内容正文:
编写说明:重庆市高等职业教育分类考试《电子技术基础考点双析卷》,依据《2025年重庆市高等职业教育分类考试专业综合理论测试电子技术类考试说明》(以下简称考纲)编写。“考点双析”即围绕一个考点,一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷。助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环,特别适用于第一轮高考复习教学。
本专辑第9、第10卷精准对标考纲,知识模块(二).电子技术基础:
第二单元:1.了解三极管的基本结构,掌握电流分配和电流放大原理。
重庆市高等职业教育分类考试电子技术类专业
《电子技术基础考点双析卷》第9卷
三极管的基本结构及电流放大特点 老师讲解卷
一、单选题(本大题共20小题,每题3分,共60分)
1.某三极管型号为3BX5B,说明此三极管是( )
A.高频大功率管 B.低频小功率管
C.高频小功率管 D.低频大功率管
2.下列关于PNP型三极管说法错误的是( )
A.内部有两个PN结
B.内部有两个N型半导体、1个P型半导体
C.外部有三个电极
D.内部有1个N型半导体、2个P型半导体
3.下列不属于三极管的引脚的是( )
A.基极 B.集电极 C.公共极 D.发射极
4.某三极管的①脚流出电流为3mA、②脚流入电流为2.95mA、③脚流入电流为0.05mA则各脚名称及管型为( )
A.①脚为e极、②脚为b极、③脚为c极且为NPN型
B.①脚为c极、②脚为e极、③脚为b极且为PNP型
C.①脚为e极、②脚为c极、③脚为b极且为NPN型
D.①脚为e极、②脚为b极、③脚为c极且为PNP型
5.三极管有 个PN结。( )
A.2 B.3 C.4 D.5
6.下面图形符号中,表示 NPN 型三极管的是( )
A. B. C. D.
7.识别三极管时,箭头指向外的是( )
A.NPN 型 B.PNP 型 C.无法确定 D.以上都不对
8.测得电路中,管子各级对地电位如图所示,则处于放大状态的管子是( )
A. B. C. D.
9.在三极管放大电路中,三极管各极电位最高的是( )
A.NPN管发射极 B.PNP管发射极 C.PNP管集电极 D.NPN管基极
10.半导体三极管又称( )
A.胆管 B.晶闸管 C.CMOS管 D.晶体管
11.在一个NPN型三极管放大电路中,当集电流增大时,品体三极管的基极电流应该是( )
A.不变 B.减小 C.增大 D.变化不定
12.为了保证晶体管放大器的正常工作,应当设置合适的静态工作点,使其( )
A.基极电压为负 B.饱和状态
C.工作于线性放大区 D.工作在高频段
13.调节晶体三极管的哪个参数可以改变其放大倍数( )
A.集电极电流IC B.基极电流IB
C.集电极电压UCE D.发射极电压UBE
14.如何通过改变集电极与发射极之间的电压来控制晶体三极管的饱和状态( )
A.调节发射结电压 B.调节基极电流
C.调节集电极电流 D.调节漏极电压
15.在一个放大电路中,如何改变基极电流以控制集电极电流( )
A.调节发射极电压 B.调节基极电压
C.调节集电极电压 D.调节漏极电流
16.在三极管放大电路中,三极管最低电位的一端是( )
A.NPN管的集电极 B.PNP管的集电极
C.NPN管的发射极 D.PNP管的发射极
17.某三极管中,已知Pcm=80mW,Icm=10mA,Vceo=25V。若接在Ic=8mA,Vc=20V的电路中,则该三极管( )
A.被击穿 B.能正常工作 C.功耗过大而烧毁 D.均有可能
18.三极管的内部三个区分别是( )
A.集电区、基区、公共区 B.集电区、基区、发射区
C.基区、发射区、公共区 D.集电区、发射区、公共区
19.下列关于NPN型三极管说法错误的是( )
A.内部有两个PN结 B.内部有两个N型半导体、1个P型半导体
C.有三个引脚 D.内部有1个N型半导体、2个P型半导体
20.三极管内部有___个PN结( )
A.1 B.2 C.3 D.0
二、填空题(本大题共5小题,每题2分,共10分)
21.双极型半导体三极管按结构可分为 型和 型两种。
22.双极型三极管简称晶体管,属于 控制型器件,单极型三极管称为MOS管,属于 控制型器件。MOS管只有 载流子构成导通电流。
23.放大电路应遵循的基本原则是: 结正偏; 结反偏。
24.三极管是一种 控制型器件,场效应管是一种 控制型器件。
25.三极管工作在正常放大状态的条件是:发射结 ,集电结 。三极管处于饱和状态时的外部条件是发射结加 偏置电压,集电结加 偏置电压。
三、判断题(本大题共5小题,每题2分,共10分)
26.三极管从基区引出的电极叫基极。( )
27.三极管的集电结比发射结区域宽。( )
28.因为场效应管的漏极和源极可以互换使用,所以三极管的C、E极也可以互换使用。( )
29.晶体管的放大作用就是以小电流控制大电流,而不是对能量的放大。( )
