内容正文:
编写说明:湖北省技能高考《电子技术理论知识》考点双析卷专辑,依据《湖北省普通高等学校招收中等职业学校毕业生技能高考电气电子类技能考试大纲》(2025年)编写,专为湖北省中等职业学校电气电子类技能高考量身打造。“考点双析卷”即围绕一个考点,一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷,助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环,是高考首轮复习教学的得力助手。
本专辑第7、第8卷精准对标《湖北省普通高等学校招收中等职业学校毕业生技能高考电气电子类技能考试大纲》考纲,考试内容知识模块(二)晶体三极管和单级低频小信号放大器
1.理解晶体三极管的结构、分类、符号和基本联接方式;
2.识记晶体三极管的放大条件、放大作用和电流分配关系;
3.理解晶体三极管的输入特性曲线、输出特性曲线(共发射极接法)及其三个工作区域的划分;
4.理解晶体三极管的主要参数含义、并掌握晶体三极管工作状态的判别;
湖北省电气电子类
《电子技术理论知识》第8卷
晶体三极管(2) 学生练习卷
考试时间:100分钟 总分:100分
班级: 姓名: 学号: 成绩:
一、单选题(本大题共30小题,每题3分,共90分)
1.在以下电路中,三极管之所以能放大信号,是因为它具有( )
A.单向导电特性 B.电流放大特性 C.变阻特性 D.储能特性
2.一个接在放大电路中的晶体管,看不出型号,也没有其他标记,现用万用表测得它的三个管脚对地电位分别为V1=-9V,V2=-6V,V3=-6.2V,则( )
A.管脚1为集电极,管脚2为发射极,管脚3为基极,管型为PNP
B.管脚1为集电极,管脚2为发射极,管脚3为基极,管型为NPN
C.管脚1为发射极,管脚2为集电极,管脚3为基极,管型为PNP
D.管脚1为发射极,管脚2为基极,管脚3为集电极,管型为NPN
3.三极管工作在放大状态的条件是( )
A.发射结、集电结均正向偏置 B.发射结正向偏置、集电结反向偏置
C.发射结、集电结均反向偏置 D.发射结反向偏置、集电结正向偏置
4.对三极管放大作用的实质,下面说法正确的是( )
A.三极管可以把小能量放大成大能量
B.三极管可以把小电流放大成大电流
C.三极管可以把小电压放大成大电压
D.三极管可用较小的电流控制较大的电流
5.某三极管的引脚1流入电流为2.75mA,引脚2流入电流为0.05mA,引脚3为流出电流2.8mA,引脚判断正确是的( )
A.1是集电极,2是基极,3是发射极 B.1是集电极,2是发射极,3是基极
C.1是发射极,2是基极,3是集电极 D.1是发射极,2是集电极,3是基极
6.关于NPN型三极管处于放大状态说法正确的是( )
A.基极电位最高,发射极电位最低。 B.集电极电位最高,基极电位最低。
C.集电极电位最高,发射极电位最低。 D.发射极电位最高,集电极电位最低。
7.欲使NPN型三极管具有放大功能,其外部条件是( )
A., B.,
C., D.,
8.三极管是一种 的半导体器件( )
A.电压控制 B.电流控制
C.功率控制 D.既是电压控制又是电流控制
9.三极管的 作用是三极管最基本和最重要的特性。( )
A.电流放大 B.电压放大
C.功率放大 D.电压放大和电流放大
10.有关三极管放大作用的实现方式,下列说法恰当的是( )
A.三极管通过增强输入信号来实现放大
B.三极管通过改变输入信号的频率来实现放大
C.三极管通过对输入信号进行整形来实现放大
D.三极管通过以小电流控制大电流来实现放大
11.如何通过改变晶体三极管的基极电流来控制其工作状态( )
A.调节发射结电压 B.调节基极电压
C.调节集电极电流 D.调节漏极电压
12.三极管电流放大作用的基础是( )
A.载流子的扩散作用 B.载流子的漂移作用
C.载流子的复合作用 D.载流子的注入作用
13.三极管处于放大状态时,其集电极电流与基极电流之间的关系是( )
A.无关 B.成正比 C.成反比 D.无法确定
14.三极管处于放大状态时,下列关系正确的是( )
A.IC=βIB B.IB=βIC C.IE=IC+IB D.IE=IC-IB
15.以下能提高三极管放大倍数的措施是( )
A.增加基区宽度 B.减小基区宽度
C.增加集电区面积 D.增加发射区面积
16.一般情况下,工作在下列哪个区的三极管易损坏( )
A.截止区 B.过损耗区 C.放大区 D.饱和区
17.NPN型三极管处于放大状态时,各极电位的关系是( )
A.VE>VC>VB B.VC>VB>VE
C.VC<VB<VE D.VC>VE>VB
18.硅NPN型三极管饱和时,集电极—发射极饱和压降,VCES的值是( )
A.0.7V B.0.5V C.0.3V D.0.1V
19.在三极管的输出特性曲线簇中,每条曲线与 对应( )
