广东省“3+证书”高考电子类专业-半导体与二极管《模拟电子技术考点双析卷》第2卷

编写说明：广东省“3+证书”高考《模拟电子技术考点双析卷》，依据《广东省中等职业技术教育专业技能课程考试要求及样题电子课程》（2025年）（以下简称考纲）编写。“考点双析”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷。助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环，特别适用于第一轮高考复习教学。 本专辑第1、第2卷精准对标《广东省中等职业技术教育专业技能课程考试要求及样题电子课程》（2025年）考纲，知识模块（一）.模拟电子技术： 1.半导体的基础知识：（1）P型、N型半导体的构成及导电过程；（2）PN结构成及特性；2. 半导体二极管构成及其应用：(1)半导体二极管的构成及特性；(2)稳压二极管、发光二极管特点。 广东省“3+证书”高考电子类专业 《模拟电子技术考点双析卷》第2卷 半导体及二极管 学生练习卷 一、单选题（本大题共25小题，每题4分，共100分） 1．PN结两端加正向电压时，其正向电流是 而成。（     ） A．多子扩散 B．少子扩散 C．少子漂移 D．多子漂移 2．对于晶体二极管，如果正极电位较负极电位更低，则该二极管处于什么状态？（   ） A．正向偏置 B．内部正向偏置 C．反向偏置 D．不偏置 3．以下会影响电子元器件性能的因素是（   ） A．静电 B．潮湿 C．振动 D．以上都是 4．如图所示电路中，二极管的导通情况是（   ） A．VD1导通，VD2截止 B．VD1截止，VD2导通 C．VD1，VD2都导通 D．VD1，VD2都截止 5．用数字万用表识测稳压二极管时，应将档位旋转至 进行操作。（   ） A．二极管档位 B．任意电阻档位 C．任意电压档位 D．任意电流档位 6．当晶体管的PN结导通后，则导电的是（   ） A．多数载流子 B．少数载流子 C．既有多数载流子，又有少数载流子 D．无法确定 7．P型半导体中，多数载流子和少数载流子分别是（   ） A．空穴、电子 B．电子、空穴 C．正离子、负离子 D．负离子、正离子 8．电路如图所示，VD为理想二极管，若输入的正弦交流电，则（   ） A．输出电压为 B．输出电压为3V C．最大输出电压为3V D．最小输出电压为3V 9．在P型半导体中（   ） A．没有电子 B．电子是多数载流子，空穴是少数载流子 C．空穴的数量略多于电子 D．空穴是多数载流子，电子是少数载流子 10．N型半导体是在本征半导体中加入微量的 元素构成的。（   ） A．三价 B．四价 C．五价 D．六价 11．如图所示，（设二极管正向导通电阻为0，反向阻断电阻为∞）AB两点间电压UAB是（     ） A．12V B．- 12V C．6V D．- 6V 12．在P型半导体中（   ） A．空穴是多数载流子，电子是少数载流子 B．没有电子 C．空穴的数量略多于电子 D．无法确定 13．P型半导体是在本征半导体中加入微量的 元素构成的。 （     ） A．三价 B．四价 C．五价 D．六价 14．下列电路中，二极管会导通的是（   ） A． B． C． D． 15．PN 结加反向电压时，电流（   ） A．很大 B．很小 C．不变 D．为零 16．PN 结的反向电流（   ） A．随反向电压增大而增大 B．随反向电压增大而减小 C．基本不变 D．先增大后减小 17．如果用万用表测得二极管的正反向电阻都很大，则二极管（   ） A．特性良好 B．已被击穿 C．内部开路 D．功能正常 18．如图所示，二极管的状态是（   ） A．导通 B．截止 C．反向击穿 D．无法判断 19．晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该晶体二极管处于（    ） A．零偏 B．反偏 C．正偏 D．以上均不正确 20．硅管正偏导通时，其管压降约为（    ） A．0.1V B．0.2V C．0.5V D．0.7V 21．如图所示，已知二极管为理想二极管，则电流I的大小应该是（   ） A．0mA B．1mA C．2mA D．5mA 22．二极管的伏安特性曲线中，正向导通区的特点是（   ） A．电流变化大，电压变化小 B．电流变化小，电压变化大 C．