30.三极管内部电流满足基尔霍大第一定律(节点电流定律)。( )
四、综合应用题(本大题共2小题,每题10分,共20分)
31.在放大电路中测得各三极管电位如图所示,试判断各管脚、类型及材料。
32.写出下列图中各种贴片元件的名称,并画出它们的图形符号
试卷第1页,共3页
试卷第1页,共3页
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编写说明:重庆市高等职业教育分类考试《电子技术基础考点双析卷》,依据《2025年重庆市高等职业教育分类考试专业综合理论测试电子技术类考试说明》(以下简称考纲)编写。“考点双析”即围绕一个考点,一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷。助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环,特别适用于第一轮高考复习教学。
本专辑第9、第10卷精准对标考纲,知识模块(二).电子技术基础:
第二单元:1.了解三极管的基本结构,掌握电流分配和电流放大原理。
重庆市高等职业教育分类考试电子技术类专业
《电子技术基础考点双析卷》第9卷
三极管的基本结构及电流放大特点 老师讲解卷
一、单选题(本大题共20小题,每题3分,共60分)
1.某三极管型号为3BX5B,说明此三极管是( )
A.高频大功率管 B.低频小功率管
C.高频小功率管 D.低频大功率管
【答案】B
2.下列关于PNP型三极管说法错误的是( )
A.内部有两个PN结
B.内部有两个N型半导体、1个P型半导体
C.外部有三个电极
D.内部有1个N型半导体、2个P型半导体
【答案】B
【详解】PNP型三极管内部有1个N型半导体、两个P型半导体。
3.下列不属于三极管的引脚的是( )
A.基极 B.集电极 C.公共极 D.发射极
【答案】C
【详解】三极管的三个引脚分别为基极、集电极、发射极。
4.某三极管的①脚流出电流为3mA、②脚流入电流为2.95mA、③脚流入电流为0.05mA则各脚名称及管型为( )
A.①脚为e极、②脚为b极、③脚为c极且为NPN型
B.①脚为c极、②脚为e极、③脚为b极且为PNP型
C.①脚为e极、②脚为c极、③脚为b极且为NPN型
D.①脚为e极、②脚为b极、③脚为c极且为PNP型
【答案】D
【详解】根据Ie=Ic+Ib,再根据3mA=0.05mA+2.95mA。 推定①脚是射极E。 根据Ic=βIb,即Ic远大于Ib, 推定②脚是基极B,③脚是集电极C。VE>VB>VC为PNP型。
5.三极管有 个PN结。( )
A.2 B.3 C.4 D.5
【答案】A
【详解】三极管有两个PN结,分别是集电结和发射结。
6.下面图形符号中,表示 NPN 型三极管的是( )
A. B. C. D.
【答案】A
7.识别三极管时,箭头指向外的是( )
A.NPN 型 B.PNP 型 C.无法确定 D.以上都不对
【答案】A
【详解】三极管符号中,箭头指向外的是 NPN 型,箭头指向里的是 PNP 型。所以选择 A 选项。
8.测得电路中,管子各级对地电位如图所示,则处于放大状态的管子是( )
A. B. C. D.
【答案】B
【详解】AD为NPN型三极管,如果三极管处于放大状态则VBE>0,且VBC<0。A选项中VBE=VB-VE=-2.3-(-2)=-0.3V不符合。D选项中VBE=-9.2-(-8.5)=-0.7V,不符合要求
BC为PNP型三极管,如果三极管处于放大状态则VBE<0,且VBC>0。B选项中VBE=VB-VE=-12.3-(-12)=-0.3V,VBC=VB-VC=-12.3-(-15)=2.7V符合。C选项中VBE=5.3-6=-0.7V,VBC=0不符合,选B。
9.在三极管放大电路中,三极管各极电位最高的是( )
A.NPN管发射极 B.PNP管发射极 C.PNP管集电极 D.NPN管基极
【答案】B
【详解】NPN型三极管VC>VB>VE即集电极电位最高;
PNP型三极管VC<VB<VE即发射极电位最高。
10.半导体三极管又称( )
A.胆管 B.晶闸管 C.CMOS管 D.晶体管
【答案】D
11.在一个NPN型三极管放大电路中,当集电流增大时,品体三极管的基极电流应该是( )
A.不变 B.减小 C.增大 D.变化不定
【答案】A
【详解】在NPN型三极管中,当集电流增大时,基极电流通常保持不变。这是因为集电流的增加主要通过发射极到基极的电流增加来实现,而基极本身的电流变化相对较小。正确答案是A
12.为了保证晶体管放大器的正常工作,应当设置合适的静态工作点,使其( )
A.基极电压为负 B.饱和状态
C.工作于线性放大区 D.工作在高频段
【答案】C
【详解】设置合适的静态工作点是为了确保晶体管在工作时能够在线性放大区域内运行,从而不产生失真并能有效地放大输入信号。选项C中的工作于线性放大区描述了晶体管在正常工作时的状态,因此是确保放大器正常工作的必要条件。因此,正确答案是C
