第11卷-三极管的特性、主要参数及工作状态-重庆高等职业教育分类考试电子技术类专业《电子技术基础考点双析卷》

编写说明：重庆市高等职业教育分类考试《电子技术基础考点双析卷》，依据《2025年重庆市高等职业教育分类考试专业综合理论测试电子技术类考试说明》（以下简称考纲）编写。“考点双析”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷。助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环，特别适用于第一轮高考复习教学。 本专辑第11、第12卷精准对标考纲，知识模块（二）.电子技术基础： 第二单元：2．理解三极管的输入、输出特性，会判别三极管的工作状态；3．理解三极管的主要参数。 重庆市高等职业教育分类考试电子技术类专业 《电子技术基础考点双析卷》第11卷 三极管的特性、主要参数及工作状态 老师讲解卷 一、单选题（本大题共20小题，每题3分，共60分） 1．晶体管共发射极输出特性常用一组曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（   ） A．Ic B．Ucr C．Ib D．Ie 2．如图所示为某三极管的输出特性曲线，估算该三极管的交、直流电流的放大系数分别为（   ） A．100，50 B．50，100 C．100，100 D．50，50 3．晶体三极管在截止区的集电极电流将（   ） A．随基极电压升高而升高 B．随基极电压升高而急剧升高 C．基本保持为零 D．随基极电压升高而减少 4．晶体三极管作为放大器件使用时，它的工作状态是（   ） A．截止 B．饱和 C．放大 D．以上都不对 5．一般情况下，工作在下列哪个区的三极管易损坏（   ） A．截止区 B．过损耗区 C．放大区 D．饱和区 6．用作开关作用的三极管工作在输出特性的（   ） A．饱和区 B．放大区 C．截止区 D．饱和区和截止区 7．NPN型三极管处于放大状态时，各极电位的关系是（   ） A．VE＞VC＞VB B．VC＞VB＞VE C．VC＜VB＜VE D．VC＞VE＞VB 8．三极管的β值大，说明其（   ） A．放大能力强 B．输入电阻大 C．输出电阻小 D．频率特性好 9．下列三极管参数中，随着温度的升高而增大的是（   ） A．集电极-发射极饱和压降 B．发射结反向电流 C．基极-发射极正向压降 D．共射极电流放大系数 10．下列不属于三极管主要参数的是（   ） A．电流放大系数 B．集电极最大允许电流 C．集电极-发射极反向击穿电压 D．输入电阻 11．如图所示,管子的导电类型和β值分别为（   ） A．NPN 和61 B．PNP 和60 C．PNP 和61 D．NPN 和60 12．某晶体管的极限参数为PCM=100mW，ICM=20mA，U(BR)CEO=15V，则在下列几种情况中，能正常工作的是（   ）。 A．UCE=3V，IC=10mA B．UCE=2V，IC=40mA C．UCE=10V，IC=20mA D．UCE=15V，IC=20mA 13．晶体管的 ICEO 大，说明其（   ） A．工作电流大 B．击穿电压高 C．热稳定性差 D．寿命长 14．3DG6D型晶体三极管的PCM=100毫瓦，ICM=20毫安，UBR(CEO)＝30伏，如果将它接在IC＝15毫安，UCE＝20伏的电路中，则该管（   ） A．被击穿 B．工作正常 C．功耗太大过热甚至烧坏 D．不确定 15．为了保证晶体管放大器的正常工作，应当设置合适的静态工作点，使其（   ） A．基极电压为负 B．饱和状态 C．工作于线性放大区 D．工作在高频段 16．PNP型三极管的截止条件是（   ） A．Ube≤0 B．Ube≥0.7V C．Ucb <Uce D．Ucb>Uce≥0.7V 17．如何通过改变基极与发射极之间的电压来控制NPN三极管的截止状态（   ） A．调节发射结电压 B．调节基极电流 C．调节集电极电流 D．调节漏极电压 18．如何通过改变晶体三极管的发射结电压来控制其工作状态（   ） A．调节发射结电压 B．调节基极电流 C．