第2卷-PN结和二极管-山东省春季高考电子技术类专业《模拟电子技术基础及应用考点双析卷》

编写说明：山东省春季高考《模拟电子技术基础及应用考点双析卷》，依据《山东省春季高考统一考试招生专业类别考试标准（2025年版）电子技术类》（以下简称考纲）编写。“考点双析”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷。助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环，特别适用于第一轮高考复习教学。 本专辑第1、第2卷精准对标考纲，知识模块（二）.模拟电子技术基础及应用： 1.常用半导体器件的结构、分类、特性、用途及参数：（1）了解 PN 结、半导体二极管结构及单向导电性、伏安特性和主要参数。 山东省春季高考电子技术类专业 《模拟电子技术基础及应用考点双析卷》第2卷 PN结和二极管 学生练习卷 时间：90分钟 总分：100分 班级_______姓名_______成绩_______学号_______ 一、单选题（本大题共24小题，每题3分，共72分） 1．PN结两端加正向电压时，其正向电流是 而成。（     ） A．多子扩散 B．少子扩散 C．少子漂移 D．多子漂移 2．PN结中，哪一侧是正电荷区（   ） A．P区 B．N区 C．无法确定 D．两侧都是 3．PN 结加反向电压时，电流（   ） A．很大 B．很小 C．不变 D．为零 4．如果用不同型号的万用表测量二极管的正反向电阻，可能会观察到什么现象（   ） A．测量结果相同 B．测量结果相差无几 C．测量结果差异很大 D．无法测量出电阻值 5. 使用万用表在不同电阻档位下测量二极管正反向电阻时，结果差异较大的主要原因是什么（   ） A．该管已坏 B．万用表各档位的准确性不同 C．电源电压不稳定 D．二极管的阻值变化较大 6．如果万用表测得二极管的正向电阻很小，反向电阻很大，那么二极管（   ） A．特性良好 B．已被击穿 C．内部开路 D．功能正常 7．电路如图所示,设二极管 VD1、VD2的正向压降可忽略不计,反向电流为0.1mA,反向击穿电压为24V,则流过电阻的电流为（   ） A．10 mA B．0.1 mA C．1 mA D．0 8．某二极管的击穿电压是400V，下列那只二极管不会被击穿（   ） A．最高反向工作电压为120v B．最高反向工作电压为220v C．最高反向工作电压为100v D．最高反向工作电压为80v 9．判断二极管极性时，有白色环的一端通常为（   ） A．正极 B．负极 C．不确定 D．以上都不对 10．下列图形符号中，哪一个是发光二极管的图形符号（   ） A． B． C． D． 11．晶体二极管内部由 构成（   ） A．一个PN结 B．两个PN结 C．两块N型半导体 D．两块P型半导体 12．用万用表电阻挡测量小功率二极管的性能好坏时，应把电阻挡置于。（    ） A．R×100或R×1K挡 B．R×1挡 C．R×10K挡 D．R×10挡 13．用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等1KΩ，说明该二极管（    ） A．已经击穿 B．完好状态 C．内部老化不通 D．无法判断 14．用万用表区分稳压二极管和普通二极管时，量程应选择（   ） A．R×10档 B．R×100档 C．R×1k档 D．R×10k档 15．在使用万用表检测二极管时，以下哪项操作是不正确的（   ） A．确保二极管的正负极与万用表的红黑表笔对应连接 B．检测前先对万用表进行校准 C．使用万用表的电流档测量二极管的正反向电阻 D．注意观察万用表显示的电阻值 16．当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（     ） A．左移，下移 B．右移，上移 C．左移，上移 D．右移，下移 17．二极管导通后两端电压基本不变（   ） A．硅管约为0.2 V，锗管约为0.5 V B．硅管约为0.5 V，锗管约为0.2 V C．硅管约为0.3 V，锗管约为0.7 V D．硅管约为0.7 V，锗管约为0.3 V 18．二极管在反向截止区的反向电流（   ） A．随反向电压升高而升高 B．随反向电压升高而急剧升高 C．基本保持不变 D．随反向电压升高而减少 19．如图所示为硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线，下列说法错误的是（   ） A．Oa为锗管的正向特性曲线，锗二极管死区电压小 B．Ob为硅管正向特性曲线，硅二极管导通压降大 C．二极管伏安特性曲线描述加在二极管两端电压与通过二极管电流之间的关系 D．