内容正文:
A.WX4 是沼气的主要成分
B.固态X2Y是分子晶体
C.ZW是共价晶体
D.ZY2 的水溶液俗称“水玻璃”
3.新型材料B4C可用于制作切削工具和高温
热交换器.关于B4C的推断正确的是
( )
A.B4C是一种分子晶体
B.B4C是该物质的分子式
C.B4C是一种共价晶体
D.B4C的电子式为∶B∶C
‥
B
‥
‥
B
‥
∶B∶
4.下列说法正确的是(NA 为阿伏加德罗常数
的值) ( )
A.124gP4 含有的P-P键的个数为4NA
B.12g石墨中含有C-C键的个数为2NA
C.12g金 刚 石 中 含 有 C-C 键 的 个 数
为2NA
D.60gSiO2 中含Si-O键的个数为2NA
5.现有两组物质的熔点数据如表所示:
A组 B组
金刚石:>3500℃ HF:-83℃
晶体硅:1410℃ HCl:-115℃
晶体硼:2300℃ HBr:-89℃
二氧化硅:1710℃ HI:-51℃
根据表中数据回答下列问题:
(1)A组属于 晶体,其熔化时克服
的粒子间的作用力是 .
(2)B组中 HF熔点反常是由于 .
(3)B组晶体不可能具有的性质是
(填序号).
①硬度小 ②水溶液能导电 ③固体能导
电 ④液体状态能导电
[课堂小结]
学习至此,请完成配套训练
第三节 金属晶体与离子晶体
第1课时 金属键与金属晶体
课标要点 核心素养
1.认识金属晶体的结构和性质
2.能利用金属键、“电子气理论”解释金属的一些物理性质
宏观辨识与微观探析:能辨识金属
晶体及金属晶体的构成微粒
[知识梳理]
[知识点一] 金属键
1.定义:在金属单质晶体中原子之间以
与 之间强烈的相互作用.
2.成键粒子: 和 .
3.成键条件: 或 .
4.成键本质
电子气理论:金属原子脱落下来的
形成遍布整块晶体的“电子气”,被所有原子
共用,从而把 维系在一起,形
成像共价晶体一样的“巨分子”.
96
第三章 晶体结构与性质
[知识点二] 金属晶体
1.通过金属离子与 之间的较强作用
形成的单质晶体,叫做金属晶体.
2.用电子气理论解释金属的物理性质
延展性
当金属受到外力作用时,晶体中
的各原子层就会发生 ,
但原来的 不变,弥漫
在金属原子间的 可以起
到类似轴承中滚珠之间润滑剂
的作用,所以金属有良好的延展
性.
导电性
在外加电场的作用下,金属晶体
中的自由电子做定向移动而形
成电流,呈现良好的导电性.
导热性
电子气中的自由电子在热的作
用下与金属原子频繁碰撞,从而
引起两者能量的交换.
注意:①温度越高,金属的导电能力越弱.
②合金的熔、沸点比其各成分金属的熔、沸
点低.
[自我评价]
1.[判一判]
(对的在括号内打“√”,错的在括号内打
“×”)
(1)金属晶体的熔 点 一 定 比 分 子 晶 体 的 熔
点高. ( )
(2)金属受外力作用时常发生变形而不易折断,
是由于金属原子间有较强的作用. ( )
(3)常温下,金属单质都以金属晶体的形式
存在. ( )
(4)金属阳离子与自由电子之间的强烈作用,在
一定外力作用下,不因形变而消失. ( )
(5)金属晶体的构成粒子为金属原子.( )
(6)同主族金属元素自上而下,金属单质的熔点
逐渐降低,体现金属键逐渐减弱. ( )
2.[练一练]
根据物质的性质,判断下列晶体类型:
(1)SiI4:熔点120.5℃,沸点271.5℃,易水解
.
(2)硼:熔 点 2300℃,沸 点 2550℃,硬 度
大 .
(3)硒:熔点217℃,沸点685℃,溶于氯仿 .
(4)锑:熔点630.74℃,沸点1750℃,导电 .
金属键和金属的物理性质
[情境素材]
花丝工艺又称为细金工艺,是将金、银、铜等
抽成细丝,以堆垒编织等技法制成.镶嵌则
是把金银薄片打成器皿,然后錾出图案,或
用锼弓锼出图案,并镶嵌宝石而成.由一根
根花丝到成为一件完整的作品,要依靠堆、
垒、编、织、掐、填、攒、焊八大工艺,而每种工
艺细分起来又是千变万化.
