《电工电子技术》知识点训练卷训练卷 2026版陕西省机电类综合课程考纲训练卷考纲百套卷 第10卷

编写说明：2026版陕西省《机电类基础综合课程考纲训练卷》，是依据陕西省职教高考《机电类基础综合课程考试标准》编写，本套试卷共110份由三个部分组成。第一部分是知识点训练卷，每个考点1-2份试卷共76份；第二部分是常考题训练卷，考纲有9个知识模块，每个知识模块2-4份训练卷共24份；第三个部分是专业综合训练卷，参考历年来机电类基础综合课程真题试卷，编写的10份专业综合训练卷。 本试卷是《机电类基础综合课程考纲训练卷》的第10卷，是知识点训练卷。按知识模块1.电工电子技术。根据常用半导体器件要求编写。其要求是：掌握常用半导体器件知识。 2026版陕西省《机电类基础综合课程考纲训练卷》 第10卷 知识模块1 电工电子技术 5.常用半导体器件 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 一、填空题（本大题共15小题，每题2分，共30分） 1.半导体中，自由电子和（）是参与导电的两种载流子。​​ 2.P型半导体的多数载流子是（）。​ 3.PN结具有（）电容效应，包括势垒电容和扩散电容。​ 4.二极管的反向击穿分为齐纳击穿和（）击穿两种类型。​ 5.三极管的（）是集电极最大允许耗散功率，超过会导致器件过热损坏。​ 6.场效应管的跨导 gm 反映了（）对漏极电流的控制能力。​ 7.晶闸管导通后，要使其关断，必须使阳极电流（ ）维持电流。​ 8.发光二极管（LED）的发光颜色由其（）材料决定。​ 9.二极管整流电路中，（ ）整流电路的输出电压脉动较小。​ 10.三极管工作在截止区时，基极电流 IB 约为（ ）。​ 11.结型场效应管的栅极与沟道之间形成的 PN 结应加（ ）偏置电压。​ 12.稳压二极管在电路中应与负载（ ）连接。​ 13.光电二极管的（ ）特性是指其输出电流与入射光强度的关系。​ 14.三极管的极限参数包括 ICM、PCM 和（ ）。​ 15.MOS 管中，（ ）型管在 UGS=0 时无导电沟道。​ 二、单项选择题（每题 2 分，共 20 分） 16.P型半导体是在本征半导体中掺入（ ）价杂质形成的。​ A. 三 B. 四 C. 五 D. 六​ 17.PN 结的正向电阻随温度升高而（）。​ A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 先增大后减小​ 18.下列参数中，反映二极管反向击穿特性的是（）。​ A. IF B. URM C. IR D. U (BR)​ 19.三极管工作在放大区时，IC 与 IB 的关系是（）。​ A. IC=IB B. IC=βIB C. IB=βIC D. IC=IB+βIB​ 20.与三极管相比，场效应管最突出的优点是（）。​ A. 电流放大倍数大 B. 输入电阻高 C. 输出功率大 D. 频率特性好​ 21.晶闸管的维持电流 IH 是指（）。​ A. 维持晶闸管导通的最小门极电流 B. 维持晶闸管导通的最小阳极电流​ C. 使晶闸管关断的最大阳极电流 D. 使晶闸管导通的最小阳极电流​ 22.某 LED 的正向电压为 2V，工作电流为 20mA，接在 5V 电源上，需串联的限流电阻为（）。 A. 150Ω B. 250Ω C. 350Ω D. 500Ω​ 23.下列器件中，可用于实现电信号与光信号转换的是（）。​ A. 稳压二极管 B. 三极管 C. 光电二极管 D. 晶闸管​ 24.N沟道增强型 MOS 管的开启电压 UGS (th) 为（）。