光照时仅单向导电。这体现了PN结的什么特性（ ） A. 仅单向导电性 B. 可变电阻特性 C. 光生伏特效应 D. 双向导电性 【答案】A 【解析】无光照时，PN结仅允许正向电流通过，体现单向导电性。 8. 某放大电路中，测得IB = 50μA, IC = 5mA。若β = 100，则发射极电流IE和电路工作状态是（ ） A. IE = 5.05mA, 工作在放大区 B. IE= 4.95mA, 工作在饱和区 C. IE= 5mA, 工作在截止区 D. IE = 5.05mA, 工作在饱和区 【答案】A 【解析】电流分配：IE = IB + IC = 50μA + 5mA = 5.05mA。β = IC / IB = 5mA / 50μA = 100，符合放大区条件（β恒定）。 9. 当二极管两端正向电压从0V逐渐增大时，电流变化的特点是（ ） A. 电压超过死区电压后电流指数级增长 B. 电流随电压线性增大 C. 电压超过0.7V后电流骤降 D. 始终无电流通过 【答案】A 【解析】二极管正向特性存在死区电压（硅管约0.5V），超过后电流随电压指数增长。 10. 用万用表电阻档检测PN结正向电阻时，正确的操作及现象是（ ） A. 红表笔接P区，黑表笔接N区，阻值很小 B. 黑表笔接P区，红表笔接N区，阻值很大 C. 红表笔接P区，黑表笔接N区，阻值很大 D. 黑表笔接P区，红表笔接N区，阻值很小 【答案】D 【解析】测正向电阻时，黑表笔（表内电池正极）接P区，红表笔接N区，PN结正偏导通，阻值小。 11. 在共集电极放大电路中，输入信号和输出信号分别作用于（ ） A. 基极-发射极，集电极-发射极 B. 基极-发射极，发射极-地 C. 基极-集电极，发射极-地 D. 发射极-基极，集电极-地 【答案】B 【解析】共集电极电路（射极输出器）中，输入信号加在基极-发射极间，输出信号从发射极-地取出。 12. 下图电路中，设硅二极管管的正向压降为0V，则Y= （ ） A．0V B．3V C．10V D．1.5V 【答案】A 【解析】第一个二极管连接在+10V和Y点之间，第二个二极管连接在Y点和3V之间。  二极管正向压降为0V，当正向偏置时，二极管导通。 第一个二极管导通时，Y点电压接近+10V；第二个二极管导通时，Y点电压接近3V。  由于Y点电压最终被钳位在0V，第一个二极管反向偏置，第二个二极管正向偏置。 13. 三极管各极对公共端电位如图所示，则处于放大状态的硅三极管是（ ） 【答案】C 【解析】VBE=0.7V，VCB=4.3V，符合放大状态的条件。 14. 在如图所示的稳压电路中，稳压管D1与D2相同，其稳压值UZ=5.3V、正向压降0.7V，输出电压U0为（ ） A. 6V B. 4.6V C. 5.3V D. 1.4V 【答案】B 【解析】稳压管D1反向击穿，两端电压为5.3V。  稳压管D2正向导通，两端电压为0.7V。  输出电压Uo为D1和D2两端电压之差：Uo=UZ-U正向=5.3-0.7=4.6V。 15. 在如图所示的二极管电路中， 二极管Ｄ1导通；Ｄ2截止。设二极管正向压降为0V，则ＵAB为（ ）V。 A. ０ B. 12 C. 15 D. 27 【答案】A 【解析】二极管D1导通，正向压降为0V，因此A点电位为12V；D2截止，因此+15V电源对A点没有影响，A点电位仍未12V，B点直接与+12V电源相连，电位为12V。UAB=UA-UB=12-12=0V。 三、双项选择题(每小题3分，共5小题；共15分） 1.  二极管的基本结构由（ ）组成 A. 一个PN结和两个电极 B. 两个PN结和三个电极 C. P型半导体与N型半导体交界处形成的PN结 D. 本征半导体与杂质半导体组合 【答案】AC 【解析】二极管的核心是单个PN结，具有两个电极（阳极和阴极）。 2. 二极管的主要参数包括（ ） A. 最大正向电流（IF） B. 导通电压（UD） C. 反向饱和电流（IR） D. 最高反向工作电压（VRM） 【答案】AD 【解析】最大正向电流和最高反向工作电压是二极管的关键参数，导通电压和反向饱和电流属于特性而非主要参数。 3. 结型场效应管正常工作时，栅源电压应满足（ ） A. N沟道管需加正向电压 B. N沟道管需加反向电压 C. P沟道管需加正向电压 D. P沟道管需加反向电压 【答案】BC 【解析】结型场效应管需在栅源间加反向电压（N沟道）或正向电压（P沟道）以形成耗尽层。 4. PN结单向导电性的应用场景有（ ） A. 手机充电器整流 B. 发光二极管发光 C. 三极管电流放大 D. 