内容正文:
编写说明:浙江省高校招生职业技能考试《电工与电子类理论基础》考点双析卷专辑,依据《浙江省高校招生职业技能考试电子与电工类理论知识考试大纲》(2026年)编写,专为浙江省中等职业学校电工与电子类理论知识对口升学复习量身打造。“考点双析卷”即围绕一个考点,一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷,助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环,是高考首轮复习教学的得力助手。
本专辑第17、第18卷精准对标《浙江省高校招生职业技能考试电子与电工类理论知识考试大纲》考纲,考试内容及范围知识模块(一)电子与电工类基础理论:
2.模拟电路
(2)了解三极管的基本结构,理解三极管的输入、输出特性曲线,掌握三极管的放大原理。
浙江省电工与电子类理论知识
《电工与电子类理论基础》考点双析卷 第17卷
模拟电路 老师讲解卷
一、单选题(本大题共20小题,每题3分,共60分)
1.三极管的放大状态中,基极-发射极间的电压起什么作用( )
A.控制输出电压大小 B.控制输出电流大小
C.控制基区厚度 D.控制器件的稳定性
2.处于饱和状态的三极管,B、E 的电位分别是 3.9 V、4.6V,则 VC 的点位可能是( )
A.0.1V B.1.3V C.3.6V D.4.3V
3.某三极管的 PcM =100 mW,IcM =20 mA,U =15V,则下列状态下三极管能正常工作的是( )
A.UCE=2V,Ic=10 mA B.UCE=2V,Ic=40 mA
C.UCE=6V,Ic=20 mA D.UCE=20V,Ic=2mA
4.场效应管的符号如图所示,它是( )
A.P沟道增强型 MOSFET
B.N沟道耗尽型 MOSFET
C.N沟道 JFET
D.N沟道增强型 MOSFE
5.已知某晶体管的 P CM=125mw; ICM=125mA 、VBR(CEO)=25V。在下列条件中,正常工作的是( )
A.Ic = 130mA , VCE = 5V B.Ic = 50mA , VCE =30V
C.Ic = 20mA , VCE = 15V D.Ic = 10mA , VCE =12V
6.由 NPN 管组成的共射放大电路 , 若测得 VCEQ =VCC , VCC 为电源电压 , 则可判断该三极管处于( )
A.放大状态 B.饱和状态
C.截止状态 D.击穿状态
7.在三极管的输出特性曲线中 , 不能取得的参数是( )
A. B. C.ICEO D.V(BR)CEO
8.一个晶体管的发射极电流变化量是 △I E = 6.5mA , 集电极电流的变化量是 △Ic = 6.25mA , 则基极电流变化量和 β 分别是( )
A.0.25mA , 26 B.0.25mA , 25
C.-0.25mA ,1.4 D.10.75mA , 25
9.用万用表测得三极管任意两极间的正、反向电阻均较小,则该管( )
A.两个 PN 结均击穿
B.发射结击穿,集电结正常
C.发射结正常,集电结击穿
D.两个 PN 结均开路
10.某NPN硅管在放大电路中测得各极对地电压分别为UC=12V,UB=4V,UE=0V,由此可判别三极管( )
A.处于放大状态 B.处于饱和状态
C.处于截止状态 D.已损坏
11.三极管引脚的识别中,哪根引脚通常是发射极( )
A.1号引脚 B.2号引脚 C.3号引脚 D.取决于型号
12.以下关于三极管的基本构造描述错误的是( )
A.由基区、发射区和集电区组成 B.基区掺杂类型与发射区相同
C.通常采用硅材料制成 D.三极管没有极性
13.如图所示放大电路中,UCC=12V,三极管的电流放大系数β=40,rbe=1KΩ,RB=300KΩ,RC=4KΩ,RL=4KΩ,则接入RL后电压的放大倍数为( )
A.-160 B.-80 C.-40 D.-20
14.用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V,V2=6V,V3=2.7V,则( )
A.1为e,2为b,3为c B.1为e,3为b,2为c
C.2为e,1为b,3为c D.3为e,1为b,2为c
15.NPN的管型的IE方向是( )
A.IE 向管内 B.IE 管内可向管外 C.IE 向管外 D.均不对
16.在放大电路中,测得某晶体管三个电极的电位分别是2.5V、3.2V、9.6V,则与之对应的三个电极分别是( )
A.B、C、E B.C、E、B C.E、B、C D.B、E、C
17.三极管的检测方法不包括下列哪一种?( )
A.参数检测 B.外观检测
C.引脚连接测试 D.热耐压测试
18.三极管的管型与引脚的识别常用下列哪一种方法?( )
A.标签上的数字标识 B.排列顺序标记
C.色带编码 D.引脚形状
19.三极管的基本构造是由下列哪几个区域组成?( )
A.集电极、发射极、基极
B.集电极、发射极、控制极
C.集电极、基极、控制极
D.集电极、发射极、栅极
20.以下哪种三极管能在高频电路中使用?( )
A.功率三极管 B.低频三极管
C.达林顿三极管 D.高频三极管
二、填空题(本大题共5小题,每小题2分,共10分)
21.三极管的引脚识别中,通常第 根引脚是基极,第 根引脚是发射极,第 根引脚是集电极。
22.三极管的种类主要有 和 两种。
23.三极管由基区、发射区和 组成。
24.NPN型三极管工作在放大状态时各极电位的高低用不等式表示为 。
25.三极管的工作状态包括 、饱和状态和截止状态
三、综合应用题(本大题共3小题,每小题10分,共30分)
26.已测得电路中处于放大状态的一只三极管的各极对地电位分别为V₁=6V,V₂=11.3V,V₃=12V。试判断此三极管是PNP型三极管还是NPN型三极管、是硅管还是锗管,同时确定三极管的三个电极E、B、C。
27.三极管的饱和区、放大区和截止区分别有什么特点?