A. B. C. D.
20.电路如图所示,晶体三极管工作在饱和状态时,它的Ic( )
A.随Is的增加而增加
B.随Ie的增加而减小
C.与I无关,只决定于 Rc和V。
D.与l无关,恒为0
21.某晶体管的极限参数为PCM=100mW,ICM=20mA,U(BR)CEO=15V,则在下列几种情况中,能正常工作的是( )。
A.UCE=3V,IC=10mA B.UCE=2V,IC=40mA
C.UCE=10V,IC=20mA D.UCE=15V,IC=20mA
22.3DG6D型晶体三极管的PCM=100毫瓦,ICM=20毫安,UBR(CEO)=30伏,如果将它接在IC=15毫安,UCE=20伏的电路中,则该管( )
A.被击穿 B.工作正常
C.功耗太大过热甚至烧坏 D.不确定
23.某三极管的基极电流从10uA增大到20uA时,集电极电流从1mA增大到2mA,三极管的电流放大倍数为( )
A.0.1 B.10 C.100 D.1000
根据ß =可以算出放大倍数为100。注意电流单位要统一。
24.下列不属于三极管直流参数的是( )
A.直流电流放大系数hFE B.集—基反向饱和电流ICBO
C.集—射穿透电流ICEO D.共发射极特征频率fT
25.在三极管放大电路中,下列等式不正确的是( )
A. B. C. D.
26.测得某三极管的 PCM = 100mW,ICM = 20mA,U (BR)CEO = 15V,则下列状态下三极管能正常工作的是( )
A.UCE = 3V,IC = 10mA B.UCE = 2V,IC = 40mA
C.UCE = 6V,IC = 20mA D.UCE = 20V,IC = 2mA
27.在一个晶体管放大电路中,输出电压由( )
A.输入电压产生 B.电源电压提供
C.电阻分压实现 D.晶体管的工作状态决定。
28.用万用表测得NPN型晶体三极管各电极对地的电位是:VB=4.7V,VC=4.3V,VE=4V,则该晶体三极管的工作状态是( )
A.饱和状态 B.截止状态 C.放大状态 D.不确定
29.某三极管共射放大电路处于放大状态时,三个极A、B、C对地的电位分别是VA=4.3 V,VB=5 V,VC=0,则此三极管是( )
A.PNP硅管 B.NPN硅管 C.PNP锗管 D.NPN锗管
30.测得电路中,管子各级对地电位如图所示,则处于放大状态的管子是( )
