第12卷-三极管的特性、主要参数及工作状态-重庆高等职业教育分类考试电子技术类专业《电子技术基础考点双析卷》

编写说明：重庆市高等职业教育分类考试《电子技术基础考点双析卷》，依据《2025年重庆市高等职业教育分类考试专业综合理论测试电子技术类考试说明》（以下简称考纲）编写。“考点双析”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷。助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环，特别适用于第一轮高考复习教学。 本专辑第11、第12卷精准对标考纲，知识模块（二）.电子技术基础： 第二单元：2．理解三极管的输入、输出特性，会判别三极管的工作状态；3．理解三极管的主要参数。 重庆市高等职业教育分类考试电子技术类专业 《电子技术基础考点双析卷》第12卷 三极管的特性、主要参数及工作状态 学生练习卷 时间：90分钟 总分：100分 班级_______姓名_______成绩_______学号_______ 一、单选题（本大题共20小题，每题3分，共60分） 1．当三极管两个 PN 结都反偏时，则三极管所处的状态是（   ） A．导通状态 B．放大状态 C．饱和状态 D．截止状态 【答案】D 【详解】发射结反偏，三极管处于截止状态。 2．硅NPN型三极管饱和时，集电极—发射极饱和压降，VCES的值是（   ） A．0.7V B．0.5V C．0.3V D．0.1V 【答案】C 3．三极管的内部三个区分别是（   ） A．集电区、基区、公共区 B．集电区、基区、发射区 C．基区、发射区、公共区 D．集电区、发射区、公共区 【答案】B 【详解】根据结构图可知三个区为集电区、基区、发射区。 4．在三极管的输出特性曲线簇中，每条曲线与 对应（   ） A． B． C． D． 【答案】C 【详解】三极管的输出特性曲线横坐标为，纵坐标为，每条曲线对应。 5．晶体三极管的饱和状态是指（   ） A．基极电流等于发射极电流 B．集电极到基极电压大于集电极到发射极电压 C．集电极到基极电压小于集电极到发射极电压 D．基极电压高于发射极电压 【答案】B 【详解】晶体三极管处于饱和状态时，集电极到基极的电压（Ucb）应大于集电极到发射极的电压（Uce），并且基极电流（Ib）大于发射极电流（Ie）。 6．电路如图所示，晶体三极管工作在饱和状态时，它的Ic（   ） A．随Is的增加而增加 B．随Ie的增加而减小 C．与I无关，只决定于 Rc和V。 D．与l无关，恒为0 【答案】C 7．某维修人员在修理过程中，需要更换一只三极管，手上有一只3DG6D型的晶体三极管，它的技术参数如下：PCM＝100mW，ICM＝20mA，UBR（CEO）＝30V，若他将此三极管装接在IC＝15mA，UCE＝20V的电路中，则该管（   ） A．工作正常 B．被击穿 C．功耗过大造成过热甚至烧坏 D．已知条件不够，无法确定 【答案】C 【解析】略 8．人们选择三极管希望（   ） A．ICEO.ICBO越小越好 B．ICEO.ICBO越大越好 C．ICEO要小，ICBO要大 D．ICEO要大，ICBO要小 【答案】A 【详解】为了保证三极管的性能良好，在选择三极管时，希望ICEO和ICBO越小越好。因为较小的ICEO和ICBO可以减少三极管的功耗、提高放大倍数的稳定性以及增强三极管的温度稳定性等诸多优点。 9．某三极管的基极电流从10uA增大到20uA时，集电极电流从1mA增大到2mA，三极管的电流放大倍数为（   ） A．0.1 B．10 C．100 D．1000 【答案】C 【详解】 根据ß =可以算出放大倍数为100。注意电流单位要统一。 10．下列关于三极管的交流参数说法正确的是（   ） A．交流电流放大倍数Av也可以用β来表示 B．共发射极特征频率fT反映出了三极管的低频特性 C．交流参数既反映出了三极管的直流特性，还反映出了交流特性。 D．三极管的交流电流放大倍数远大于直流电流放大倍数。 【答案】A 【详解】fT反映出了三极管的高频特性，交流参数只是反映交流特性，三极管的交流电流放大倍数与直流电流放大倍数近似相等。 11．下列不属于三极管直流参数的是（   ） A．直流电流放大系数hFE B．集—基反向饱和电流ICBO C．集—射穿透电流ICEO D．共发射极特征频率fT 【答案】D 【详解】共发射极特征频率属于交流参数。 12．工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的约为（   ） A．83 B．91 C．