内容正文:
单招零距离·电子电工专业综合
(2)不能。理由:电机正常工作于是“Y”形接法,如
18.B19.B20.B
果接成三角形,将因加到绕组上电压大于其正常工作
三、填空题
电压而烧坏电机。
21.穿透
温度稳定性
(3)时间继电器延迟时间T>3.2s,t=1.6÷0.5
22.15mA100mA30V
=3.2(s),只有当延迟时间大于两点运行时间时,小
23.放大
截止饱和
车才会往返运动。
24.电流
基极电流
集电极电流
35,(1)三相异步电机自耦降压起动、全压连续运
25.栅源
漏极
行;降低电机起动电流大对电网的冲击和对自身寿命
26.耗尽型
增强型
的影响。
(2)不能。(3)通电延时型;降压起动
四、分析计算题
27.
、序号
《电子线路》测试卷一
V
V:
V
V
状态
(晶体二极管和二极管整流电路)】
放大
饱和
一、判断题
截止
1.B2.B3.B4.B5.B6.B7.B8.B
28.(1)0.1A
(2)0.5A(3)49
(4)41.9或43.
9.A10.B
4
二、选择题
29.(1)增强型
(2)P沟道
(3)开启电压
11.D12.B13.C14.A15.A16.A17.C
-4V
18.C19.B20.A
30.(1)耗尽型NMOS管
(2)2mA(3)-2V
三、填空题
(4)1000μA/V
21.单向导电性
一定的正向反向
22.变大减小
《电子线路》测试卷三
23.二极管允许通过的最大正向工作电流平均值
(单级低频小信号放大电路)】
因PN结过热而被烧坏
24.截止导通1.3250
一、判断题
25.5V1.875mA
1.B2.B3.B4.B5.B6.B7.B8.B
26.-4.5V
9.B10.A
27.V。=4.74V
二、选择题
四、分析计算题
11.A12.C13.A14.A15.B16.B17.B
28.8V2mA
18.B19.D20.A
29.5V-5V
30.12V
三、填空题
31.7.07V8.48V
21.Vcg
22.30
《电子线路》测试卷二
23.共集电极电路
共集电极电路
(晶体三极管和场效应管)
24.固定截止
25.4V30μA
26.饱和大
一、判断题
27.共基极组态
共发射极组态
1.B2.B3.A4.B5.B6.B7.B8.A
四、分析计算题
9.B10.B
28.(1)Va=Vz+Ve=6.7(V)
二、选择题
20-Va-Vo=20-6.7-
6.7
11.A12.A13.C14.C15.A16.D17.C
24
24
·209·总复习方案配套测试卷·第四部分
电子线路
《电子线路》测试卷二(晶体三极管和场效应管)
(90分钟
100分)
班级:
学号:
姓名:
一、判断题(每题1分,共10分。正确的记“A”,错误的记“B”,并将结果填入下表中。)
题号
2
3
5
6
7
8
10
答案
1.发射结处于正向偏置的三极管,一定工作在放大状态。
2.无论是哪种晶体三极管,当处于放大工作状态时,b极电位总是高于极电位,c极电位
也总是高于b极电位。
3.三极管的输人电阻与静态工作点有关。
4.忽略【o的三极管,IE=IB十Ie,I=l;所以在任何情况下必然存在I=(1十3)1B。
5.晶体三极管具有电压放大作用。
6.晶体三极管具有恒流特性,场效应管具有恒压特性。
7.对于结型场效应管,其栅源电压Vs必须是负值,才能正常工作。
8.夹断电压是耗尽型场效应管的重要参数。
9.跨导gm越小,△Vs对△I。的控制能力越强。
10.场效应管的漏极和源极可以调换使用,而三极管的集电极和发射极不能调换使用。
二、选择题(每题2分,共20分。将结果填入下表中。)
题号
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
答案
11.在某放大电路中测得三极管三个电极的静态电位分别为0V、一10V和一9.3V,则该
管为(
).
A.NPN硅管
B.NPN锗管
C.PNP硅管
D.PNP锗管
12.在电路中有一只三极管三端为A、B、C,如题12图所示,现测得IA=0.02mA,I=9.
