半导体的主要特性《电子技术基础与技能考点双析卷》第1卷-四川省（对口招生）电子信息类

编写说明：四川省普通高校招生职业技能考试《电子技术基础与技能》考点双析卷专辑，依据《四川省普通高校招生职业技能考试电子信息类考试大纲》编写，专为四川省中等职业学校电子信息专业类对口升学复习量身打造。“考点双析卷”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷，助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环，是高考首轮复习教学的得力助手。 本专辑第1、第2卷精准对标《四川省普通高校招生职业技能考试电子信息类考试大纲》考纲，考试范围及要求知识模块【电子技术基础与技能】： 1.半导体的主要特性 (1)了解半导体的概念、特性；(2)了解P 型 、N 型半导体；(3)掌握PN 结的特性。 四川省（对口招生）电子信息专业类 《电子技术基础与技能》考点双析卷 第1卷 半导体的主要特性 老师讲解卷 一、单选题（本大题共20小题，每题4分，共80分） 1．半导体中的电子浓度等于空穴浓度，这样的半导体为（   ） A．P型半导体 B．本征半导体 C．N型半导体 D．杂质半导体 【答案】B 【详解】电子浓度等于空穴浓度的半导体是本征半导体，B选项正确。 2．当金属导体导通后，参加导电的是（   ） A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子 D．自由电子和空穴 【答案】B 【详解】金属导体中，参加导电的主要是自由电子，属于多数载流子B选项正确。 3．杂质半导体中少数载流子的浓度 本征半导体中载流子浓度。（   ） A．大于 B．等于 C．小于 D．无法比较 【答案】C 4．N型半导体是在本征半导体中加入微量的 元素构成的。（   ） A．三价 B．四价 C．五价 D．六价 【答案】C 5．在P型半导体中（   ） A．空穴是多数载流子，电子是少数载流子 B．没有电子 C．空穴的数量略多于电子 D．无法确定 【答案】A 6．在P型半导体中（   ） A．没有电子 B．电子是多数载流子，空穴是少数载流子 C．空穴的数量略多于电子 D．空穴是多数载流子，电子是少数载流子 【答案】D 7．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量会（   ） A．同时增加 B．同时减少 C．增减难以确定 D．不变 【答案】A 8．在本征半导体中，自由电子浓度（    ）空穴浓度。 A．大于 B．小于 C．等于 D．不能确定 【答案】C 【详解】本征半导体是一种纯净的半导体材料。在晶体结构中，本征半导体中几乎不掺杂其他元素或化学物质。 9．半导体中传导电流的载流子是（    ） A．电子 B．空穴 C．电子和空穴 D．正电荷 【答案】C 【详解】半导体材料通常由两种不同类型的输运载流子组成：电子和空穴。 10．杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（    ） A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶体缺陷 【答案】C 【详解】在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度主要取决于温度。 11．在使用万用表检测单向晶闸管时，下列哪项操作是不正确的（   ） A．使用手直接接触晶闸管的引脚进行测量 B．将红黑表笔分别接触晶闸管的正负极进行测量 C．在测量前将万用表调整到适当的档位 D．在测量过程中注意观察表头的读数变化 【答案】A 【详解】使用手直接接触晶闸管的引脚进行测量可能会引入额外的电阻和干扰，影响测量结果的准确性。 12．PN结中，哪一侧是正电荷区（   ） A．P区 B．N区 C．无法确定 D．两侧都是 【答案】A 【详解】在PN结中，P型半导体区域由于空穴浓度高，呈现出正电性，而N型半导体区域由于电子浓度高，呈现出负电性。