A. B. C. D.
二、判断题(本大题共5小题,每题2分,共10分)
31.晶体三极管工作在截止状态时,其集电极电流几乎为零。( )
32.只要满足VC>VB>VE,就说明管子一定处于放大状态。( )
33.三极管的ß与在使用时可以互换。( )
34.用万用表测试三极管的两个PN结的阻值,一次为7.6kΩ,一次为7.2kΩ,则阻值小的那一次测试的是发射结。( )
35.三极管内部电流满足基尔霍大第一定律(节点电流定律)。( )
试卷第2页,共5页
试卷第3页,共5页
学科网(北京)股份有限公司
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编写说明:湖北省技能高考《电子技术理论知识》考点双析卷专辑,依据《湖北省普通高等学校招收中等职业学校毕业生技能高考电气电子类技能考试大纲》(2025年)编写,专为湖北省中等职业学校电气电子类技能高考量身打造。“考点双析卷”即围绕一个考点,一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷,助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环,是高考首轮复习教学的得力助手。
本专辑第7、第8卷精准对标《湖北省普通高等学校招收中等职业学校毕业生技能高考电气电子类技能考试大纲》考纲,考试内容知识模块(二)晶体三极管和单级低频小信号放大器
1.理解晶体三极管的结构、分类、符号和基本联接方式;
2.识记晶体三极管的放大条件、放大作用和电流分配关系;
3.理解晶体三极管的输入特性曲线、输出特性曲线(共发射极接法)及其三个工作区域的划分;
4.理解晶体三极管的主要参数含义、并掌握晶体三极管工作状态的判别;
湖北省电气电子类
《电子技术理论知识》第8卷
晶体三极管(2) 学生练习卷
考试时间:100分钟 总分:100分
班级: 姓名: 学号: 成绩:
一、单选题(本大题共30小题,每题3分,共90分)
1.在以下电路中,三极管之所以能放大信号,是因为它具有( )
A.单向导电特性 B.电流放大特性 C.变阻特性 D.储能特性
【答案】B
【详解】三极管能放大信号,主要是因为其具有电流放大特性。通过基极电流的微小变化控制较大的集电极电流变化,从而实现信号放大。
A 选项是二极管的特性;C 选项变阻特性不是三极管放大信号的关键;D 选项储能特性一般不是三极管的主要特性。
2.一个接在放大电路中的晶体管,看不出型号,也没有其他标记,现用万用表测得它的三个管脚对地电位分别为V1=-9V,V2=-6V,V3=-6.2V,则( )
A.管脚1为集电极,管脚2为发射极,管脚3为基极,管型为PNP
B.管脚1为集电极,管脚2为发射极,管脚3为基极,管型为NPN
C.管脚1为发射极,管脚2为集电极,管脚3为基极,管型为PNP
D.管脚1为发射极,管脚2为基极,管脚3为集电极,管型为NPN
【答案】A
【详解】首先,找到电位相近的两个管脚,2和3,分别为B、E,则剩余1管脚为C,电位居中的3为B,最后2为E。第二步排列电位顺序:VE>VB>VC,为PNP管型。
3.三极管工作在放大状态的条件是( )
A.发射结、集电结均正向偏置 B.发射结正向偏置、集电结反向偏置
C.发射结、集电结均反向偏置 D.发射结反向偏置、集电结正向偏置
【答案】B
【详解】三极管截止时,两个PN结均反偏,饱和时,两个PN结均正偏。
4.对三极管放大作用的实质,下面说法正确的是( )
A.三极管可以把小能量放大成大能量
B.三极管可以把小电流放大成大电流
C.三极管可以把小电压放大成大电压
D.三极管可用较小的电流控制较大的电流
【答案】D
【详解】A:三极管是一种电流控制型器件。从能量的角度来看,它并不能凭空将小能量放大成大能量,因为这违背了能量守恒定律。
B:在三极管的放大电路中,基极电流的微小变化会引起集电极电流较大的变化。不是把小电流放大成大电流。
C:三极管在放大电路中通过电阻等元件的配合实现电压放大,但本质上还是基于电流的控制作用。
所以三极管可用较小的电流控制较大的电流,答案是三极管可用较小的电流控制较大的电流。
5.某三极管的引脚1流入电流为2.75mA,引脚2流入电流为0.05mA,引脚3为流出电流2.8mA,引脚判断正确是的( )
A.1是集电极,2是基极,3是发射极 B.1是集电极,2是发射极,3是基极
C.1是发射极,2是基极,3是集电极 D.1是发射极,2是集电极,3是基极
【答案】A
【详解】根据IE=IB+IC, Ic= ß IB可以得到,IE最大,IB最小,得到答案。
6.关于NPN型三极管处于放大状态说法正确的是( )
A.基极电位最高,发射极电位最低。 B.集电极电位最高,基极电位最低。
C.集电极电位最高,发射极电位最低。 D.发射极电位最高,集电极电位最低。
【答案】C
【详解】根据NPN型三极管放大时VC>VB>VE可得到答案。
7.欲使NPN型三极管具有放大功能,其外部条件是( )
A., B.,
C., D.,