100 D．50 【答案】C 【详解】 13．在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（   ） A． B． C． D． 【答案】C 【详解】C项应为 14．关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（   ） A．U (BR)CEO >U (BR)CBO >U (BR)EBO B．U (BR)CBO >U (BR)CEO >U (BR)EBO C．U (BR)CEO >U (BR)EBO >U (BR)CBO D．U (BR)EBO >U (BR)CEO >U (BR)CBO 【答案】B 【详解】首先三极管工作时其发射结一般处于正偏状态，故反向击穿电压要求不高，通常，是最低的。其次，反向击穿主要是漏电流引起的。集电极-基极漏电流经过β倍放大后成为集电极-发射极漏电流，故，而就小于。所以整体来看就有。 15．PNP三极管饱和的条件是（   ） A．Ube≤0 B．Ube≥0.7V C．Ucb <Uce D．Ucb>Uce≥0.7V 【答案】D 【详解】PNP三极管饱和的条件是集电极到基极电压（Ucb）大于等于集电极到发射极电压（Uce），且通常Ucb至少大于硅压降约0.7V。因此，正确答案是D 16．用万用表测得NPN型晶体三极管各电极对地的电位是：VB=4.7V，VC=4.3V，VE=4V，则该晶体三极管的工作状态是（   ） A．饱和状态 B．截止状态 C．放大状态 D．不确定 【答案】A 17．测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为UB=2.8V，UE=2.1V，UC=3.6V，则该管处于 状态。（   ） A．饱和 B．截止 C．放大 D．击穿 【答案】C 【详解】根据UB=2.8V，UE=2.1V，UC=3.6V，UC>UB>UE，该管为NPN管，分别计算UB-UC<0、UB-UE>0,则发射结正偏，集电结反偏，该管处于放大状态。 18．某三极管共射放大电路处于放大状态时，三个极A、B、C对地的电位分别是VA＝4.3 V，VB＝5 V，VC＝0，则此三极管是（   ） A．PNP硅管 B．NPN硅管 C．PNP锗管 D．NPN锗管 【答案】A 【详解】第一步，找到VA＝4.3 V，VB＝5 V数值最接近，差为0.7，硅管。剩余管脚VC＝0，为集电极C管脚，VE>VB>VC，为PNP管型。 19．当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（   ） A．前者反偏、后者正偏 B．前者正偏、后者反偏 C．前者正偏、后者正偏 D．前者反偏、后者反偏 【答案】B 20．测得电路中，管子各级对地电位如图所示，则处于放大状态的管子是（   ） A． B． C． D． 【答案】B 【详解】AD为NPN型三极管，如果三极管处于放大状态则VBE>0，且VBC<0。A选项中VBE=VB-VE=-2.3-(-2)=-0.3V不符合。D选项中VBE=-9.2-(-8.5)=-0.7V，不符合要求 BC为PNP型三极管，如果三极管处于放大状态则VBE<0，且VBC>0。B选项中VBE=VB-VE=-12.3-(-12)=-0.3V，VBC=VB-VC=-12.3-(-15)=2.7V符合。C选项中VBE=5.3－6=－0.7V，VBC=0不符合，选B 二、填空题（本大题共5小题，每题2分，共10分） 21．三极管起放大作用的外部条件是 、 。 【答案】 发射结正偏 集电结反偏 【详解】当三极管的发射结正偏、集电结反偏时三极管处于放大状态。 22．晶体三极管在放大电路正常工作时 结必须正偏， 结必须反偏。 【答案】 发射 集电 23．反映 态时集电极电流与基极电流之比；反映 态时的电流放大特性。 【答案】 静 动 24．工作在截止和饱和状态的三极管可作为 器件。 【答案】开关 【详解】工作在截止和饱和状态的三极管可作为开关器件。 25．硅三极管三个电极的电压如图所示，则此三极管工作于 。 【答案】放大状态 三、判断题（本大题共5小题，每小题2分，共10分） 26．用万用表测试三极管的两个PN结的阻值，一次为7.6kΩ，一次为7.2kΩ，则阻值小的那一次测试的是发射结。( ) 【答案】错误 【详解】发射结比集电结窄，所以阻值略大于集电结 27．三极管的ß与在使用时可以互换。( ) 【答案】正确 【详解】三极管的直流电流放大倍数和交流电流放大倍数近似相等，在使用时可以互换。 28．晶体三极管的穿透电流ICEO越小，其稳定性越好。