◉[思考探究]
(1)金属被压成薄片、拉丝、制成导线的过程中
金属的化学性质有没有改变?
(2)金属为什么具有一定的导电、导热和延展
性呢,从金属的结构应怎样理解这些性质?
(3)含有阳离子的晶体中一定含有阴离子吗?
07
化学选择性必修二
(4)金属键强弱的影响因素有哪些?
[核心突破]
1.金属键
(1)金属键的特征
金属键无方向性和饱和性.
晶体中的电子不专属于某一个或几个特定的
金属阳离子,而几乎是均匀地分布在整块晶
体中,因此晶体中存在所有金属阳离子与所
有自由电子之间“弥漫”的电性作用,这就是
金属键,因此金属键没有方向性和饱和性.
(2)金属键的强弱比较
一般来说,金属键的强弱主要取决于金属
元素原子的半径和价层电子数.原子半径
越大,价层电子数越少,金属键越弱;原子
半径越小,价层电子数越多,金属键越强.
(3)金属键对物质性质的影响
①金属键越强,晶体的熔、沸点越高.
②金属键越强,晶体的硬度越大.
2.金属晶体的性质
(1)金属晶体具有良好的导电性、导热性和延展性.
(2)熔、沸点:金属键越强,熔、沸点越高.
①同周期金属单质,从左到右(如Na、Mg、
Al)熔、沸点升高.
②同主族金属单质,从上到下(如碱金属)
熔、沸点降低.
③合金的熔、沸点一般比其各成分金属的
熔、沸点低.
④金属晶体熔点差别很大,如汞常温下为液
体,熔点很低;而铁常温下为固体,熔点很高.
3.金属晶体物理特性分析
(1)金属键没有方向性,当金属受到外力作用
时,晶体中的各原子层发生相对滑动而不
会破坏金属键,金属发生形变但不会断裂,
故金属晶体具有良好的延展性.
(2)金属材料有良好的导电性是由于金属晶体
中的自由电子可以在外加电场作用下发生
定向移动.
(3)金属的导热性是自由电子在运动时与金属
原子碰撞而引起能量的交换,从而使能量
从温度高的部分传到温度低的部分,使整
块金属达到相同的温度.
◉[典例示范]
[典例] 下列关于金属键的叙述中,不正确
的是 ( )
A.金属键是金属阳离子和自由电子这两种带
异性电荷的微粒间的强烈相互作用,其实
质与离子键类似,也是一种电性作用
B.金属键可以看作是许多原子共用许多电
子所形成的强烈的相互作用,所以与共
价键类似,也有方向性和饱和性
C.金属键是带异性电荷的金属阳离子和自
由电子间的相互作用,故金属键无饱和
性和方向性
D.构成金属键的自由电子在整个金属内部
的三维空间中做自由运动
[尝试解答]
◉[学以致用]
1.下列有关金属晶体的说法中正确的是 ( )
A.常温下都是晶体
B.最外层电子数少于3个的都是金属
C.任何状态下都有延展性
D.都能导电、传热
2.要使金属晶体熔化必须破坏其中的金属键.
金属晶体熔、沸点高低和硬度大小一般取决
于金属键的强弱,而金属键与金属阳离子所
带电荷的多少及半径大小有关.由此判断
下列说法正确的是 ( )
A.金属镁的硬度大于金属铝
B.碱金属单质的熔、沸点从Li到Cs是逐渐
增大的
C.金属镁的熔点大于金属钠
D.金属镁的硬度小于金属钙
17
第三章 晶体结构与性质
1.关于金属性质和原因的描述不正确的是
( )
A.金属一般具有银白色光泽,是物理性质,
与金属键没有关系
B.金属具有良好的导电性,是因为在金属
晶体中共享了金属原子的价层电子,形
成了“电子气”,在外加电场的作用下自
由电子定向移动便形成了电流,所以金
属易导电
C.金属具有良好的导热性能,是因为自由
电子在受热后,加快了运动速率,自由电
子通过 与 金 属 离 子 发 生 碰 撞,传 递 了
能量
D.金属晶体具有良好的延展性,是因为金
属晶体中的原子层可以滑动而不破坏金
属键
2.金属的下列性质中和金属晶体的结构无关
的是 ( )
A.良好的导电性
B.反应中易失电子
C.良好的延展性
D.良好的导热性
3.在金属晶体中,如果金属原子的价层电子数
越多,金属阳离子的半径越小,自由电子与
金属阳离子间的作用力越大,金属的熔点越
高.由此判断下列各组金属熔点的高低顺
序,其中正确的是 ( )
A.Mg>Al>Ca B.Al>Na>Li
C.Al>Mg>Ca D.Mg>Ba>Al
4.下图是金属晶体内部电子气理论图
电子气理论可以用来解释金属的性质,其中
正确的是 ( )
A.金属能导电是因为金属阳离子在外加电
场作用下定向移动
B.金属能导热是因为自由电子在热的作用
下相互碰撞,从而发生热的传导
C.金属具有延展性是因为在外力的作用
下,金属阳离子各层间会出现相对滑动,
但自由电子可以起到润滑的作用,使金
属不会断裂
D.合金的延展性比纯金属强,硬度比纯金
属小
5.金属铝晶体的结构如图甲所示,其晶胞特征
如图乙所示.若铝的原子半径为1.42×
10-10m,相对原子质量为27.