​ A. 负值 B. 零 C. 正值 D. 不确定​ 25.三极管的 PCM 参数表示其（）。​ A. 最大集电极电流 B. 最大反向击穿电压​ C. 最大允许耗散功率 D. 电流放大倍数​ 三、判断题（本大题共15题，每小题2分，共30分） 26.杂质半导体的导电能力比本征半导体强。（）​ 27.PN 结正向导通时，其正向电阻随正向电压增大而减小。（）​ 28.二极管的反向击穿都是不可逆的。（）​ 29.三极管工作在放大区时，IC 随 IB 线性变化，与 UCE 无关。（）​ 30.稳压二极管可以多个串联使用，以提高稳定电压。（）​ 31.晶闸管的触发脉冲宽度必须足够宽，以保证其可靠导通。（）​ 32.场效应管的输入电阻比三极管低。（）​ 33.三极管的 β 值随温度升高而增大。（）​ 34.发光二极管（LED）的正向电压随颜色不同而不同。（）​ 35.晶闸管主要用于可控整流和交流调压电路。（）​ 36.MOS 管根据导电沟道类型可分为 N 沟道和 P 沟道，与电源极性无关。（）​ 37.二极管半波整流电路的效率是全波整流电路的一半。（）​ 38.三极管工作在截止区时，发射结和集电结均反向偏置。（）​ 39.光电二极管的响应速度比光敏电阻快。（）​ 40.结型场效应管的导电沟道随反向偏置电压增大而变窄。（）​ 四、简单题（共 2 题，每题 10 分，共 20 分） 41.简述二极管限幅电路的工作原理，并说明其在电子电路中的作用。​ 42.说明 NPN 型三极管构成的开关电路中，三极管 “导通” 和 “截止” 两种状态的条件及特点。​ 学科网（北京）股份有限公司1 学科网（北京）股份有限公司 $$ 编写说明：2026版陕西省《机电类基础综合课程考纲训练卷》，是依据陕西省职教高考《机电类基础综合课程考试标准》编写，本套试卷共110份由三个部分组成。第一部分是知识点训练卷，每个考点1-2份试卷共76份；第二部分是常考题训练卷，考纲有9个知识模块，每个知识模块2-4份训练卷共24份；第三个部分是专业综合训练卷，参考历年来机电类基础综合课程真题试卷，编写的10份专业综合训练卷。 本试卷是《机电类基础综合课程考纲训练卷》的第10卷，是知识点训练卷。按知识模块1.电工电子技术。根据常用半导体器件要求编写。其要求是：掌握常用半导体器件知识。 2026版陕西省《机电类基础综合课程考纲训练卷》 第10卷 知识模块1 电工电子技术 5.常用半导体器件 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 一、填空题（本大题共15小题，每题2分，共30分） 1.半导体中，自由电子和（）是参与导电的两种载流子。​ 【答案】空穴​ 【解析】半导体导电依靠自由电子（带负电）和空穴（等效正电），二者统称为载流子，其数量决定导电能力。​ 2.P型半导体的多数载流子是（）。​ 【答案】空穴​ 【解析】P 型半导体由本征半导体掺入三价杂质形成，多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子。​ 3.PN结具有（）电容效应，包括势垒电容和扩散电容。​ 【答案】结​ 【解析】PN 结的空间电荷区（势垒区）随外加电压变化会产生电容效应（势垒电容），载流子扩散形成的电荷积累变化会产生扩散电容，统称结电容。​ 4.二极管的反向击穿分为齐纳击穿和（）击穿两种类型。​ 【答案】雪崩​ 【解析】齐纳击穿发生在低掺杂、薄耗尽层的 PN 结（电压较低）；雪崩击穿发生在高掺杂、厚耗尽层的 PN 结（电压较高），二者均为反向击穿。