内容正文:
编写说明:山东省春季高考《模拟电子技术基础及应用考点双析卷》,依据《山东省春季高考统一考试招生专业类别考试标准(2025年版)电子技术类》(以下简称考纲)编写。“考点双析”即围绕一个考点,一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷。助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环,特别适用于第一轮高考复习教学。
本专辑第5、第6卷精准对标考纲,知识模块(二).模拟电子技术基础及应用:
1.常用半导体器件的结构、分类、特性、用途及参数:(4)理解三极管的基本结构、电流放大作用、伏安特性和主要参数;(5)会使用万用表检测三极管。
山东省春季高考电子技术类专业
《模拟电子技术基础及应用考点双析卷》第6卷
三极管 学生练习卷
时间:90分钟 总分:100分
班级_______姓名_______成绩_______学号_______
一、单选题(本大题共25小题,每题3分,共75分)
1.某三极管共射放大电路处于放大状态时,三个极A、B、C对地的电位分别是VA=4.3 V,VB=5 V,VC=0,则此三极管是( )
A.PNP硅管 B.NPN硅管 C.PNP锗管 D.NPN锗管
2.某晶体管的极限参数为PCM=100mW,ICM=20mA,U(BR)CEO=15V,则在下列几种情况中,能正常工作的是( )。
A.UCE=3V,IC=10mA B.UCE=2V,IC=40mA
C.UCE=10V,IC=20mA D.UCE=15V,IC=20mA
3.晶体管的 ICEO 大,说明其( )
A.工作电流大 B.击穿电压高
C.热稳定性差 D.寿命长
4.一般情况下,工作在下列哪个区的三极管易损坏( )
A.截止区 B.过损耗区 C.放大区 D.饱和区
5.NPN型三极管处于放大状态时,各极电位的关系是( )
A.VE>VC>VB B.VC>VB>VE
C.VC<VB<VE D.VC>VE>VB
6.当三极管两个 PN 结都反偏时,则三极管所处的状态是( )
A.导通状态 B.放大状态
C.饱和状态 D.截止状态
7.当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )
A.前者反偏、后者正偏 B.前者正偏、后者反偏
C.前者正偏、后者正偏 D.前者反偏、后者反偏
8.三极管工作在放大状态的条件是( )
A.发射结、集电结均正向偏置 B.发射结正向偏置、集电结反向偏置
C.发射结、集电结均反向偏置 D.发射结反向偏置、集电结正向偏置
9.对于高频电路,以下哪种电子元器件需要特别关注其性能( )
A.二极管 B.三极管 C.贴片元件 D.光电耦合器
10.三极管的类型可以通过 来判断。( )
A.引脚排列 B.符号标识 C.测量电压 D.以上都是
11.下面图形符号中,表示 NPN 型三极管的是( )
A. B. C. D.
12.测得电路中,管子各级对地电位如图所示,则处于放大状态的管子是( )
A. B. C. D.
13.对三极管放大作用的实质,下面说法正确的是( )
A.三极管可以把小能量放大成大能量
B.三极管可以把小电流放大成大电流
C.三极管可以把小电压放大成大电压
D.三极管可用较小的电流控制较大的电流
14.放大状态的三极管的三个引脚电压为V1=0V,V2=0.7V,V3=5V,则三极管的三个引脚分别为( )
A.1是集电极,2是基极,3是发射极
B.1是基极,2是集电极,3是发射极
C.1是发射极,2是基极,3是集电极
D.1是发射极,2是集电极,3是基极
15.正常工作的三极管的三个引脚的电流关系说法错误的是( )
A.流入管子的电流与流出管子的电流相等 B.发射极的电流一直是最大的
C.基极电流一直是最小的 D.集电极电流与基极电流近似相等
16.三极管是一种___控制器件( )
A.电压 B.电流 C.电阻 D.功率
17.下列关于三极管的交流参数说法正确的是( )
A.交流电流放大倍数Av也可以用β来表示
B.共发射极特征频率fT反映出了三极管的低频特性
C.交流参数既反映出了三极管的直流特性,还反映出了交流特性。
D.三极管的交流电流放大倍数远大于直流电流放大倍数。
18.三极管的内部三个区分别是( )
A.集电区、基区、公共区 B.集电区、基区、发射区
C.基区、发射区、公共区 D.集电区、发射区、公共区
19.欲使NPN型三极管具有放大功能,其外部条件是( )
A., B.,
C., D.,
20.用万用表R×100挡测量三极管各电极间的正、反向电阻,若都呈现出很低的阻值,则这只三极管( )
A.两个PN结都烧毁 B.两个PN结都击穿
C.只有发射结击穿 D.只有集电结烧毁
21.共基极放大电路中三极管的三个电极的电流关系是( )
