第3卷-二极管-安徽省分类招生和对口招生电子信息类专业《电子技术基础考点双析卷》

编写说明：安徽省普通高校分类招生和对口招生《电子技术基础考点双析卷》，依据《安徽省普通高校对口招生专业理论和技能测试电子与信息大类（电子信息类）考试纲要（2025年版）》（以下简称考纲）编写。“考点双析”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷。助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环，特别适用于第一轮高考复习教学。 本专辑第3、第4卷精准对标考纲，知识模块（二）.电子技术基础： 一、半导体器件的基础知识：1.半导体二极管：（4）.二极管的伏安特性；（5）.二极管的主要参数。 安徽省分类招生和对口招生电子信息类专业 《电子技术基础考点双析卷》第3卷 二极管 老师讲解卷 一、单选题（本大题共20小题，每题3分，共60分） 1．硅二极管的导通电压是（    ） A．0.3V B．0.1V C．0.7V D．0.5V 【答案】C 2．当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的（    ） A．是少数载流子 B．是多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子 D．无法确定 【答案】C 3．下面列出的几条曲线中，哪条表示理想二极管的伏安特性曲线（    ） A． B． C． D． 【答案】B 4．把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为零的电池正向连接，该二极管（    ） A．击穿 B．电流为零 C．电流正常 D．电流过大使管子烧坏 【答案】D 5．电路如图所示，输出电压UO应为（    ） A．0.7V B．3.7V C．10V D．0.3V 【答案】B 6．晶体二极管内阻（    ） A．是常数 B．不是常数 C．不确定 D．没有电阻 【答案】B 7．二极管的导通条件是（    ） A．VD>0 B．VD>死区电压 C．VD>击穿电压 D．以上都不对 【答案】B 8．二极管正向电阻比反向电阻（    ） A．大 B．小 C．一样大 D．无法确定 【答案】B 9．现有两只稳压值为的硅稳压管，按右图所示连接成电路，输出电压值是（   ） A． B． C． D． 【答案】B 10．晶体二极管的正极电位是10V，负极电位是-5V，则该晶体二极管处于 状态。（   ） A．二极管零偏 B．二极管反偏 C．二极管正偏 D．二极管已发生开路性故障 【答案】D 11．二极管电路和输入电压如图所示，则输出电压的波形为（   ） A． B． C． D． 【答案】B 12．二极管反偏时，以下说法正确的是（   ） A．在达到反向击穿电压之前通过电流很小，称为反向饱和电流 B．在达到死区电压之前，反向电流很小 C．二极管反偏一定截止，电流很小，与外加反偏电压大小无关 D．二极管反向击穿后，其反电流很小 【答案】A 13．整流二极管在工作时，不会处于 状态。（   ） A．死区 B．正向导通区 C．反向截止区 D．反向击穿区 【答案】D 14．测得电路中某锗二极管的正极电位为3V，负极电位为2.7V，则此二极管工作在（   ） A．正向导通区 B．反向截止区 C．死区 D．反向击穿区 【答案】A 15．如图所示，若将普通发光二极管VD与电动势E为9V的直流电源相连（   ） A．该电路能正常工作 B．此二极管因反向电压过大而击穿 C．此二极管因正向电压偏低而截止 D．此二极管因正向电流过大而损坏 【答案】D 16．二极管负极电压为3.7V，正极电压为3V，表明该二极管工作在 状态。（   ） A．导通 B．截止 C．不确定 D．击穿 【答案】B 17．在图中用万用表测得两端电压为10V，这说明该稳压二极管（   ） A．已经击穿 B．接反 C．工作正常 D．开路 【答案】D 18．用万用表的R×1k和R×100挡测量同一只二极管时，两次测得的阻值分别为和，则二者相比（   ） A． B． C． D． 【答案】B 19．当温度升高后，二极管的正向电压将（   ） A．增大 B．减小 C．不变 D．无法确定 【答案】B 20．在电路中测得一只二极管的正极电位为10V，负极电位为1V，请判定该二极管的工作状态是（   ） A．