28.三极管放大电路如图所示。已知: , , = 6. 4K, = 6. 4K, = 2. 3K。
(1)画出其等效微变电路
(2)计算电压放大倍数Au
(3)计算输出电阻R。
试卷第6页,共6页
试卷第5页,共6页
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编写说明:浙江省高校招生职业技能考试《电工与电子类理论基础》考点双析卷专辑,依据《浙江省高校招生职业技能考试电子与电工类理论知识考试大纲》(2026年)编写,专为浙江省中等职业学校电工与电子类理论知识对口升学复习量身打造。“考点双析卷”即围绕一个考点,一份是老师的讲解卷一份是学生的练习卷,助力师生构建 “讲练结合” 的学习闭环,是高考首轮复习教学的得力助手。
本专辑第17、第18卷精准对标《浙江省高校招生职业技能考试电子与电工类理论知识考试大纲》考纲,考试内容及范围知识模块(一)电子与电工类基础理论:
2.模拟电路
(2)了解三极管的基本结构,理解三极管的输入、输出特性曲线,掌握三极管的放大原理。
浙江省电工与电子类理论知识
《电工与电子类理论基础》考点双析卷 第17卷
模拟电路 老师讲解卷
一、单选题(本大题共20小题,每题3分,共60分)
1.三极管的放大状态中,基极-发射极间的电压起什么作用( )
A.控制输出电压大小 B.控制输出电流大小
C.控制基区厚度 D.控制器件的稳定性
【答案】B
【详解】基极-发射极间的电压控制三极管的放大作用。
2.处于饱和状态的三极管,B、E 的电位分别是 3.9 V、4.6V,则 VC 的点位可能是( )
A.0.1V B.1.3V C.3.6V D.4.3V
【答案】D
【详解】处于饱和状态的三极管,B、E 的电位分别是 3.9 V、4.6V,则 VC 的点位可能是4.3V.
3.某三极管的 PcM =100 mW,IcM =20 mA,U =15V,则下列状态下三极管能正常工作的是( )
A.UCE=2V,Ic=10 mA B.UCE=2V,Ic=40 mA
C.UCE=6V,Ic=20 mA D.UCE=20V,Ic=2mA
【答案】A
【详解】该题考查晶体管能否正常的条件,若实际值 Ic、UCE、 PcM 共中一个超过极限参数,三极管均不能正常工作。
4.场效应管的符号如图所示,它是( )
A.P沟道增强型 MOSFET
B.N沟道耗尽型 MOSFET
C.N沟道 JFET
D.N沟道增强型 MOSFE
【答案】B
【解析】略
5.已知某晶体管的 P CM=125mw; ICM=125mA 、VBR(CEO)=25V。在下列条件中,正常工作的是( )
A.Ic = 130mA , VCE = 5V B.Ic = 50mA , VCE =30V
C.Ic = 20mA , VCE = 15V D.Ic = 10mA , VCE =12V
【答案】D
【解析】略
6.由 NPN 管组成的共射放大电路 , 若测得 VCEQ =VCC , VCC 为电源电压 , 则可判断该三极管处于( )
A.放大状态 B.饱和状态
C.截止状态 D.击穿状态
【答案】C
【解析】略
7.在三极管的输出特性曲线中 , 不能取得的参数是( )
A. B. C.ICEO D.V(BR)CEO
【答案】D
【解析】略
8.一个晶体管的发射极电流变化量是 △I E = 6.5mA , 集电极电流的变化量是 △Ic = 6.25mA , 则基极电流变化量和 β 分别是( )
A.0.25mA , 26 B.0.25mA , 25
C.-0.25mA ,1.4 D.10.75mA , 25
【答案】B
【解析】略
9.用万用表测得三极管任意两极间的正、反向电阻均较小,则该管( )
A.两个 PN 结均击穿
B.发射结击穿,集电结正常
C.发射结正常,集电结击穿
D.两个 PN 结均开路
【答案】A
【详解】该题考查的是晶体管质量的判定,晶体管质量的判定主要看两个 PN 的正,反向电阻,正,反向电阻差别越大,质量越好。
10.某NPN硅管在放大电路中测得各极对地电压分别为UC=12V,UB=4V,UE=0V,由此可判别三极管( )
A.处于放大状态 B.处于饱和状态
C.处于截止状态 D.已损坏
【答案】D
【解析】略
11.三极管引脚的识别中,哪根引脚通常是发射极( )
A.1号引脚 B.2号引脚 C.3号引脚 D.取决于型号
【答案】C
【详解】通常三极管的第三个引脚是发射极。
12.以下关于三极管的基本构造描述错误的是( )