【答案】C
【详解】三极管的放大状态,发射结正偏,集电结反偏,NPN型即,。
8.三极管是一种 的半导体器件( )
A.电压控制 B.电流控制
C.功率控制 D.既是电压控制又是电流控制
【答案】B
【详解】三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。
9.三极管的 作用是三极管最基本和最重要的特性。( )
A.电流放大 B.电压放大
C.功率放大 D.电压放大和电流放大
【答案】A
【详解】晶体三极管具有电流放大作用,其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。
10.有关三极管放大作用的实现方式,下列说法恰当的是( )
A.三极管通过增强输入信号来实现放大
B.三极管通过改变输入信号的频率来实现放大
C.三极管通过对输入信号进行整形来实现放大
D.三极管通过以小电流控制大电流来实现放大
【答案】D
【详解】三极管不是通过增强输入信号、改变输入信号的频率或者对输入信号进行整形来实现放大的。三极管放大作用的实现方式是利用其基极电流的微小变化来控制集电极电流较大的变化,即以小电流控制大电流来实现放大。
11.如何通过改变晶体三极管的基极电流来控制其工作状态( )
A.调节发射结电压 B.调节基极电压
C.调节集电极电流 D.调节漏极电压
【答案】B
【详解】晶体三极管的工作状态可以通过调节基极电流(Ib)来控制。增加或减少基极电流可以使三极管在放大状态、饱和状态或截止状态之间切换。
12.三极管电流放大作用的基础是( )
A.载流子的扩散作用 B.载流子的漂移作用
C.载流子的复合作用 D.载流子的注入作用
【答案】A
【详解】三极管电流放大作用的基础是载流子的扩散作用,这是三极管内部电流放大的物理机制。
13.三极管处于放大状态时,其集电极电流与基极电流之间的关系是( )
A.无关 B.成正比 C.成反比 D.无法确定
【答案】B
【详解】三极管处于放大状态时,其集电极电流与基极电流之间成正比关系,这是三极管电流放大作用的基础。
14.三极管处于放大状态时,下列关系正确的是( )
A.IC=βIB B.IB=βIC C.IE=IC+IB D.IE=IC-IB
【答案】C
【详解】三极管处于放大状态时,IC=βIB,IE=IC+IB。所以选择C选项。
15.以下能提高三极管放大倍数的措施是( )
A.增加基区宽度 B.减小基区宽度
C.增加集电区面积 D.增加发射区面积
【答案】B
【详解】减小基区宽度能提高三极管的放大倍数。基区宽度越窄,载流子在基区复合的机会越小,放大倍数越高。所以选择 B 选项。
16.一般情况下,工作在下列哪个区的三极管易损坏( )
A.截止区 B.过损耗区 C.放大区 D.饱和区
【答案】B
17.NPN型三极管处于放大状态时,各极电位的关系是( )
A.VE>VC>VB B.VC>VB>VE
C.VC<VB<VE D.VC>VE>VB
【答案】B
【详解】NPN管VC>VB>VE;PNP管VC<VB<VE。
18.硅NPN型三极管饱和时,集电极—发射极饱和压降,VCES的值是( )
A.0.7V B.0.5V C.0.3V D.0.1V
【答案】C
19.在三极管的输出特性曲线簇中,每条曲线与 对应( )
A. B. C. D.
【答案】C
【详解】三极管的输出特性曲线横坐标为,纵坐标为,每条曲线对应。
20.电路如图所示,晶体三极管工作在饱和状态时,它的Ic( )
A.随Is的增加而增加
B.随Ie的增加而减小
C.与I无关,只决定于 Rc和V。
D.与l无关,恒为0
【答案】C
21.某晶体管的极限参数为PCM=100mW,ICM=20mA,U(BR)CEO=15V,则在下列几种情况中,能正常工作的是( )。
A.UCE=3V,IC=10mA B.UCE=2V,IC=40mA
C.UCE=10V,IC=20mA D.UCE=15V,IC=20mA
【答案】A
【详解】需要满足三个条件,IC<ICM, UCE<U(BR)CEO,P<PCM。
22.3DG6D型晶体三极管的PCM=100毫瓦,ICM=20毫安,UBR(CEO)=30伏,如果将它接在IC=15毫安,UCE=20伏的电路中,则该管( )
A.被击穿 B.工作正常
C.功耗太大过热甚至烧坏 D.不确定
【答案】C
【详解】
即实际功率大于集电极最大允许功率损耗。
所以该管功耗太大,会过热甚至烧坏。
23.某三极管的基极电流从10uA增大到20uA时,集电极电流从1mA增大到2mA,三极管的电流放大倍数为( )
A.0.1 B.10 C.100 D.1000
【答案】C
【详解】
根据ß =可以算出放大倍数为100。注意电流单位要统一。
24.下列不属于三极管直流参数的是( )
A.直流电流放大系数hFE B.集—基反向饱和电流ICBO
C.集—射穿透电流ICEO D.共发射极特征频率fT
【答案】D
【详解】共发射极特征频率属于交流参数。
25.在三极管放大电路中,下列等式不正确的是( )