电流和电压变化都大 D．电流和电压变化都小 23．用指针式万用表不同欧姆挡测量二极管正向电阻时，测得的阻值不相同，其原因是（   ） A．二极管质量差 B．万用表不同欧姆挡有不同的内阻 C．二极管有非线性的伏安特性 D．用指针式万用表测量的结果不准确 24．在选择二极管时，需要考虑的参数有（   ） A．最大反向电压 B．最大整流电流 C．工作频率 D．以上都是 25．电路如图所示，已知硅稳压二极管VZ1、VZ2的稳压值分别为6.8V、8.6V，则电路中两个稳压二极管的状态为（   ） A．VZ1管稳压，VZ2管稳压 B．VZ1管稳压，VZ2管截止 C．VZ1管截止，VZ2管截止 D．VZ1管截止，VZ2 管稳压 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 $$ 编写说明：广东省“3+证书”高考《模拟电子技术考点双析卷》，依据《广东省中等职业技术教育专业技能课程考试要求及样题电子课程》（2025年）（以下简称考纲）编写。“考点双析”即围绕一个考点，一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷。助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环，特别适用于第一轮高考复习教学。 本专辑第1、第2卷精准对标《广东省中等职业技术教育专业技能课程考试要求及样题电子课程》（2025年）考纲，知识模块（一）.模拟电子技术： 1.半导体的基础知识：（1）P型、N型半导体的构成及导电过程；（2）PN结构成及特性；2. 半导体二极管构成及其应用：(1)半导体二极管的构成及特性；(2)稳压二极管、发光二极管特点。 广东省“3+证书”高考电子类专业 《模拟电子技术考点双析卷》第2卷 半导体及二极管 学生练习卷 一、单选题（本大题共25小题，每题4分，共100分） 1．PN结两端加正向电压时，其正向电流是 而成。（     ） A．多子扩散 B．少子扩散 C．少子漂移 D．多子漂移 【答案】A 【详解】如果将PN结加正向电压，即P区接正极，N区接负极。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。 在外电场的作用下，内电场将会被削弱，使得阻挡层变窄，扩散运动因此增强。 这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结，形成较大的扩散电流，称为正向电流。 2．对于晶体二极管，如果正极电位较负极电位更低，则该二极管处于什么状态？（   ） A．正向偏置 B．内部正向偏置 C．反向偏置 D．不偏置 【答案】C 【详解】当晶体二极管的正极电位比负极电位更低时，这意味着正极电位相对于负极更为负，二极管处于反向偏置状态。 因此，正确答案是 C 3．以下会影响电子元器件性能的因素是（   ） A．静电 B．潮湿 C．振动 D．以上都是 【答案】D 【详解】静电、潮湿、振动等都会影响电子元器件的性能。所以选择 D 选项。 4．如图所示电路中，二极管的导通情况是（   ） A．VD1导通，VD2截止 B．VD1截止，VD2导通 C．VD1，VD2都导通 D．VD1，VD2都截止 【答案】A 【详解】 根据KVL：7V-Uoc1+1V=0   Uoc1=8V>0V   VD1导通。 根据KVL：Uoc2=-7V<0V VD2截止。 5．用数字万用表识测稳压二极管时，应将档位旋转至 进行操作。（   ） A．二极管档位 B．任意电阻档位 C．任意电压档位 D．任意电流档位 【答案】A 【详解】用数字万用表识测稳压二杉管时，应将档位旋转至二极管档位进行操作。 6．当晶体管的PN结导通后，则导电的是（   ） A．多数载流子 B．少数载流子 C．既有多数载流子，又有少数载流子 D．无法确定 【答案】C 【解析】略 7．P型半导体中，多数载流子和少数载流子分别是（   ） A．空穴、电子 B．电子、空穴 C．正离子、负离子 D．负离子、正离子 【答案】A 【解析】略 8．电路如图所示，VD为理想二极管，若输入的正弦交流电，则（   ） A．输出电压为 B．输出电压为3V C．最大输出电压为3V D．最小输出电压为3V 【答案】D 【解析】略 9．在P型半导体中（   ） A．没有电子 B．