第2卷-半导体的基本特性及二极管的基本结构-安徽省分类招生和对口招生电子信息类专业《电子技术基础考点双析卷》

编写说明：安徽省普通高校分类招生和对口招生《电子技术基础考点双析卷》，依据《安徽省普通高校对口招生专业理论和技能测试电子与信息大类（电子信息类）考试纲要（2025年版）》（以下简称考纲）编写。“考点双析”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷。助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环，特别适用于第一轮高考复习教学。 本专辑第1、第2卷精准对标考纲，知识模块（二）.电子技术基础： 一、半导体器件的基础知识：1.半导体二极管：（1）.半导体的概念；（2）.PN结的单向导电性；（3）.二极管的基本结构。 安徽省分类招生和对口招生电子信息类专业 《电子技术基础考点双析卷》第2卷 半导体的基本特性及二极管的基本结构 学生练习卷 时间：90分钟 总分：100分 班级_______姓名_______成绩_______学号_______ 一、单选题（本大题共20小题，每题3分，共60分） 1．一稳压二极管管体上标注三行参数，第一行是数字11，第二行标注字母HSC，第三行标注ST，这里第一行数字11代表其正常工作时稳定电压值为 V。（   ） A．11 B．10 C．110 D．1.1 2．判断二极管极性时，有白色环的一端通常为（   ） A．正极 B．负极 C．不确定 D．以上都不对 3．下列图形符号中，哪一个是发光二极管的图形符号（   ） A． B． C． D． 4．下列关于2CW系列二极管说法正确的是（   ） A．该管是N型锗管 B．该管表示整流二极管 C．该管是N型硅管 D．该管表示P型硅管 5．晶体二极管内部由 构成（   ） A．一个PN结 B．两个PN结 C．两块N型半导体 D．两块P型半导体 6．如图整流二极管，可以判断有银白色环一端为此二极管 极（   ） A．正 B．负 C．南 D．北 7．如图发光二极管，可以从外观上判定出长引脚为此发光二极管的 极（   ） A．正 B．负 C．南 D．北 8．对于半导体材料，若 ，则导电能力减弱。（   ） A．环境温度降低 B．掺杂金属元素 C．增大环境光照强度 D．以上都是 9．杂质半导体中少数载流子的浓度 本征半导体中载流子浓度。（   ） A．大于 B．等于 C．小于 D．无法比较 10．一般来说，本征半导体的导电能力 ，当掺入某些适当微量元素后其导电能力 。（   ） A．很强，更强 B．很弱，很高 C．很强，降低 D．很弱，更弱 11．半导体掺入杂质后，其导电能力会（   ） A．增强 B．减弱 C．不变 D．丧失 12．在P型半导体中，下列说法正确的是（   ） A．只有自由电子一种载流子 B．多数载流子是自由电子少数载流子是空穴 C．只有空穴一种载流子 D．多数载流子是空穴少数载流子是自由电子 13．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量会（   ） A．同时增加 B．同时减少 C．增减难以确定 D．不变 14．在P型半导体中（   ） A．空穴是多数载流子，电子是少数载流子 B．电子是多数载流子，空穴是少数载流子 C．空穴的数量略多于电子 D．电子、空穴一样多 15．半导体受光照后，其导电能力会（    ）。 A．增强 B．减弱 C．不变 D．丧失 16．P型半导体是（    ） A．纯净半导体 B．掺杂半导体 C．带正电的 D．带负电的 17．半导体中传导电流的载流子是（    ） A．电子 B．空穴 C．电子和空穴 D．正电荷 18．ＰＮ结的最大特点是具有（    ） A．导电性 B．绝缘性 C．单相导电性 D．双向导电性 19．杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（    ） A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶体缺陷 20．哪种电子元器件的阻值会随着光照强度变化（   ） A．热敏电阻 B．压敏电阻 C．光敏电阻 D．湿敏电阻 二、填空题（本大题共10小题，每小题2分，共20分） 21．二极管按管芯的结构不同，可以分为 、 和平面形。 22．依据制作材料不同，二极管可分为 和 两大类，依据结构形式不同，二极管又可分为 和 及平面型二极管。 23．在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。 24．在P型半导体中， 是多数载流子；在N型半导体中， 是多数载流子。 25．半导体中存在的两种携带电荷参与导电的“粒子”，称为 。 26．二极管硅管的门槛电压约 V；锗管导通时正向压降约 V。 27．半导体中自由电子和空穴的数量相等，这种半导体称为 。 28．半导体按其是否含有杂质，可分为 和 。 29．半导体是一种导电能力介于 与 之间的物体。 30．当硅材料的PN结正向偏压小于 V，锗材料的PN结正向偏压小于 V时，PN结仍不导通，我们把这个区域称为 。 三、判断题（本大题共5小题，每小题2分，共10分） 31．