第4卷-二极管-重庆高等职业教育分类考试电子技术类专业《电子技术基础考点双析卷》

编写说明：重庆市高等职业教育分类考试《电子技术基础考点双析卷》，依据《2025年重庆市高等职业教育分类考试专业综合理论测试电子技术类考试说明》（以下简称考纲）编写。“考点双析”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷。助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环，特别适用于第一轮高考复习教学。 本专辑第3、第4卷精准对标考纲，知识模块（二）.电子技术基础： 第一单元：2．理解二极管的伏安特性和主要参数。 重庆市高等职业教育分类考试电子技术类专业 《电子技术基础考点双析卷》第4卷 二极管 学生练习卷 时间：90分钟 总分：100分 班级_______姓名_______成绩_______学号_______ 一、单选题（本大题共20小题，每题3分，共60分） 1．如图所示为硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线，下列说法错误的是（   ） A．Oa为锗管的正向特性曲线，锗二极管死区电压小 B．Ob为硅管正向特性曲线，硅二极管导通压降大 C．二极管伏安特性曲线描述加在二极管两端电压与通过二极管电流之间的关系 D．Oc和Od分别为硅管和锗管的反向特性曲线，Od反向饱和电流小于Oc 2．当温度升高时，二极管反向饱和电流将（   ） A．减小 B．增大 C．不变 D．变为零 3．如图所示硅二极管的伏安特性曲线由___组成（   ） A．a和c B．a和d C．b和c D．b和d 4．当用万用表不同欧姆挡去测量二极管正向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为（   ） A．该管已坏 B．万用表各电阻挡有差异 C．二极管的电阻可变 D．二极管的伏安特性是非线性 5．用指针式万用表不同欧姆挡测量二极管正向电阻时，测得的阻值不相同，其原因是（   ） A．二极管质量差 B．万用表不同欧姆挡有不同的内阻 C．二极管有非线性的伏安特性 D．用指针式万用表测量的结果不准确 6．如图所示为某二极管的伏安特性曲线，下列说法正确的是（   ） A．该二极管是锗管 B．A处的动态电阻比B处大 C．D点处于截止区 D．二极管导通压降可达数十伏 7．二极管两端的反向偏置电压增大时，在达到___电压以前，通过的电流很小（   ） A．击穿 B．最大 C．死区 D．最小 8．若把二极管直接同一个电动势为2V,内阻为零的电源实行正向连接，则该管（   ） A．击穿 B．电流为零 C．电流过大而损坏 D．正向电压偏低而截止 9．硅二极管的导通电压为（   ） A．0.2V B．0.3V C．0.5V D．0.7V 10．硅二极管的死区电压为（   ） A．0.2V B．0.3V C．0.5V D．0.7V 11．在电子电路中，二极管常用于（   ） A．整流 B．稳压 C．限幅 D．以上都是 12．二极管的反向饱和电流主要由什么决定（   ） A．温度 B．材料 C．正向电压 D．反向电压 13．二极管的反向饱和电流（   ） A．随温度升高而增大 B．随温度升高而减小 C．不随温度变化 D．与温度无关 14．下列说法正确的是（   ） A．随着温度的升高，二极管的门槛电压也随之增大 B．随着温度的升高，二极管的正向压降也随之增大 C．随着温度的升高，二极管的反向饱和电流也随之增大 D．随着温度的升高，二极管的导通电压也随之升高 15．下列关于二极管的特性参数说法正确的是（   ） A．二极管正常工作时，通过的电流可以超过额定工作电流 B．二极管的最高反向工作电压就是二极管的击穿电压，所以一旦超过最高反向工作电压，二极管立马击穿烧坏 C．二极管的漏电流反映了二极管单向导电特性的好坏，该电流越大表明导电性能越好 D．二极管的最高工作频率是指二极管正常工作时的最高频率 16．在选择二极管时，需要考虑的参数有（   ） A．最大反向电压 B．最大整流电流 C．工作频率 D．以上都是 17．判断二极管极性时，有白色环的一端通常为（   ） A．正极 B．负极 C．不确定 D．以上都不对 18．下列图形符号中，哪一个是发光二极管的图形符号（   ） A． B． C． D． 19．下列关于2CW系列二极管说法正确的是（   ） A．该管是N型锗管 B．该管表示整流二极管 C．该管是N型硅管 D．该管表示P型硅管 20．晶体二极管内部由 构成（   ） A．一个PN结 B．两个PN结 C．两块N型半导体 D．两块P型半导体 二、填空题（本大题共5小题，每题2分，共10分） 21．二极管硅管的门槛电压约 V；锗管导通时正向压降约 V。 22．二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中 是可逆的，而 会损坏二极管。 23．二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、 区和 区四个工作 24．