调节集电极电流 D．调节漏极电压 19．用万用表测得NPN型晶体三极管各极对地的电位是Ue=4.7V，Uc=4.3V，Ub=4V，则该晶体三极管的工作状态是（   ） A．饱和状态 B．截止状态 C．放大状态 D．线性状态 20．放大电路如图所示，已知三极管的，则该电路中三极管的工作状态为（   ） A．截止 B．饱和 C．放大 D．无法确定 二、填空题（本大题共5小题，每题2分，共10分） 21．数字电路中的三极管只工作于 、 两种状态。 22．当三极管的基极电流增大时，集电极电流基本不变，则该三极管处于 状态。 23．在某晶体三极管放大电路中，当时.当时,则它的电流放大系数β为 。 24．当温度升高时三极管的反向饱和电流ICEO 。 25．三极管饱和导通的条件是 ；截止条件是 。 三、判断题（本大题共5小题，每题2分，共10分） 26．三极管的开关特性是指：当三极管处于饱和导通状态时相当于开关的断开。( ) 27．加在三极管上集电极与发射极之间的电压不能超过集—射反向击穿电压V（BR）CEO，否则管子容易击穿。( ) 28．三极管的极限电流ICM是指发射极允许通过的最大电流。( ) 29．提高三极管的开关速度的方法是在基极回路引入加速电容。( ) 30．对一只接于电路中的三极管，测得三个引脚上的对地电位为VA=11.6V、VB=2V、VC=2.7V，则该三极管为NPN型锗管。( ) 四、综合应用题（本大题共2小题，每题10分，共20分） 31．.如图所示为各三极管的每个电极对地电位,试判别各三极管处于何种工作状态。（NPN管为硅管,PNP 管为锗管） 32．某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 $$ 编写说明：重庆市高等职业教育分类考试《电子技术基础考点双析卷》，依据《2025年重庆市高等职业教育分类考试专业综合理论测试电子技术类考试说明》（以下简称考纲）编写。“考点双析”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷。助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环，特别适用于第一轮高考复习教学。 本专辑第11、第12卷精准对标考纲，知识模块（二）.电子技术基础： 第二单元：2．理解三极管的输入、输出特性，会判别三极管的工作状态；3．理解三极管的主要参数。 重庆市高等职业教育分类考试电子技术类专业 《电子技术基础考点双析卷》第11卷 三极管的特性、主要参数及工作状态 老师讲解卷 一、单选题（本大题共20小题，每题3分，共60分） 1．晶体管共发射极输出特性常用一组曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（   ） A．Ic B．Ucr C．Ib D．Ie 【答案】B 【详解】晶体管的共发射极输出特性曲线描述了集电极电流（Ic）与集电极-集地电压（Ucr）之间的关系。这些曲线通常用来分析晶体管在不同电压和电流条件下的工作特性。因此，正确答案是B 2．如图所示为某三极管的输出特性曲线，估算该三极管的交、直流电流的放大系数分别为（   ） A．100，50 B．50，100 C．100，100 D．50，50 【答案】C 3．晶体三极管在截止区的集电极电流将（   ） A．随基极电压升高而升高 B．随基极电压升高而急剧升高 C．基本保持为零 D．随基极电压升高而减少 【答案】C 【详解】晶体三极管在截止区时，基极电流很小，集电极和发射极之间近似开路，集电极电流基本保持为零。 4．晶体三极管作为放大器件使用时，它的工作状态是（   ） A．截止 B．饱和 C．放大 D．以上都不对 【答案】C 【详解】晶体三极管作为放大器件使用时，工作在放大状态。所以选择C选项。 5．一般情况下，工作在下列哪个区的三极管易损坏（   ） A．截止区 B．过损耗区 C．放大区 D．饱和区 【答案】B 6．用作开关作用的三极管工作在输出特性的（   ） A．饱和区 B．放大区 C．截止区 D．饱和区和截止区 【答案】D 7．NPN型三极管处于放大状态时，各极电位的关系是（   ） A．