晶体三极管（1）《电子技术理论知识》第6卷-湖北技能高考

编写说明：湖北省技能高考《电子技术理论知识》考点双析卷专辑，依据《湖北省普通高等学校招收中等职业学校毕业生技能高考电气电子类技能考试大纲》（2025年）编写，专为湖北省中等职业学校电气电子类技能高考量身打造。“考点双析卷”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷，助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环，是高考首轮复习教学的得力助手。 本专辑第5、第6卷精准对标《湖北省普通高等学校招收中等职业学校毕业生技能高考电气电子类技能考试大纲》考纲，考试内容知识模块（二）晶体三极管和单级低频小信号放大器 1.理解晶体三极管的结构、分类、符号和基本联接方式； 2.识记晶体三极管的放大条件、放大作用和电流分配关系； 3.理解晶体三极管的输入特性曲线、输出特性曲线（共发射极接法）及其三个工作区域的划分； 4.理解晶体三极管的主要参数含义、并掌握晶体三极管工作状态的判别； 湖北省电气电子类 《电子技术理论知识》第6卷 晶体三极管（1） 学生练习卷 考试时间：100分钟 总分：100分 班级： 姓名： 学号： 成绩： 一、单选题（本大题共20小题，每题4分，共80分） 1．三极管的放大状态中，基极-发射极间的电压起什么作用（   ） A．控制输出电压大小 B．控制输出电流大小 C．控制基区厚度 D．控制器件的稳定性 2．三极管属于以下哪种器件（   ） A．二极管 B．晶体管 C．集成电路 D．电阻器 3．某三极管的 PcM =100 mW，IcM =20 mA，U =15V，则下列状态下三极管能正常工作的是（    ） A．UCE=2V，Ic=10 mA B．UCE=2V，Ic=40 mA C．UCE=6V，Ic=20 mA D．UCE=20V，Ic=2mA 4．已知某晶体管的 P CM=125mw; ICM=125mA 、VBR（CEO）=25V。在下列条件中，正常工作的是（   ） A．Ic = 130mA ， VCE = 5V B．Ic = 50mA ， VCE =30V C．Ic = 20mA ， VCE = 15V D．Ic = 10mA ， VCE =12V 5．下面不属于我们所说的三极管的名称是（   ） A．半导体三极管 B．双极型三极管 C．单极型三极管 D．以上全都不是 6．晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是（    ） A．发射结正偏、集电结反偏 B．发射结反偏、集电结正偏 C．发射结正偏、集电结正偏 D．发射结反偏、集电结反偏 7．用万用表测得三极管任意两极间的正、反向电阻均较小，则该管（   ） A．两个 PN 结均击穿 B．发射结击穿，集电结正常 C．发射结正常，集电结击穿 D．两个 PN 结均开路 8．三极管的工作状态不包括以下哪个？（   ） A．放大 B．截止 C．饱和 D．恒定 9．三极管的ICEO大，说明该三极管的（     ） A．工作电流大 B．击穿电压高 C．寿命长 D．热稳定性差 10．用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则（　　） A．1为e，2为b，3为c B．1为e，3为b，2为c C．2为e，1为b，3为c D．3为e，1为b，2为c 11．如图所示放大电路中，UCC=12V，三极管的电流放大系数β=40，rbe=1KΩ，RB=300KΩ，RC=4KΩ，RL=4KΩ，则接入RL后电压的放大倍数为（     ） A．-160 B．-80 C．-40 D．-20 12．PNP型晶体管，VB=-4.7V  VE=-4V   VC=-4.3V 管子处于_________状态（     ） A．饱和 B．放大 C．截止 D．不定 13．在放大电路中，测得某晶体管三个电极的电位分别是2.5V、3.2V、9.6V，则与之对应的三个电极分别是（     ） A．B、C、E B．C、E、B C．E、B、C D．B、E、C 14．放大电路中某晶体管极间电压如图所示，则该管类型及1、2、3极分别为（     ） A．NPN型硅管，E、C、B B．B．NPN型硅管，B、 C．E C．PNP型锗管，E、C、B D．PNP型锗管，B、C、E 15．三极管的基本构造是由下列哪几个区域组成？（   ） A．集电极、发射极、基极 B．集电极、发射极、控制极 C．集电极、基极、控制极 D．集电极、发射极、栅极 16．在检测三极管的好坏时，发现某两个引脚之间存在很大的电阻。这说明了什么？（   ） A．三极管完好无损 B．其中一个PN结可能开路了 C．三极管已经完全短路了 D．这是正常现象，不必担心 17．三极管放大作用发生在哪个工作区？（   ） A．截止区 B．饱和区 C．活性区或线性区 D．击穿区 18．MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的栅极与哪种元件类似？（   ） A．二极管的阳极 B．二极管的阴极 C．三极管的基极 D．三极管的集电极 19．三极管的种类中，属于功率型三极管的是（   ） A．NPN B．PNP C．双极型 D．场效应型 20．三极管的种类中，哪一种适用于高频放大电路？（   ） A．NPN型三极管 B．PNP型三极管 C．MOSFET D．IGBT 二、判断题（本大题共10小题，每题2分，共20分） 21．晶体管是一种半导体器件，可用于放大信号。( ) 22．发射结处于正向偏置的晶体管，其一定是工作于放大状态。( ) 23．晶体管由两个PN结组成，所以可以用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。( ) 24．三极管的基本构造包括发射结、基极和集电结( ) 25．一般说来，晶体管的交流电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β增大。( ) 26．无论是 NPN型还是 PNP型三极管，当处于放大工作状态时，基极电位总是高于发射极电位，集电极电位也总是高于基极电位。( ) 27．三极管的管型与引脚的识别中，不同的管型可能导致引脚的排列方式和编号方法不同。 ( ) 28．NPN型三极管的发射极与P型材料接触。 ( ) 29．三极管的基本构造是由发射极、基极和集电极组成。( ) 30．三极管工作在放大状态时，集电极电流与基极电流之间存在线性关系。 ( ) 试卷第4页，共4页 试卷第3页，共4页 学科网（北京）股份有限公司 $$ 编写说明：湖北省技能高考《电子技术理论知识》考点双析卷专辑，依据《湖北省普通高等学校招收中等职业学校毕业生技能高考电气电子类技能考试大纲》（2025年）编写，专为湖北省中等职业学校电气电子类技能高考量身打造。“考点双析卷”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷，助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环，是高考首轮复习教学的得力助手。 本专辑第5、第6卷精准对标《湖北省普通高等学校招收中等职业学校毕业生技能高考电气电子类技能考试大纲》考纲，考试内容知识模块（二）晶体三极管和单级低频小信号放大器 1.理解晶体三极管的结构、分类、符号和基本联接方式； 2.识记晶体三极管的放大条件、放大作用和电流分配关系； 3.理解晶体三极管的输入特性曲线、输出特性曲线（共发射极接法）及其三个工作区域的划分； 4.理解晶体三极管的主要参数含义、并掌握晶体三极管工作状态的判别； 湖北省电气电子类 《电子技术理论知识》第6卷 晶体三极管（1） 学生练习卷 考试时间：100分钟 总分：100分 班级： 姓名： 学号： 成绩： 一、单选题（本大题共20小题，每题4分，共80分） 1．三极管的放大状态中，基极-发射极间的电压起什么作用（   ） A．控制输出电压大小 B．控制输出电流大小 C．控制基区厚度 D．控制器件的稳定性 【答案】B 【详解】基极-发射极间的电压控制三极管的放大作用。 2．三极管属于以下哪种器件（   ） A．二极管 B．晶体管 C．集成电路 D．电阻器 【答案】B 【详解】三极管是一种主要由三个掺杂不同类型半导体材料构成的半导体器件。 3．某三极管的 PcM =100 mW，IcM =20 mA，U =15V，则下列状态下三极管能正常工作的是（    ） A．UCE=2V，Ic=10 mA B．UCE=2V，Ic=40 mA C．UCE=6V，Ic=20 mA D．UCE=20V，Ic=2mA 【答案】A 【详解】该题考查晶体管能否正常的条件，若实际值 Ic、UCE、 PcM 共中一个超过极限参数，三极管均不能正常工作。 4．已知某晶体管的 P CM=125mw; ICM=125mA 、VBR（CEO）=25V。在下列条件中，正常工作的是（   ） A．Ic = 130mA ， VCE = 5V B．Ic = 50mA ， VCE =30V C．Ic = 20mA ， VCE = 15V D．Ic = 10mA ， VCE =12V 【答案】D 5．下面不属于我们所说的三极管的名称是（   ） A．半导体三极管 B．双极型三极管 C．单极型三极管 D．以上全都不是 【答案】C 6．晶体三极管的饱和条件，下列说法正确的是（    ） A．发射结正偏、集电结反偏 B．发射结反偏、集电结正偏 C．发射结正偏、集电结正偏 D．发射结反偏、集电结反偏 【答案】C 7．用万用表测得三极管任意两极间的正、反向电阻均较小，则该管（   ） A．两个 PN 结均击穿 B．发射结击穿，集电结正常 C．发射结正常，集电结击穿 D．两个 PN 结均开路 【答案】A 【详解】该题考查的是晶体管质量的判定，晶体管质量的判定主要看两个 PN 的正，反向电阻，正，反向电阻差别越大，质量越好。 8．三极管的工作状态不包括以下哪个？