锗二极管的正向电压为 左右，硅二极管的正向电压为 左右。 25．温度上升时，二极管的反向饱和电流 ，而反向击穿电压 。 三、判断题（本大题共5小题，每小题2分，共10分） 26．小功率塑封稳压二极管如果管体上出现了6V2字样，则进行计数时，中间的V代表着小数点，即些稳压二极管正常工作时稳定电压为6.2V。( ) 27．二极管反向漏电流越小，表明二极管单向导电性越好。( ) 28．稳压二极管的伏安特性曲线：正、反向特性曲线与普通二极管相同。( ) 29．二极管的最高反向工作电压为20V，那么至少60V的电压才能将其击穿( ) 30．测量输出电压时，测得输出电压和输入电压相等，说明可能有一支二极管虚焊。( ) 四、综合应用题（本大题共2小题，每题10分，共20分） 31．识别下面元器件,写出它们的名称,画出它们的图形符号。 32．电路如图所示，二极管为锗二极管，请分析二极管的状态并计算回路电流。 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 $$ 编写说明：重庆市高等职业教育分类考试《电子技术基础考点双析卷》，依据《2025年重庆市高等职业教育分类考试专业综合理论测试电子技术类考试说明》（以下简称考纲）编写。“考点双析”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷。助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环，特别适用于第一轮高考复习教学。 本专辑第3、第4卷精准对标考纲，知识模块（二）.电子技术基础： 第一单元：2．理解二极管的伏安特性和主要参数。 重庆市高等职业教育分类考试电子技术类专业 《电子技术基础考点双析卷》第4卷 二极管 学生练习卷 时间：90分钟 总分：100分 班级_______姓名_______成绩_______学号_______ 一、单选题（本大题共20小题，每题3分，共60分） 1．如图所示为硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线，下列说法错误的是（   ） A．Oa为锗管的正向特性曲线，锗二极管死区电压小 B．Ob为硅管正向特性曲线，硅二极管导通压降大 C．二极管伏安特性曲线描述加在二极管两端电压与通过二极管电流之间的关系 D．Oc和Od分别为硅管和锗管的反向特性曲线，Od反向饱和电流小于Oc 【答案】D 2．当温度升高时，二极管反向饱和电流将（   ） A．减小 B．增大 C．不变 D．变为零 【答案】D 3．如图所示硅二极管的伏安特性曲线由___组成（   ） A．a和c B．a和d C．b和c D．b和d 【答案】D 【详解】正向特性：硅二极管死区电压为0.5V，导通管压降为0.7V。对应图中的a和b，其中a是理想二极管的正向特性曲线（导通电压为0），b是实际二极管的正向特性曲线，所以选b。 反向特性：当二极管加反向电压时，在一定范围内，反向电流很小且基本不变，对应图中的c和d，其中c是理想二极管的反向特性曲线（反向电流为0），是d实际二极管的反向特性曲线（有微小的反向饱和电流），所以选d。 4．当用万用表不同欧姆挡去测量二极管正向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为（   ） A．该管已坏 B．万用表各电阻挡有差异 C．二极管的电阻可变 D．二极管的伏安特性是非线性 【答案】D 5．用指针式万用表不同欧姆挡测量二极管正向电阻时，测得的阻值不相同，其原因是（   ） A．二极管质量差 B．万用表不同欧姆挡有不同的内阻 C．二极管有非线性的伏安特性 D．用指针式万用表测量的结果不准确 【答案】C 6．如图所示为某二极管的伏安特性曲线，下列说法正确的是（   ） A．该二极管是锗管 B．A处的动态电阻比B处大 C．D点处于截止区 D．二极管导通压降可达数十伏 【答案】B 7．二极管两端的反向偏置电压增大时，在达到___电压以前，通过的电流很小（   ） A．击穿 B．最大 C．死区 D．最小 【答案】A 8．若把二极管直接同一个电动势为2V,内阻为零的电源实行正向连接，则该管（   ） A．击穿 B．电流为零 C．电流过大而损坏 D．正向电压偏低而截止 【答案】C 【详解】内阻为零，电流无穷大，二极管会因为电流过大而损坏。 9．硅二极管的导通电压为（   ） A．0.2V B．0.3V C．0.5V D．0.7V 【答案】D 【详解】硅管的导通电压为0.6~0.7v。 10．硅二极管的死区电压为（   ） A．0.2V B．0.3V C．0.5V D．0.7V 【答案】C 【详解】硅管的死区电压为0.5V。 11．在电子电路中，二极管常用于（   ） A．整流 B．稳压 C．限幅 D．以上都是 【答案】D 【详解】二极管在电子电路中可用于整流、稳压、限幅等功能。所以选择 D 选项。 12．二极管的反向饱和电流主要由什么决定（   ） A．温度 B．材料 C．正向电压 D．