VE＞VC＞VB B．VC＞VB＞VE C．VC＜VB＜VE D．VC＞VE＞VB 【答案】B 【详解】NPN管VC＞VB＞VE；PNP管VC＜VB＜VE。 8．三极管的β值大，说明其（   ） A．放大能力强 B．输入电阻大 C．输出电阻小 D．频率特性好 【答案】A 【详解】三极管的β值大，表明其电流放大能力强，A选项正确。β值大小与输入电阻、输出电阻和频率特性没有直接关系，B、C、D选项错误。 9．下列三极管参数中，随着温度的升高而增大的是（   ） A．集电极-发射极饱和压降 B．发射结反向电流 C．基极-发射极正向压降 D．共射极电流放大系数 【答案】B 【详解】发射结反向电流随着温度的升高而增大，B选项正确。A选项集电极-发射极饱和压降随着温度升高而减小。C选项基极-发射极正向压降随着温度升高而减小。D选项共射极电流放大系数随着温度升高而增大到一定程度后减小。 10．下列不属于三极管主要参数的是（   ） A．电流放大系数 B．集电极最大允许电流 C．集电极-发射极反向击穿电压 D．输入电阻 【答案】D 【详解】输入电阻不属于三极管的主要参数，D选项正确。电流放大系数、集电极最大允许电流、集电极-发射极反向击穿电压都是三极管的重要参数。 11．如图所示,管子的导电类型和β值分别为（   ） A．NPN 和61 B．PNP 和60 C．PNP 和61 D．NPN 和60 【答案】D 12．某晶体管的极限参数为PCM=100mW，ICM=20mA，U(BR)CEO=15V，则在下列几种情况中，能正常工作的是（   ）。 A．UCE=3V，IC=10mA B．UCE=2V，IC=40mA C．UCE=10V，IC=20mA D．UCE=15V，IC=20mA 【答案】A 【详解】需要满足三个条件，IC<ICM， UCE<U(BR)CEO，P<PCM。 13．晶体管的 ICEO 大，说明其（   ） A．工作电流大 B．击穿电压高 C．热稳定性差 D．寿命长 【答案】A 【详解】 ICEO大意味着晶体管的集 - 射极之间存在较大的漏电流。当温度升高时，这种漏电流会迅速增大，因为 ICEO受温度影响较大，会导致晶体管的工作状态很容易受温度变化的影响，所以说明其热稳定性差。选C。 14．3DG6D型晶体三极管的PCM=100毫瓦，ICM=20毫安，UBR(CEO)＝30伏，如果将它接在IC＝15毫安，UCE＝20伏的电路中，则该管（   ） A．被击穿 B．工作正常 C．功耗太大过热甚至烧坏 D．不确定 【答案】C 【详解】 即实际功率大于集电极最大允许功率损耗。 所以该管功耗太大，会过热甚至烧坏。 15．为了保证晶体管放大器的正常工作，应当设置合适的静态工作点，使其（   ） A．基极电压为负 B．饱和状态 C．工作于线性放大区 D．工作在高频段 【答案】C 【详解】设置合适的静态工作点是为了确保晶体管在工作时能够在线性放大区域内运行，从而不产生失真并能有效地放大输入信号。选项C中的工作于线性放大区描述了晶体管在正常工作时的状态，因此是确保放大器正常工作的必要条件。因此，正确答案是C 16．PNP型三极管的截止条件是（   ） A．Ube≤0 B．Ube≥0.7V C．Ucb <Uce D．Ucb>Uce≥0.7V 【答案】B 【详解】PNP型三极管的截止条件是基极到发射极之间的电压（Ube）低于晶体管的硅压降（通常约为0.7V）。因此，正确答案是B 17．如何通过改变基极与发射极之间的电压来控制NPN三极管的截止状态（   ） A．调节发射结电压 B．调节基极电流 C．调节集电极电流 D．调节漏极电压 【答案】A 【详解】控制NPN三极管的截止状态可以通过调节基极与发射极之间的电压（Ube）。当Ube小于约0.7V时，NPN三极管处于截止状态。因此，正确答案是A 18．如何通过改变晶体三极管的发射结电压来控制其工作状态（   ） A．调节发射结电压 B．调节基极电流 C．调节集电极电流 D．调节漏极电压 【答案】A 【详解】晶体三极管的工作状态可以通过调节发射结电压（Ue）来控制。增加或减少发射结电压可以使三极管在放大状态、饱和状态或截止状态之间切换。