《电工电子技术》知识点训练卷训练卷 2026版陕西省机电类综合课程考纲训练卷考纲百套卷 第9卷

编写说明：2026版陕西省《机电类基础综合课程考纲训练卷》，是依据陕西省职教高考《机电类基础综合课程考试标准》编写，本套试卷共110份由三个部分组成。第一部分是知识点训练卷，每个考点1-2份试卷共76份；第二部分是常考题训练卷，考纲有9个知识模块，每个知识模块2-4份训练卷共24份；第三个部分是专业综合训练卷，参考历年来机电类基础综合课程真题试卷，编写的10份专业综合训练卷。 本试卷是《机电类基础综合课程考纲训练卷》的第9卷，是知识点训练卷。按知识模块1.电工电子技术。根据常用半导体器件要求编写。其要求是：掌握常用半导体器件知识。 2026版陕西省《机电类基础综合课程考纲训练卷》 第9卷 知识模块1 电工电子技术 5.常用半导体器件 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 一、填空题（本大题共15小题，每题2分，共30分） 1.半导体分为本征半导体和（）半导体。​ 【答案】杂质​ 【解析】半导体根据是否掺杂可分为本征半导体（纯净半导体）和杂质半导体（掺入微量杂质的半导体）。​ 2.N 型半导体的多数载流子是（）。​ 【答案】自由电子​ 【解析】N 型半导体是在本征半导体中掺入五价杂质形成的，多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴。​ 3.PN 结具有（）导电性。​ 【答案】单向​ 【解析】PN 结正向偏置时导通，反向偏置时截止，即具有单向导电性，这是半导体器件工作的基础。​ 4.硅二极管的死区电压约为（）V。​ 【答案】0.7​ 【解析】死区电压是二极管开始导通前需要克服的电压，硅管约 0.7V，锗管约 0.3V。​ 5.稳压二极管工作在（）击穿区。​ 【答案】反向​ 【解析】稳压二极管利用反向击穿时电压稳定的特性工作，且反向击穿在规定范围内是可逆的​ 6.三极管有三个电极，分别是发射极、基极和（）。​ 【答案】集电极​ 【解析】三极管的三个电极为发射极（E）、基极（B）和集电极（C），内部包含两个 PN 结。​ 7.NPN 型三极管处于放大状态时，发射结（）偏置，集电结反向偏置。​ 【答案】正向​ 【解析】三极管放大的条件是发射结正向偏置、集电结反向偏置，此时集电极电流受基极电流控制。​ 8.三极管的电流放大倍数 β 的表达式为 β=（）。​ 【答案】ΔIc/ΔIb​ 【解析】β 为共发射极电流放大倍数，等于集电极电流变化量与基极电流变化量的比值，反映电流放大能力。​ 9.场效应管是（）控制型器件。​ 【答案】电压​ 【解析】场效应管通过栅源电压控制漏极电流，输入电阻极高，属于电压控制型器件，与三极管（电流控制型）不同。​ 10.发光二极管（LED）工作时，需要串联（）以限制电流。​ 【答案】限流电阻​ 【解析】LED 正向导通时电压较低（约 1.5-3V），直接接电源会因电流过大损坏，需串联限流电阻。​ 11.晶闸管有三个电极，分别是阳极、阴极和（）。​ 【答案】门极（或控制极）​ 【解析】晶闸管是四层三端器件，三个电极分别为阳极（A）、阴极（K）和门极（G），门极用于控制其导通。​ 12.二极管的主要参数包括最大整流电流和（）。​ 【答案】最高反向工作电压​ 【解析】最大整流电流是允许长期通过的最大正向平均电流，最高反向工作电压是允许加的最大反向电压，这是二极管的两个关键参数。​ 13.三极管的输出特性曲线可分为截止区、放大区和（）。​ 【答案】饱和区​ 【解析】三极管输出特性曲线按工作状态分为三个区域：截止区（无放大作用）、放大区（电流放大）、饱和区（无放大作用）。​ 14.结型场效应管分为 N 沟道和（）沟道两种类型。​ 【答案】P​ 【解析】结型场效应管根据导电沟道类型，分为 N 沟道和 P 沟道，分别依靠电子和空穴导电。 15.光电二极管工作时需要加（）偏置电压。​ 【答案】反向​ 【解析】光电二极管工作在反向偏置状态，光照越强，反向漏电流越大，通过检测电流变化反映光强。 二、单项选择题（每题 2 分，共 20 分） 16.下列属于本征半导体的是（）。​ A. 掺磷的硅 B. 纯净的硅 C. 掺硼的硅 D. 掺砷的锗​ 【答案】B​ 【解析】本征半导体是纯净的半导体，未掺入杂质；A、C、D 均为掺入杂质的杂质半导体，故选 B。 