内容正文:
编写说明:广东省“3+证书”高考《模拟电子技术考点双析卷》,依据《广东省中等职业技术教育专业技能课程考试要求及样题电子课程》(2025年)(以下简称考纲)编写。“考点双析”即围绕一个考点,一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷。助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环,特别适用于第一轮高考复习教学。
本专辑第1、第2卷精准对标《广东省中等职业技术教育专业技能课程考试要求及样题电子课程》(2025年)考纲,知识模块(一).模拟电子技术:
1.半导体的基础知识:(1)P型、N型半导体的构成及导电过程;(2)PN结构成及特性;2. 半导体二极管构成及其应用:(1)半导体二极管的构成及特性;(2)稳压二极管、发光二极管特点。
广东省“3+证书”高考电子类专业
《模拟电子技术考点双析卷》第1卷
半导体及二极管 老师讲解卷
一、单选题(本大题共25小题,每题4分,共100分)
1.PN 结的反向电流( )
A.随反向电压增大而增大
B.随反向电压增大而减小
C.基本不变
D.先增大后减小
2.半导体中的空穴( )
A.带正电 B.带负电 C.不带电 D.不确定
3.以下会影响电子元器件性能的因素是( )
A.静电 B.潮湿 C.振动 D.以上都是
4.下列图形符号中,表示稳压二极管的是( )
A. B. C. D.
5.对于半导体材料,若 ,则导电能力减弱。( )
A.环境温度降低 B.掺杂金属元素
C.增大环境光照强度 D.以上都是
6.杂质半导体中少数载流子的浓度 本征半导体中载流子浓度。( )
A.大于 B.等于 C.小于 D.无法比较
7.电路如图所示,设二极管 VD1、VD2的正向压降可忽略不计,反向电流为0.1mA,反向击穿电压为24V,则流过电阻的电流为( )
A.10 mA B.0.1 mA C.1 mA D.0
8.一般来说,本征半导体的导电能力 ,当掺入某些适当微量元素后其导电能力 。( )
A.很强,更强 B.很弱,很高
C.很强,降低 D.很弱,更弱
9.半导体掺入杂质后,其导电能力会( )
A.增强 B.减弱 C.不变 D.丧失
10.N型半导体是在本征半导体中加入微量的 元素构成的。( )
A.三价 B.四价 C.五价 D.六价
11.电路如图所示,已知R1=2 kΩ,R2=1kΩ,VD1、VD2均为理想二极管,则二极管的导通情况( )
A.VD1、VD2 都导通 B.VD1、VD2 都截止
C.VD1导通,VD2 截止 D.VD1 截止,VD2 导通
12.在P型半导体中,下列说法正确的是( )
A.只有自由电子一种载流子
B.多数载流子是自由电子少数载流子是空穴
C.只有空穴一种载流子
D.多数载流子是空穴少数载流子是自由电子
13.P型半导体中,多数载流子和少数载流子分别是( )
A.空穴、电子 B.电子、空穴
C.正离子、负离子 D.负离子、正离子
14.PN结的最大特点是具有( )
A.导电性 B.绝缘性 C.单相导电性 D.双向导电性
15.PN结两端加正向电压时,其正向电流是 而成。( )
A.多子扩散 B.少子扩散 C.少子漂移 D.多子漂移
16.电路如图所示,设二极管正向电阻为零,反向电阻为无穷大,则电压UAB为( )
A.-3伏 B.5伏 C.8伏 D.-8伏
17.如图所示的电路中,二极管VD1、VD2、VD3均为理想元件,则输出电压Uo为( )
A.0V B.-6V C.-18V D.12V
18.发光二极管,关于其引脚极性的说法,正确的是( )
A.长引脚为正极,短引脚为负极
B.长引脚为负极,短引脚为正极
C.这种发光二极管没有极性
D.无法判断
19.二极管的正向压降是指( )
A.二极管正向导通时的电压
B.二极管反向截止时的电压
C.二极管正向截止时的电压
D.二极管反向导通时的电压
20.对于晶体二极管,如果正极电位较负极电位更低,则该二极管处于什么状态?( )
A.正向偏置 B.内部正向偏置
C.反向偏置 D.不偏置
21.理想二极管在正向导通时的电流与电压关系是什么?( )
A.电流很小,电压很大
B.电流很大,电压很大
C.电流很大,电压很小
D.电流和电压都很小