小功率塑封稳压二极管在用数字万用表进行二极管档位交换表笔检测时，测得数字小的那次黑表笔接的是此二极管的负极。( ) 32．所有的二极管正常工作时都在导通区。( ) 33．从二极管的结构符号可以看出，电流从二极管的正极流出，回到负极( ) 34．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) 35．N型半导体中主要参与导电的是带负电的自由电子，所以N型半导体带负电。( ) 四、综合题（本大题10分） 36．请正确标注下列二极管或三极管引脚的名称 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 $$ 编写说明：安徽省普通高校分类招生和对口招生《电子技术基础考点双析卷》，依据《安徽省普通高校对口招生专业理论和技能测试电子与信息大类（电子信息类）考试纲要（2025年版）》（以下简称考纲）编写。“考点双析”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷。助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环，特别适用于第一轮高考复习教学。 本专辑第1、第2卷精准对标考纲，知识模块（二）.电子技术基础： 一、半导体器件的基础知识：1.半导体二极管：（1）.半导体的概念；（2）.PN结的单向导电性；（3）.二极管的基本结构。 安徽省分类招生和对口招生电子信息类专业 《电子技术基础考点双析卷》第2卷 半导体的基本特性及二极管的基本结构 学生练习卷 时间：90分钟 总分：100分 班级_______姓名_______成绩_______学号_______ 一、单选题（本大题共20小题，每题3分，共60分） 1．一稳压二极管管体上标注三行参数，第一行是数字11，第二行标注字母HSC，第三行标注ST，这里第一行数字11代表其正常工作时稳定电压值为 V。（   ） A．11 B．10 C．110 D．1.1 【答案】A 【详解】一稳压二极管管体上标注三行参数，第一行是数字11，第二行标注字母HSC，第三行标注ST，这里第一行数字11代表其正常工作时稳定电压值为11V，第二行标注字母HSC代表产品型号，第三行标注ST代表公司名称。 2．判断二极管极性时，有白色环的一端通常为（   ） A．正极 B．负极 C．不确定 D．以上都不对 【答案】B 【详解】有白色环的一端通常为负极。所以选择 B 选项。 3．下列图形符号中，哪一个是发光二极管的图形符号（   ） A． B． C． D． 【答案】B 【详解】本题为高考真题，主要考察发光二极管的图形符号，注意区分A选项与B选项，箭头朝外指才是发光二极管，箭头朝内指是光电二极管。 4．下列关于2CW系列二极管说法正确的是（   ） A．该管是N型锗管 B．该管表示整流二极管 C．该管是N型硅管 D．该管表示P型硅管 【答案】C 【详解】极管型号的命名规则可以帮助我们判断二极管的类型、材料等信息。在国产二极管的命名中，第一个数字 “2” 表示二极管。第二位字母表示材料和极性，“C” 表示 N 型硅材料，“D” 表示 P 型硅材料。第三位字母 “W” 表示稳压管。 所以 2CW 系列二极管是 N 型硅管制成的稳压二极管。选C。 5．晶体二极管内部由 构成（   ） A．一个PN结 B．两个PN结 C．两块N型半导体 D．两块P型半导体 【答案】A 【详解】二极管的核心结构是一个PN结。 6．如图整流二极管，可以判断有银白色环一端为此二极管 极（   ） A．正 B．负 C．南 D．北 【答案】B 【详解】整流二极管有银白色环的那端引脚为此二极管负极。 7．如图发光二极管，可以从外观上判定出长引脚为此发光二极管的 极（   ） A．正 B．负 C．南 D．北 【答案】A 【详解】对于发光二极管而言，长引脚为其正极。 8．对于半导体材料，若 ，则导电能力减弱。（   ） A．环境温度降低 B．掺杂金属元素 C．增大环境光照强度 D．以上都是 【答案】A 9．杂质半导体中少数载流子的浓度 本征半导体中载流子浓度。（   ） A．大于 B．等于 C．小于 D．无法比较 【答案】C 10．一般来说，本征半导体的导电能力 ，当掺入某些适当微量元素后其导电能力 。（   ） A．很强，更强 B．很弱，很高 C．很强，降低 D．很弱，更弱 【答案】B 11．半导体掺入杂质后，其导电能力会（   ） A．增强 B．减弱 C．不变 D．丧失 【答案】A 12．在P型半导体中，下列说法正确的是（   ） A．只有自由电子一种载流子 B．多数载流子是自由电子少数载流子是空穴 C．只有空穴一种载流子 D．多数载流子是空穴少数载流子是自由电子 【答案】D 13．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量会（   ） A．同时增加 B．同时减少 C．增减难以确定 D．不变 【答案】A 14．在P型半导体中（   ） A．空穴是多数载流子，电子是少数载流子 B．电子是多数载流子，空穴是少数载流子 C．空穴的数量略多于电子 D．电子、空穴一样多 【答案】A 【详解】P 型半导体是在本征半导体（如硅或锗）中掺入少量的三价元素（如硼）形成的。当掺入三价元素后，三价元素的原子最外层有 3 个电子，在与周围的硅或锗原子形成共价键时，会缺少一个电子，从而产生一个空穴。 