第3卷-二极管-重庆高等职业教育分类考试电子技术类专业《电子技术基础考点双析卷》

编写说明：重庆市高等职业教育分类考试《电子技术基础考点双析卷》，依据《2025年重庆市高等职业教育分类考试专业综合理论测试电子技术类考试说明》（以下简称考纲）编写。“考点双析”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷。助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环，特别适用于第一轮高考复习教学。 本专辑第3、第4卷精准对标考纲，知识模块（二）.电子技术基础： 第一单元：2．理解二极管的伏安特性和主要参数。 重庆市高等职业教育分类考试电子技术类专业 《电子技术基础考点双析卷》第3卷 二极管 老师讲解卷 一、单选题（本大题共20小题，每题3分，共60分） 1．当环境温度降低时，晶体二极管的反向电流将（   ） A．增大 B．减小 C．不变 D．先增大后减小 2．关于晶体二极管的正确叙述是（   ） A．普通二极管反向击穿后，很大的反向电流使PN结温度迅速升高而烧坏。 B．普通二极管只发生热击穿，不发生电击穿。 C．硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿，所以要串接电阻降压。 D．普通二极管发生击穿后，不可逆转，必然损坏。 3．下图给出了硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线，其中锗二极管的特性曲线是（   ） A．AOD B．AOC C．BOC D．BOD 4．二极管两端加上正向电压时（   ） A．一定导通 B．超过死区电压才能导通 C．超过0.7伏才导通 D．超过0.3伏才导通 5．硅管正偏导通时，其管压降约为（    ） A．0.1V B．0.2V C．0.5V D．0.7V 6．从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于 时处于正偏导通状态。（     ） A．0 B．死区电压 C．反向击穿电压 D．正向压降 7．当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（     ） A．左移，下移 B．右移，上移 C．左移，上移 D．右移，下移 8．二极管导通后两端电压基本不变（   ） A．硅管约为0.2 V，锗管约为0.5 V B．硅管约为0.5 V，锗管约为0.2 V C．硅管约为0.3 V，锗管约为0.7 V D．硅管约为0.7 V，锗管约为0.3 V 9．二极管在反向截止区的反向电流（   ） A．随反向电压升高而升高 B．随反向电压升高而急剧升高 C．基本保持不变 D．随反向电压升高而减少 10．二极管的导通条件（   ） A．uD>0 B．uD>死区电压 C．uD>击穿电压 D．以上都不对 11．二极管的伏安特性曲线中，反向击穿区对应的情况是（   ） A．电压低，电流小 B．电压高，电流小 C．电压低，电流大 D．电压高，电流大 12．理想二极管在正向导通时的电流与电压关系是什么？（   ） A．电流很小，电压很大 B．电流很大，电压很大 C．电流很大，电压很小 D．电流和电压都很小 13．二极管的伏安特性曲线中，正向导通区的特点是（   ） A．电流变化大，电压变化小 B．电流变化小，电压变化大 C．电流和电压变化都大 D．电流和电压变化都小 14．关于二极管的伏安特性，下列说法正确的是（   ） A．二极管加正向电压就一定导通 B．二极管正向导通时，二极管两端的电压和流过二极管的电流成正比 C．二极管反向截止时，会有少量漏电流，且漏电流会随着温度的升高而减小 D．二极管反向电击穿时，两端的电压变化很小 15．某锗二极管的最高反向工作电压为40V，则其反向击穿电压约为（   ） A．80V B．60V C．40V D．20V 16．下列关于二极管温度特性的说法，错误的是（   ） A．温度升高，反向电流增大 B．温度升高，正向压降增大 C．温度升高，导通电压降低 D．温度升高，反向击穿电压降低 17．二极管的主要参数中，反映其承受反向电压能力的是（   ） A．最大整流电流 B．最高反向工作电压 C．反向电流 D．正向压降 18．下列图形符号中,表示稳压二极管的是（   ） A． B． C． D． 19．如图所示，若二极管为硅管，流过电阻的电流是（   ） A．0.01A B．0.1A C．0.93A D．0.093A 20．某二极管的击穿电压是400V，下列那只二极管不会被击穿（   ） A．最高反向工作电压为120v B．最高反向工作电压为220v C．最高反向工作电压为100v D．最高反向工作电压为80v 二、填空题（本大题共5小题，每题2分，共10分） 21．依据制作材料不同，二极管可分为 和 两大类，依据结构形式不同，二极管又可分为 和 及平面型二极管。 22．硅二极管导通时的正向压降为 伏，锗二极管导通时的正向压降为 伏。 