22.如图所示,已知二极管为理想二极管,则电流I的大小应该是( )
A.0mA B.1mA C.2mA D.5mA
23.关于二极管的伏安特性,下列说法正确的是( )
A.二极管加正向电压就一定导通
B.二极管正向导通时,二极管两端的电压和流过二极管的电流成正比
C.二极管反向截止时,会有少量漏电流,且漏电流会随着温度的升高而减小
D.二极管反向电击穿时,两端的电压变化很小
24.如图所示为某二极管的伏安特性曲线,下列说法正确的是( )
A.该二极管是锗管 B.A处的动态电阻比B处大
C.D点处于截止区 D.二极管导通压降可达数十伏
25.下列关于二极管的特性参数说法正确的是( )
A.二极管正常工作时,通过的电流可以超过额定工作电流
B.二极管的最高反向工作电压就是二极管的击穿电压,所以一旦超过最高反向工作电压,二极管立马击穿烧坏
C.二极管的漏电流反映了二极管单向导电特性的好坏,该电流越大表明导电性能越好
D.二极管的最高工作频率是指二极管正常工作时的最高频率
试卷第1页,共3页
试卷第1页,共3页
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编写说明:广东省“3+证书”高考《模拟电子技术考点双析卷》,依据《广东省中等职业技术教育专业技能课程考试要求及样题电子课程》(2025年)(以下简称考纲)编写。“考点双析”即围绕一个考点,一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷。助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环,特别适用于第一轮高考复习教学。
本专辑第1、第2卷精准对标《广东省中等职业技术教育专业技能课程考试要求及样题电子课程》(2025年)考纲,知识模块(一).模拟电子技术:
1.半导体的基础知识:(1)P型、N型半导体的构成及导电过程;(2)PN结构成及特性;2. 半导体二极管构成及其应用:(1)半导体二极管的构成及特性;(2)稳压二极管、发光二极管特点。
广东省“3+证书”高考电子类专业
《模拟电子技术考点双析卷》第1卷
半导体及二极管 老师讲解卷
一、单选题(本大题共25小题,每题4分,共100分)
1.PN 结的反向电流( )
A.随反向电压增大而增大
B.随反向电压增大而减小
C.基本不变
D.先增大后减小
【答案】C
【详解】PN 结的反向电流在一定范围内基本不变。所以选择 C 选项。
2.半导体中的空穴( )
A.带正电 B.带负电 C.不带电 D.不确定
【答案】A
【详解】半导体中的空穴带正电。所以选择 A 选项。
3.以下会影响电子元器件性能的因素是( )
A.静电 B.潮湿 C.振动 D.以上都是
【答案】D
【详解】静电、潮湿、振动等都会影响电子元器件的性能。所以选择 D 选项。
4.下列图形符号中,表示稳压二极管的是( )
A. B. C. D.
【答案】B
【解析】略
5.对于半导体材料,若 ,则导电能力减弱。( )
A.环境温度降低 B.掺杂金属元素
C.增大环境光照强度 D.以上都是
【答案】A
【解析】略
6.杂质半导体中少数载流子的浓度 本征半导体中载流子浓度。( )
A.大于 B.等于 C.小于 D.无法比较
【答案】C
【解析】略
7.电路如图所示,设二极管 VD1、VD2的正向压降可忽略不计,反向电流为0.1mA,反向击穿电压为24V,则流过电阻的电流为( )
A.10 mA B.0.1 mA C.1 mA D.0
【答案】A
【解析】略
8.一般来说,本征半导体的导电能力 ,当掺入某些适当微量元素后其导电能力 。( )
A.很强,更强 B.很弱,很高
C.很强,降低 D.很弱,更弱
【答案】B
【解析】略
9.半导体掺入杂质后,其导电能力会( )
A.增强 B.减弱 C.不变 D.丧失
【答案】A
【解析】略
10.N型半导体是在本征半导体中加入微量的 元素构成的。( )
A.三价 B.四价 C.五价 D.六价
【答案】C
【解析】略
11.电路如图所示,已知R1=2 kΩ,R2=1kΩ,VD1、VD2均为理想二极管,则二极管的导通情况( )
A.VD1、VD2 都导通 B.VD1、VD2 都截止
C.VD1导通,VD2 截止 D.VD1 截止,VD2 导通