​ 5.三极管的（）是集电极最大允许耗散功率，超过会导致器件过热损坏。​ 【答案】PCM​ 【解析】PCM 是三极管的重要参数，反映其散热能力，实际功耗 P=ICUCE 不得超过 PCM，否则器件烧毁。​ 6.场效应管的跨导 gm 反映了（）对漏极电流的控制能力。​ 【答案】栅源电压​ 【解析】跨导 gm=ΔID/ΔUGS，单位为 S（西门子），gm 越大，栅源电压对漏极电流的控制能力越强。​ 7.晶闸管导通后，要使其关断，必须使阳极电流（ ）维持电流。​ 【答案】小于​ 【解析】维持电流 IH 是晶闸管保持导通的最小阳极电流，当阳极电流小于 IH 时，晶闸管自动关断。​ 8.发光二极管（LED）的发光颜色由其（）材料决定。​ 【答案】半导体​ 【解析】LED 的发光颜色取决于所用半导体材料（如 GaAs 发红光，GaP 发绿光），不同材料禁带宽度不同，发出光子能量不同。​ 9.二极管整流电路中，（ ）整流电路的输出电压脉动较小。​ 【答案】全波（或桥式）​ 【解析】半波整流仅利用半个周期，输出脉动大；全波（含桥式）利用全周期，输出脉动较小，更接近直流。​ 10.三极管工作在截止区时，基极电流 IB 约为（ ）。​ 【答案】0​ 【解析】截止区的特点是发射结反偏（或正偏电压小于死区电压），基极电流 IB≈0，集电极电流 IC≈ICEO（穿透电流，极小）。​ 11.结型场效应管的栅极与沟道之间形成的 PN 结应加（ ）偏置电压。​ 【答案】反向​ 【解析】结型场效应管的 PN 结加反向偏置，可减小栅极电流（提高输入电阻），同时通过改变偏置电压控制沟道宽度。​ 12.稳压二极管在电路中应与负载（ ）连接。​ 【答案】并联​ 【解析】稳压二极管工作时需反向击穿，且与负载并联，才能稳定负载两端的电压，同时串联限流电阻限制电流。​ 13.光电二极管的（ ）特性是指其输出电流与入射光强度的关系。​ 【答案】光照​ 【解析】光电二极管的核心特性是光照强度与反向电流成正比，通过检测电流可反映光信号强弱，即光照特性。​ 14.三极管的极限参数包括 ICM、PCM 和（ ）。​ 【答案】U (BR) CEO​ 【解析】三极管的极限参数是保证器件安全工作的临界值，包括最大集电极电流 ICM、最大集电极耗散功率 PCM、集电极 - 发射极反向击穿电压 U (BR) CEO。​ 15.MOS 管中，（ ）型管在 UGS=0 时无导电沟道。​ 【答案】增强​ 【解析】增强型 MOS 管在 UGS=0 时，漏源之间无导电沟道，需加正向 UGS（超过开启电压）才形成沟道；耗尽型则在 UGS=0 时已有沟道。 二、单项选择题（每题 2 分，共 20 分） 16.P型半导体是在本征半导体中掺入（ ）价杂质形成的。​ A. 三 B. 四 C. 五 D. 六​ 【答案】A​ 【解析】三价杂质（如硼、铟）掺入本征半导体后，提供空穴，形成 P 型半导体；五价杂质形成 N型半导体，故选 A。​ 17.PN 结的正向电阻随温度升高而（）。​ A. 增大 B. 减小 C. 不变 D. 先增大后减小​ 【答案】B​ 【解析】温度升高，半导体载流子数量增加，PN 结正向导通时阻碍减小，正向电阻减小，这是半导体器件的共性，故选 B。​ 18.下列参数中，反映二极管反向击穿特性的是（）。​ A. IF B. URM C. IR D. U (BR)​ 【答案】D​ 【解析】U (BR) 是反向击穿电压，直接反映二极管反向击穿特性；IF 是最大整流电流，URM 是最高反向工作电压（小于 U (BR)），IR 是反向漏电流，故选 D。