23．稳压二极管与普通二极管的伏安特性相似，只是 曲线和 曲线均比普通二极管 。 24．二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流称为 。 25．二极管的正向动态电阻随流过二极管的正向电流的增加而 。 三、判断题（本大题共5小题，每题2分，共10分） 26．小功率塑封稳压二极管在用数字万用表进行二极管档位交换表笔检测时，测得数字小的那次黑表笔接的是此二极管的负极。( ) 27．一般来说，硅晶体二极管的导通电压小于锗二极管的导通电压。( ) 28．二极管的反向饱和电流与温度无关。( ) 29．二极管的开关时间主要取决于它的开通时间。( ) 30．二极管的反向漏电流越小，其单向导电性能就越好。( ) 四、综合应用题（本大题共2小题，每题10分，共20分） 31．写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管的导通电压UD=0.7V。 32．写出下列图中各种贴片元件的名称,并画出它们的图形符号 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 $$ 编写说明：重庆市高等职业教育分类考试《电子技术基础考点双析卷》，依据《2025年重庆市高等职业教育分类考试专业综合理论测试电子技术类考试说明》（以下简称考纲）编写。“考点双析”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷。助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环，特别适用于第一轮高考复习教学。 本专辑第3、第4卷精准对标考纲，知识模块（二）.电子技术基础： 第一单元：2．理解二极管的伏安特性和主要参数。 重庆市高等职业教育分类考试电子技术类专业 《电子技术基础考点双析卷》第3卷 二极管 老师讲解卷 一、单选题（本大题共20小题，每题3分，共60分） 1．当环境温度降低时，晶体二极管的反向电流将（   ） A．增大 B．减小 C．不变 D．先增大后减小 【答案】B 【详解】温度降低时，反向饱和电流会减小。 2．关于晶体二极管的正确叙述是（   ） A．普通二极管反向击穿后，很大的反向电流使PN结温度迅速升高而烧坏。 B．普通二极管只发生热击穿，不发生电击穿。 C．硅稳压二极管只发生电击穿，不发生热击穿，所以要串接电阻降压。 D．普通二极管发生击穿后，不可逆转，必然损坏。 【答案】C 3．下图给出了硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线，其中锗二极管的特性曲线是（   ） A．AOD B．AOC C．BOC D．BOD 【答案】D 【详解】锗二极管的死区电压小于硅二极管，所以选OB。 锗二极管的反向击穿电压小于硅二极管，所以选OD。 选D。 4．二极管两端加上正向电压时（   ） A．一定导通 B．超过死区电压才能导通 C．超过0.7伏才导通 D．超过0.3伏才导通 【答案】B 【详解】二极管两端加上正向电压的值超过死区电压才能导通。 5．硅管正偏导通时，其管压降约为（    ） A．0.1V B．0.2V C．0.5V D．0.7V 【答案】D 【详解】二极管的压降主要是指导通压降，二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。 6．从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于 时处于正偏导通状态。（     ） A．0 B．死区电压 C．反向击穿电压 D．正向压降 【答案】B 【详解】只要正向压降大于二极管的死区电压，二极管就处于正偏导通状态。 7．当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（     ） A．左移，下移 B．右移，上移 C．左移，上移 D．右移，下移 【答案】A 【详解】二极管的正向电压将减小，反向饱和电流将增大。 在环境温度升高时，正向特性曲线将左移，反向特性曲线将下移。 在室温附近，温度每升高1℃，正向压降减小2~2.5mV，温度每升高10℃，反向电流约增大一倍。 8．二极管导通后两端电压基本不变（   ） A．硅管约为0.2 V，锗管约为0.5 V B．硅管约为0.5 V，锗管约为0.2 V C．硅管约为0.3 V，锗管约为0.7 V D．硅管约为0.7 V，锗管约为0.3 V 【答案】D 9．二极管在反向截止区的反向电流（   ） A．随反向电压升高而升高 B．随反向电压升高而急剧升高 C．基本保持不变 D．随反向电压升高而减少 【答案】B 10．二极管的导通条件（   ） A．uD>0 B．uD>死区电压 C．uD>击穿电压 D．以上都不对 【答案】B 11．二极管的伏安特性曲线中，反向击穿区对应的情况是（   ） A．电压低，电流小 B．