因此，正确答案是A 19．用万用表测得NPN型晶体三极管各极对地的电位是Ue=4.7V，Uc=4.3V，Ub=4V，则该晶体三极管的工作状态是（   ） A．饱和状态 B．截止状态 C．放大状态 D．线性状态 【答案】C 【详解】根据测得的电位数据，发射极到地的电位（Ue）是4.7V，集电极到地的电位（Uc）是4.3V，而基极到地的电位（Ub）是4V。通常情况下，如果Ue>Uc>Ub，则晶体三极管处于放大状态。因此，正确答案是C 20．放大电路如图所示，已知三极管的，则该电路中三极管的工作状态为（   ） A．截止 B．饱和 C．放大 D．无法确定 【答案】B 【详解】若处于放大状态，则： ， 观点不成立 二、填空题（本大题共5小题，每题2分，共10分） 21．数字电路中的三极管只工作于 、 两种状态。 【答案】 饱和 截止 22．当三极管的基极电流增大时，集电极电流基本不变，则该三极管处于 状态。 【答案】饱和 23．在某晶体三极管放大电路中，当时.当时,则它的电流放大系数β为 。 【答案】100 24．当温度升高时三极管的反向饱和电流ICEO 。 【答案】增大 【详解】当温度升高时，三极管的少数载流子浓度增加，而反向饱和电流ICEO主要是由少数载流子的漂移运动形成的，所以ICEO会增大。 25．三极管饱和导通的条件是 ；截止条件是 。 【答案】 IB ≥ IBS = VCC/(βRC) UBE ≤ 0 【详解】三极管饱和导通的条件是IB ≥ IBS = VCC /(βRC)；截止条件是UBE ≤ 0 三、判断题（本大题共5小题，每题2分，共10分） 26．三极管的开关特性是指：当三极管处于饱和导通状态时相当于开关的断开。( ) 【答案】错误 【详解】本题查三极管的开关特性。 27．加在三极管上集电极与发射极之间的电压不能超过集—射反向击穿电压V（BR）CEO，否则管子容易击穿。( ) 【答案】正确 28．三极管的极限电流ICM是指发射极允许通过的最大电流。( ) 【答案】错误 【详解】三极管的极限电流ICM是指集电极允许通过的最大电流。 29．提高三极管的开关速度的方法是在基极回路引入加速电容。( ) 【答案】正确 【详解】三极管有截止和饱和两种稳定状态，相当于开关的断开和闭合。在数字电路等应用中，三极管需要快速地在截止和饱和状态之间转换。 加速电容一般连接在三极管的基极和输入信号源之间。在输入信号电平发生跳变（如从低电平变为高电平或者从高电平变为低电平）的瞬间，加速电容可以起到 “加速” 三极管状态转换的作用。 当输入信号从高电平跳变为低电平时，电容开始放电，它所存储的电荷会迅速拉低基极电位，加快基极存储电荷的消散，使三极管更快地退出饱和状态进入截止状态。这样就有效地减少了三极管在状态转换过程中的延迟时间，从而提高了三极管的开关速度。 30．对一只接于电路中的三极管，测得三个引脚上的对地电位为VA=11.6V、VB=2V、VC=2.7V，则该三极管为NPN型锗管。( ) 【答案】错误 四、综合应用题（本大题共2小题，每题10分，共20分） 31．.如图所示为各三极管的每个电极对地电位,试判别各三极管处于何种工作状态。（NPN管为硅管,PNP 管为锗管） 【答案】(a)PNP 型锗管,Ube>0,三极管截止。 (b)NPN 型硅管,Ube<0,三极管截止。 (c)NPN 型硅管,Ub>Uc,Ub>Ue，且Ube≈0.7 V,三极管导通 【解析】略 32．某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。 【答案】NPN型硅管，管脚①是集电极，管脚②是发射极，管脚③是基极。 【详解】管脚③和管脚②电压相差 0.7V，显然一个硅管，一个是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚②和③的电位都高，所以一定是一个 NPN 型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极，管脚③是基极，管脚①是集电极 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 $$