A.由基区、发射区和集电区组成 B.基区掺杂类型与发射区相同
C.通常采用硅材料制成 D.三极管没有极性
【答案】D
【详解】三极管是有极性的,通常有发射极、基极和集电极。
13.如图所示放大电路中,UCC=12V,三极管的电流放大系数β=40,rbe=1KΩ,RB=300KΩ,RC=4KΩ,RL=4KΩ,则接入RL后电压的放大倍数为( )
A.-160 B.-80 C.-40 D.-20
【答案】B
【解析】略
14.用直流电压表测得放大电路中某晶体管电极1、2、3的电位各为V1=2V,V2=6V,V3=2.7V,则( )
A.1为e,2为b,3为c B.1为e,3为b,2为c
C.2为e,1为b,3为c D.3为e,1为b,2为c
【答案】B
【解析】略
15.NPN的管型的IE方向是( )
A.IE 向管内 B.IE 管内可向管外 C.IE 向管外 D.均不对
【答案】D
【解析】略
16.在放大电路中,测得某晶体管三个电极的电位分别是2.5V、3.2V、9.6V,则与之对应的三个电极分别是( )
A.B、C、E B.C、E、B C.E、B、C D.B、E、C
【答案】C
【解析】略
17.三极管的检测方法不包括下列哪一种?( )
A.参数检测 B.外观检测
C.引脚连接测试 D.热耐压测试
【答案】D
【详解】热耐压测试不是三极管的检测方法,而是其他类型器件的测试方法。
18.三极管的管型与引脚的识别常用下列哪一种方法?( )
A.标签上的数字标识 B.排列顺序标记
C.色带编码 D.引脚形状
【答案】A
【详解】三极管的管型与引脚的识别常用标签上的数字标识来确定。
19.三极管的基本构造是由下列哪几个区域组成?( )
A.集电极、发射极、基极
B.集电极、发射极、控制极
C.集电极、基极、控制极
D.集电极、发射极、栅极
【答案】A
【详解】三极管的基本构造由集电极、发射极和基极组成。
20.以下哪种三极管能在高频电路中使用?( )
A.功率三极管 B.低频三极管
C.达林顿三极管 D.高频三极管
【答案】D
【详解】专门设计用于高频应用的三极管具有较快的开关速度和较低的寄生电容。
二、填空题(本大题共5小题,每小题2分,共10分)
21.三极管的引脚识别中,通常第 根引脚是基极,第 根引脚是发射极,第 根引脚是集电极。
【答案】 2 3 1
【详解】对于大多数三极管来说,第2根引脚通常是基极,第3根引脚是发射极,第1根引脚是集电极,这是识别三极管引脚的常见方法。
22.三极管的种类主要有 和 两种。
【答案】 NPN PNP
【详解】NPN和PNP是三极管的两种主要类型,它们的区别在于掺杂的材料类型不同。
23.三极管由基区、发射区和 组成。
【答案】集电区
【详解】三极管由基区、发射区和集电区三个主要区域组成,基区是控制电流的关键区域。
24.NPN型三极管工作在放大状态时各极电位的高低用不等式表示为 。
【答案】VC>VB>VE
【解析】略
25.三极管的工作状态包括 、饱和状态和截止状态
【答案】放大状态
【详解】三极管的工作状态包括放大状态、饱和状态和截止状态
三、综合应用题(本大题共3小题,每小题10分,共30分)
26.已测得电路中处于放大状态的一只三极管的各极对地电位分别为V₁=6V,V₂=11.3V,V₃=12V。试判断此三极管是PNP型三极管还是NPN型三极管、是硅管还是锗管,同时确定三极管的三个电极E、B、C。
【答案】,
三极管处于放大状态,集电极电位最低,可知该三极管为PNP型三极管。发射结的电位差为0.7V,则该三极管为硅材料管,2是基极 B,3是发射极 E。
【解析】略
27.三极管的饱和区、放大区和截止区分别有什么特点?
【答案】见解析
【详解】三极管的三个工作区域有以下特点:
饱和区:在饱和区,三极管的基极电流足够大,使得集电极和发射极之间的电压很小,接近于零。此时,三极管的输出特性曲线接近水平,输出电压变化很小,但输出电流较大。
放大区:在放大区,三极管的基极电流变化导致集电极电流成比例变化,从而实现信号放大。此时,三极管的输出特性曲线不是水平的,而是有一定的斜率。
截止区:在截止区,三极管的基极电流非常小或为零,导致集电极和发射极之间没有电流流动。此时,三极管相当于一个关闭的开关。
28.三极管放大电路如图所示。已知: , , = 6. 4K, = 6. 4K, = 2. 3K。
(1)画出其等效微变电路
(2)计算电压放大倍数Au
(3)计算输出电阻R。
【答案】(1)
(2)
(3)K
【解析】略
试卷第6页,共6页
试卷第5页,共6页
学科网(北京)股份有限公司
$$