Oc和Od分别为硅管和锗管的反向特性曲线，Od反向饱和电流小于Oc 20．若把二极管直接同一个电动势为2V,内阻为零的电源实行正向连接，则该管（   ） A．击穿 B．电流为零 C．电流过大而损坏 D．正向电压偏低而截止 21．在选择二极管时，需要考虑的参数有（   ） A．最大反向电压 B．最大整流电流 C．工作频率 D．以上都是 22．一个硅二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（   ） A．大于150V B．略小于150V C．不得超过40V D．等于75V 23．电路如图所示,已知R1=2 kΩ,R2=1kΩ,VD1、VD2均为理想二极管,则二极管的导通情况（   ） A．VD1、VD2 都导通 B．VD1、VD2 都截止 C．VD1导通,VD2 截止 D．VD1 截止,VD2 导通 24．电路如图所示，设二极管正向电阻为零，反向电阻为无穷大，则电压ＵAB为（   ） A．-3伏 B．5伏 C．8伏 D．-8伏 二、简答题（本大题共2小题，每小题5分，共10分） 25．二极管的主要参数有哪些？它们分别表示什么意义？ 26．当用万用表的电阻挡测量同一只二极管时，会发现不同的挡位所读出的阻值并不相同，而测量同一只电阻时不会有此现象，这说明这只二极管坏了吗？为什么？ 三、分析计算题（本大题8分） 27．电路如图所示，二极管为锗二极管，请分析二极管的状态并计算回路电流。 四、综合应用题（本大题10分） 28．分析如图（a）所示的电路 (1)写出电路名称; (2)说明工作原理; (3)如图（b）所示，根据输入波形画出对应的u0波形 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 $$ 编写说明：山东省春季高考《模拟电子技术基础及应用考点双析卷》，依据《山东省春季高考统一考试招生专业类别考试标准（2025年版）电子技术类》（以下简称考纲）编写。“考点双析”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷。助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环，特别适用于第一轮高考复习教学。 本专辑第1、第2卷精准对标考纲，知识模块（二）.模拟电子技术基础及应用： 1.常用半导体器件的结构、分类、特性、用途及参数：（1）了解 PN 结、半导体二极管结构及单向导电性、伏安特性和主要参数。 山东省春季高考电子技术类专业 《模拟电子技术基础及应用考点双析卷》第2卷 PN结和二极管 学生练习卷 时间：90分钟 总分：100分 班级_______姓名_______成绩_______学号_______ 一、单选题（本大题共24小题，每题3分，共72分） 1．PN结两端加正向电压时，其正向电流是 而成。（     ） A．多子扩散 B．少子扩散 C．少子漂移 D．多子漂移 【答案】A 【详解】如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。 在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。 这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成较大的扩散电流，称为正向电流。 2．PN结中，哪一侧是正电荷区（   ） A．P区 B．N区 C．无法确定 D．两侧都是 【答案】A 【详解】在PN结中，P型半导体区域由于空穴浓度高，呈现出正电性，而N型半导体区域由于电子浓度高，呈现出负电性。因此，正电荷区是P区。 3．PN 结加反向电压时，电流（   ） A．很大 B．很小 C．不变 D．为零 【答案】B 【详解】PN 结加反向电压时，处于截止状态，电流很小。所以选择 B 选项。 4．如果用不同型号的万用表测量二极管的正反向电阻，可能会观察到什么现象（   ） A．测量结果相同 B．测量结果相差无几 C．测量结果差异很大 D．无法测量出电阻值 【答案】C 【详解】不同型号的万用表可能在电阻测量档位的精确度和测量方法上有所不同，因此测量二极管正反向电阻时会导致结果的显著差异。因此，正确答案是 C。 5. 使用万用表在不同电阻档位下测量二极管正反向电阻时，结果差异较大的主要原因是什么（   ） A．该管已坏 B．万用表各档位的准确性不同 C．电源电压不稳定 D．二极管的阻值变化较大 【答案】B 【详解】万用表在不同电阻档位下的测量原理和精度可能有所不同，导致测量结果会有较大的差异。因此，正确答案是 B。 6．