导通 B．反向截止 C．二极管内部已击穿短路 D．二极管内部已开路 【答案】D 二、填空题（本大题共10小题，每小题2分，共20分） 21．硅二极管的死区电压是 ，锗二极管的死区电压是 。 【答案】 0.5V 0.1V 22．二极管的伏安特性曲线反映的是二极管 的关系曲线。 【答案】VD－ID 23．二极管的主要参数是反映正向特性的 和反映反向特性的 。 【答案】 最大整流电流 最高反向工作电压 24．2AP系列晶体二极管是由 半导体材料制成的，P代表是 。 【答案】 锗 普通管 25．二极管的正向特性部分分为 区和 区。 【答案】 死 正向导通 26．二极管的反向饱和电流会随 升高而增大。 【答案】温度 27．二极管处于反向偏置时，呈现的内阻 ，可等效开关 。 【答案】 较大 断开 28．根据管芯结构的不同，二极管可分为 接触型、 接触型和 接触型几种。 【答案】 面 平面 点 29．二极管的导电特性可分为 特性和 特性两部分。 【答案】 正向 反向 30．稳压二极管需要串入 才能进行正常工作。 【答案】限流电阻 【详解】稳压二极管需要串入限流电阻才能进行正常工作。    稳压二极管工作在反向击穿状态，当反向电压达到击穿电压后，其两端电压基本保持稳定，但电流会急剧增加。若不串联限流电阻，过大的电流会使稳压二极管因功耗过大而损坏。串联限流电阻后，可限制通过稳压二极管的电流，使其工作在安全的电流范围内，从而保证稳压二极管既能正常稳压，又不会因过流而损坏 三、判断题（本大题共5小题，每小题2分，共10分） 31．最高反向工作电压是指二极管正常使用时所允许加的反向电压。( ) 【答案】错误 32．在反向截止区，随着反向电压的增加，反向电流迅速变大。( ) 【答案】错误 33．最大整流电流是指二极管长时间工作时允许通过的最大电流。( ) 【答案】错误 34．普通二极管正常使用时，不允许出现反向击穿现象。( ) 【答案】正确 35．一般情况下，硅二极管导通后的正向压降比锗二极管的正向压降要大。( ) 【答案】正确 四、综合题（本大题10分） 36．二极管限幅电路及输入波形如图所示，试作出电路的输出波形。设二极管为硅材料二极管。 【答案】（a）图的输出波形为（a-a）；（b）图的输出波形为（b-b）； 【详解】在分析限幅电路时，其关键是分析二极管是否导通，对于变化的输入信号要进行分段分析。 ①在图（a）中，很明显当输入为正半周时，其峰值达到6V，而当电压小于4V时，二极管正极电位小于负极而处于截止状态；当电压大于等于4V时，二极管正极电位将大于负极电位而处于导通状态；当输入为负半周时，二极管正电位始终小于负极而处于截止状态。画电路的输出波形如图（a-a）所示。 ②在图（b）中，这是一种常见的正负双向限幅电路，当输入电压的绝对值小于7V时，和均处于截止状态，当输入电压处于正半周且大于7V时，正偏导通，处于反向击穿状态；当输入电压处于负半周且小于时，正偏导通，处于反向击穿状态，此时输出电压波形如图（b-b）所示。 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 $$ 编写说明：安徽省普通高校分类招生和对口招生《电子技术基础考点双析卷》，依据《安徽省普通高校对口招生专业理论和技能测试电子与信息大类（电子信息类）考试纲要（2025年版）》（以下简称考纲）编写。“考点双析”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷。助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环，特别适用于第一轮高考复习教学。 本专辑第3、第4卷精准对标考纲，知识模块（二）.电子技术基础： 一、半导体器件的基础知识：1.半导体二极管：（4）.二极管的伏安特性；（5）.二极管的主要参数。 安徽省分类招生和对口招生电子信息类专业 《电子技术基础考点双析卷》第3卷 二极管 老师讲解卷 一、单选题（本大题共20小题，每题3分，共60分） 1．硅二极管的导通电压是（    ） A．0.3V B．0.1V C．0.7V D．0.5V 2．当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的（    ） A．是少数载流子 B．