第1卷-半导体的基本特性及二极管的基本结构-安徽省分类招生和对口招生电子信息类专业《电子技术基础考点双析卷》

编写说明：安徽省普通高校分类招生和对口招生《电子技术基础考点双析卷》，依据《安徽省普通高校对口招生专业理论和技能测试电子与信息大类（电子信息类）考试纲要（2025年版）》（以下简称考纲）编写。“考点双析”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷。助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环，特别适用于第一轮高考复习教学。 本专辑第1、第2卷精准对标考纲，知识模块（二）.电子技术基础： 一、半导体器件的基础知识：1.半导体二极管：（1）.半导体的概念；（2）.PN结的单向导电性；（3）.二极管的基本结构。 安徽省分类招生和对口招生电子信息类专业 《电子技术基础考点双析卷》第1卷 半导体的基本特性及二极管的基本结构 老师讲解卷 一、单选题（本大题共20小题，每题3分，共60分） 1．面接触器型晶体二极管比较适用于（    ） A．小信号检波 B．大功率整流 C．大电流开关 D．稳压电路 【答案】B 2．点接触型二极管较适用于（   ） A．大功率整流 B．小功率整流 C．小信号检波 D．大电流开关 【答案】C 【详解】点接触型二极管结电容小，适用于小信号检波等高频电路。选择C选项。 3．下列图形符号中,表示稳压二极管的是（   ） A． B． C． D． 【答案】B 4．在使用万用表检测二极管时，为什么要先将两表笔短接调零（   ） A．为了保护二极管 B．为了保护万用表 C．为了确保测量准确 D．为了预热万用表 【答案】C 【详解】在使用万用表检测二极管之前，将两表笔短接调零是为了确保测量准确，消除万用表自身内阻和接触电阻对测量结果的影响。 5．如图所示，若二极管为硅管，流过电阻的电流是（   ） A．0.01A B．0.1A C．0.93A D．0.093A 【答案】D 【详解】硅管导通电压为0.7V，二极管承受正向电压导通，导通之后端电压为0.7V，电阻上的电压为10v-0.7v=9.3v，利用欧姆定律可知流过的电流为0.093A。 6．某二极管的击穿电压是400V，下列那只二极管不会被击穿（   ） A．最高反向工作电压为120v B．最高反向工作电压为220v C．最高反向工作电压为100v D．最高反向工作电压为80v 【答案】B 【详解】最高反向工作电压为击穿电压的1/2~1/3，最高反向工作电压为220v的二极管不会被击穿。 7．小功率塑封稳压二极管有黑色圆环的是此二极管的（   ） A．正极 B．负极 C．南极 D．北极 【答案】B 【详解】小功率塑封稳压二极管有黑色圆环的是此二极管的负极。 8．一稳压二极管管体上标注两行参数，第一行是数字与字母组合7V5，第二行标注字母ST，这里第一行数字与字母组合7V5代表其正常工作时稳定电压值为 V。（   ） A．75 B．7.5 C．750 D．700000 【答案】B 【详解】一稳压二极管管体上标注两行参数，第一行是数字与字母组合7V5，第二行标注字母ST，这里第一行数字与字母组合7V5代表其正常工作时稳定电压值为7.5V，第二行标注ST代表公司名称。 9．在N型半导体中，该半导体的导电性能主要取决于（   ） A．本征激发 B．掺杂浓度 C．外部电压 D．外部电流 【答案】B 【详解】N型半导体的导电性能主要取决于掺杂浓度，B选项正确。 10．半导体中的电子浓度等于空穴浓度，这样的半导体为（   ） A．P型半导体 B．本征半导体 C．N型半导体 D．杂质半导体 【答案】B 【详解】电子浓度等于空穴浓度的半导体是本征半导体，B选项正确。 11．半导体中的电子数大于空穴数，这样的半导体称为（   ） A．P型半导体 B．本征半导体 C．N型半导体 D．纯净半导体 【答案】C 【详解】半导体中的电子数大于空穴数，为N型半导体，C选项正确。 12．当金属导体导通后，参加导电的是（   ） A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子 D．自由电子和空穴 【答案】B 【详解】金属导体中，参加导电的主要是自由电子，属于多数载流子B选项正确。 13．PN 结的反向电流（   ） A．随反向电压增大而增大 B．随反向电压增大而减小 C．基本不变 D．先增大后减小 【答案】C 【详解】PN 结的反向电流在一定范围内基本不变。所以选择 C 选项。 14．在纯净的半导体中加入 价的 可以得到N型半导体。（   ） A．3，硼 B．5，硼 C．3，磷 D．5，磷 【答案】D 【详解】N型半导体是在硅或锗的本征半导体中加入5价磷或砷得到的。 15．P型半导体是利用半导体的 制成的。（   ） A．掺杂性 B．热敏性 C．