(1)晶胞中铝原子周围等距离且最近的铝原子
个数为 ,一个晶胞中金属铝原子的数
目为 .
(2)试求金属铝晶体中的晶胞长度,即图丙
中AB的长度为 m,一个金属铝晶
胞的体积为 cm3.
(3)金属铝的密度为 .
[课堂小结]
金
属
晶
体
构成
粒子
自由电子←
金属离子←
作用力
金属键→
决定
↓
物理通性→
学习至此,请完成配套训练
27
化学选择性必修二
(2)提示:①构成粒子不同,共价晶体中只存在原子,没有小分
子.②相互作用不同,共价晶体中存在的是共价键.
(3)提示:SiO2 晶体中最小环上有12个原子.1molSiO2 中含
有4molSi-O.
(4)提示:12个
典例示范
[典例2] B [SiCl4 是分子晶体,Si3N4 是共价晶体,A 项错
误;Si3N4 是共价晶体,是空间网状结构,B项正确;Si3N4 中
一个Si周围有4个氮,1个氮周围有3个硅,C项错误;SiCl4
是分子晶体,在熔化过程中克服的是分子间作用力,化学键
不断裂,D项错误.]
学以致用
3.D [晶体硅的结构是五个硅原子形成正四面体结构,其中有一
个位于正四面体的中心,另外四个位于四面体的顶点,故SiO2
的结构为每个硅原子周围有四个氧原子,而每个氧原子周围有
两个硅原子,在晶体中Si原子与 O原子的原子个数比为1∶2,
“SiO2”仅表示石英的组成,故没有单个的SiO2 分子.]
4.解析:(1)SiC晶体中,每个Si原子与4个 C原子形成4个σ
键,故Si采取sp3 杂化,每个 Si原子距最近的 C 原子有4
个.SiC晶胞中,碳原子数为6× 12+8×
1
8 =4
个,硅原子
位于晶胞内,SiC晶胞中硅原子数为4个,1个晶胞的质量为
160gmol-1
NA g
,体积为a3cm3,因此晶体密度:bgcm-3=
160gmol-1
NAa3cm3
,故 NA=
160
a3b
mol-1.
(2)立方氮化硼晶胞中,含有 N原子数为6×12+8×
1
8=4
个,B原子位于晶胞内,立方氮化硼晶胞中含硼原子4个.
每个硼原子与4个氮原子形成4个σ键,故硼原子采取sp3
杂化,每个立方氮化硼晶胞的质量为100
NA g
,体积为a3cm3,
故密度为 100
a3NA
gcm-3.
答案:(1)sp3 4 160a3b
mol-1 (2)4 4 sp3 100a3NA
随堂自测夯基础
1.B [A项中 SO2 和 SiO2 的化学键相同,都是极性共价键,
但晶体类型不同,SO2 晶体属于分子晶体,SiO2 晶体属于共
价晶体;B项,CO2 和 H2O 中的化学键都是极性共价键,且
都属于分子晶体;C项中 BN 和 HCl的化学键相同,都为极
性共价键,但晶体类型不同,BN 晶体属于共价晶体,HCl晶
体属于分子晶体;D 项,CCl4 和 KCl中的化学键不同,CCl4
中为极性共价键,KCl中为离子键.]