电子是多数载流子，空穴是少数载流子 C．空穴的数量略多于电子 D．空穴是多数载流子，电子是少数载流子 【答案】D 【解析】略 10．N型半导体是在本征半导体中加入微量的 元素构成的。（   ） A．三价 B．四价 C．五价 D．六价 【答案】C 【解析】略 11．如图所示，（设二极管正向导通电阻为0，反向阻断电阻为∞）AB两点间电压UAB是（     ） A．12V B．- 12V C．6V D．- 6V 【答案】D 【详解】VD反偏截止。 12．在P型半导体中（   ） A．空穴是多数载流子，电子是少数载流子 B．没有电子 C．空穴的数量略多于电子 D．无法确定 【答案】A 【解析】略 13．P型半导体是在本征半导体中加入微量的 元素构成的。 （     ） A．三价 B．四价 C．五价 D．六价 【答案】A 【详解】P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体，是在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代硅晶体中硅原子的位子，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。 14．下列电路中，二极管会导通的是（   ） A． B． C． D． 【答案】A 【详解】将二极管两端断开，查看二极管两端的电位大小，二极管左边电位大于右边电位即二极管导通。 15．PN 结加反向电压时，电流（   ） A．很大 B．很小 C．不变 D．为零 【答案】B 【详解】PN 结加反向电压时，处于截止状态，电流很小。所以选择 B 选项。 16．PN 结的反向电流（   ） A．随反向电压增大而增大 B．随反向电压增大而减小 C．基本不变 D．先增大后减小 【答案】C 【详解】PN 结的反向电流在一定范围内基本不变。所以选择 C 选项。 17．如果用万用表测得二极管的正反向电阻都很大，则二极管（   ） A．特性良好 B．已被击穿 C．内部开路 D．功能正常 【答案】C 【详解】二极管的正向电阻都很小，反向电阻很大。若被击穿则正反向电阻都很小。若二极管内部开路则二极管的正反向电阻都很大。选C。 18．如图所示，二极管的状态是（   ） A．导通 B．截止 C．反向击穿 D．无法判断 【答案】B 【详解】把二极管开路，开路电压（左边为+）为5-10=-5V，二极管承受反向电压而截止。 19．晶体二极管的正极电位是-10V，负极电位是-5V，则该晶体二极管处于（    ） A．零偏 B．反偏 C．正偏 D．以上均不正确 【答案】B 【详解】因为-5>-10，所以二极管是反偏。 20．硅管正偏导通时，其管压降约为（    ） A．0.1V B．0.2V C．0.5V D．0.7V 【答案】D 【详解】二极管的压降主要是指导通压降，二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。 21．如图所示，已知二极管为理想二极管，则电流I的大小应该是（   ） A．0mA B．1mA C．2mA D．5mA 【答案】D 【解析】略 22．二极管的伏安特性曲线中，正向导通区的特点是（   ） A．电流变化大，电压变化小 B．电流变化小，电压变化大 C．电流和电压变化都大 D．电流和电压变化都小 【答案】A 【详解】二极管在正向导通区，电流变化大，电压变化小。所以选择A选项。 23．用指针式万用表不同欧姆挡测量二极管正向电阻时，测得的阻值不相同，其原因是（   ） A．二极管质量差 B．万用表不同欧姆挡有不同的内阻 C．二极管有非线性的伏安特性 D．用指针式万用表测量的结果不准确 【答案】C 【解析】略 24．在选择二极管时，需要考虑的参数有（   ） A．最大反向电压 B．最大整流电流 C．工作频率 D．以上都是 【答案】D 【详解】在选择二极管时，最大反向电压、最大整流电流和工作频率等参数都需要考虑。所以选择 D 选项。 25．电路如图所示，已知硅稳压二极管VZ1、VZ2的稳压值分别为6.8V、8.6V，则电路中两个稳压二极管的状态为（   ） A．VZ1管稳压，VZ2管稳压 B．VZ1管稳压，VZ2管截止 C．VZ1管截止，VZ2管截止 D．VZ1管截止，VZ2 管稳压 【答案】D 【解析】略 试卷第1页，共3页 试卷第1页，共3页 学科网（北京）股份有限公司 $$