A. B.
C. D.
22.三极管工作在放大区域时( )
A.发射结正向偏置,集电结反向偏置
B.发射结正向偏置,集电结正向偏置
C.发射结反向偏置,集电结反向偏置
D.发射结反向偏置,集电结正向偏置
23.三极管的 作用是三极管最基本和最重要的特性。( )
A.电流放大 B.电压放大
C.功率放大 D.电压放大和电流放大
24.在三极管放大电路中,下列等式不正确的是( )
A. B. C. D.
25.三极管当发射结和集电结都反偏时,工作于 状态( )
A.放大 B.截止 C.饱和 D.无法确定
二、简答题(本大题5分)
26. 三极管为什么可以能作为开关使用?
三、综合应用题(本大题共2小题,每小题10分,共20分)
27.在放大电路中测得各三极管电位如图所示,试判断各管脚、类型及材料。
28.根据如图所示三极管的各管脚电位,试分析其工作状态,并将结果用“√”填入表内,其中NPN型管为硅材料,PNP型管为锗材料。
序号状态
V1
V2
V3
V4
放 大
饱 和
截 止
试卷第1页,共3页
试卷第1页,共3页
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编写说明:山东省春季高考《模拟电子技术基础及应用考点双析卷》,依据《山东省春季高考统一考试招生专业类别考试标准(2025年版)电子技术类》(以下简称考纲)编写。“考点双析”即围绕一个考点,一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷。助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环,特别适用于第一轮高考复习教学。
本专辑第5、第6卷精准对标考纲,知识模块(二).模拟电子技术基础及应用:
1.常用半导体器件的结构、分类、特性、用途及参数:(4)理解三极管的基本结构、电流放大作用、伏安特性和主要参数;(5)会使用万用表检测三极管。
山东省春季高考电子技术类专业
《模拟电子技术基础及应用考点双析卷》第6卷
三极管 学生练习卷
时间:90分钟 总分:100分
班级_______姓名_______成绩_______学号_______
一、单选题(本大题共25小题,每题3分,共75分)
1.某三极管共射放大电路处于放大状态时,三个极A、B、C对地的电位分别是VA=4.3 V,VB=5 V,VC=0,则此三极管是( )
A.PNP硅管 B.NPN硅管 C.PNP锗管 D.NPN锗管
【答案】A
【详解】第一步,找到VA=4.3 V,VB=5 V数值最接近,差为0.7,硅管。剩余管脚VC=0,为集电极C管脚,VE>VB>VC,为PNP管型。
2.某晶体管的极限参数为PCM=100mW,ICM=20mA,U(BR)CEO=15V,则在下列几种情况中,能正常工作的是( )。
A.UCE=3V,IC=10mA B.UCE=2V,IC=40mA
C.UCE=10V,IC=20mA D.UCE=15V,IC=20mA
【答案】A
【详解】需要满足三个条件,IC<ICM, UCE<U(BR)CEO,P<PCM。
3.晶体管的 ICEO 大,说明其( )
A.工作电流大 B.击穿电压高
C.热稳定性差 D.寿命长
【答案】A
【详解】 ICEO大意味着晶体管的集 - 射极之间存在较大的漏电流。当温度升高时,这种漏电流会迅速增大,因为 ICEO受温度影响较大,会导致晶体管的工作状态很容易受温度变化的影响,所以说明其热稳定性差。选C。
4.一般情况下,工作在下列哪个区的三极管易损坏( )
A.截止区 B.过损耗区 C.放大区 D.饱和区
【答案】B
5.NPN型三极管处于放大状态时,各极电位的关系是( )
A.VE>VC>VB B.VC>VB>VE
C.VC<VB<VE D.VC>VE>VB
【答案】B
【详解】NPN管VC>VB>VE;PNP管VC<VB<VE。
6.当三极管两个 PN 结都反偏时,则三极管所处的状态是( )
A.导通状态 B.放大状态
C.饱和状态 D.截止状态
【答案】D
