内容正文:
高二同步周测卷/化学选择性必修2
4.下列各组物质中,按格点由低到高排列的是
(五)金属品体、离子晶体、配合物与超分子
A.O:.I,.Hg
B.NaCl.KCl,RbCl
(考试时间40分钟.满分100分)
可能用到的相H原千质量:Na23S32C☐35.5K39
C.Al.Mg,Na
一,选择题本题包括7小题,每小题4分,共28分。每小题只有一个选项符合题意)
D.CH.HCI.HF
1,下列说法错误的是
5.下列关于超分子和配合物的叙述结误的是
A.共价品体一定不含离子键
A.[C(NH:)《H:O),C中三价铬离子提供空轨道,N,O.C提供孤电子对与三
B,离子品体可能含有共价细
价络离子彩成配位健,其中心高子的配位数为
C,周态不导电,溶于水能导电,这一性颜能说明茶品体一定是离子品体
尼合物[1i1(H(),]CL,·H)中存在离子键,共价键,配位键,若加人足量Ag
D品体中含有阳离子,不一定含有阴离子
NO溶液,所有C均被完全沉淀
2,下列关于配位化合物的叙述错误的是
C,超分子是两种或两种以上的分子通过分子间相互作用形成的分子聚集体,包括
A.配位化合售中色定存在配位健
离子
B,配位化合物中只有配位健
D,人体组重和组散器的双分子膜体现了超分子的自组装的转征
C,下(SCN):]中的Fc提供室轨道,N中的偏原子提供弧电子对彩成配位键
丘.下列说法正确的是
D许多过逻无素的离子(如C,Ag等)和某些主族元素的离子或分子(如NH,:
A,单质晶体中不存在共价键
川等)能形成配合物
丘NaC1品体中,一个Nm周成有4个景邻的C1
3,金属能导电的原因是
人金属品体中的白由电子在外加电场作用下可发生定向移动
C,某物质品胞如图所示,其化学式为KCF
B.金属品体中金属阳离子与自由电子到的作用很强
D品体硅和储都属于其价品体,熔点G>S别
C.金属品体中的金属离子在外加电场作用下可发生定向移动
D.金属品体在外加电畅作用下可失去电子
化学(入校版·日X)选择性多修2第1医其8页引
衡水金等·先享形·高二网步周测芬五
化学[人较版·HX)路择性多修2第2西共8页)
.岗化钠(NX)和四岗化铁《TX,)的锦点明所示,下列判斯错误的是
9.NC广泛位用于食品,氯碱工业等领战,N1、Cw国的品胞如图所示。下列说法错
误的是
A,TF,的格点反常升高悬由于氮健的作用
NX随X半径增大,离子键减刷
231
人若心品赣中Na与最近的被间距为4m,期其品体密度为名·m
C.四氯化钛中存在共价健和分子间作用力
&点:NaC<CC口
D.F的电负性强于1.Br,1
C.NaC1和CC1品体中阳离子的配位数相月
二.选择■(本题包括3小思,可小题8分,共24分。每小题有+个或两个法项符合四
D,NaC和CCI品体均为离子昌体
意,全部达对得8分,选对但不全的得4分,有选错的得0分)
10碎化像是-一种重要的半导体材料.点1238℃,它在00℃以下能在空气中稳定
8.硫化钾K:S)主要用作分析试剂,原毛剂,也可用于医药工业,其品体具有如图所示
存在,并且不被非氧化性的酸侵蚀。绅化锦晶围结构知图所示。下列说法正确的是
的反莹石结构,已知品图参数为a四,N、为阿伏加德罗常数的值。下列说法错误
的是
A.碑化家是一种离子品体
五,胖化惊巾不存在配位健
A,图中X代表的是罗
C.品跑中Ga原子与As原子的数量比为4:1
B等之问的最复距璃为2apm
D.品胞中与G等距且最近的As形成的空间站构为正四面体形
C镜化钾的寄度为想。·m
屏境
性名
分数
D,K填充在S构成的正四体空腺中
题号
4
化学人餐版·HX)选择性必修2第3面(黄8页)
衡水金等·先享题·商二阿步周测蓉五
化学(人粒版·X)透桶性多修多第4面1其8页)
三、非选择题(本题包括2小题,共8分)
(2)四、③、①是碳元素形成的不同单魔,被此互为
,其中
11,(24分)根据如图所示物质同答下列问题:
属于共价品体的是
《填序号),配位数为
的。
(3)⑤为干冰品胞结构示意图,解释霜福常压下C0为气体的原因
裂
N.
