二极管及其应用（2）《电子技术理论知识》第3卷-湖北技能高考

编写说明：湖北省技能高考《电子技术理论知识》考点双析卷专辑，依据《湖北省普通高等学校招收中等职业学校毕业生技能高考电气电子类技能考试大纲》（2025年）编写，专为湖北省中等职业学校电气电子类技能高考量身打造。“考点双析卷”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷，助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环，是高考首轮复习教学的得力助手。 本专辑第3、第4卷精准对标《湖北省普通高等学校招收中等职业学校毕业生技能高考电气电子类技能考试大纲》考纲，考试内容知识模块（一）晶体二极管及应用 1.识记晶体二极管单向导电特性； 2.理解晶体二极管的结构、分类和型号； 3.理解晶体二极管的伏安特性和主要参数； 4.理解晶体二极管的工作状态及特点，熟悉其功能和用途。 湖北省电气电子类 《电子技术理论知识》第3卷 二极管及其应用（2） 老师讲解卷 一、单选题（本大题共20小题，每题4分，共80分） 1．下列图形符号中,表示稳压二极管的是（   ） A． B． C． D． 2．如图所示，若二极管为硅管，流过电阻的电流是（   ） A．0.01A B．0.1A C．0.93A D．0.093A 3．小功率塑封稳压二极管有黑色圆环的是此二极管的（   ） A．正极 B．负极 C．南极 D．北极 4．下列图形符号中，哪一个是发光二极管的图形符号（   ） A． B． C． D． 5．如图整流二极管，可以判断有银白色环一端为此二极管 极（   ） A．正 B．负 C．南 D．北 6．当环境温度降低时，晶体二极管的反向电流将（   ） A．增大 B．减小 C．不变 D．先增大后减小 7．下图给出了硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线，其中锗二极管的特性曲线是（   ） A．AOD B．AOC C．BOC D．BOD 8．硅管正偏导通时，其管压降约为（    ） A．0.1V B．0.2V C．0.5V D．0.7V 9．当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（     ） A．左移，下移 B．右移，上移 C．左移，上移 D．右移，下移 10．二极管在反向截止区的反向电流（   ） A．随反向电压升高而升高 B．随反向电压升高而急剧升高 C．基本保持不变 D．随反向电压升高而减少 11．二极管的伏安特性曲线中，反向击穿区对应的情况是（   ） A．电压低，电流小 B．电压高，电流小 C．电压低，电流大 D．电压高，电流大 12．二极管的伏安特性曲线中，正向导通区的特点是（   ） A．电流变化大，电压变化小 B．电流变化小，电压变化大 C．电流和电压变化都大 D．电流和电压变化都小 13．如图所示为硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线，下列说法错误的是（   ） A．Oa为锗管的正向特性曲线，锗二极管死区电压小 B．Ob为硅管正向特性曲线，硅二极管导通压降大 C．二极管伏安特性曲线描述加在二极管两端电压与通过二极管电流之间的关系 D．Oc和Od分别为硅管和锗管的反向特性曲线，Od反向饱和电流小于Oc 14．如图所示硅二极管的伏安特性曲线由___组成（   ） A．a和c B．a和d C．b和c D．b和d 15．用指针式万用表不同欧姆挡测量二极管正向电阻时，测得的阻值不相同，其原因是（   ） A．二极管质量差 B．万用表不同欧姆挡有不同的内阻 C．二极管有非线性的伏安特性 D．用指针式万用表测量的结果不准确 16．二极管两端的反向偏置电压增大时，在达到___电压以前，通过的电流很小（   ） A．击穿 B．最大 C．死区 D．最小 17．若把二极管直接同一个电动势为2V,内阻为零的电源实行正向连接，则该管（   ） A．击穿 B．电流为零 C．电流过大而损坏 D．正向电压偏低而截止 18．硅二极管的导通电压为（   ） A．0.2V B．0.3V C．0.5V D．0.7V 19．硅二极管的死区电压为（   ） A．0.2V B．0.3V C．0.5V D．0.7V 20．下列关于二极管温度特性的说法，错误的是（   ） A．温度升高，反向电流增大 B．温度升高，正向压降增大 C．温度升高，导通电压降低 D．温度升高，反向击穿电压降低 二、判断题（本大题共10小题，每题2分，共20分） 21．二极管的反向漏电流越小，其单向导电性能就越好。( ) 22．二极管的最高反向工作电压为20V，那么至少60V的电压才能将其击穿( ) 23．一般来说，硅晶体二极管的导通电压小于锗二极管的导通电压。( ) 24．