所以多数载流子的空穴，少数是电子。 15．半导体受光照后，其导电能力会（    ）。 A．增强 B．减弱 C．不变 D．丧失 【答案】A 【详解】半导体受光照后，其导电能力会增强。原因如下： 当光子能量大于半导体禁带宽度时，价带中的电子吸收光子能量后跃迁到导带，同时在价带中留下自由空穴，从而产生了非平衡载流子，使半导体中的载流子浓度增加，进而导致材料的导电能力增强。 16．P型半导体是（    ） A．纯净半导体 B．掺杂半导体 C．带正电的 D．带负电的 【答案】B 【详解】纯净半导体掺杂之后区分N型或P型半导体。 17．半导体中传导电流的载流子是（    ） A．电子 B．空穴 C．电子和空穴 D．正电荷 【答案】C 【详解】半导体材料通常由两种不同类型的输运载流子组成：电子和空穴。 18．ＰＮ结的最大特点是具有（    ） A．导电性 B．绝缘性 C．单相导电性 D．双向导电性 【答案】C 19．杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（    ） A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶体缺陷 【答案】C 【详解】在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度主要取决于温度。 20．哪种电子元器件的阻值会随着光照强度变化（   ） A．热敏电阻 B．压敏电阻 C．光敏电阻 D．湿敏电阻 【答案】C 【详解】光敏电阻的阻值会随着光照强度的变化而变化。热敏电阻的阻值随温度变化；压敏电阻的阻值随电压变化；湿敏电阻的阻值随湿度变化。所以选择 C 选项 二、填空题（本大题共10小题，每小题2分，共20分） 21．二极管按管芯的结构不同，可以分为 、 和平面形。 【答案】 点接触型 面接触型 22．依据制作材料不同，二极管可分为 和 两大类，依据结构形式不同，二极管又可分为 和 及平面型二极管。 【答案】 硅二极管 锗二极管 点接触型 面接触型 23．在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体，加入 元素可形成P型半导体。 【答案】 五价 三价 24．在P型半导体中， 是多数载流子；在N型半导体中， 是多数载流子。 【答案】 空穴 自由电子 25．半导体中存在的两种携带电荷参与导电的“粒子”，称为 。 【答案】载流子 26．二极管硅管的门槛电压约 V；锗管导通时正向压降约 V。 【答案】 0.5 0.3 27．半导体中自由电子和空穴的数量相等，这种半导体称为 。 【答案】本征半导体 28．半导体按其是否含有杂质，可分为 和 。 【答案】 本征半导体 杂质半导体 29．半导体是一种导电能力介于 与 之间的物体。 【答案】 导体 绝缘体 30．当硅材料的PN结正向偏压小于 V，锗材料的PN结正向偏压小于 V时，PN结仍不导通，我们把这个区域称为 。 【答案】 0.5 0.2 死区 【详解】当硅材料的PN结正向偏压小于0.5V，锗材料的PN结正向偏压小于0.2V时，PN结仍不导通，我们把这个区域称为死区 三、判断题（本大题共5小题，每小题2分，共10分） 31．小功率塑封稳压二极管在用数字万用表进行二极管档位交换表笔检测时，测得数字小的那次黑表笔接的是此二极管的负极。( ) 【答案】正确 【详解】小功率塑封稳压二极管在用数字万用表进行二极管档位交换表笔检测时，测得数字小的那次黑表笔接的是此二极管的负极。 32．所有的二极管正常工作时都在导通区。( ) 【答案】错误 【详解】特殊二极管不一定工作在导通区，例如稳压管工作在反向击穿区。 33．从二极管的结构符号可以看出，电流从二极管的正极流出，回到负极( ) 【答案】错误 【详解】电流从二极管的正极进入，从负极流出。 34．PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。( ) 【答案】正确 35．N型半导体中主要参与导电的是带负电的自由电子，所以N型半导体带负电。( ) 【答案】错误 【详解】N、P型半导体对外都呈电中性。 四、综合题（本大题10分） 36．请正确标注下列二极管或三极管引脚的名称 【答案】 【详解】1. 图(a)是二极管，二极管有两个引脚，分别是阳极（A）和阴极（K）。对于图(a)这种常见的二极管封装，引脚较长的一端为阳极（A），较短的一端为阴极（K）。 2. 图(b)是发光二极管（LED），它也有两个引脚，长引脚为阳极（A），短引脚为阴极（K）。 3. 图(c)是稳压二极管，同样有两个引脚，长引脚为阳极（A），短引脚为阴极（K）。 4. 图(d)是三极管，三极管有三个引脚，分别是基极（B）、集电极（C）和发射极（E）。对于图(d)这种常见的三极管封装，引脚从左到右分别是发射极（E）、基极（B）和集电极（C）。 5. 图(e)是场效应管（MOSFET），它有三个引脚，分别是栅极（G）、源极（S）和漏极（D）。对于图(e)这种常见的场效应管封装，引脚从左到右分别是栅极（G）、漏极（D）和源极（S）。 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 $$