【详解】发射结反偏,三极管处于截止状态。
7.当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( )
A.前者反偏、后者正偏 B.前者正偏、后者反偏
C.前者正偏、后者正偏 D.前者反偏、后者反偏
【答案】B
8.三极管工作在放大状态的条件是( )
A.发射结、集电结均正向偏置 B.发射结正向偏置、集电结反向偏置
C.发射结、集电结均反向偏置 D.发射结反向偏置、集电结正向偏置
【答案】B
【详解】三极管截止时,两个PN结均反偏,饱和时,两个PN结均正偏。
9.对于高频电路,以下哪种电子元器件需要特别关注其性能( )
A.二极管 B.三极管 C.贴片元件 D.光电耦合器
【答案】B
【详解】在高频电路中,三极管需要特别关注其性能,B 选项正确。二极管在高频电路中也有应用,但相对三极管来说,对其性能的要求没有那么高。贴片元件的性能在高频电路中也有影响,但不是最需要特别关注的。光电耦合器在高频电路中的应用相对较少。所以选择 B 选项。
10.三极管的类型可以通过 来判断。( )
A.引脚排列 B.符号标识 C.测量电压 D.以上都是
【答案】D
【详解】三极管的类型可以通过引脚排列、符号标识、测量电压等方法来判断。所以选择 D 选项。
11.下面图形符号中,表示 NPN 型三极管的是( )
A. B. C. D.
【答案】A
12.测得电路中,管子各级对地电位如图所示,则处于放大状态的管子是( )
A. B. C. D.
【答案】B
【详解】AD为NPN型三极管,如果三极管处于放大状态则VBE>0,且VBC<0。A选项中VBE=VB-VE=-2.3-(-2)=-0.3V不符合。D选项中VBE=-9.2-(-8.5)=-0.7V,不符合要求
BC为PNP型三极管,如果三极管处于放大状态则VBE<0,且VBC>0。B选项中VBE=VB-VE=-12.3-(-12)=-0.3V,VBC=VB-VC=-12.3-(-15)=2.7V符合。C选项中VBE=5.3-6=-0.7V,VBC=0不符合,选B。
13.对三极管放大作用的实质,下面说法正确的是( )
A.三极管可以把小能量放大成大能量
B.三极管可以把小电流放大成大电流
C.三极管可以把小电压放大成大电压
D.三极管可用较小的电流控制较大的电流
【答案】D
【详解】A:三极管是一种电流控制型器件。从能量的角度来看,它并不能凭空将小能量放大成大能量,因为这违背了能量守恒定律。
B:在三极管的放大电路中,基极电流的微小变化会引起集电极电流较大的变化。不是把小电流放大成大电流。
C:三极管在放大电路中通过电阻等元件的配合实现电压放大,但本质上还是基于电流的控制作用。
所以三极管可用较小的电流控制较大的电流,答案是三极管可用较小的电流控制较大的电流。
14.放大状态的三极管的三个引脚电压为V1=0V,V2=0.7V,V3=5V,则三极管的三个引脚分别为( )
A.1是集电极,2是基极,3是发射极
B.1是基极,2是集电极,3是发射极
C.1是发射极,2是基极,3是集电极
D.1是发射极,2是集电极,3是基极
【答案】C
【详解】大小排在中间的为基极,即为引脚2,与基极相差常数的是发射极,为引脚1,剩下的引脚3为集电极。
15.正常工作的三极管的三个引脚的电流关系说法错误的是( )
A.流入管子的电流与流出管子的电流相等 B.发射极的电流一直是最大的
C.基极电流一直是最小的 D.集电极电流与基极电流近似相等
【答案】D
【详解】集电极电流是基极电流的β倍。
16.三极管是一种___控制器件( )
A.电压 B.电流 C.电阻 D.功率
【答案】B
【详解】三极管是通过小电流控制大电流,所以是电流控制器件。
17.下列关于三极管的交流参数说法正确的是( )
A.交流电流放大倍数Av也可以用β来表示
B.共发射极特征频率fT反映出了三极管的低频特性
C.交流参数既反映出了三极管的直流特性,还反映出了交流特性。
D.三极管的交流电流放大倍数远大于直流电流放大倍数。
【答案】A