​ 19.三极管工作在放大区时，IC 与 IB 的关系是（）。​ A. IC=IB B. IC=βIB C. IB=βIC D. IC=IB+βIB​ 【答案】B​ 【解析】放大区的核心是电流放大作用，集电极电流 IC 约等于电流放大倍数 β 与基极电流 IB 的乘积，即 IC=βIB，故选 B。​ 20.与三极管相比，场效应管最突出的优点是（）。​ A. 电流放大倍数大 B. 输入电阻高 C. 输出功率大 D. 频率特性好​ 【答案】B​ 【解析】场效应管是电压控制器件，输入回路几乎无电流，输入电阻可高达 10^9Ω 以上，远高于三极管（千欧级），故选 B。​ 21.晶闸管的维持电流 IH 是指（）。​ A. 维持晶闸管导通的最小门极电流 B. 维持晶闸管导通的最小阳极电流​ C. 使晶闸管关断的最大阳极电流 D. 使晶闸管导通的最小阳极电流​ 【答案】B​ 【解析】维持电流 IH 是晶闸管导通后，去掉门极信号仍能保持导通的最小阳极电流，小于 IH 则关断，故选 B。​ 22.某 LED 的正向电压为 2V，工作电流为 20mA，接在 5V 电源上，需串联的限流电阻为（）。​ A. 150Ω B. 250Ω C. 350Ω D. 500Ω​ 【答案】A​ 【解析】限流电阻 R=(U-UD)/ID=(5V-2V)/20mA=3V/0.02A=150Ω，故选 A。​ 23.下列器件中，可用于实现电信号与光信号转换的是（）。​ A. 稳压二极管 B. 三极管 C. 光电二极管 D. 晶闸管​ 【答案】C​ 【解析】光电二极管能将光信号转换为电信号（反向电流随光照变化）；LED 则相反，将电信号转光信号，故选 C。​ 24.N沟道增强型 MOS 管的开启电压 UGS (th) 为（）。​ A. 负值 B. 零 C. 正值 D. 不确定​ 【答案】C​ 【解析】N 沟道增强型 MOS 管需加正向栅源电压（UGS>0），且超过开启电压 UGS (th)（正值）才形成导电沟道，故选 C。​ 25.三极管的 PCM 参数表示其（）。​ A. 最大集电极电流 B. 最大反向击穿电压​ C. 最大允许耗散功率 D. 电流放大倍数​ 【答案】C​ 【解析】PCM 是集电极最大允许耗散功率，反映三极管的散热能力，实际功耗 P=ICUCE 不得超过 PCM，故选 C。 三、判断题（本大题共15题，每小题2分，共30分） 26.杂质半导体的导电能力比本征半导体强。（）​ 【答案】√​ 【解析】杂质半导体中多数载流子数量远多于本征半导体，导电能力显著增强（如掺杂硅的导电能力是本征硅的 10⁶倍以上）。​ 27.PN 结正向导通时，其正向电阻随正向电压增大而减小。（）​ 【答案】√​ 【解析】PN 结正向伏安特性呈非线性，正向电压超过死区电压后，电压增大，正向电流急剧增大，等效正向电阻减小。​ 28.二极管的反向击穿都是不可逆的。（）​ 【答案】×​ 【解析】稳压二极管的齐纳击穿是可逆的（在额定电流范围内），普通二极管的击穿通常不可逆，故 “都是” 错误。​ 29.三极管工作在放大区时，IC 随 IB 线性变化，与 UCE 无关。（）​ 【答案】×​ 【解析】三极管输出特性曲线中，放大区 IC 随 IB 增大而增大，但同一 IB 下，IC 随 UCE 增大略有上升（基区宽变效应），并非完全无关。​ 30.稳压二极管可以多个串联使用，以提高稳定电压。（）​ 【答案】√​ 【解析】稳压二极管串联时，总稳定电压等于各管稳定电压之和，可通过串联提高稳定电压（需保证各管电流一致）。​ 31.晶闸管的触发脉冲宽度必须足够宽，以保证其可靠导通。