2.D [由题给条件可知,X 为氢元素,Y 为氧元素,Z为硅元
素,W 为碳元素.则 WX4 为 CH4;X2Y 为 H2O,其晶体为
分子晶体;ZW 为 SiC,属于共价晶体;ZY2 为 SiO2,SiO2 难
溶于水,也不能与水反应.]
3.C [A.新型材料 B4C 可用于制作切削工具和高温热交换
器,表明了B4C具有硬度大、熔点高的特性,而分子晶体硬
度小、熔沸点低,A错误;B.B4C属于共价晶体,组成微粒是
C、B原子,不含分子,因此 B4C 不是该物质的分子式,B错
误;C新型材料 B4C可用于制作切削工具和高温热交换器,
表明了B4C具有硬度大、熔点高的特性,说明该物质属于共
价晶体,C正确;D.共价晶体中原子间以共价键相结合,B4C
的电子式应为∶B∶ C
‥
B
‥
‥
B
‥
∶B∶,D错误.]
4.C [124gP4 含有的P-P键的个数为6NA,A项错误;12g
石墨中含有 C—C键的个数为1.5NA,B项错误;60gSiO2
中含Si-O键的个数为4NA,D项错误.]
5.解析:A组熔点很高,应是共价晶体,共价晶体熔化时破坏的
是共价键;B组是分子晶体,且结构相似,一般是相对分子质
量越大,熔点越高;HF的相对分子质量最小但熔点比 HCl
高,出现反常的原因是 HF分子间存在氢键,HF熔化时除
了破坏范德华力,还要破坏氢键,所需能量更多,因而熔点更
高.分子晶体在固态和熔化状态都不导电.
答案:(1)共价 共价键 (2)HF分子间能形成氢键 (3)
③④
第三节 金属晶体与离子晶体
第1课时 金属键与金属晶体
教材梳理探新知
知识梳理 知识点一
1.金属阳离子 自由电子 2.金属阳离子 自由电子 3.金
属单质 合金 4.价层电子 所有金属原子
知识点二
1.自由电子 2.相对滑动 排列方式 电子气
自我评价
1.(1)× 提示:金属晶体的熔点差异很大,如钨熔点很高,超
过3000℃,有的则很低,如汞在常温下为液体.
(2)× 提示:金属受外力作用发生变形而不易折断,是因为
金属晶体 中 各 层 发 生 相 对 滑 动,但 不 会 改 变 原 来 的 排 列
方式.
(3)× (4)√ (5)× (6)√
2.(1)分子晶体 (2)共价晶体 (3)分子晶体
(4)金属晶体
重难突破释疑惑
重难点 思考探究
(1)提示:没有改变.金属被压成薄片、拉丝、制成导线的过程
仅是改变金属形状的物理变化,其成分没有改变.
401
化学选择性必修二
(2)提示:金属中存在自由电子,自由电子被所有原子共用,从
而把所有金属原子维系在一起,当金属受到外力作用时,各
原子层发生滑动而具有良好的延展性;在外加电场作用下,
自由电子会发生定向移动而导电;自由电子在运动时会与
金属原子发生碰撞而传递热量.
(3)提示:不一定.如金属晶体中只有阳离子和自由电子,没有
阴离子,但有阴离子时,一定有阳离子.
(4)提示:由于金属键是产生在自由电子(带负电)和金属阳离
子(带正电)之间的电性作用,所以金属阳离子电荷越多,半
径越小,则金属键越强.由于堆积方式影响空间利用率,所
以它也是金属键强弱的影响因素之一.
典例示范
[典例] B [从基本构成微粒的性质看,金属键与离子键的
实质类似,都属于电性作用,特征都是无方向性和饱和性;自
由电子是由金属原子提供的,并且在整个金属内部的三维
空间内运动,为整个金属的所有阳离子所共有,从这个角度
看,金属键与共价键有类似之处,但两者又有明显的不同,如
金属键无方向性和饱和性.故选B.]
学以致用
1.D [Hg常温下是液态,不是晶体,A 项错误;H、He最外层
电子数都少于3个,但它们不是金属,B项错误;金属的延展
性指的是能抽成细丝、轧成薄片的性质,在液态时,由于金属
具有流动性,不具备延展性,C项错误;金属晶体中存在自由
电子,能够导电、传热,D项正确.]