【详解】fT反映出了三极管的高频特性,交流参数只是反映交流特性,三极管的交流电流放大倍数与直流电流放大倍数近似相等。
18.三极管的内部三个区分别是( )
A.集电区、基区、公共区 B.集电区、基区、发射区
C.基区、发射区、公共区 D.集电区、发射区、公共区
【答案】B
【详解】根据结构图可知三个区为集电区、基区、发射区。
19.欲使NPN型三极管具有放大功能,其外部条件是( )
A., B.,
C., D.,
【答案】C
【详解】三极管的放大状态,发射结正偏,集电结反偏,NPN型即,。
20.用万用表R×100挡测量三极管各电极间的正、反向电阻,若都呈现出很低的阻值,则这只三极管( )
A.两个PN结都烧毁 B.两个PN结都击穿
C.只有发射结击穿 D.只有集电结烧毁
【答案】B
【详解】检测三极管的好与坏,主要是测量极间阻值来判断PN结的好坏。用万用表R×100档测发射极和集电极的正向电阻,如果测出都是低阻值,说明管子质量是好的。如果发现测出的阻值正向电阻非常大或者反向电阻非常小,说明管子已被击穿。
21.共基极放大电路中三极管的三个电极的电流关系是( )
A. B.
C. D.
【答案】A
22.三极管工作在放大区域时( )
A.发射结正向偏置,集电结反向偏置
B.发射结正向偏置,集电结正向偏置
C.发射结反向偏置,集电结反向偏置
D.发射结反向偏置,集电结正向偏置
【答案】A
23.三极管的 作用是三极管最基本和最重要的特性。( )
A.电流放大 B.电压放大
C.功率放大 D.电压放大和电流放大
【答案】A
【详解】晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。
24.在三极管放大电路中,下列等式不正确的是( )
A. B. C. D.
【答案】C
【详解】C项应为
25.三极管当发射结和集电结都反偏时,工作于 状态( )
A.放大 B.截止 C.饱和 D.无法确定
【答案】B
【详解】放大状态:发射结正偏,集电结反偏;饱和状态:发射结正偏,集电结正偏;截止状态:发射结反偏,集电结反偏
二、简答题(本大题5分)
26. 三极管为什么可以能作为开关使用?
【答案】在数字电路中,三极管工作在饱和、截止两种状态下,因三极管饱和时,集射之间电压很小,接近于短路,而三极管截止时,集射之间近似短路,所以三极管可作为开关使用。
【详解】在数字电路中,三极管工作在饱和、截止两种状态下,因三极管饱和时,集射之间电压很小,接近于短路,而三极管截止时,集射之间近似短路,所以三极管可作为开关使用。
三、综合应用题(本大题共2小题,每小题10分,共20分)
27.在放大电路中测得各三极管电位如图所示,试判断各管脚、类型及材料。
【答案】A、1、为e 2、为c 3、为b NPN 硅
B、1、为c 2、为b 3、为e PNP 锗
【详解】3.4V-2.7V=0.7V所以是硅管
6.8>3.4>2.7 所以是NPN型Uc>Ub>Ue
所以左图为NPN型硅管123分别为e c b
10-9.8=0.2V所以是锗管
10V最大所以右图为PNP锗管 Ue>Ub>Uc
右图123分别为cbe
28.根据如图所示三极管的各管脚电位,试分析其工作状态,并将结果用“√”填入表内,其中NPN型管为硅材料,PNP型管为锗材料。
序号状态
V1
V2
V3
V4
放 大
饱 和
截 止
【答案】
序号状态
V1
V2
V3
V4
放 大
√
√
饱 和
√
截 止
√
【详解】对于 NPN 型三极管,正常工作时满足;对于 PNP 型三极管,正常工作时满足。
V1:所以是 PNP 型三极管,且发射结正偏,集电结反偏,处于放大状态。
V2:所以是 NPN 型三极管,且发射结反偏,处于截止状态。
V3:所以是 PNP 型三极管,但,集电结正偏,处于饱和状态。
V4:,所以是 NPN型三极管,同时发射结正偏,集电结反偏,处于放大状态。
综上,V1、V2处于截止状态,V3处于饱和状态、V4处于放大状态
试卷第1页,共3页
试卷第1页,共3页
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