( ) 【答案】正确 【详解】ICEO会随温度升高而显著增大。ICEO越小，受温度的影响就越小，电路的热稳定性也就越好。 对放大性能的影响：ICEO越小，说明三极管在基极电流为零时，集电极与发射极之间的漏电越少，三极管受基极电流控制的特性就越明显，放大性能就越稳定。 29．晶体三极管工作在截止状态时，其集电极电流几乎为零。( ) 【答案】正确 30．只要满足VC>VB>VE，就说明管子一定处于放大状态。( ) 【答案】错误 【详解】NPN型三极管满足 VC>VB>VE,PNP型三极管满足 VC<VB<VE 四、综合应用题（本大题共2小题，每题10分，共20分） 31．某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。 【答案】NPN型硅管，管脚①是集电极，管脚②是发射极，管脚③是基极。 【详解】管脚③和管脚②电压相差 0.7V，显然一个硅管，一个是基极，一个是发射极，而管脚①比管脚②和③的电位都高，所以一定是一个 NPN 型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚②是发射极，管脚③是基极，管脚①是集电极。 32．根据如图所示三极管的各管脚电位，试分析其工作状态，并将结果用“√”填入表内，其中NPN型管为硅材料，PNP型管为锗材料。 序号状态 V1 V2 V3 V4 放  大 饱  和 截  止 【答案】 序号状态 V1 V2 V3 V4 放  大 √ √ 饱  和 √ 截  止 √ 【详解】对于 NPN 型三极管，正常工作时满足；对于 PNP 型三极管，正常工作时满足。 V1：所以是 PNP 型三极管，且发射结正偏，集电结反偏，处于放大状态。 V2：所以是 NPN 型三极管，且发射结反偏，处于截止状态。 V3：所以是 PNP 型三极管，但，集电结正偏，处于饱和状态。 V4：，所以是 NPN型三极管，同时发射结正偏，集电结反偏，处于放大状态。 综上，V1、V2处于截止状态，V3处于饱和状态、V4处于放大状态 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 $$ 编写说明：重庆市高等职业教育分类考试《电子技术基础考点双析卷》，依据《2025年重庆市高等职业教育分类考试专业综合理论测试电子技术类考试说明》（以下简称考纲）编写。“考点双析”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷。助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环，特别适用于第一轮高考复习教学。 本专辑第11、第12卷精准对标考纲，知识模块（二）.电子技术基础： 第二单元：2．理解三极管的输入、输出特性，会判别三极管的工作状态；3．理解三极管的主要参数。 重庆市高等职业教育分类考试电子技术类专业 《电子技术基础考点双析卷》第12卷 三极管的特性、主要参数及工作状态 学生练习卷 时间：90分钟 总分：100分 班级_______姓名_______成绩_______学号_______ 一、单选题（本大题共20小题，每题3分，共60分） 1．当三极管两个 PN 结都反偏时，则三极管所处的状态是（   ） A．导通状态 B．放大状态 C．饱和状态 D．截止状态 2．硅NPN型三极管饱和时，集电极—发射极饱和压降，VCES的值是（   ） A．0.7V B．0.5V C．0.3V D．0.1V 3．三极管的内部三个区分别是（   ） A．集电区、基区、公共区 B．集电区、基区、发射区 C．基区、发射区、公共区 D．集电区、发射区、公共区 4．在三极管的输出特性曲线簇中，每条曲线与 对应（   ） A． B． C． D． 5．晶体三极管的饱和状态是指（   ） A．基极电流等于发射极电流 B．集电极到基极电压大于集电极到发射极电压 C．集电极到基极电压小于集电极到发射极电压 D．基极电压高于发射极电压 6．电路如图所示，晶体三极管工作在饱和状态时，它的Ic（   ） A．随Is的增加而增加 B．随Ie的增加而减小 C．与I无关，只决定于 Rc和V。 D．与l无关，恒为0 7．某维修人员在修理过程中，需要更换一只三极管，手上有一只3DG6D型的晶体三极管，它的技术参数如下：PCM＝100mW，ICM＝20mA，UBR（CEO）＝30V，若他将此三极管装接在IC＝15mA，UCE＝20V的电路中，则该管（   ） A．工作正常 B．被击穿 C．功耗过大造成过热甚至烧坏 D．已知条件不够，无法确定 8．