电压高，电流小 C．电压低，电流大 D．电压高，电流大 【答案】D 【详解】在二极管的伏安特性曲线中，反向击穿区对应的是电压高、电流大的情况。此时，二极管承受过高的反向电压，导致电流急剧增加，可能会损坏二极管。 12．理想二极管在正向导通时的电流与电压关系是什么？（   ） A．电流很小，电压很大 B．电流很大，电压很大 C．电流很大，电压很小 D．电流和电压都很小 【答案】C 【详解】理想二极管在正向导通时，其导通电压接近于零，电流可以非常大，因此电流很大，电压很小。正确答案是 C。 13．二极管的伏安特性曲线中，正向导通区的特点是（   ） A．电流变化大，电压变化小 B．电流变化小，电压变化大 C．电流和电压变化都大 D．电流和电压变化都小 【答案】A 【详解】二极管在正向导通区，电流变化大，电压变化小。所以选择A选项。 14．关于二极管的伏安特性，下列说法正确的是（   ） A．二极管加正向电压就一定导通 B．二极管正向导通时，二极管两端的电压和流过二极管的电流成正比 C．二极管反向截止时，会有少量漏电流，且漏电流会随着温度的升高而减小 D．二极管反向电击穿时，两端的电压变化很小 【答案】D 15．某锗二极管的最高反向工作电压为40V，则其反向击穿电压约为（   ） A．80V B．60V C．40V D．20V 【答案】D 【详解】锗二极管的反向击穿电压约为最高反向工作电压的一半，所以约为20V，D选项正确。 16．下列关于二极管温度特性的说法，错误的是（   ） A．温度升高，反向电流增大 B．温度升高，正向压降增大 C．温度升高，导通电压降低 D．温度升高，反向击穿电压降低 【答案】B 【详解】温度升高，正向压降减小，不是增大。 17．二极管的主要参数中，反映其承受反向电压能力的是（   ） A．最大整流电流 B．最高反向工作电压 C．反向电流 D．正向压降 【答案】B 【详解】最高反向工作电压反映了二极管承受反向电压的能力。所以选择 B 选项。 18．下列图形符号中,表示稳压二极管的是（   ） A． B． C． D． 【答案】B 19．如图所示，若二极管为硅管，流过电阻的电流是（   ） A．0.01A B．0.1A C．0.93A D．0.093A 【答案】D 【详解】硅管导通电压为0.7V，二极管承受正向电压导通，导通之后端电压为0.7V，电阻上的电压为10v-0.7v=9.3v，利用欧姆定律可知流过的电流为0.093A。 20．某二极管的击穿电压是400V，下列那只二极管不会被击穿（   ） A．最高反向工作电压为120v B．最高反向工作电压为220v C．最高反向工作电压为100v D．最高反向工作电压为80v 【答案】B 【详解】最高反向工作电压为击穿电压的1/2~1/3，最高反向工作电压为220v的二极管不会被击穿 二、填空题（本大题共5小题，每题2分，共10分） 21．依据制作材料不同，二极管可分为 和 两大类，依据结构形式不同，二极管又可分为 和 及平面型二极管。 【答案】 硅二极管 锗二极管 点接触型 面接触型 22．硅二极管导通时的正向压降为 伏，锗二极管导通时的正向压降为 伏。 【答案】 0.7 0.3 【详解】硅二极管导通时的正向压降为0.7伏，锗二极管导通时的正向压降为0.3伏。 23．稳压二极管与普通二极管的伏安特性相似，只是 曲线和 曲线均比普通二极管 。 【答案】 正向导通特性 反向击穿 陡峭 24．二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流称为 。 【答案】最大整流电流 【详解】二极管长期运行时，允许通过的最大正向平均电流称为最大整流电流。 25．二极管的正向动态电阻随流过二极管的正向电流的增加而 。 【答案】减小 三、判断题（本大题共5小题，每题2分，共10分） 26．小功率塑封稳压二极管在用数字万用表进行二极管档位交换表笔检测时，测得数字小的那次黑表笔接的是此二极管的负极。( ) 【答案】正确 【详解】小功率塑封稳压二极管在用数字万用表进行二极管档位交换表笔检测时，测得数字小的那次黑表笔接的是此二极管的负极。 27．一般来说，硅晶体二极管的导通电压小于锗二极管的导通电压。( ) 【答案】错误 28．二极管的反向饱和电流与温度无关。( ) 【答案】错误 【详解】二极管随温度升高，反向饱和电流增大。 29．二极管的开关时间主要取决于它的开通时间。( ) 【答案】错误 【详解】二极管的开关时间主要取决于反向恢复时间，而不是开通时间。 30．二极管的反向漏电流越小，其单向导电性能就越好。( ) 【答案】正确 四、综合应用题（本大题共2小题，每题10分，共20分） 31．写出如图所示各电路的输出电压值，设二极管的导通电压UD=0.7V。 【答案】 32．写出下列图中各种贴片元件的名称,并画出它们的图形符号 【答案】 （1）贴片电阻 （2）贴片电容 （3）贴片电感 （4）贴片二极管 （5）贴片三极管 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 $$