如果万用表测得二极管的正向电阻很小，反向电阻很大，那么二极管（   ） A．特性良好 B．已被击穿 C．内部开路 D．功能正常 【答案】A 【详解】正向电阻很小，反向电阻很大，说明二极管特性良好，A选项正确 7．电路如图所示,设二极管 VD1、VD2的正向压降可忽略不计,反向电流为0.1mA,反向击穿电压为24V,则流过电阻的电流为（   ） A．10 mA B．0.1 mA C．1 mA D．0 【答案】A 8．某二极管的击穿电压是400V，下列那只二极管不会被击穿（   ） A．最高反向工作电压为120v B．最高反向工作电压为220v C．最高反向工作电压为100v D．最高反向工作电压为80v 【答案】B 【详解】最高反向工作电压为击穿电压的1/2~1/3，最高反向工作电压为220v的二极管不会被击穿。 9．判断二极管极性时，有白色环的一端通常为（   ） A．正极 B．负极 C．不确定 D．以上都不对 【答案】B 【详解】有白色环的一端通常为负极。所以选择 B 选项。 10．下列图形符号中，哪一个是发光二极管的图形符号（   ） A． B． C． D． 【答案】B 【详解】本题为高考真题，主要考察发光二极管的图形符号，注意区分A选项与B选项，箭头朝外指才是发光二极管，箭头朝内指是光电二极管。 11．晶体二极管内部由 构成（   ） A．一个PN结 B．两个PN结 C．两块N型半导体 D．两块P型半导体 【答案】A 【详解】二极管的核心结构是一个PN结。 12．用万用表电阻挡测量小功率二极管的性能好坏时，应把电阻挡置于。（    ） A．R×100或R×1K挡 B．R×1挡 C．R×10K挡 D．R×10挡 【答案】A 【详解】指针式万用表使用电阻挡R×1k或者R×100量程，数字万用表使用二极管挡。 13．用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等1KΩ，说明该二极管（    ） A．已经击穿 B．完好状态 C．内部老化不通 D．无法判断 【答案】C 【详解】已经击穿：如果二极管已经击穿，其正反向电阻都会很小，几乎接近于零，而不是约1KΩ，所以不是已经击穿的状态。 完好状态：正常完好的二极管正向电阻较小，一般为几百欧姆以下，反向电阻很大，通常在几十千欧姆以上甚至无穷大，而不是正反向电阻均约1KΩ，所以不是完好状态。 内部老化不通：当二极管内部老化或出现某些故障时，可能会导致其正反向电阻特性发生变化，出现正反向电阻比较接近的情况，均约1KΩ说明二极管性能已不正常，很可能是内部老化不通等问题。 选C。 14．用万用表区分稳压二极管和普通二极管时，量程应选择（   ） A．R×10档 B．R×100档 C．R×1k档 D．R×10k档 【答案】D 15．在使用万用表检测二极管时，以下哪项操作是不正确的（   ） A．确保二极管的正负极与万用表的红黑表笔对应连接 B．检测前先对万用表进行校准 C．使用万用表的电流档测量二极管的正反向电阻 D．注意观察万用表显示的电阻值 【答案】C 【详解】使用万用表的电流档测量二极管的正反向电阻是不正确的操作。应该使用电阻档来测量二极管的正反向电阻。 16．当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（     ） A．左移，下移 B．右移，上移 C．左移，上移 D．右移，下移 【答案】A 【详解】二极管的正向电压将减小，反向饱和电流将增大。 在环境温度升高时，正向特性曲线将左移，反向特性曲线将下移。 在室温附近，温度每升高1℃，正向压降减小2~2.5mV，温度每升高10℃，反向电流约增大一倍。 17．二极管导通后两端电压基本不变（   ） A．硅管约为0.2 V，锗管约为0.5 V B．硅管约为0.5 V，锗管约为0.2 V C．硅管约为0.3 V，锗管约为0.7 V D．硅管约为0.7 V，锗管约为0.3 V 【答案】D 18．二极管在反向截止区的反向电流（   ） A．随反向电压升高而升高 B．随反向电压升高而急剧升高 C．基本保持不变 D．随反向电压升高而减少 【答案】B 19．如图所示为硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线，下列说法错误的是（   ） A．Oa为锗管的正向特性曲线，锗二极管死区电压小 B．Ob为硅管正向特性曲线，硅二极管导通压降大 C．二极管伏安特性曲线描述加在二极管两端电压与通过二极管电流之间的关系 D．Oc和Od分别为硅管和锗管的反向特性曲线，Od反向饱和电流小于Oc 【答案】D 20．若把二极管直接同一个电动势为2V,内阻为零的电源实行正向连接，则该管（   ） A．击穿 B．电流为零 C．电流过大而损坏 D．