金侧石昌翻
(《)⑤为石英品体结均的一幕分,平均1m6l5(),中含有
mol Si-0
00
20
(1)①中Na与C之何的相互作用是
健C)与S)化学式相似,但容沸点、硬度,溶解性等精理性质却有很大不同,主
《填有“或“无)饱和性与方向性
要原因是二者的
不同
(5)⑦为金同铜的晶胞结构示意图,其中含
个C▣照子,铜品体
中,每个C原子周围最近且臣离相等的C如原子的个数为
化学(入校版·日X)选择性多修2第多医其8页引
衡水金等·先享形·高二网步周测芬五
化学[人粒版·HX引透择性多榜2第6页1共8页)
12,(24分)金属材料在规代应用十分广泛.回答下列问思
分新T,TB,T的悠点呈现·定变化规律的原因基
1,(门)基态铁票子的价层电子排布式为
,它位于元素
周划表的
目.(1)NO,FeO的品体站构类趣均与氟北钠的相同,N和Fe的离子半径分别
(2)钻比翻轻,比铝硬,是一种新兴的结构材料,钻的睫度比铝大的源树是
为69m和78pm,则馆点:N0
(填<”或“>“)F(O:NiO福胞
中N5和O的配位数分别为
(3)TX,的熔点如下表断示:
(5)金属徨与鞠(L)形成的合金是一种良好的特氢材料,其晶脑结构示意图如图所
物质
TiCl
TiBr.
T.
示。该合金的化学式为
期点/℃
-24.12
18.a
16
化学人餐版·HX)选择性必修2第?面(黄8页)
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化学(人粒版·X)透桶性多修多篱8页1其8页)高二周测卷
·化学(人教版·HX)选择性必修2·
高二同步周测卷/化学选择性必修2(五)》
品题要素一览表
注:
1.能力要求:
I.知识获取能力Ⅱ,实践操作能力Ⅲ,思维认知能力
2.学科素养:
①宏观辨识与微观探析
②变化观念与平衡思想
③证据推理与模型认知①科学探究与创新意识
⑤科学态度与社会责任
分
知识点
能力要求
学科素养
预估难度
题号
题型
值
(主题内容)
①
②③①
档次
系数
1
选择题
品体的特点
易
0.90
2
选择题
4
配合物特点分析
易
0.90
3
选择题
电子气理论
易
0.90
4
选择题
4
熔点比较
易
0.85
5
选择题
4
超分子和配合物的特点分析
易
0.85
6
选择题
不同类型品体特点分析
易
0.65
分子晶体熔点、元素半径、电负性比
选择题
易
0.65
较等
品胞中元素推断、品胞密度计算、微
8
选择题
8
中
0.65
粒距离等
离子品体中配位数、品胞密度熔点
9
选择题
0.65
比较
%
10
选择题
品胞分析
中
0.65
11
离子键的特点,配位数、共价键数
非选择题
24
中
0.60
目等
价电子排布式、元素位置、品体熔点
12
非选择题
24
难
0.50
比较,配位数,品胞分析等
耆答案及解析
一、选择题
导电、溶于水能导电的不一定是离子品体,如AC1,
1.C【解析】共价品体只含有共价键,有离子键的是离
C项错误:金属品体中含有金属阳离子和自由电子,
子品体,A项正确:由阴阳离子构成的化合物为离子
没有阴离子,D项正确。
品体,离子品体中可能含有共价键,B项正确:固体不
2.B【解析】配位化合物中一定含有配位键,但也可能
·59.
·化学(人教版·HX)选择性必修2·
参考答案及解析
含有离子键等其他化学键,故选B项。
9.BC
【解析】若NaCI品胞中Na+与最近C的核间
3.A【解析】组成金属品体的微粒为金属阳离子和自
距为acm,则品胞参数为2acm1个品胞中含有8X
由电子,在金属品体中的自由电子在外加电场作用下
吉+6×号=4个销离子和12×+1=4个氧离子,
可发生定向移动,因此能导电,故选A项。
4.D【解析】熔点:固体>液体>气体,故熔点:1>Hg
4×58.5
234
则其品体密度为2ag·m3=8a入g·am,A
>O:,A项错误:品格能:NaCI>KCI>RbC1,故熔点:
项正确:Cs半径大于h,离子键强度:NC>CsC1,则
NaCI>KCI>RbC1,B项错误;金属键:AI>Mg>Na,
熔点:NC>CsCI,B项错误:NC品体中阳离子的配位
故熔点:A>Mg>Na,C项错误:熔点:CH,<HCI<
数为6,CsC1品体中阳离子的配位数为8,二者配位数
HF,D项正确。
不同,C项错误:NaCL和CsC1均为离子化合物,则
5.B【解析】[Cr(NH,),(HO):CI]+中Cr2+具有空
NaCI和CsC1品体均为离子晶体,D项正确。
轨道,N、O、C1具有孤电子对,能够形成配位键,其中
10.D【解析】根据砷化像熔点数据和品胞结构(空间
心离子的配位数为6,A项正确:加入足量AgNO溶
网状)可知,砷化嫁为共价品体,A项错误:G最外
液,配合物[TC1(HO)]C1:·HO中外界离子CI