导电性 D．光敏性 【答案】A 16．下列对物质的分类说法错误的是（   ） A．物质按照导电能力强弱可以分为导体、绝缘体、半导体。 B．导体的导电能力最强。 C．半导体的导电能力最弱。 D．绝缘体能够良好地隔绝电流。 【答案】C 【详解】半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。 17．常用于制作半导体的材料是（   ） A．硅、硼 B．锗、铟 C．硼、磷 D．硅、锗 【答案】D 18．半导体材料的导电能力介于_______之间。（   ） A．导体和绝缘体 B．金属和非金属 C．正电荷和负电荷 D．直流电和交流电 【答案】A 【详解】半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间。所以选择 A 选项。 19．半导体中参与导电的载流子有（   ） A．自由电子 B．空穴 C．正离子 D．A 和 B 【答案】D 【详解】半导体中参与导电的载流子有自由电子和空穴。所以选择 D 选项。 20．在本征半导体中，自由电子浓度（    ）空穴浓度。 A．大于 B．小于 C．等于 D．不能确定 【答案】C 【详解】本征半导体是一种纯净的半导体材料。在晶体结构中，本征半导体中几乎不掺杂其他元素或化学物质 二、填空题（本大题共10小题，每小题2分，共20分） 21．2AP系列晶体二极管是由 半导体材料制成的，P代表是 。 【答案】 锗 普通管 22．根据管芯结构的不同，二极管可分为 接触型、 接触型和 接触型几种。 【答案】 面 平面 点 23．PN结的单向导电性表现为 时导通， 时截止。 【答案】 正向 反向 24．最常见的半导体材料是 和 ，若测得一只二极管导通时的电压为0.7V，则说明该二极管是 材料制成的；若测得一只二极管导通时的电压为0.3V，则说明该二极管是 材料制成的。 【答案】 硅 锗 硅 锗 25．利用半导体的 特性可以制成温度电阻；利用半导体的 特性可以制成光敏电阻；利用半导体的 特性可以制成二极管、三极管等器件。 【答案】 热敏 光敏 单向导电 26．半导体具有 、 和 3大特性。 【答案】 热敏性 光敏性 掺杂性 27．导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为 。 【答案】半导体 28．本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，称为 对。 【答案】电子空穴 29．半导体中有两种载流子，它们是 和 。 【答案】 自由电子 空穴 30．温度升高，半导体的导电能力将 。 【答案】增大 三、判断题（本大题共5小题，每小题2分，共10分） 31．把一块P型半导体和一块N型半导体紧紧结合在一起，在结合处就能形成一个PN结。( ) 【答案】错误 32．硅二极管比锗二极管的稳定性要好。( ) 【答案】正确 33．二极管的内阻不是常数，所以其属于非线性器件。( ) 【答案】正确 34．少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。( ) 【答案】正确 【详解】P型半导体掺入了三价元素，所以空穴较多，即多子是空穴，少子是自由电子。 35．在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。( ) 【答案】正确 【详解】电场使得电子和空穴获得能量，加速了它们的定向运动，减少了它们在材料内部复合的机会。而且，外电场还可以从半导体的其他区域或者接触的电极处吸引更多的载流子进入电场作用区域，从而增强了电子电流和空穴电流。 四、综合题（本大题10分） 36．根据元器件的外形和名称填写对应的图形符号和文字符号 【答案】 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 $$ 编写说明：安徽省普通高校分类招生和对口招生《电子技术基础考点双析卷》，依据《安徽省普通高校对口招生专业理论和技能测试电子与信息大类（电子信息类）考试纲要（2025年版）》（以下简称考纲）编写。“考点双析”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷。助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环，特别适用于第一轮高考复习教学。 本专辑第1、第2卷精准对标考纲，知识模块（二）.电子技术基础： 一、半导体器件的基础知识：1.半导体二极管：（1）.半导体的概念；（2）.PN结的单向导电性；（3）.二极管的基本结构。 安徽省分类招生和对口招生电子信息类专业 《电子技术基础考点双析卷》第1卷 半导体的基本特性及二极管的基本结构 老师讲解卷 一、单选题（本大题共20小题，每题3分，共60分） 1．