（）​ 【答案】√​ 【解析】触发脉冲宽度不足时，阳极电流未达到擎住电流，移除脉冲后晶闸管会关断，故需足够宽的脉冲保证可靠导通。​ 32.场效应管的输入电阻比三极管低。（）​ 【答案】×​ 【解析】场效应管（尤其是 MOS 管）输入电阻极高（10⁸Ω 以上），三极管输入电阻较低（千欧级），故该说法错误。​ 33.三极管的 β 值随温度升高而增大。（）​ 【答案】√​ 【解析】温度升高，三极管基区载流子扩散能力增强，β 值增大（温度每升 10℃，β 约增大 10%），这是三极管温度特性的重要表现。​ 34.发光二极管（LED）的正向电压随颜色不同而不同。（）​ 【答案】√​ 【解析】LED 正向电压与材料有关：红光约 1.8-2.2V，绿光约 2.0-2.4V，蓝光约 3.0-3.6V，颜色不同电压不同。​ 35.晶闸管主要用于可控整流和交流调压电路。（）​ 【答案】√​ 【解析】晶闸管具有可控单向导电性，广泛应用于可控整流（如直流电机调速）、交流调压（如灯光调节）等领域，正确。​ 36.MOS 管根据导电沟道类型可分为 N 沟道和 P 沟道，与电源极性无关。（）​ 【答案】×​ 【解析】MOS 管的沟道类型决定了电源极性（如 N 沟道需正电源，P 沟道需负电源），与电源极性密切相关，故错误。​ 37.二极管半波整流电路的效率是全波整流电路的一半。（）​ 【答案】√​ 【解析】半波整流仅利用半个周期，效率约 40.6%；全波整流利用全周期，效率约 81.2%，前者约为后者一半。​ 38.三极管工作在截止区时，发射结和集电结均反向偏置。（）​ 【答案】√​ 【解析】截止区的偏置条件：发射结反偏（或正偏电压 < 死区电压），集电结反偏，此时几乎无电流通过，正确。​ 39.光电二极管的响应速度比光敏电阻快。（）​ 【答案】√​ 【解析】光电二极管基于 PN 结光生伏特效应，响应时间短（纳秒级）；光敏电阻基于半导体光电导效应，响应速度较慢（毫秒级）。​ 40.结型场效应管的导电沟道随反向偏置电压增大而变窄。（）​ 【答案】√​ 【解析】结型场效应管反向偏置电压增大，空间电荷区变宽，导电沟道变窄，漏极电流 ID 减小，实现电压控制电流。 四、简单题（共 2 题，每题 10 分，共 20 分） 41.简述二极管限幅电路的工作原理，并说明其在电子电路中的作用。​ 【答案】二极管限幅电路利用二极管的单向导电性，将输出电压限制在特定范围内（如上限、下限或双向限幅）。​ 工作原理：当输入电压在限幅范围内时，二极管截止，输出电压等于输入电压；当输入电压超过限幅范围时，二极管导通，输出电压被钳位在二极管导通电压（如硅管 0.7V）或电源电压上。​ 作用：在电子电路中，限幅电路可保护后续电路免受过高电压损坏（如保护运算放大器输入级），或对信号波形进行整形（如将正弦波变为方波）。​ 42.说明 NPN 型三极管构成的开关电路中，三极管 “导通” 和 “截止” 两种状态的条件及特点。​ 【答案】NPN 型三极管开关电路中：​ 导通状态（饱和导通）：​ 条件：基极加足够大的正向电压，使发射结和集电结均正向偏置，IB≥ICS/β（ICS 为饱和电流）。 特点：UCE≈0.3V（硅管），CE 间近似短路，相当于开关闭合，集电极电流 ICS=VCC/Rc（由电源和负载决定）。​ 截止状态：​ 条件：基极电压为 0 或反向偏置，发射结反偏（或正向电压 < 死区电压），IB≈0。​ 特点：UCE≈VCC，CE 间近似开路，相当于开关断开，集电极电流 IC≈0。​ 学科网（北京）股份有限公司1 学科网（北京）股份有限公司 $$