2.C [镁离子比铝离子的半径大且所带的电荷少,所以金属
镁比金属铝的金属键弱,熔、沸点和硬度都小;从 Li到 Cs,
离子的半径是逐渐增大的,所带电荷相同,金属键逐渐减弱,
熔、沸点和硬度都逐渐减小;因镁离子的半径小且所带电荷
多,使金属镁比金属钠的金属键强,所以金属镁比金属钠的
熔、沸点和硬度都大;因镁离子的半径小而所带电荷相同,使
金属镁比金属钙的金属键强,所以金属镁比金属钙的熔、沸
点和硬度都大.]
随堂自测夯基础
1.A [金属一般具有银白色的金属光泽,与金属键密切相关.
由于金属原子以最紧密堆积状态排列,内部存在自由电子,所
以当光辐射到它的表面上时,自由电子可以吸收所有频率的光,
然后很快释放出各种频率的光,这就使得绝大多数金属呈现银
灰色以至银白色光泽,故 A项错误;B、C、D项均正确.]
2.B [金属的物理性质是由金属晶体结构所决定的,A、C、D
三项都是金属共有的物理性质,这些性质都是由金属晶体结
构所决定的.B项,金属易失电子是由金属原子的结构决定
的,和晶体结构无关.]
3.C [金属原子的价层电子数:Al>Mg=Ca=Ba>Li=Na,
金属阳离子的半径:r(Ba2+ )>r(Ca2+ )>
r(Na+ )>r(Mg2+ )>r(Al3+ )>r(Li+ ),则 C正确.]
4.C [金属能导电是因为自由电子在外加电场作用下定向移
动,A 项错误;金属能导热是因为自由电子在热的作用下与
金属阳离子碰撞,从而发生热的传导,B项错误;合金与纯金
属相比,由于增加了不同的金属或非金属,相当于填补了金
属阳离子之间的空隙,所以一般情况下合金的延展性比纯金
属弱,硬度比纯金属大,D项错误.]
5.解析:(1)根据金属铝晶胞结构,一个铝原子周围距离最近且
等距离的铝原子共12个.一个晶胞中金属铝原子的数目为
8×18+6×
1
2=4
.(2)金属铝晶胞棱长(a)和铝原子的半
径(r)的关系为 2a=4r,故a=2 2r,一个金属铝晶胞的体
积为V=a3=16 2×(1.42×10-10)3m3≈6.48×10-29m3.
(3)ρ=
4M
NA(2 2r)3
= M
4 2r3NA
≈2.77gm-3.
答案:(1)12 4 (2)4.02×10-10 6.48×10-23
(3)2.77gcm-3
第2课时 离子晶体 过渡晶体与混合型晶体
教材梳理探新知
知识梳理 知识点一
1.(1)阳离子 阴离子 (2)离子键 3.(1)较大 (2)较高
(3)熔融状态或水溶液
知识点二
1.(1)分子 共价 金属 离子 (2)Na2O Al2O3 SiO2
2.(2)平面六元并环结构 范德华力 (3)混合型晶体
(4)很高 易
自我评价
1.(1)× (2)× (3)× (4)×
2.(1)提示:不一定,如 NH4Cl固体是离子晶体但它不含金属
元素.
(2)提示:由于碳原子的p轨道相互平行且相互重叠,p轨道
中的电子 可 在 整 个 碳 原 子 平 面 中 运 动,所 以 石 墨 具 有 导
电性.
重难突破释疑惑
重难点一 思考探究
(1)提示:火山石是火山喷发后的岩浆形成的岩石,主要成分为
硅酸盐,属于离子晶体.
(2)提示:不一定.也可能是金属晶体;晶体中含有阳离子,不
一定存在阴离子,如金属晶体由阳离子和自由电子构成.
(3)提 示:不 一 定. 离 子 晶 体 中 不 一 定 含 金 属 元 素. 如
NH4Cl、NH4NO3 等铵盐.由金属元素和非金属元素组成
的晶体不一定是离子晶体,如 AlCl3 是分子晶体.
(4)提示:不一定.离子晶体的熔点不一定低于共价晶体,如
MgO是 离 子 晶 体,SiO2 是 共 价 晶 体,MgO 的 熔 点 高 于
SiO2 的熔点.
(5)提示:离子晶体中除含有离子键外,还有可能含有共价键、
配位键.如 Na2O2、NaOH、Ba(OH)2、Na2SO4 中均含离子
键和共价键,NH4Cl中含有离子键、共价键、配位键.
501
参考答案