面接触器型晶体二极管比较适用于（    ） A．小信号检波 B．大功率整流 C．大电流开关 D．稳压电路 2．点接触型二极管较适用于（   ） A．大功率整流 B．小功率整流 C．小信号检波 D．大电流开关 3．下列图形符号中,表示稳压二极管的是（   ） A． B． C． D． 4．在使用万用表检测二极管时，为什么要先将两表笔短接调零（   ） A．为了保护二极管 B．为了保护万用表 C．为了确保测量准确 D．为了预热万用表 5．如图所示，若二极管为硅管，流过电阻的电流是（   ） A．0.01A B．0.1A C．0.93A D．0.093A 6．某二极管的击穿电压是400V，下列那只二极管不会被击穿（   ） A．最高反向工作电压为120v B．最高反向工作电压为220v C．最高反向工作电压为100v D．最高反向工作电压为80v 7．小功率塑封稳压二极管有黑色圆环的是此二极管的（   ） A．正极 B．负极 C．南极 D．北极 8．一稳压二极管管体上标注两行参数，第一行是数字与字母组合7V5，第二行标注字母ST，这里第一行数字与字母组合7V5代表其正常工作时稳定电压值为 V。（   ） A．75 B．7.5 C．750 D．700000 9．在N型半导体中，该半导体的导电性能主要取决于（   ） A．本征激发 B．掺杂浓度 C．外部电压 D．外部电流 10．半导体中的电子浓度等于空穴浓度，这样的半导体为（   ） A．P型半导体 B．本征半导体 C．N型半导体 D．杂质半导体 11．半导体中的电子数大于空穴数，这样的半导体称为（   ） A．P型半导体 B．本征半导体 C．N型半导体 D．纯净半导体 12．当金属导体导通后，参加导电的是（   ） A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子 D．自由电子和空穴 13．PN 结的反向电流（   ） A．随反向电压增大而增大 B．随反向电压增大而减小 C．基本不变 D．先增大后减小 14．在纯净的半导体中加入 价的 可以得到N型半导体。（   ） A．3，硼 B．5，硼 C．3，磷 D．5，磷 15．P型半导体是利用半导体的 制成的。（   ） A．掺杂性 B．热敏性 C．导电性 D．光敏性 16．下列对物质的分类说法错误的是（   ） A．物质按照导电能力强弱可以分为导体、绝缘体、半导体。 B．导体的导电能力最强。 C．半导体的导电能力最弱。 D．绝缘体能够良好地隔绝电流。 17．常用于制作半导体的材料是（   ） A．硅、硼 B．锗、铟 C．硼、磷 D．硅、锗 18．半导体材料的导电能力介于_______之间。（   ） A．导体和绝缘体 B．金属和非金属 C．正电荷和负电荷 D．直流电和交流电 19．半导体中参与导电的载流子有（   ） A．自由电子 B．空穴 C．正离子 D．A 和 B 20．在本征半导体中，自由电子浓度（    ）空穴浓度。 A．大于 B．小于 C．等于 D．不能确定 二、填空题（本大题共10小题，每小题2分，共20分） 21．2AP系列晶体二极管是由 半导体材料制成的，P代表是 。 22．根据管芯结构的不同，二极管可分为 接触型、 接触型和 接触型几种。 23．PN结的单向导电性表现为 时导通， 时截止。 24．最常见的半导体材料是 和 ，若测得一只二极管导通时的电压为0.7V，则说明该二极管是 材料制成的；若测得一只二极管导通时的电压为0.3V，则说明该二极管是 材料制成的。 25．利用半导体的 特性可以制成温度电阻；利用半导体的 特性可以制成光敏电阻；利用半导体的 特性可以制成二极管、三极管等器件。 26．半导体具有 、 和 3大特性。 27．导电能力介于导体与绝缘体之间的物质称为 。 28．本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现，称为 对。 29．半导体中有两种载流子，它们是 和 。 30．温度升高，半导体的导电能力将 。 三、判断题（本大题共5小题，每小题2分，共10分） 31．把一块P型半导体和一块N型半导体紧紧结合在一起，在结合处就能形成一个PN结。( ) 32．硅二极管比锗二极管的稳定性要好。( ) 33．二极管的内阻不是常数，所以其属于非线性器件。( ) 34．少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。( ) 35．在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。( ) 四、综合题（本大题10分） 36．根据元器件的外形和名称填写对应的图形符号和文字符号 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 $$