电容滤波 【答案】AB 【解析】PN结单向导电性用于整流（A正确）和LED发光（B正确）；三极管依赖PN结但非直接应用（C错误）；滤波依赖电容特性（D错误）。 5. PN结在反向偏置时，流过的电流主要是（ ） A. 扩散电流 B. 漂移电流 C. 饱和电流 D. 穿透电流 【答案】BC 【解析】反向偏置时，少数载流子漂移形成电流（B正确），称反向饱和电流（C正确）；扩散电流为主在正向（A错误）；穿透电流为特定术语（D错误）。 四、判断题(每小题2分，共10小题；共20分） 1. 三极管的集电结正偏、发射结反偏时，处于放大状态。（ ） 【答案】× 【解析】放大状态要求发射结正偏、集电结反偏。若集电结正偏，则工作于饱和区。 2. 耗尽型MOS管在UGS=0时已存在导电沟道，可正常导通。（ ） 【答案】√ 【解析】耗尽型MOS管在UGS=0时沟道已形成，加正或负栅压均可控制沟道宽度。 3. 场效应管放大电路中，输入信号控制的是栅极的多子浓度。（ ） 【答案】× 【解析】FET通过栅压控制沟道宽度（改变耗尽区大小），而非直接控制多子浓度。 4. 三极管的穿透电流ICEO随温度升高而减小。（ ） 【答案】× 【解析】ICEO由少数载流子形成，对温度敏感，温度升高时ICEO显著增大。 5. 场效应管放大作用的核心是栅源电压对漏极电流的控制，无需输入电流。（ ） 【答案】√ 【解析】FET是电压控制器件，栅极输入阻抗极高（几乎无输入电流），通过电场效应控制输出电流。 6. 当PN结外加反向电压时，扩散电流大于漂移电流。（ ） 【答案】× 【解析】反向电压下漂移电流主导，扩散电流趋近于零。 7. 稳压二极管正常工作时必须处于反向击穿区。（ ） 【答案】√ 【解析】稳压管利用反向击穿区稳定电压。 8. 共发射极放大电路中，输出信号与输入信号相位相同。（ ） 【答案】× 【解析】共射电路输出与输入相位差180°（反相）。 9. 放大区的 IC主要由 UCE决定。（ ） 【答案】× 【解析】放大区 IC 由 IB决定（IC=βIB），与 UCE 基本无关。 10. 在NPN三极管的输出特性曲线中，当VCE增大时，集电极电流IC持续增加，不受基极电流IB影响。（ ） 【答案】× 【解析】输出特性曲线中，在放大区IC基本不随VCE变化（水平线），受IB控制；只有在饱和区或截止区，VCE变化才显著影响IC。 五、简答题(共1小题；共5分） 比较FET和BJT在输入阻抗、噪声性能和开关速度方面的主要区别，并解释为何FET更适合高输入阻抗场景。 【答案】输入阻抗：FET为高输入阻抗（约10^9Ω），BJT为低输入阻抗（约1kΩ），因FET是电压控制器件，栅极电流极小；BJT是电流控制器件，需基极电流驱动。 噪声：FET噪声较低，适用于信号放大；BJT噪声较高。 开关速度：FET开关速度较快，适合高频应用；BJT较慢。 在高输入阻抗场景（如传感器接口），FET更合适，因其减小信号源负载，避免信号衰减。 六、计算题(每小题10分，共2小题；共20分） 1. 使用万用表判断三极管的管脚，管脚如图所示测得结果如下： 红表笔接管脚 黑表笔接管脚 测得结果 红表笔接管脚 黑表笔接管脚 测得结果 ① ② 很大 ② ① 约14kΩ ① ③ 很大 ③ ① 约15kΩ 请确定该三极管的基极是哪个？该管的类型是什么？ 【答案】①管脚为基极，②是NPN型管。 【解析】根据万用表测量结果，红表笔接①号管脚，黑表笔分别接②号和③号管脚时，测得电阻值很大，说明①号管脚与②号、③号管脚之间没有正向导通关系，①号管脚不是发射极或集电极。  黑表笔接①号管脚，红表笔分别接②号和③号管脚时，测得电阻值较小（约14kΩ和15kΩ），说明①号管脚与②号、③号管脚之间存在PN结的正向导通关系，且黑表笔为正极，红表笔为负极，符合NPN型三极管的特性。  2. 二极管电路如题图所示。试判断图中各二极管是导通还是截止，井求出A、O两端间的电压UAO（设二极管的正向电压降和反向电流均可忽略）。 【答案】D1截止，D2通，UAO =－6V ； 【解析】二极管状态判断： 二极管D1的阳极接+12V，阴极接A点；二极管D2的阳极接A点，阴极接-6V。  假设D1导通，则A点电位为0V，D2正向偏置，应导通，与假设矛盾。  假设D2导通，则A点电位为-6V，D1反向偏置，应截止，符合假设。  因此，D2导通，D1截止。 计算UAO： A点电位为-6V（D2导通）。  O点电位为0V（地电位）。  UAO = UA - UO = -6V - 0V = -6V。 学科网（北京）股份有限公司 学科网（北京）股份有限公司 $$