层有3个电子,每个Ga与4个As成键,所以砷化嫁
与Ag反应,内界配位离子C不与Ag反应,B项
必有配位键,B项错误:品胞中G位于顶点和面心,
错误:超分子是两种或两种以上的分子通过分子间相
则数目为4,As位于品胞内,数目为4,所以品胞中
互作用形成的分子聚集体,包括离子,C项正确:人体
Ga原子与As原子的数目之比为11,C项错误:由
细胞和细胞器的双分子膜体现了超分子的自组装的
图可知,品胞中Ga与周围等距且最近的As形成的
特征,D项正确。
空间结构为正四面体形,D项正确。
6.C【解析】大多数单质品体中存在共价键,如金刚
三、非选择题
石、品体硅等,A项错误:NCI品体中,一个Na周围
11.(24分)
有6个紧邻的CI,B项错误:由品跑结构可知C:位
(1)离子键(2分)无(2分)
于体心,个数为1,F位于面心,个数为3,K位于顶
(2)同素异形体(2分)④(2分)4(2分)
点,个数为1,则该品体的化学式为KCaFx,C项正
(3)干冰属于分子品体,在干冰中CO,分子之间只
确,Si原子半径小于Ge,Si一Si键比Ge一Ge键的键
存在范德华力,范德华力很弱,胶坏范德华力需要的
长短,键能大,则熔点Ge<Si,D项错误。
能量很少,干冰的熔沸点很低,极易升华(3分,其他
7,A【解析】TF,中没有H原子,分子间不能形成氢
合理答案也给分)
键,A项错误;NX属于离子品体,X的半径越大,品
(4)4(3分)品体结构(2分)
格能越小,离子键越弱,故NX随X半径增大,离子
(5)4(3分)12(3分)
键减弱,B项正确:四氯化钛熔点较低,说明四氯化钛
【解析】(1)NaCI属于离子品体,①中Na与CI之
是分子晶体,存在共价键和分子间作用力,C项正确:
间的相互作用是离子键,离子键没有饱和性与方
TF,的熔点反常升高是因为F的电负性很强,F和
向性。
T+形成离子键,则TF:是离子品体,熔沸点较高,
(2)②、③,④分别为C、石最、金刚石,它们是碳元
而TiCl、TiB:,Tl:熔点较低,说明它们是分子品
素形成的不同单质,彼此互为同素异形体:其中C
体,则F的电负性强于CI.Br、I,D项正确。
属于分子品体,石最屈于混合型晶体、金刚石园于共
二、选择题
价品体,金刚石中碳原子均采取sp杂化,每个碳原
8.AB【解析】X代表K,Y代表S,A项错误:S之
子以4个共价单键对称地与相邻的4个碳原子结
间的最短距离为对角线的一半。
apm,B项结误;品胞
合,金刚石品胞中碳原子的配位数为4。
(3)干冰属于分子品体,在干冰中C0,分子之间只
中有4个KS.质量为恕g,体积为a×10“yam,酱
存在范德华力,范德华力很弱,破坏范德华力需要的
度为440X10
能量很少,干冰的赔沸点很低,极易升华,使得常温
N·:g·m,C项正确:由图可知,K填充在
常压下CO为气体
S构成的正四面体空隙中,D项正确。
(4)在石英晶体中,每个Si原子形成4个Si一O键,
·60.
高二周测卷
·化学(人教版·HX)选择性必修2·
每个O原子形成2个OSi键,平均1 mol Si(O,中
(5)LNi(3分)
含有4 mol Si一O键:CO2与SiO,化学式相似,但
【解析】1,(1)钛是22号元素,基态钛原子的价层
C):与SiO的品体结构不同,CO属于分子品体、
电子排布式为3d4s,位于第四周期第VB族,位于
SO,属于共价品体,范德华力远小于共价键键能,
元素周期表的d区。
故CO:与SO2的熔沸点、硬度、溶解性等物理性质
(2)钛原子的价电子数比铝原子多,金属键更强,所
有很大不同。
以钛的硬度比铝大。
(5)金属铜的品胞结构为面心立方最密堆积,根据
(3)TiCl,,TBr,Til均为分子品体,组成与结构相
“均摊法”,其中含Cu原子:8×日十6×之=4:以面
似,随若相对分子质量增大,分子间作用力增大,熔、
沸点升高。
心Cu为研究对象,顶点4个Cu,面心8个Cu,则每
Ⅱ.(4)NO,FcO都属于离子品体,熔点高低受离子
个Cu原子周围最近且距离相等的Cu原子的个数
键强弱影响,离子半径越小,离子键越强,格点越高,
为12。
熔点:NiO>FeO:因为NiO品体结构与NaCI相同,
12.(24分)
而NaCI品体中Na,C的配位数都是6,所以NiO
I.(1)3d4s(3分)d(3分)
品体中N+、O的配位数也都是6。
(2)钛原子的价电子数比铝原子多,金属键更强(3
(5)根据晶胞结构可计算,一个合金品胞中,L:8×
分,其他合理答案也给分)
(3)三者均为分子品体,组成与结构相似,随着相对
=1,N,1+8×号
8
=5,所以该合金的化学式为
分子质量增大,分子间作用力增大,熔、沸点升高
LaNi。
(3分)
Ⅱ.(4)>(3分)6(3分)6(3分)
·61