第38练 检测场效晶体管《电子元器件与电路基础》(高教版·第2版) 一课一练
2025-04-02
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内容正文:
编写说明:考虑到中职学生普遍基础知识相对薄弱的情况,我们依据支架式教学理念,精心编制了《电子元器件与电路基础》(高教版·第2版)一课一练。专辑里的每一份练习,都与课堂所授知识点紧密相关,题目围绕课堂所学知识点呈现。目的在于激发学生的学习兴趣,培养他们的学习自觉性,帮助学生扎实掌握课程的基本概念与基本方法,为他们后续的进一步提升奠定坚实基础。
本卷是《电子元器件与电路基础》(高教版·第2版)一课一练的第38练,内容涵盖第十一章识别与检测场效应晶体管的第二节检测场效晶体管。
《电子元器件与电路基础》(高教版·第2版)第38练
第十一章 识别与检测场效应晶体管
第二节 检测场效晶体管
一、填空题
1.用万用表判别场效晶体管的引脚时,量程应选择______档。
2.用万用表区分结型场效晶体管和绝缘栅型场效晶体管时,若G、S间电阻呈PN结特性,则为______管。
3.检测场效晶体管的漏、源极之间电阻时,若阻值为无穷大,可能是______。
二、单选题
4.用万用表判别场效晶体管的引脚时,若某两脚正反向电阻相等且为几千欧,则这两脚是( )。
A.栅极G、漏极D
B.栅极G、源极S
C.漏极D、源极S
D.无法判断
5.用万用表检测场效晶体管类型时,黑表笔接栅极G,红表笔接另两脚,若两次电阻均很小,则为( )。
A.N沟道场效晶体管
B.P沟道场效晶体管
C.损坏
D.无法判断
6.用万用表检测场效晶体管漏、源极电阻时,量程应选择( )。
A.R×1
B.R×10
C.R×1k
D.R×10k
三、判断题
7.用万用表电阻挡判别场效晶体管引脚时,若两次测得阻值近似相等,则红表笔接触的为栅极。( )
8.结型场效晶体管的源极和漏极可以调换使用。( )
9.绝缘栅型场效晶体管在测量时需注意静电防护。( )
四、综合题
10.描述用万用表检测N沟道增强型MOS管好坏的步骤。
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编写说明:考虑到中职学生普遍基础知识相对薄弱的情况,我们依据支架式教学理念,精心编制了《电子元器件与电路基础》(高教版·第2版)一课一练。专辑里的每一份练习,都与课堂所授知识点紧密相关,题目围绕课堂所学知识点呈现。目的在于激发学生的学习兴趣,培养他们的学习自觉性,帮助学生扎实掌握课程的基本概念与基本方法,为他们后续的进一步提升奠定坚实基础。
本卷是《电子元器件与电路基础》(高教版·第2版)一课一练的第38练,内容涵盖第十一章识别与检测场效应晶体管的第二节检测场效晶体管。
《电子元器件与电路基础》(高教版·第2版)第38练
第十一章 识别与检测场效应晶体管
第二节 检测场效晶体管
一、填空题
1.用万用表判别场效晶体管的引脚时,量程应选择______档。
【答案】R×100
2.用万用表区分结型场效晶体管和绝缘栅型场效晶体管时,若G、S间电阻呈PN结特性,则为______管。
【答案】结型
3.检测场效晶体管的漏、源极之间电阻时,若阻值为无穷大,可能是______。
【答案】内部开路
二、单选题
4.用万用表判别场效晶体管的引脚时,若某两脚正反向电阻相等且为几千欧,则这两脚是( )。
A.栅极G、漏极D
B.栅极G、源极S
C.漏极D、源极S
D.无法判断
【答案】C
【解析】漏极与源极间电阻对称,正反向阻值相近。
5.用万用表检测场效晶体管类型时,黑表笔接栅极G,红表笔接另两脚,若两次电阻均很小,则为( )。
A.N沟道场效晶体管
B.P沟道场效晶体管
C.损坏
D.无法判断
【答案】B
【解析】低阻值表明为P沟道(栅极与源漏极间为正向PN结)。
6.用万用表检测场效晶体管漏、源极电阻时,量程应选择( )。
A.R×1
B.R×10
C.R×1k
D.R×10k
【答案】C
【解析】漏源极电阻通常较大,需用高阻档。
三、判断题
7.用万用表电阻挡判别场效晶体管引脚时,若两次测得阻值近似相等,则红表笔接触的为栅极。( )
【答案】×
【解析】栅极与其他两极电阻不对称,此情况应为漏极或源极。
8.结型场效晶体管的源极和漏极可以调换使用。( )
【答案】√
【解析】结型场效晶体管的漏极和源极结构对称,可互换。
9.绝缘栅型场效晶体管在测量时需注意静电防护。( )
【答案】√
【解析】MOS管栅极易被静电击穿,需防静电操作。
四、综合题
10.描述用万用表检测N沟道增强型MOS管好坏的步骤。
【答案】1.用R×10k档测栅极(G)与源极(S)、漏极(D)间电阻,正常时应为无穷大。
2.短接G与S,测D与S间电阻,正常时应为低阻;断开短接后阻值恢复高阻,则管正常。
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