A. B. C. D.
【答案】C
【详解】C项应为
26.测得某三极管的 PCM = 100mW,ICM = 20mA,U (BR)CEO = 15V,则下列状态下三极管能正常工作的是( )
A.UCE = 3V,IC = 10mA B.UCE = 2V,IC = 40mA
C.UCE = 6V,IC = 20mA D.UCE = 20V,IC = 2mA
【答案】A
【详解】B项,;
C项,;
D项,。
27.在一个晶体管放大电路中,输出电压由( )
A.输入电压产生 B.电源电压提供
C.电阻分压实现 D.晶体管的工作状态决定。
【答案】D
【详解】在晶体管放大电路中,输出电压是由晶体管的工作状态决定的,晶体管通过调节电压和电流的方式对输入信号进行放大。
28.用万用表测得NPN型晶体三极管各电极对地的电位是:VB=4.7V,VC=4.3V,VE=4V,则该晶体三极管的工作状态是( )
A.饱和状态 B.截止状态 C.放大状态 D.不确定
【答案】A
29.某三极管共射放大电路处于放大状态时,三个极A、B、C对地的电位分别是VA=4.3 V,VB=5 V,VC=0,则此三极管是( )
A.PNP硅管 B.NPN硅管 C.PNP锗管 D.NPN锗管
【答案】A
【详解】第一步,找到VA=4.3 V,VB=5 V数值最接近,差为0.7,硅管。剩余管脚VC=0,为集电极C管脚,VE>VB>VC,为PNP管型。
30.测得电路中,管子各级对地电位如图所示,则处于放大状态的管子是( )
A. B. C. D.
【答案】B
【详解】AD为NPN型三极管,如果三极管处于放大状态则VBE>0,且VBC<0。A选项中VBE=VB-VE=-2.3-(-2)=-0.3V不符合。D选项中VBE=-9.2-(-8.5)=-0.7V,不符合要求
BC为PNP型三极管,如果三极管处于放大状态则VBE<0,且VBC>0。B选项中VBE=VB-VE=-12.3-(-12)=-0.3V,VBC=VB-VC=-12.3-(-15)=2.7V符合。C选项中VBE=5.3-6=-0.7V,VBC=0不符合,选B。
二、判断题(本大题共5小题,每题2分,共10分)
31.晶体三极管工作在截止状态时,其集电极电流几乎为零。( )
【答案】正确
32.只要满足VC>VB>VE,就说明管子一定处于放大状态。( )
【答案】错误
【详解】NPN型三极管满足 VC>VB>VE,PNP型三极管满足 VC<VB<VE。
33.三极管的ß与在使用时可以互换。( )
【答案】正确
【详解】三极管的直流电流放大倍数和交流电流放大倍数近似相等,在使用时可以互换。
34.用万用表测试三极管的两个PN结的阻值,一次为7.6kΩ,一次为7.2kΩ,则阻值小的那一次测试的是发射结。( )
【答案】错误
【详解】发射结比集电结窄,所以阻值略大于集电结
35.三极管内部电流满足基尔霍大第一定律(节点电流定律)。( )
【答案】正确
【详解】三极管有三个电极:IE=IB+IC。所以三极管内部电流满足基尔霍大第一定律(节点电流定律)。
试卷第8页,共8页
试卷第7页,共8页
学科网(北京)股份有限公司
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