17.PN 结正向偏置的条件是（）。​ A. P 区接电源负极，N 区接电源正极 B. P 区接电源正极，N 区接电源负极​ C. P 区和 N 区都接电源正极 D. P 区和 N 区都接电源负极​ 【答案】B​ 【解析】PN 结正向偏置指外部电压使 P 区电位高于 N 区，即 P 区接正、N 区接负，此时 PN 结导通，故选 B。​ 18.硅二极管正向导通时，其正向压降约为（）。​ A. 0.3V B. 0.7V C. 1.5V D. 3V​ 【答案】B​ 【解析】硅二极管正向导通时，正向压降基本稳定在 0.7V 左右，锗管约 0.3V，故选 B。​ 19.三极管工作在放大区时，各电极电流关系为（）。​ A. Ie=Ib+Ic B. Ib=Ie+Ic C. Ic=Ie+Ib D. 以上都不对​ 【答案】A​ 【解析】三极管电流满足基尔霍夫电流定律，发射极电流等于基极电流与集电极电流之和，即 Ie=Ib+Ic，故选 A。​ 20.下列关于稳压二极管的说法，正确的是（）。​ A. 工作在正向导通区 B. 反向击穿后不可恢复​ C. 需串联限流电阻使用 D. 稳定电压随电流变化很大​ 【答案】C​ 【解析】稳压二极管工作在反向击穿区（A 错误），击穿在规定范围内可恢复（B 错误），需串联限流电阻限制电流（C 正确），稳定电压随电流变化小（D 错误），故选 C。​ 21.发光二极管（LED）的导通条件是（）。​ A. 加反向电压 B. 加正向电压且超过死区电压​ C. 加正向电压但小于死区电压 D. 无需加电压​ 【答案】B​ 【解析】LED 本质是二极管，需加正向电压且超过死区电压才能导通发光，故选 B。​ 22.晶闸管导通的条件是（）。​ A. 阳极加正向电压，门极加反向电压 B. 阳极加反向电压，门极加正向电压​ C. 阳极加正向电压，门极加正向触发信号 D. 阳极加反向电压，门极加反向信号​ 【答案】C​ 【解析】晶闸管导通需同时满足：阳极加正向电压，门极加足够的正向触发信号（脉冲），故选 C。 23.场效应管与三极管相比，其特点是（）。​ A. 输入电阻低 B. 受温度影响大 C. 电压控制电流 D. 有二次击穿现象​ 【答案】C​ 【解析】场效应管是电压控制电流器件（C 正确），输入电阻极高（A 错误），受温度影响小（B 错误），无二次击穿（D 错误），故选 C。​ 24.三极管的 β 值越大，说明其（）。​ A. 电流放大能力越强 B. 电压放大能力越强​ C. 稳定性越好 D. 输入电阻越大​ 【答案】A​ 【解析】β 是电流放大倍数，β 越大，电流放大能力越强，但稳定性会变差，与电压放大能力、输入电阻无直接关联，故选 A。​ 25.下列器件中，属于电压控制型的是（）。​ A. 二极管 B. 三极管 C. 晶闸管 D. MOS 管​ 【答案】D​ 【解析】MOS 管（场效应管）是电压控制型器件；三极管、晶闸管是电流控制型；二极管无控制极，故选 D。 三、判断题（本大题共15题，每小题2分，共30分） 26.本征半导体的导电能力很强。（）​ 【答案】×​ 【解析】本征半导体中自由电子和空穴数量少，导电能力弱，掺杂后形成的杂质半导体导电能力显著增强。​ 27.PN 结反向偏置时，空间电荷区变宽。（）​ 【答案】√​ 【解析】PN 结反向偏置时，外部电压使内电场增强，空间电荷区（耗尽层）变宽，阻碍载流子运动，PN 结截止。​ 28.二极管正向电阻越小，反向电阻越大，性能越好。（）​ 【答案】√​ 【解析】理想二极管正向电阻为 0、反向电阻无穷大，实际中正向电阻越小、反向电阻越大，单向导电性越好，性能越优。​ 29.三极管工作在饱和区时，发射结和集电结均正向偏置。（）​ 【答案】√​ 【解析】三极管饱和区的偏置特点是：发射结正偏，集电结也正偏，此时 Ic 不再随 Ib 增大而显著增大。​ 30.稳压二极管击穿后，只要电流不超过允许值，就可正常工作。（）​ 【答案】√​ 【解析】稳压二极管的反向击穿是可逆的，只要工作电流在额定范围内，就可稳定工作，这是其正常工作状态。​ 31.发光二极管（LED）工作时，必须串联限流电阻。（）​ 【答案】√​ 【解析】LED 正向导通时电压低（约 1.5-3V），若直接接电源，电流会过大导致损坏，需串联限流电阻。​ 32.晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。（）​ 【答案】√​ 【解析】晶闸管导通后，门极信号不再影响其导通状态，要关断需使阳极电流小于维持电流。​ 33.场效应管的导电沟道是由多数载流子参与形成的，故又称单极型器件。（）​ 【答案】√​ 【解析】场效应管仅依靠一种载流子（多数载流子）导电，而三极管有两种载流子参与，故场效应管称为单极型器件，三极管称为双极型器件。​ 34.二极管的反向击穿是不可逆的，击穿后器件损坏。（）​ 【答案】×​ 【解析】二极管的反向击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿，稳压二极管利用的击穿是可逆的（在额定范围内），普通二极管击穿后通常损坏，故该说法不绝对，错误。​ 35.三极管的穿透电流 Iceo 越小，其稳定性越好。（）​ 【答案】√​ 【解析】穿透电流 Iceo 是基极开路时的集电极 - 发射极电流，受温度影响大，Iceo 越小，三极管性能越稳定。​ 36.NPN 型三极管和 PNP 型三极管的电流方向相反。（）​ 【答案】√​ 【解析】NPN 型三极管电流从集电极、基极流入，发射极流出；PNP 型则相反，电流方向相反，故选√。​ 37.结型场效应管工作时，栅源之间可以加正向或反向电压。（）​ 【答案】×​ 【解析】结型场效应管工作时，栅源之间需加反向电压，使 PN 结反偏，保证输入电阻高，加正向电压会导致 PN 结正偏，输入电阻降低，故选 ×。​ 38.晶闸管关断的条件是断开阳极电压或使阳极电流小于维持电流。（）​ 【答案】√​ 【解析】晶闸管关断需满足：阳极电流小于维持电流，可通过断开阳极电压、加反向电压等方式实现，故选√。​ 39.光电二极管在无光照射时，反向电流很小，称为暗电流。（）​ 【答案】√​ 【解析】光电二极管无光照射时，反向漏电流（暗电流）极小；光照越强，反向电流（光电流）越大，故选√。​ 40.半导体的导电能力随温度升高而增强。（）​ 【答案】√​ 【解析】温度升高，半导体中载流子数量显著增加，导电能力增强，与导体（温度升高电阻增大）不同，故选√。 四、简单题（共 2 题，每题 10 分，共 20 分） 41.简述单相桥式整流电路的工作原理。​ 【答案】单相桥式整流电路由 4 个二极管接成电桥形式，输入端接交流电源，输出端接负载。​ 工作原理如下：在交流电源正半周，二极管 VD1、VD3 导通，VD2、VD4 截止，电流从电源正极经 VD1、负载、VD3 回到电源负极，负载上得到上正下负的电压；​ 在交流电源负半周，二极管 VD2、VD4 导通，VD1、VD3 截止，电流从电源负极经 VD2、负载、VD4 回到电源正极，负载上仍得到上正下负的电压。​ 通过 4 个二极管交替导通，将交流电的正负半周均转换为单向脉动直流，实现整流功能。​ 【解析】桥式整流电路利用二极管的单向导电性，通过两组二极管交替工作，将交流电的正负半周全部利用，输出脉动直流，相比半波整流效率更高，需明确正、负半周中二极管的导通状态及电流路径。​ 42.说明三极管工作在放大区的条件及电流关系。​ 【答案】三极管工作在放大区的条件是：发射结正向偏置，集电结反向偏置。​ 电流关系为：发射极电流等于基极电流与集电极电流之和（Ie=Ib+Ic）；​ 集电极电流与基极电流成正比例关系（Ic=βIb），其中 β 为电流放大倍数，反映三极管的电流放大能力。​ 【解析】放大区是三极管实现电流放大的核心区域，偏置条件是保证放大的前提，电流关系体现了基极电流对集电极电流的控制作用，需强调 Ic 受 Ib 控制的本质（电流控制电流）。​ 学科网（北京）股份有限公司1 学科网（北京）股份有限公司 $$ 编写说明：2026版陕西省《机电类基础综合课程考纲训练卷》，是依据陕西省职教高考《机电类基础综合课程考试标准》编写，本套试卷共110份由三个部分组成。第一部分是知识点训练卷，每个考点1-2份试卷共76份；第二部分是常考题训练卷，考纲有9个知识模块，每个知识模块2-4份训练卷共24份；第三个部分是专业综合训练卷，参考历年来机电类基础综合课程真题试卷，编写的10份专业综合训练卷。 本试卷是《机电类基础综合课程考纲训练卷》的第9卷，是知识点训练卷。按知识模块1.电工电子技术。根据常用半导体器件要求编写。