（   ） A．放大 B．截止 C．饱和 D．恒定 【答案】D 【详解】正确答案是d）三极管的工作状态包括放大、截止和饱和 9．三极管的ICEO大，说明该三极管的（     ） A．工作电流大 B．击穿电压高 C．寿命长 D．热稳定性差 【答案】D 10．用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则（　　） A．1为e，2为b，3为c B．1为e，3为b，2为c C．2为e，1为b，3为c D．3为e，1为b，2为c 【答案】B 11．如图所示放大电路中，UCC=12V，三极管的电流放大系数β=40，rbe=1KΩ，RB=300KΩ，RC=4KΩ，RL=4KΩ，则接入RL后电压的放大倍数为（     ） A．-160 B．-80 C．-40 D．-20 【答案】B 12．PNP型晶体管，VB=-4.7V  VE=-4V   VC=-4.3V 管子处于_________状态（     ） A．饱和 B．放大 C．截止 D．不定 【答案】A 13．在放大电路中，测得某晶体管三个电极的电位分别是2.5V、3.2V、9.6V，则与之对应的三个电极分别是（     ） A．B、C、E B．C、E、B C．E、B、C D．B、E、C 【答案】C 14．放大电路中某晶体管极间电压如图所示，则该管类型及1、2、3极分别为（     ） A．NPN型硅管，E、C、B B．B．NPN型硅管，B、 C．E C．PNP型锗管，E、C、B D．PNP型锗管，B、C、E 【答案】A 15．三极管的基本构造是由下列哪几个区域组成？（   ） A．集电极、发射极、基极 B．集电极、发射极、控制极 C．集电极、基极、控制极 D．集电极、发射极、栅极 【答案】A 【详解】三极管的基本构造由集电极、发射极和基极组成。 16．在检测三极管的好坏时，发现某两个引脚之间存在很大的电阻。这说明了什么？（   ） A．三极管完好无损 B．其中一个PN结可能开路了 C．三极管已经完全短路了 D．这是正常现象，不必担心 【答案】B 【详解】在正常情况下，三极管的两个PN结应该呈现较小的正向电阻和较大的反向电阻。如果检测到某两个引脚间存在很大的电阻，可能表明相应的PN结出现了开路故障。 17．三极管放大作用发生在哪个工作区？（   ） A．截止区 B．饱和区 C．活性区或线性区 D．击穿区 【答案】C 【详解】三极管的放大作用主要发生在活性区或线性区，此时两个PN结均为正向偏置。 18．MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的栅极与哪种元件类似？（   ） A．二极管的阳极 B．二极管的阴极 C．三极管的基极 D．三极管的集电极 【答案】C 【详解】MOSFET的栅极与三极管的基极在控制电流方面起着相似的作用。 19．三极管的种类中，属于功率型三极管的是（   ） A．NPN B．PNP C．双极型 D．场效应型 【答案】A 【详解】NPN和PNP都可以是功率型三极管，但通常NPN更常用。 20．三极管的种类中，哪一种适用于高频放大电路？（   ） A．NPN型三极管 B．PNP型三极管 C．MOSFET D．IGBT 【答案】C 【详解】正确答案是c）MOSFET适用于高频放大电路 二、判断题（本大题共10小题，每题2分，共20分） 21．晶体管是一种半导体器件，可用于放大信号。( ) 【答案】正确 22．发射结处于正向偏置的晶体管，其一定是工作于放大状态。( ) 【答案】错误 23．晶体管由两个PN结组成，所以可以用两个二极管反向连接起来充当晶体管使用。( ) 【答案】错误 24．三极管的基本构造包括发射结、基极和集电结( ) 【答案】正确 【详解】这是正确的描述三极管的基本构造包括发射结、基极和集电结 25．一般说来，晶体管的交流电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β增大。( ) 【答案】正确 26．无论是 NPN型还是 PNP型三极管，当处于放大工作状态时，基极电位总是高于发射极电位，集电极电位也总是高于基极电位。( ) 【答案】错误 27．三极管的管型与引脚的识别中，不同的管型可能导致引脚的排列方式和编号方法不同。 ( ) 【答案】正确 【详解】该说法是正确的，不同的三极管管型可能导致引脚的排列方式和编号方法不同。 28．NPN型三极管的发射极与P型材料接触。 ( ) 【答案】错误 【详解】该说法是错误的，NPN型三极管的发射极与N型材料接触。 29．三极管的基本构造是由发射极、基极和集电极组成。( ) 【答案】正确 【详解】该说法是正确的，三极管的基本构造是由发射极、基极和集电极组成。 30．三极管工作在放大状态时，集电极电流与基极电流之间存在线性关系。 ( ) 【答案】错误 【详解】虽然集电极电流受基极电流的控制，但它们之间不总是保持严格的线性关系，而是依赖于三极管的特性曲线。 试卷第2页，共6页 试卷第1页，共6页 学科网（北京）股份有限公司 $$