是多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子 D．无法确定 3．下面列出的几条曲线中，哪条表示理想二极管的伏安特性曲线（    ） A． B． C． D． 4．把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为零的电池正向连接，该二极管（    ） A．击穿 B．电流为零 C．电流正常 D．电流过大使管子烧坏 5．电路如图所示，输出电压UO应为（    ） A．0.7V B．3.7V C．10V D．0.3V 6．晶体二极管内阻（    ） A．是常数 B．不是常数 C．不确定 D．没有电阻 7．二极管的导通条件是（    ） A．VD>0 B．VD>死区电压 C．VD>击穿电压 D．以上都不对 8．二极管正向电阻比反向电阻（    ） A．大 B．小 C．一样大 D．无法确定 9．现有两只稳压值为的硅稳压管，按右图所示连接成电路，输出电压值是（   ） A． B． C． D． 10．晶体二极管的正极电位是10V，负极电位是-5V，则该晶体二极管处于 状态。（   ） A．二极管零偏 B．二极管反偏 C．二极管正偏 D．二极管已发生开路性故障 11．二极管电路和输入电压如图所示，则输出电压的波形为（   ） A． B． C． D． 12．二极管反偏时，以下说法正确的是（   ） A．在达到反向击穿电压之前通过电流很小，称为反向饱和电流 B．在达到死区电压之前，反向电流很小 C．二极管反偏一定截止，电流很小，与外加反偏电压大小无关 D．二极管反向击穿后，其反电流很小 13．整流二极管在工作时，不会处于 状态。（   ） A．死区 B．正向导通区 C．反向截止区 D．反向击穿区 14．测得电路中某锗二极管的正极电位为3V，负极电位为2.7V，则此二极管工作在（   ） A．正向导通区 B．反向截止区 C．死区 D．反向击穿区 15．如图所示，若将普通发光二极管VD与电动势E为9V的直流电源相连（   ） A．该电路能正常工作 B．此二极管因反向电压过大而击穿 C．此二极管因正向电压偏低而截止 D．此二极管因正向电流过大而损坏 16．二极管负极电压为3.7V，正极电压为3V，表明该二极管工作在 状态。（   ） A．导通 B．截止 C．不确定 D．击穿 17．在图中用万用表测得两端电压为10V，这说明该稳压二极管（   ） A．已经击穿 B．接反 C．工作正常 D．开路 18．用万用表的R×1k和R×100挡测量同一只二极管时，两次测得的阻值分别为和，则二者相比（   ） A． B． C． D． 19．当温度升高后，二极管的正向电压将（   ） A．增大 B．减小 C．不变 D．无法确定 20．在电路中测得一只二极管的正极电位为10V，负极电位为1V，请判定该二极管的工作状态是（   ） A．导通 B．反向截止 C．二极管内部已击穿短路 D．二极管内部已开路 二、填空题（本大题共10小题，每小题2分，共20分） 21．硅二极管的死区电压是 ，锗二极管的死区电压是 。 22．二极管的伏安特性曲线反映的是二极管 的关系曲线。 23．二极管的主要参数是反映正向特性的 和反映反向特性的 。 24．2AP系列晶体二极管是由 半导体材料制成的，P代表是 。 25．二极管的正向特性部分分为 区和 区。 26．二极管的反向饱和电流会随 升高而增大。 27．二极管处于反向偏置时，呈现的内阻 ，可等效开关 。 28．根据管芯结构的不同，二极管可分为 接触型、 接触型和 接触型几种。 29．二极管的导电特性可分为 特性和 特性两部分。 30．稳压二极管需要串入 才能进行正常工作。 三、判断题（本大题共5小题，每小题2分，共10分） 31．最高反向工作电压是指二极管正常使用时所允许加的反向电压。( ) 32．在反向截止区，随着反向电压的增加，反向电流迅速变大。( ) 33．最大整流电流是指二极管长时间工作时允许通过的最大电流。( ) 34．普通二极管正常使用时，不允许出现反向击穿现象。( ) 35．一般情况下，硅二极管导通后的正向压降比锗二极管的正向压降要大。( ) 四、综合题（本大题10分） 36．二极管限幅电路及输入波形如图所示，试作出电路的输出波形。设二极管为硅材料二极管。 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 $$