反向电压 【答案】B 【详解】二极管的反向饱和电流主要由半导体材料决定，不同材料的二极管在相同条件下具有不同的反向饱和电流。因此，B选项正确。A选项错误，温度对反向饱和电流有一定影响，但不是主要因素。C和D选项错误，正向电压和反向电压与反向饱和电流无直接关系。 13．二极管的反向饱和电流（   ） A．随温度升高而增大 B．随温度升高而减小 C．不随温度变化 D．与温度无关 【答案】A 【详解】二极管的反向饱和电流随温度升高而增大。所以选择 A 选项。 14．下列说法正确的是（   ） A．随着温度的升高，二极管的门槛电压也随之增大 B．随着温度的升高，二极管的正向压降也随之增大 C．随着温度的升高，二极管的反向饱和电流也随之增大 D．随着温度的升高，二极管的导通电压也随之升高 【答案】C 15．下列关于二极管的特性参数说法正确的是（   ） A．二极管正常工作时，通过的电流可以超过额定工作电流 B．二极管的最高反向工作电压就是二极管的击穿电压，所以一旦超过最高反向工作电压，二极管立马击穿烧坏 C．二极管的漏电流反映了二极管单向导电特性的好坏，该电流越大表明导电性能越好 D．二极管的最高工作频率是指二极管正常工作时的最高频率 【答案】D 16．在选择二极管时，需要考虑的参数有（   ） A．最大反向电压 B．最大整流电流 C．工作频率 D．以上都是 【答案】D 【详解】在选择二极管时，最大反向电压、最大整流电流和工作频率等参数都需要考虑。所以选择 D 选项。 17．判断二极管极性时，有白色环的一端通常为（   ） A．正极 B．负极 C．不确定 D．以上都不对 【答案】B 【详解】有白色环的一端通常为负极。所以选择 B 选项。 18．下列图形符号中，哪一个是发光二极管的图形符号（   ） A． B． C． D． 【答案】B 【详解】本题为高考真题，主要考察发光二极管的图形符号，注意区分A选项与B选项，箭头朝外指才是发光二极管，箭头朝内指是光电二极管。 19．下列关于2CW系列二极管说法正确的是（   ） A．该管是N型锗管 B．该管表示整流二极管 C．该管是N型硅管 D．该管表示P型硅管 【答案】C 【详解】极管型号的命名规则可以帮助我们判断二极管的类型、材料等信息。在国产二极管的命名中，第一个数字 “2” 表示二极管。第二位字母表示材料和极性，“C” 表示 N 型硅材料，“D” 表示 P 型硅材料。第三位字母 “W” 表示稳压管。 所以 2CW 系列二极管是 N 型硅管制成的稳压二极管。选C。 20．晶体二极管内部由 构成（   ） A．一个PN结 B．两个PN结 C．两块N型半导体 D．两块P型半导体 【答案】A 【详解】二极管的核心结构是一个PN结 二、填空题（本大题共5小题，每题2分，共10分） 21．二极管硅管的门槛电压约 V；锗管导通时正向压降约 V。 【答案】 0.5 0.3 22．二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中 是可逆的，而 会损坏二极管。 【答案】 电击穿 热击穿 23．二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、 区和 区四个工作 【答案】 反向截止 反向击穿 24．锗二极管的正向电压为 左右，硅二极管的正向电压为 左右。 【答案】 0.3V 0.7V 25．温度上升时，二极管的反向饱和电流 ，而反向击穿电压 。 【答案】 增大 减小 三、判断题（本大题共5小题，每小题2分，共10分） 26．小功率塑封稳压二极管如果管体上出现了6V2字样，则进行计数时，中间的V代表着小数点，即些稳压二极管正常工作时稳定电压为6.2V。( ) 【答案】正确 【详解】小功率塑封稳压二极管如果管体上出现了6V2字样，则进行计数时，中间的V代表着小数点，即些稳压二极管正常工作时稳定电压为6.2V。 27．二极管反向漏电流越小，表明二极管单向导电性越好。( ) 【答案】正确 28．稳压二极管的伏安特性曲线：正、反向特性曲线与普通二极管相同。( ) 【答案】错误 【详解】本题考查稳压二极管的伏安特性曲线，稳压二极管的伏安特性曲线特点是：其正向特性与普通二极管相同，反向特性曲线在击穿区域，比普通二极管更陡直，因此该题的说法是错误的。 29．二极管的最高反向工作电压为20V，那么至少60V的电压才能将其击穿( ) 【答案】错误 【详解】根据最高反向工作电压一般为击穿电压的1/2~1/3可知，至少40V的电压可以击穿。 30．测量输出电压时，测得输出电压和输入电压相等，说明可能有一支二极管虚焊。( ) 【答案】正确 【详解】因为二极管的单向导电性，输出电压只保留大于0的输入电压部分，会滤除小于0的输入电压。测得输出电压和输入电压相等，说明可能有一支二极管虚焊 四、综合应用题（本大题共2小题，每题10分，共20分） 31．识别下面元器件,写出它们的名称,画出它们的图形符号。 【答案】（1）三极管（2）二极管 32．电路如图所示，二极管为锗二极管，请分析二极管的状态并计算回路电流。 【答案】 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 $$