正向电压偏低而截止 【答案】C 【详解】内阻为零，电流无穷大，二极管会因为电流过大而损坏。 21．在选择二极管时，需要考虑的参数有（   ） A．最大反向电压 B．最大整流电流 C．工作频率 D．以上都是 【答案】D 【详解】在选择二极管时，最大反向电压、最大整流电流和工作频率等参数都需要考虑。所以选择 D 选项。 22．一个硅二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（   ） A．大于150V B．略小于150V C．不得超过40V D．等于75V 【答案】D 23．电路如图所示,已知R1=2 kΩ,R2=1kΩ,VD1、VD2均为理想二极管,则二极管的导通情况（   ） A．VD1、VD2 都导通 B．VD1、VD2 都截止 C．VD1导通,VD2 截止 D．VD1 截止,VD2 导通 【答案】D 24．电路如图所示，设二极管正向电阻为零，反向电阻为无穷大，则电压ＵAB为（   ） A．-3伏 B．5伏 C．8伏 D．-8伏 【答案】D 【详解】二极管左边的电位为-8V，右边的电位为-3V。 UD=-3-(-8)=5V>0导通 所以UAB与8V电压源并联且反向。UAB=-8V 二、简答题（本大题共2小题，每小题5分，共10分） 25．二极管的主要参数有哪些？它们分别表示什么意义？ 【答案】1. 最大整流电流 (IF)意义: 最大整流电流是指二极管在长时间连续工作时允许通过的最大正向平均电流值。超过此值可能导致二极管过热而损坏。其值与PN结面积及外部散热条件等有关。 2. 最高反向工作电压 (VRM 或 Udrm)意义: 最高反向工作电压是指二极管在反向偏置条件下允许承受的最大电压。超过此值可能导致二极管发生击穿损坏。 3. 反向电流 (IR)意义: 反向电流是指在二极管两端施加最高反向电压时流过的反向电流。反向电流越小，表明二极管的单向导电性能越好。值得注意的是，反向电流与温度有着密切的关系，温度升高会导致反向电流增大。 4. 动态电阻 (Rd)意义: 动态电阻是指二极管特性曲线在静态工作点附近电压变化与电流变化之比。动态电阻反映了二极管在开关状态下的性能。 5. 最高工作频率 (fM)意义: 最高工作频率是指二极管在正常工作条件下允许通过交流信号的最高频率。超过此频率，二极管的单向导电性能可能受到影响。 6. 电压温度系数 (αuz)意义: 电压温度系数是指温度每升高一摄氏度时，二极管两端稳定电压的相对变化量。该参数反映了二极管的温度稳定性，αuz值越小，温度稳定性越好。 7. 结电容 (Cj)意义: 结电容是指在二极管两端加规定偏压下，检波二极管或结电容。结电容影响二极管的高频性能 8. 峰值反向电压 (PRV)意义: 峰值反向电压是指二极管能够承受的瞬时反向电压峰值。在选择二极管时，应注意其峰值反向电压。 9. 正向电压降温度系数 (TCVF)意义: 正向电压降温度系数是指正向电压降随温度变化的程度。在某些应用中，如高精度电路中，温度对正向电压降的影响可能需要特别注意。 10. 恢复时间 (tRR)意义: 恢复时间是指二极管从正向工作状态转变为反向工作状态所需的时间。在一些高速电路中，需要选择具有较小恢复时间的二极管。 11. 功耗 (PD)意义: 功耗是指二极管在正向工作时消耗的功率。功耗与额定电流和正向电压降有关。 12. 封装类型意义: 不同的封装类型适用于不同的应用场景。常见的封装类型有SMD、插件和TO-220等。在选择二极管时，应根据具体应用需求选择合适的封装类型。 13. 最大工作温度 (Tjmax)意义: 最大工作温度是指二极管能够承受的最高温度。超过该温度可能会导致二极管的性能下降或损坏。 26．当用万用表的电阻挡测量同一只二极管时，会发现不同的挡位所读出的阻值并不相同，而测量同一只电阻时不会有此现象，这说明这只二极管坏了吗？为什么？ 【答案】二极管正向导通时，随导通电流的大小不同，它的动态电阻（正向导通电阻）也不同。一般情况是导通电流大相应的动态电阻就小。 三、分析计算题（本大题8分） 27．电路如图所示，二极管为锗二极管，请分析二极管的状态并计算回路电流。 【答案】 四、综合应用题（本大题10分） 28．分析如图（a）所示的电路 (1)写出电路名称; (2)说明工作原理; (3)如图（b）所示，根据输入波形画出对应的u0波形 【答案】(1)并联型双向限幅电路 (2)当ui<-10V时,VD1导通,VD2截止,uo=-10V;当-10V<ui<2V时,VD1、VD2均截止,uo=ui;当ui≥2V,VD1截止,VD2导通,uo=2V。 (3) 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 $$