【答案】D
【解析】略
12.在P型半导体中,下列说法正确的是( )
A.只有自由电子一种载流子
B.多数载流子是自由电子少数载流子是空穴
C.只有空穴一种载流子
D.多数载流子是空穴少数载流子是自由电子
【答案】D
【解析】略
13.P型半导体中,多数载流子和少数载流子分别是( )
A.空穴、电子 B.电子、空穴
C.正离子、负离子 D.负离子、正离子
【答案】A
【解析】略
14.PN结的最大特点是具有( )
A.导电性 B.绝缘性 C.单相导电性 D.双向导电性
【答案】C
【解析】略
15.PN结两端加正向电压时,其正向电流是 而成。( )
A.多子扩散 B.少子扩散 C.少子漂移 D.多子漂移
【答案】A
【详解】如果将PN结加正向电压,即P区接正极,N区接负极。由于外加电压的电场方向和PN结内电场方向相反。 在外电场的作用下,内电场将会被削弱,使得阻挡层变窄,扩散运动因此增强。 这样多数载流子将在外电场力的驱动下源源不断地通过PN结,形成较大的扩散电流,称为正向电流。
16.电路如图所示,设二极管正向电阻为零,反向电阻为无穷大,则电压UAB为( )
A.-3伏 B.5伏 C.8伏 D.-8伏
【答案】D
【详解】二极管左边的电位为-8V,右边的电位为-3V。
UD=-3-(-8)=5V>0导通
所以UAB与8V电压源并联且反向。UAB=-8V
17.如图所示的电路中,二极管VD1、VD2、VD3均为理想元件,则输出电压Uo为( )
A.0V B.-6V C.-18V D.12V
【答案】A
【详解】由图可知,VD1导通、VD2导通、VD3截止,VD2两端的电位差大于VD1,所以VD2先导通,输出电压为0V.
18.发光二极管,关于其引脚极性的说法,正确的是( )
A.长引脚为正极,短引脚为负极
B.长引脚为负极,短引脚为正极
C.这种发光二极管没有极性
D.无法判断
【答案】A
【解析】略
19.二极管的正向压降是指( )
A.二极管正向导通时的电压
B.二极管反向截止时的电压
C.二极管正向截止时的电压
D.二极管反向导通时的电压
【答案】A
【详解】二极管的正向压降是指在正向导通时,二极管两端的电压降。这个电压降是二极管正向导电时的必要条件,其大小取决于二极管的材料和工艺。
20.对于晶体二极管,如果正极电位较负极电位更低,则该二极管处于什么状态?( )
A.正向偏置 B.内部正向偏置
C.反向偏置 D.不偏置
【答案】C
【详解】当晶体二极管的正极电位比负极电位更低时,这意味着正极电位相对于负极更为负,二极管处于反向偏置状态。
因此,正确答案是 C。
21.理想二极管在正向导通时的电流与电压关系是什么?( )
A.电流很小,电压很大
B.电流很大,电压很大
C.电流很大,电压很小
D.电流和电压都很小
【答案】C
【详解】理想二极管在正向导通时,其导通电压接近于零,电流可以非常大,因此电流很大,电压很小。
正确答案是 C。
22.如图所示,已知二极管为理想二极管,则电流I的大小应该是( )
A.0mA B.1mA C.2mA D.5mA
【答案】D
【解析】略
23.关于二极管的伏安特性,下列说法正确的是( )
A.二极管加正向电压就一定导通
B.二极管正向导通时,二极管两端的电压和流过二极管的电流成正比
C.二极管反向截止时,会有少量漏电流,且漏电流会随着温度的升高而减小
D.二极管反向电击穿时,两端的电压变化很小
【答案】D
【解析】略
24.如图所示为某二极管的伏安特性曲线,下列说法正确的是( )
A.该二极管是锗管 B.A处的动态电阻比B处大
C.D点处于截止区 D.二极管导通压降可达数十伏
【答案】B
【解析】略
25.下列关于二极管的特性参数说法正确的是( )
A.二极管正常工作时,通过的电流可以超过额定工作电流
B.二极管的最高反向工作电压就是二极管的击穿电压,所以一旦超过最高反向工作电压,二极管立马击穿烧坏
C.二极管的漏电流反映了二极管单向导电特性的好坏,该电流越大表明导电性能越好
D.二极管的最高工作频率是指二极管正常工作时的最高频率
【答案】D
【解析】略。
试卷第1页,共3页
试卷第1页,共3页
学科网(北京)股份有限公司
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