98mA,I=一10mA,则该管是()。
A.A是基极,B是集电极,C是发射极,NPN型
B.A是集电极,B是基极,C是发射极,NPN型
C.A是发射极,B是集电极,C是基极,PNP型
D.A是基极,B是集电极,C是发射极,PNP型
·109·
单招零距离·电子电工专业综合
-1.9V2.5v1.8下
题12图
题13图
题14图
13.如题13图所示某放大电路中的三极管,各管脚的电位已知,则该三极管的1、2、3脚分
别为(
)。
A.e、b、c
B.e、c、b
C.b、e、c
D.c、e、b
14.某结型场效晶体管按题14图所示电路进行测试。当G。=0V时,电流表指示为4mA:
当G。=1.5V时,电流表指示为1.5mA:当G。=2V,电流表指示为1mA;当G。=4V时,电流
表指示接近于零,则该管的V。为(
)。
A.4V
B.2V
C.-4V
D.-2V
15.若测得电路中四个三极管各极对地的电位如题15图所示,且各晶体管工作正常,无损
坏,则V1V2、V3、V:分别工作在(
)。
8V
6V
3.3V
1.9V0
V
-2.3V0
3.7
-5.7V
12V
-2V
-5V
题15图
A.放大区、放大区、饱和区、截止区
B.放大区、截止区、饱和区、截止区
C.放大区、截止区、饱和区、放大区
D.饱和区、截止区、放大区、放大区
16.对三极管放大作用的实质,下面说法正确的是(
)。
A.三极管可以把小能量放大成大能量B.三极管可以把小电流放大成大电流
C.三极管可以把小电压放大成大电压D.三极管可用较小的电流控制较大的电流
17.交流放大电路中,品体管一旦进入饱和或截止状态,I:对Ic将(
)。
A.增强控制能力
B.控制能力不变
C.失去控制能力
D.它们之间没有关系
18.采用指针式万用表电阻挡测量某三极管基极时,黑表笔接至某管脚,红表笔分别接触
另外两管脚,两次测量时,万用表指针偏转都很大,则说明()。
A.该管脚为基极,且为PNP型
B.该管脚为基极,且为NPN型
C.该管脚为集电极,且为NPN型
D.该管脚为发射极,且为PNP型
19.某场效应管的Iss为6mA,且I,自漏极流出,大小为8mA,则该管是()。
A.耗尽型NMOS管
B.耗尽型PMOS管
C.增强型NMOS管
D.增强型PMOS管
20.在放大电路中,场效应管工作在输出特性曲线的什么区域(
)
A.可调电阻区
B.饱和区
C.击穿区
D.负阻区
三、填空题(每空2分,共30分。)
21.Ic,称为三极管的
电流,它反映三极管的
·110·
总复习方案配套测试卷·第四部分电子线路
22.设三极管的PeM=150mW,IcM=100mA,Vw=30V,若V=10V,le允许的最
大值为
;若Ve=1V,Ie允许的最大值为
;若I=3mA,VE允许的最
大值为
23.晶体管的输出特性曲线可分为饱和、放大、截止三个区,当晶体管工作在
区
时,I=I书成立:工作在
区时,Ic≈0;工作在
区时,Ve≈0。
24.晶体三极管是
控制型器件,是用
来控制
25.场效应管的转移特性反映了
电压对
电流的控制作用。
26.夹断电压是
场效应管特有的参数:
场效应管没有漏极
饱和电流Iss。
四、分析计算题(4小题,共40分。)
27.(12分)根据图所示三极管的各管脚电位,试分析其工作状态,并将结果用“/”填入表
内,其中NPN型管为硅材料,PNP型管为锗材料。
OV
1.9V
21
6.7V
-4Vo-
1.7V
-2Vo-
2V
2V
2.7V
题27图
序号
V
V
v
状态
放大
饱和
截止
28.(8分)对NPN型共发射极放大电路进行测试,测得三极管各电极电流如下表,试问:
(1)反向饱和电流Icw为多少?
(2)穿透电流I,为多少?
(3)交流电流放大系数B是多少?
(4)直流电流放大系数3是多少?
Ig(mA)
0
0.0005
3
4
Ic(mA)
0.0001
0.0005
2.93
3.91
In(uA)
-0.1
0
70
90
·111·
单招零距离·电子电工专业综合
29.(8分)一个绝缘栅场效应管的转移特性曲线如题29图所示(其i,的方向是它的实际
方向),试求:
(1)是耗尽型还是增强型。
(2)是V沟道还是P沟道。
(3)从这个曲线上可求出该管的什么参数?是多大?
↑iomA
642024ks/V
题29图
30.(12分)某场效应管的输出特性曲线如题30图所示,试问:
(1)该管属什么类型的场效应管?
(2)漏极饱和电流为多大?
(3)夹断电压或开启电压为多大?
(4)跨导为多少?
1n,(A)
5
4
2V
3
1y/
WGS=0V
1V
含g62一isw
题30图
·112·