因此，正电荷区是P区。 13．P型半导体是利用半导体的 制成的。（   ） A．掺杂性 B．热敏性 C．导电性 D．光敏性 【答案】A 14．常用于制作半导体的材料是（   ） A．硅、硼 B．锗、铟 C．硼、磷 D．硅、锗 【答案】D 15．下列对物质的分类说法错误的是（   ） A．物质按照导电能力强弱可以分为导体、绝缘体、半导体。 B．导体的导电能力最强。 C．半导体的导电能力最弱。 D．绝缘体能够良好地隔绝电流。 【答案】C 【详解】半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。 16．半导体材料的导电能力介于_______之间。（   ） A．导体和绝缘体 B．金属和非金属 C．正电荷和负电荷 D．直流电和交流电 【答案】A 【详解】半导体材料的导电能力介于导体和绝缘体之间。所以选择 A 选项。 17．PN 结加反向电压时，电流（   ） A．很大 B．很小 C．不变 D．为零 【答案】B 【详解】PN 结加反向电压时，处于截止状态，电流很小。所以选择 B 选项。 18．半导体中参与导电的载流子有（   ） A．自由电子 B．空穴 C．正离子 D．A 和 B 【答案】D 【详解】半导体中参与导电的载流子有自由电子和空穴。所以选择 D 选项。 19．PN 结的电容效应包括（   ） A．势垒电容 B．扩散电容 C．以上都是 D．以上都不是 【答案】C 【详解】PN 结的电容效应包括势垒电容和扩散电容。所以选择 C 选项。 20．半导体三极管又称（   ） A．胆管 B．晶闸管 C．CMOS管 D．晶体管 【答案】D 二、判断题（本大题共5小题，每小题2分，共10分） 21．P、N型半导体都是纯净的半导体。( ) 【答案】错误 【详解】P、N型半导体是在纯净半导体中加入了及其微量的杂质元素得到的，所以是杂质半导体。 22．光照越强，温度越高，半导体的导电能力越强，说明半导体有光敏性和热敏性其实质是一样的。( ) 【答案】错误 【详解】光敏性表现为对光照的敏感，热敏性表现为对温度的敏感。 23．将一个N型半导体和一个P型半导体背靠背，就可以得到一只二极管。( ) 【答案】错误 【详解】二极管内部核心结构是一个PN结，PN结需要特殊的工艺才能得到。 24．数码管是一种半导体器件，其基本单元是发光二极管。( ) 【答案】正确 【详解】数码管是一种半导体器件，其基本单元是发光二极管 25．少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。( ) 【答案】正确 【详解】P型半导体掺入了三价元素，所以空穴较多，即多子是空穴，少子是自由电子。 三、综合题（本大题10分） 26．解释 P 型半导体和 N 型半导体的形成原理与导电特性。 【答案】P 型半导体： 形成原理：在本征半导体（如硅）中掺入少量三价元素（如硼），硼原子与硅原子形成共价键时缺少一个电子，产生大量空穴（带正电的载流子），故称为空穴型半导体。 导电特性：空穴为主要载流子，自由电子为少数载流子，导电时主要靠空穴移动。 N 型半导体： 形成原理：掺入少量五价元素（如磷），磷原子与硅原子形成共价键后多余一个电子，释放出大量自由电子（带负电的载流子），称为电子型半导体。 导电特性：自由电子为主要载流子，空穴为少数载流子，导电时主要靠电子移动。 试卷第6页，共6页 试卷第5页，共6页 学科网（北京）股份有限公司 $$ 编写说明：四川省普通高校招生职业技能考试《电子技术基础与技能》考点双析卷专辑，依据《四川省普通高校招生职业技能考试电子信息类考试大纲》编写，专为四川省中等职业学校电子信息专业类对口升学复习量身打造。“考点双析卷”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷，助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环，是高考首轮复习教学的得力助手。 