人们选择三极管希望（   ） A．ICEO.ICBO越小越好 B．ICEO.ICBO越大越好 C．ICEO要小，ICBO要大 D．ICEO要大，ICBO要小 9．某三极管的基极电流从10uA增大到20uA时，集电极电流从1mA增大到2mA，三极管的电流放大倍数为（   ） A．0.1 B．10 C．100 D．1000 10．下列关于三极管的交流参数说法正确的是（   ） A．交流电流放大倍数Av也可以用β来表示 B．共发射极特征频率fT反映出了三极管的低频特性 C．交流参数既反映出了三极管的直流特性，还反映出了交流特性。 D．三极管的交流电流放大倍数远大于直流电流放大倍数。 11．下列不属于三极管直流参数的是（   ） A．直流电流放大系数hFE B．集—基反向饱和电流ICBO C．集—射穿透电流ICEO D．共发射极特征频率fT 12．工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的约为（   ） A．83 B．91 C．100 D．50 13．在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（   ） A． B． C． D． 14．关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（   ） A．U (BR)CEO >U (BR)CBO >U (BR)EBO B．U (BR)CBO >U (BR)CEO >U (BR)EBO C．U (BR)CEO >U (BR)EBO >U (BR)CBO D．U (BR)EBO >U (BR)CEO >U (BR)CBO 15．PNP三极管饱和的条件是（   ） A．Ube≤0 B．Ube≥0.7V C．Ucb <Uce D．Ucb>Uce≥0.7V 16．用万用表测得NPN型晶体三极管各电极对地的电位是：VB=4.7V，VC=4.3V，VE=4V，则该晶体三极管的工作状态是（   ） A．饱和状态 B．截止状态 C．放大状态 D．不确定 17．测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为UB=2.8V，UE=2.1V，UC=3.6V，则该管处于 状态。（   ） A．饱和 B．截止 C．放大 D．击穿 18．某三极管共射放大电路处于放大状态时，三个极A、B、C对地的电位分别是VA＝4.3 V，VB＝5 V，VC＝0，则此三极管是（   ） A．PNP硅管 B．NPN硅管 C．PNP锗管 D．NPN锗管 19．当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（   ） A．前者反偏、后者正偏 B．前者正偏、后者反偏 C．前者正偏、后者正偏 D．前者反偏、后者反偏 20．测得电路中，管子各级对地电位如图所示，则处于放大状态的管子是（   ） A． B． C． D． 二、填空题（本大题共5小题，每题2分，共10分） 21．三极管起放大作用的外部条件是 、 。 22．晶体三极管在放大电路正常工作时 结必须正偏， 结必须反偏。 23．反映 态时集电极电流与基极电流之比；反映 态时的电流放大特性。 24．工作在截止和饱和状态的三极管可作为 器件。 25．硅三极管三个电极的电压如图所示，则此三极管工作于 。 三、判断题（本大题共5小题，每小题2分，共10分） 26．用万用表测试三极管的两个PN结的阻值，一次为7.6kΩ，一次为7.2kΩ，则阻值小的那一次测试的是发射结。( ) 27．三极管的ß与在使用时可以互换。( ) 28．晶体三极管的穿透电流ICEO越小，其稳定性越好。( ) 29．晶体三极管工作在截止状态时，其集电极电流几乎为零。( ) 30．只要满足VC>VB>VE，就说明管子一定处于放大状态。( ) 四、综合应用题（本大题共2小题，每题10分，共20分） 31．某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚①12V、管脚②3V、管脚③3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。 32．根据如图所示三极管的各管脚电位，试分析其工作状态，并将结果用“√”填入表内，其中NPN型管为硅材料，PNP型管为锗材料。 序号状态 V1 V2 V3 V4 放  大 饱  和 截  止 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 $$