13.调节晶体三极管的哪个参数可以改变其放大倍数( )
A.集电极电流IC B.基极电流IB
C.集电极电压UCE D.发射极电压UBE
【答案】B
【详解】调节基极电流IB 可以改变晶体三极管的放大倍数,因为基极电流决定了集电极电流 IC的增益。因此,正确答案是B
14.如何通过改变集电极与发射极之间的电压来控制晶体三极管的饱和状态( )
A.调节发射结电压 B.调节基极电流
C.调节集电极电流 D.调节漏极电压
【答案】C
【详解】控制晶体三极管的饱和状态可以通过调节集电极与发射极之间的电压(Uce)。确保Ucb大于Uce,并且满足晶体三极管的饱和条件(即Ib>Ie),即可使晶体三极管处于饱和状态。因此,正确答案是C
15.在一个放大电路中,如何改变基极电流以控制集电极电流( )
A.调节发射极电压 B.调节基极电压
C.调节集电极电压 D.调节漏极电流
【答案】B
【详解】在一个放大电路中,通过调节基极电流(Ib),可以控制三极管的放大倍数,进而影响集电极电流(Ic)的变化。因此,正确答案是B
16.在三极管放大电路中,三极管最低电位的一端是( )
A.NPN管的集电极 B.PNP管的集电极
C.NPN管的发射极 D.PNP管的发射极
【答案】B
【详解】在PNP管的放大电路中,集电极电位最低,B选项正确。在NPN管的放大电路中,集电极电位最高。
17.某三极管中,已知Pcm=80mW,Icm=10mA,Vceo=25V。若接在Ic=8mA,Vc=20V的电路中,则该三极管( )
A.被击穿 B.能正常工作 C.功耗过大而烧毁 D.均有可能
【答案】C
【详解】计算三极管的功耗Pc=Ic×Vc=8mA×20V=160mW,超过了Pcm=80mW,会功耗过大而烧毁,C选项正确。
18.三极管的内部三个区分别是( )
A.集电区、基区、公共区 B.集电区、基区、发射区
C.基区、发射区、公共区 D.集电区、发射区、公共区
【答案】B
【详解】根据结构图可知三个区为集电区、基区、发射区。
19.下列关于NPN型三极管说法错误的是( )
A.内部有两个PN结 B.内部有两个N型半导体、1个P型半导体
C.有三个引脚 D.内部有1个N型半导体、2个P型半导体
【答案】B
【详解】NPN型三极管内部有两个N型半导体、1个P型半导体。
20.三极管内部有___个PN结( )
A.1 B.2 C.3 D.0
【答案】B
【详解】三极管的核心结构是两个PN结
二、填空题(本大题共5小题,每题2分,共10分)
21.双极型半导体三极管按结构可分为 型和 型两种。
【答案】 NPN PNP
22.双极型三极管简称晶体管,属于 控制型器件,单极型三极管称为MOS管,属于 控制型器件。MOS管只有 载流子构成导通电流。
【答案】 电流 电压 多数
23.放大电路应遵循的基本原则是: 结正偏; 结反偏。
【答案】 发射 集电
24.三极管是一种 控制型器件,场效应管是一种 控制型器件。
【答案】 电流 电压
25.三极管工作在正常放大状态的条件是:发射结 ,集电结 。三极管处于饱和状态时的外部条件是发射结加 偏置电压,集电结加 偏置电压。
【答案】 正偏 反偏 正向 正向
三、判断题(本大题共5小题,每题2分,共10分)
26.三极管从基区引出的电极叫基极。( )
【答案】正确
【详解】从基区引出的电极叫基极。
27.三极管的集电结比发射结区域宽。( )
【答案】正确
【详解】集电结比发射结宽。
28.因为场效应管的漏极和源极可以互换使用,所以三极管的C、E极也可以互换使用。( )
【答案】错误
29.晶体管的放大作用就是以小电流控制大电流,而不是对能量的放大。( )
【答案】正确
30.三极管内部电流满足基尔霍大第一定律(节点电流定律)。( )
【答案】正确
【详解】三极管有三个电极:IE=IB+IC。所以三极管内部电流满足基尔霍大第一定律(节点电流定律)
四、综合应用题(本大题共2小题,每题10分,共20分)
31.在放大电路中测得各三极管电位如图所示,试判断各管脚、类型及材料。
【答案】A、1、为e 2、为c 3、为b NPN 硅
B、1、为c 2、为b 3、为e PNP 锗
【详解】3.4V-2.7V=0.7V所以是硅管
6.8>3.4>2.7 所以是NPN型Uc>Ub>Ue
所以左图为NPN型硅管123分别为e c b
10-9.8=0.2V所以是锗管
10V最大所以右图为PNP锗管 Ue>Ub>Uc
右图123分别为cbe
32.写出下列图中各种贴片元件的名称,并画出它们的图形符号
【答案】(1)贴片电阻
(2)贴片电容
(3)贴片电感
(4)贴片二极管
(5)贴片三极管
试卷第1页,共3页
试卷第1页,共3页
学科网(北京)股份有限公司
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