本专辑第1、第2卷精准对标《四川省普通高校招生职业技能考试电子信息类考试大纲》考纲，考试范围及要求知识模块【电子技术基础与技能】： 1.半导体的主要特性 (1)了解半导体的概念、特性；(2)了解P 型 、N 型半导体；(3)掌握PN 结的特性。 四川省（对口招生）电子信息专业类 《电子技术基础与技能》考点双析卷 第1卷 半导体的主要特性 老师讲解卷 一、单选题（本大题共20小题，每题4分，共80分） 1．半导体中的电子浓度等于空穴浓度，这样的半导体为（   ） A．P型半导体 B．本征半导体 C．N型半导体 D．杂质半导体 2．当金属导体导通后，参加导电的是（   ） A．少数载流子 B．多数载流子 C．既有少数载流子又有多数载流子 D．自由电子和空穴 3．杂质半导体中少数载流子的浓度 本征半导体中载流子浓度。（   ） A．大于 B．等于 C．小于 D．无法比较 4．N型半导体是在本征半导体中加入微量的 元素构成的。（   ） A．三价 B．四价 C．五价 D．六价 5．在P型半导体中（   ） A．空穴是多数载流子，电子是少数载流子 B．没有电子 C．空穴的数量略多于电子 D．无法确定 6．在P型半导体中（   ） A．没有电子 B．电子是多数载流子，空穴是少数载流子 C．空穴的数量略多于电子 D．空穴是多数载流子，电子是少数载流子 7．当温度增加时，本征半导体中的自由电子和空穴的数量会（   ） A．同时增加 B．同时减少 C．增减难以确定 D．不变 8．在本征半导体中，自由电子浓度（    ）空穴浓度。 A．大于 B．小于 C．等于 D．不能确定 9．半导体中传导电流的载流子是（    ） A．电子 B．空穴 C．电子和空穴 D．正电荷 10．杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（    ） A．温度 B．掺杂工艺 C．掺杂浓度 D．晶体缺陷 11．在使用万用表检测单向晶闸管时，下列哪项操作是不正确的（   ） A．使用手直接接触晶闸管的引脚进行测量 B．将红黑表笔分别接触晶闸管的正负极进行测量 C．在测量前将万用表调整到适当的档位 D．在测量过程中注意观察表头的读数变化 12．PN结中，哪一侧是正电荷区（   ） A．P区 B．N区 C．无法确定 D．两侧都是 13．P型半导体是利用半导体的 制成的。（   ） A．掺杂性 B．热敏性 C．导电性 D．光敏性 14．常用于制作半导体的材料是（   ） A．硅、硼 B．锗、铟 C．硼、磷 D．硅、锗 15．下列对物质的分类说法错误的是（   ） A．物质按照导电能力强弱可以分为导体、绝缘体、半导体。 B．导体的导电能力最强。 C．半导体的导电能力最弱。 D．绝缘体能够良好地隔绝电流。 16．半导体材料的导电能力介于_______之间。（   ） A．导体和绝缘体 B．金属和非金属 C．正电荷和负电荷 D．直流电和交流电 17．PN 结加反向电压时，电流（   ） A．很大 B．很小 C．不变 D．为零 18．半导体中参与导电的载流子有（   ） A．自由电子 B．空穴 C．正离子 D．A 和 B 19．PN 结的电容效应包括（   ） A．势垒电容 B．扩散电容 C．以上都是 D．以上都不是 20．半导体三极管又称（   ） A．胆管 B．晶闸管 C．CMOS管 D．晶体管 二、判断题（本大题共5小题，每小题2分，共10分） 21．P、N型半导体都是纯净的半导体。( ) 22．光照越强，温度越高，半导体的导电能力越强，说明半导体有光敏性和热敏性其实质是一样的。( ) 23．将一个N型半导体和一个P型半导体背靠背，就可以得到一只二极管。( ) 24．数码管是一种半导体器件，其基本单元是发光二极管。( ) 25．少数载流子是自由电子的半导体称为P型半导体。( ) 三、综合题（本大题10分） 26．解释 P 型半导体和 N 型半导体的形成原理与导电特性。 试卷第6页，共6页 试卷第5页，共6页 学科网（北京）股份有限公司 $$