二极管的反向饱和电流与温度无关。( ) 25．二极管反向漏电流越小，表明二极管单向导电性越好。( ) 26．稳压二极管的伏安特性曲线：正、反向特性曲线与普通二极管相同。( ) 27．小功率塑封稳压二极管在用数字万用表进行二极管档位交换表笔检测时，测得数字小的那次黑表笔接的是此二极管的负极。( ) 28．小功率塑封稳压二极管如果管体上出现了6V2字样，则进行计数时，中间的V代表着小数点，即些稳压二极管正常工作时稳定电压为6.2V。( ) 29．1N4007表明该管内部有一个PN结，是美国注册的普通二极管。( ) 30．从二极管的结构符号可以看出，电流从二极管的正极流出，回到负极( ) 试卷第2页，共4页 试卷第1页，共4页 学科网（北京）股份有限公司 $$ 编写说明：湖北省技能高考《电子技术理论知识》考点双析卷专辑，依据《湖北省普通高等学校招收中等职业学校毕业生技能高考电气电子类技能考试大纲》（2025年）编写，专为湖北省中等职业学校电气电子类技能高考量身打造。“考点双析卷”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷，助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环，是高考首轮复习教学的得力助手。 本专辑第3、第4卷精准对标《湖北省普通高等学校招收中等职业学校毕业生技能高考电气电子类技能考试大纲》考纲，考试内容知识模块（一）晶体二极管及应用 1.识记晶体二极管单向导电特性； 2.理解晶体二极管的结构、分类和型号； 3.理解晶体二极管的伏安特性和主要参数； 4.理解晶体二极管的工作状态及特点，熟悉其功能和用途。 湖北省电气电子类 《电子技术理论知识》第3卷 二极管及其应用（2） 老师讲解卷 一、单选题（本大题共20小题，每题4分，共80分） 1．下列图形符号中,表示稳压二极管的是（   ） A． B． C． D． 【答案】B 2．如图所示，若二极管为硅管，流过电阻的电流是（   ） A．0.01A B．0.1A C．0.93A D．0.093A 【答案】D 【详解】硅管导通电压为0.7V，二极管承受正向电压导通，导通之后端电压为0.7V，电阻上的电压为10v-0.7v=9.3v，利用欧姆定律可知流过的电流为0.093A。 3．小功率塑封稳压二极管有黑色圆环的是此二极管的（   ） A．正极 B．负极 C．南极 D．北极 【答案】B 【详解】小功率塑封稳压二极管有黑色圆环的是此二极管的负极。 4．下列图形符号中，哪一个是发光二极管的图形符号（   ） A． B． C． D． 【答案】B 【详解】本题为高考真题，主要考察发光二极管的图形符号，注意区分A选项与B选项，箭头朝外指才是发光二极管，箭头朝内指是光电二极管。 5．如图整流二极管，可以判断有银白色环一端为此二极管 极（   ） A．正 B．负 C．南 D．北 【答案】B 【详解】整流二极管有银白色环的那端引脚为此二极管负极。 6．当环境温度降低时，晶体二极管的反向电流将（   ） A．增大 B．减小 C．不变 D．先增大后减小 【答案】B 【详解】温度降低时，反向饱和电流会减小。 7．下图给出了硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线，其中锗二极管的特性曲线是（   ） A．AOD B．AOC C．BOC D．BOD 【答案】D 【详解】锗二极管的死区电压小于硅二极管，所以选OB。 锗二极管的反向击穿电压小于硅二极管，所以选OD。 选D。 8．硅管正偏导通时，其管压降约为（    ） A．0.1V B．0.2V C．0.5V D．0.7V 【答案】D 【详解】二极管的压降主要是指导通压降，二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。 9．当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（     ） A．左移，下移 B．右移，上移 C．左移，上移 D．右移，下移 【答案】A 【详解】二极管的正向电压将减小，反向饱和电流将增大。 在环境温度升高时，正向特性曲线将左移，反向特性曲线将下移。 在室温附近，温度每升高1℃，正向压降减小2~2.5mV，温度每升高10℃，反向电流约增大一倍。 10．二极管在反向截止区的反向电流（   ） A．随反向电压升高而升高 B．随反向电压升高而急剧升高 C．基本保持不变 D．随反向电压升高而减少 【答案】B 11．二极管的伏安特性曲线中，反向击穿区对应的情况是（   ） A．电压低，电流小 B．电压高，电流小 C．电压低，电流大 D．电压高，电流大 【答案】D 【详解】在二极管的伏安特性曲线中，反向击穿区对应的是电压高、电流大的情况。此时，二极管承受过高的反向电压，导致电流急剧增加，可能会损坏二极管。 