其要求是：掌握常用半导体器件知识。 2026版陕西省《机电类基础综合课程考纲训练卷》 第9卷 知识模块1 电工电子技术 5.常用半导体器件 知识点训练卷 考试时间60分钟 满分100分 一、填空题（本大题共15小题，每题2分，共30分） 1.半导体分为本征半导体和（）半导体。​ 2.N 型半导体的多数载流子是（）。​ 3.PN 结具有（）导电性。​ 4.硅二极管的死区电压约为（）V。​ 5.稳压二极管工作在（）击穿区。​ 6.三极管有三个电极，分别是发射极、基极和（）。​ 7.NPN 型三极管处于放大状态时，发射结（）偏置，集电结反向偏置。​ 8.三极管的电流放大倍数 β 的表达式为 β=（）。​ 9.场效应管是（）控制型器件。​ 10.发光二极管（LED）工作时，需要串联（）以限制电流。​ 11.晶闸管有三个电极，分别是阳极、阴极和（）。​ 12.二极管的主要参数包括最大整流电流和（）。​ 13.三极管的输出特性曲线可分为截止区、放大区和（）。​ 14.结型场效应管分为 N 沟道和（）沟道两种类型。​ 15.光电二极管工作时需要加（）偏置电压。​ 二、单项选择题（每题 2 分，共 20 分） 16.下列属于本征半导体的是（）。​ A. 掺磷的硅 B. 纯净的硅 C. 掺硼的硅 D. 掺砷的锗​ 17.PN 结正向偏置的条件是（）。​ A. P 区接电源负极，N 区接电源正极 B. P 区接电源正极，N 区接电源负极​ C. P 区和 N 区都接电源正极 D. P 区和 N 区都接电源负极​ 18.硅二极管正向导通时，其正向压降约为（）。​ A. 0.3V B. 0.7V C. 1.5V D. 3V​ 19.三极管工作在放大区时，各电极电流关系为（）。​ A. Ie=Ib+Ic B. Ib=Ie+Ic C. Ic=Ie+Ib D. 以上都不对​ 20.下列关于稳压二极管的说法，正确的是（）。​ A. 工作在正向导通区 B. 反向击穿后不可恢复​ C. 需串联限流电阻使用 D. 稳定电压随电流变化很大​ 21.发光二极管（LED）的导通条件是（）。​ A. 加反向电压 B. 加正向电压且超过死区电压​ C. 加正向电压但小于死区电压 D. 无需加电压​ 22.晶闸管导通的条件是（）。​ A. 阳极加正向电压，门极加反向电压 B. 阳极加反向电压，门极加正向电压​ C. 阳极加正向电压，门极加正向触发信号 D. 阳极加反向电压，门极加反向信号​ 23.场效应管与三极管相比，其特点是（）。​ A. 输入电阻低 B. 受温度影响大 C. 电压控制电流 D. 有二次击穿现象​ 24.三极管的 β 值越大，说明其（）。​ A. 电流放大能力越强 B. 电压放大能力越强​ C. 稳定性越好 D. 输入电阻越大​ 25.下列器件中，属于电压控制型的是（）。​ A. 二极管 B. 三极管 C. 晶闸管 D. MOS 管​ 三、判断题（本大题共15题，每小题2分，共30分） 26.本征半导体的导电能力很强。（）​ 27.PN 结反向偏置时，空间电荷区变宽。（）​ 28.二极管正向电阻越小，反向电阻越大，性能越好。（）​ 29.三极管工作在饱和区时，发射结和集电结均正向偏置。（）​ 30.稳压二极管击穿后，只要电流不超过允许值，就可正常工作。（）​ 31.发光二极管（LED）工作时，必须串联限流电阻。（）​ 32.晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用。（）​ 33.场效应管的导电沟道是由多数载流子参与形成的，故又称单极型器件。（）​ 34.二极管的反向击穿是不可逆的，击穿后器件损坏。（）​ 35.三极管的穿透电流 Iceo 越小，其稳定性越好。（）​ 36.NPN 型三极管和 PNP 型三极管的电流方向相反。（）​ 37.结型场效应管工作时，栅源之间可以加正向或反向电压。（）​ 38.晶闸管关断的条件是断开阳极电压或使阳极电流小于维持电流。（）​ 39.光电二极管在无光照射时，反向电流很小，称为暗电流。（）​ 40.半导体的导电能力随温度升高而增强。（）​ 四、简单题（共 2 题，每题 10 分，共 20 分） 41.简述单相桥式整流电路的工作原理。​ ​ 42.说明三极管工作在放大区的条件及电流关系。​ 学科网（北京）股份有限公司1 学科网（北京）股份有限公司 $$