12．二极管的伏安特性曲线中，正向导通区的特点是（   ） A．电流变化大，电压变化小 B．电流变化小，电压变化大 C．电流和电压变化都大 D．电流和电压变化都小 【答案】A 【详解】二极管在正向导通区，电流变化大，电压变化小。所以选择A选项。 13．如图所示为硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线，下列说法错误的是（   ） A．Oa为锗管的正向特性曲线，锗二极管死区电压小 B．Ob为硅管正向特性曲线，硅二极管导通压降大 C．二极管伏安特性曲线描述加在二极管两端电压与通过二极管电流之间的关系 D．Oc和Od分别为硅管和锗管的反向特性曲线，Od反向饱和电流小于Oc 【答案】D 14．如图所示硅二极管的伏安特性曲线由___组成（   ） A．a和c B．a和d C．b和c D．b和d 【答案】D 【详解】正向特性：硅二极管死区电压为0.5V，导通管压降为0.7V。对应图中的a和b，其中a是理想二极管的正向特性曲线（导通电压为0），b是实际二极管的正向特性曲线，所以选b。 反向特性：当二极管加反向电压时，在一定范围内，反向电流很小且基本不变，对应图中的c和d，其中c是理想二极管的反向特性曲线（反向电流为0），是d实际二极管的反向特性曲线（有微小的反向饱和电流），所以选d。 15．用指针式万用表不同欧姆挡测量二极管正向电阻时，测得的阻值不相同，其原因是（   ） A．二极管质量差 B．万用表不同欧姆挡有不同的内阻 C．二极管有非线性的伏安特性 D．用指针式万用表测量的结果不准确 【答案】C 16．二极管两端的反向偏置电压增大时，在达到___电压以前，通过的电流很小（   ） A．击穿 B．最大 C．死区 D．最小 【答案】A 17．若把二极管直接同一个电动势为2V,内阻为零的电源实行正向连接，则该管（   ） A．击穿 B．电流为零 C．电流过大而损坏 D．正向电压偏低而截止 【答案】C 【详解】内阻为零，电流无穷大，二极管会因为电流过大而损坏。 18．硅二极管的导通电压为（   ） A．0.2V B．0.3V C．0.5V D．0.7V 【答案】D 【详解】硅管的导通电压为0.6~0.7v。 19．硅二极管的死区电压为（   ） A．0.2V B．0.3V C．0.5V D．0.7V 【答案】C 【详解】硅管的死区电压为0.5V。 20．下列关于二极管温度特性的说法，错误的是（   ） A．温度升高，反向电流增大 B．温度升高，正向压降增大 C．温度升高，导通电压降低 D．温度升高，反向击穿电压降低 【答案】B 【详解】温度升高，正向压降减小，不是增大。 二、判断题（本大题共10小题，每题2分，共20分） 21．二极管的反向漏电流越小，其单向导电性能就越好。( ) 【答案】正确 22．二极管的最高反向工作电压为20V，那么至少60V的电压才能将其击穿( ) 【答案】错误 【详解】根据最高反向工作电压一般为击穿电压的1/2~1/3可知，至少40V的电压可以击穿。 23．一般来说，硅晶体二极管的导通电压小于锗二极管的导通电压。( ) 【答案】错误 24．二极管的反向饱和电流与温度无关。( ) 【答案】错误 【详解】二极管随温度升高，反向饱和电流增大。 25．二极管反向漏电流越小，表明二极管单向导电性越好。( ) 【答案】正确 26．稳压二极管的伏安特性曲线：正、反向特性曲线与普通二极管相同。( ) 【答案】错误 【详解】本题考查稳压二极管的伏安特性曲线，稳压二极管的伏安特性曲线特点是：其正向特性与普通二极管相同，反向特性曲线在击穿区域，比普通二极管更陡直，因此该题的说法是错误的。 27．小功率塑封稳压二极管在用数字万用表进行二极管档位交换表笔检测时，测得数字小的那次黑表笔接的是此二极管的负极。( ) 【答案】正确 【详解】小功率塑封稳压二极管在用数字万用表进行二极管档位交换表笔检测时，测得数字小的那次黑表笔接的是此二极管的负极。 28．小功率塑封稳压二极管如果管体上出现了6V2字样，则进行计数时，中间的V代表着小数点，即些稳压二极管正常工作时稳定电压为6.2V。( ) 【答案】正确 【详解】小功率塑封稳压二极管如果管体上出现了6V2字样，则进行计数时，中间的V代表着小数点，即些稳压二极管正常工作时稳定电压为6.2V。 29．1N4007表明该管内部有一个PN结，是美国注册的普通二极管。( ) 【答案】正确 【详解】1N4007表示美国注册的二极管。“1N”是美国电子工业协会（EIA）注册的半导体器件型号命名的一部分，其中“1”表示一个PN结，“N”表示该器件是在美国注册登记的。 30．从二极管的结构符号可以看出，电流从二极管的正极流出，回到负极( ) 【答案】错误 【详解】电流从二极管的正极进入，从负极流出。 试卷第6页，共6页 试卷第5页，共6页 学科网（北京）股份有限公司 $$